專利名稱：過電壓保護(hù)元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是提供一種過電壓保護(hù)元件及其制造方法，尤指基板上縱向開設(shè)的ー個(gè)或 ー個(gè)以上嵌置孔內(nèi)為分別埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材，并于基板ニ側(cè)表面上予以金屬化形成有電極導(dǎo)體，而具有過電壓保護(hù)的功能。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今電子產(chǎn)品及其外圍相關(guān)電子設(shè)備皆會(huì)使用到主動(dòng)元件與被動(dòng)元件，其中主動(dòng)元件(如微處理器或芯片等)是可單獨(dú)執(zhí)行運(yùn)算、處理的功能，而被動(dòng)元件相對(duì)于主動(dòng)元件則是在進(jìn)行電流或電壓改變時(shí)，使其電阻或阻抗不會(huì)隨之改變的元件，并以電阻、電容與電感合稱作三大被動(dòng)元件，即可由三者相互搭配應(yīng)用于信息、通訊、消費(fèi)電子或其他エ業(yè)產(chǎn)品領(lǐng)域而達(dá)成電子回路控制的功能。然而，不正常高電壓及靜電對(duì)于電子產(chǎn)品的傷害一直是不易解決的問題，若是正常操作的電子產(chǎn)品，一旦受到不正常高電壓、靜電放電(ESD)作用吋，常會(huì)出現(xiàn)ー些不穩(wěn)定的現(xiàn)象，如功能突然失常情形等，輕者須重開機(jī)才能排除，重則因電子產(chǎn)品內(nèi)的電子元件不堪承受不正常高電壓、靜電的電壓而損毀，因此，目前普遍的作法是利用過電壓保護(hù)元件來作為過電壓保護(hù)使用，而過電壓保護(hù)元件屬于被動(dòng)元件中電阻類產(chǎn)品，并廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、主板、筆記本電腦及數(shù)字相機(jī)等，防止電子產(chǎn)品內(nèi)的電子元件被不正常高電壓及靜電產(chǎn)生的高壓所損毀，例如電子產(chǎn)品背光源使用的發(fā)光二極管(LED)很容易被靜電所損毀，通常愈高階的電子產(chǎn)品使用過電壓保護(hù)元件的顆數(shù)也愈多。再者，傳統(tǒng)的發(fā)光二極管裝置是將發(fā)光二極管芯片設(shè)置于散熱基板上，井利用金線或鋁線使其發(fā)光二極管芯片電極分別耦合于散熱基板的正負(fù)極，同時(shí)為了防止不正常高電壓及靜電可能造成發(fā)光二極管芯片損毀的現(xiàn)象，便有業(yè)者開始使用齊納ニ極管(Zener Diodes)來作為發(fā)光二極管裝置的過電壓保護(hù)元件，其線路設(shè)計(jì)大多是將過電壓保護(hù)元件利用表面黏著技術(shù)(SMT)、覆晶式(Flip-Chi ρ)封裝的方式設(shè)置于散熱基板上，或是散熱基板制程中以低溫共燒陶瓷(LTCC)直接將ー個(gè)或ー個(gè)以上過電壓保護(hù)元件成型于散熱基板表面上，再利用金線或鋁線將過電壓保護(hù)元件耦合于散熱基板的正負(fù)極，由此可保護(hù)發(fā)光二極管芯片不被不正常高電壓及靜電損毀。此種使用齊納ニ極管與發(fā)光二極管芯片并聯(lián)所形成的過電壓保護(hù)回路，雖然可提供發(fā)光二極管裝置受到不正常高電壓及靜電作用時(shí)的防護(hù)效果，但卻造成發(fā)光二極管裝置產(chǎn)品設(shè)計(jì)上無法讓光軸保持于正中央，也因此需要讓出散熱基板一部分的區(qū)域來設(shè)置過電壓保護(hù)元件，使其整體的有效反射面積縮小，以致出光效率下降及光軸設(shè)計(jì)困難度增加， 或是使用低溫共燒陶瓷(LTCC)材料本身導(dǎo)熱不佳所產(chǎn)生散熱基板無法作高效能散熱的問題，若采用氮化鋁、高純度氧化鋁等導(dǎo)熱效果良好的材料，或是硅控硅片以拉單晶的方式成型則必須進(jìn)行高溫(如1600 1700°C)真空或還原燒結(jié)的過程，而在此等高溫的狀態(tài)下制作內(nèi)埋式過電壓保護(hù)元件相當(dāng)?shù)睦щy，其所需耗費(fèi)的制造成本亦非常地昂貴，是以，若能研發(fā)出ー種可利用高導(dǎo)熱材料將過電壓保護(hù)元件埋設(shè)于散熱基板內(nèi)部的制造方法，即可有效防止因不正常高電壓及靜電造成散熱基板上的發(fā)光二極管芯片損毀的現(xiàn)象，而具有過電壓防護(hù)效果，并可確保散熱基板表面的平整性，使發(fā)光二極管裝置光軸設(shè)計(jì)上容易保持于正中央，且可提升出光效率、散熱的效果，即為從事于此行業(yè)者所亟欲研究改善的方向所在。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明人有鑒于現(xiàn)有技術(shù)的過電壓保護(hù)元件的不足與缺失，乃搜集相關(guān)數(shù)據(jù)經(jīng)由多方評(píng)估及考慮，方以從事于此行業(yè)的多年經(jīng)驗(yàn)透過不斷的試作與修改，始設(shè)計(jì)出此種過電壓保護(hù)元件及其制造方法發(fā)明專利誕生。本發(fā)明的主要目的乃在于基板表面上為縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上的嵌置孔，且各嵌置孔內(nèi)分別埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材，并于基板ニ側(cè)表面上形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體，當(dāng)過電壓保護(hù)元件ニ端電極導(dǎo)體所承受的電壓為大于崩潰電壓吋，其阻抗值將瞬間極小化以抑制瞬時(shí)或突波電壓，并吸收大部分異常電流經(jīng)由過電壓保護(hù)回路排散，由此可防止基板預(yù)設(shè)線路上連接的外部光電元件芯片 (如發(fā)光二極管芯片)承受不正常高電壓、靜電放電(ESD)作用造成損毀的現(xiàn)象，而具有過電壓保護(hù)功能，且可有效減少噪聲干擾使電子產(chǎn)品背光源使用的發(fā)光裝置得以正常運(yùn)作。本發(fā)明的次要目的乃在于基板上的嵌置孔內(nèi)為埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材，并配合基板ニ側(cè)表面上的電極導(dǎo)體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，相較于傳統(tǒng)散熱基板表面上利用表面黏著技木、 覆晶式封裝或以低溫共燒陶瓷成型方式設(shè)置的過電壓保護(hù)元件，不但可防止不正常高電壓及靜電所造成外部光電元件芯片損毀的現(xiàn)象，并可確?；灞砻嫫秸远粫?huì)影響外部光電元件設(shè)置于基板上的整體空間配置，以降低外部光電元件光軸設(shè)計(jì)上的不便與困難度， 使光軸容易保持于基板正中央且可提升整體出光效率、散熱效果。本發(fā)明的技術(shù)方案，提供一種過電壓保護(hù)元件，尤指可將過電壓保護(hù)元件基材埋設(shè)于基板內(nèi)的過電壓保護(hù)元件，其中，包括有基板及過電壓保護(hù)元件基材，其中基板表面上縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔，且各嵌置孔內(nèi)分別埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材，并于基板ニ側(cè)表面上分別形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體。本發(fā)明的技術(shù)方案，還提供一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，包括有基板及過電壓保護(hù)元件基材，并依照下列的步驟實(shí)施(A)將基板表面上利用機(jī)械加工方式縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔；(B)將過電壓保護(hù)元件基材調(diào)制的原料填充、注入于基板的嵌置孔內(nèi)，并予以加熱固化成型；(C)將基板ニ側(cè)表面上利用導(dǎo)電金屬予以金屬化形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下ニ側(cè)處的電極導(dǎo)體，便完成過電壓保護(hù)元件的制造方法。


圖1為本發(fā)明的制造流程圖。圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的側(cè)視剖面圖。圖3為本發(fā)明調(diào)制過電壓保護(hù)元件原料的示意圖。
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主要元件符號(hào)說明1 基板11 嵌置孔2 過電壓保護(hù)元件基材3 電極導(dǎo)體
具體實(shí)施例方式為達(dá)成上述目的及功效，本發(fā)明所采用的技術(shù)手段及其構(gòu)造，茲繪圖就本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳加說明其特征與功能如下，以利于完全了解。請(qǐng)同時(shí)參閱圖1、圖2、圖3所示，為本發(fā)明的制造流程圖、較佳實(shí)施例的側(cè)視剖面圖及調(diào)制過電壓保護(hù)元件原料的示意圖，由圖中可清楚看出，本發(fā)明為包括有基板1及過電壓保護(hù)元件基材2，而基板1表面上縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔11，且各嵌置孔11內(nèi)分別埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材2，并于基板1 ニ側(cè)表面上分別形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材2上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體3。當(dāng)利用本發(fā)明過電壓保護(hù)元件的制造方法吋，依照下列步驟實(shí)施處理(101)基板1上制作內(nèi)孔，先將基板1表面上利用機(jī)械加工方式縱向開設(shè)有ー個(gè)或 ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔11。(102)調(diào)制過電壓保護(hù)元件基材2原料，將過電壓保護(hù)元件基材2原料調(diào)制成膏狀(103)填充過電壓保護(hù)元件基材2原料、固化成型，將調(diào)制完成的過電壓保護(hù)元件基材2原料利用點(diǎn)膠(Dispensing)、模鑄(Molding)的方式填充，或以網(wǎng)版印刷的方式注入于基板1的嵌置孔11內(nèi)，并予以加熱固化成型。(104)電極制作，基板1 ニ側(cè)表面上利用電鍍法將導(dǎo)電金屬浸積，或以金屬膏網(wǎng)版印刷、真空鍍膜方式予以金屬化形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材2上、下ニ側(cè)處的電極導(dǎo)體3，便完成本發(fā)明過電壓保護(hù)元件的制造方法。由上述的實(shí)施步驟可清楚得知，上述的構(gòu)件于制造吋，其實(shí)施步驟是先將基板1 表面上利用激光、水刀、鉆孔、銑削(Hole Dri lling)或其他機(jī)械加工方式縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔11，并將過電壓保護(hù)元件基材2原料依預(yù)定重量百分比調(diào)制成膏狀(Blend Paste)、黏稠狀或液態(tài)備用，再利用點(diǎn)膠(Dispensing)、模鑄(Molding)的方式填充，或以網(wǎng)版印刷的方式來注入于基板1的嵌置孔11內(nèi)，并依過電壓保護(hù)元件基材2 原料固化條件予以升溫、加熱固化(Filling Thr ough Hole And Firing) 一體成型，然后便可進(jìn)行金屬電極的制作，使其基板1 ニ側(cè)表面上利用電鍍法將導(dǎo)電金屬(如銅Cu、銀Ag、 金Au、鎳Ni、鈀1 、錫Sn或鉬金合金(Pt+Au)等材質(zhì))浸積，或以金屬膏網(wǎng)版印刷、真空鍍膜、化學(xué)蒸鍍或?yàn)R鍍等方式形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材2上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體3，即可依據(jù)過電壓保護(hù)元件制作的規(guī)范完成必要的電性測試，以符合產(chǎn)品電性規(guī)格要求，并確保制造的質(zhì)量與良率，且可配合傳統(tǒng)電路板電路布局(Layout)制程便于大量生產(chǎn)且更為簡易，便完成本發(fā)明過電壓保護(hù)元件的制造方法。再者，上述的基板1可為廠商自行制作或目前市面上所既有販賣的硬質(zhì)基板，并與低溫共燒陶瓷(LTCC)原料一開始所使用未經(jīng)過燒結(jié)的薄帶不同，其基板1材質(zhì)可為有機(jī)物、無機(jī)物或金屬材質(zhì)所制成，如陶瓷、硅、玻璃、玻璃纖維、聚酯、酚醛(通稱電木)或鋁基板等，且該基板1上的ー個(gè)或ー個(gè)以上嵌置孔11可為直孔、錐形孔、沙漏狀孔洞或其他各種貫穿孔的型態(tài)，即可將調(diào)制完成的過電壓保護(hù)元件基材2原料填充、注入于基板1的嵌置孔 11內(nèi)加熱升溫、燒結(jié)或是固化一體成型，再將基板1 ニ側(cè)表面上利用導(dǎo)電金屬予以金屬化 (Metal lization)形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材2上、下ニ側(cè)處的電極導(dǎo)體3，由此可完成制作出本發(fā)明的過電壓保護(hù)元件內(nèi)埋式基板(Embedded Substrate)成品，此種基板1 上的嵌置孔11內(nèi)埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材2配合其ニ側(cè)表面上的電極導(dǎo)體3結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)， 當(dāng)過電壓保護(hù)元件ニ端電極導(dǎo)體3所承受的電壓為大于崩潰電壓(Breakdown Voltage) 吋，其阻抗值將瞬間極小化以抑制瞬時(shí)或突波電壓，并吸收大部分異常電流經(jīng)由過電壓保護(hù)回路排散，由此可防止基板1的預(yù)設(shè)線路上連接的外部光電元件芯片(如發(fā)光二極管芯片)承受不正常高電壓、靜電放電(ESD)作用造成損毀的現(xiàn)象，而具有過電壓保護(hù)功能，且可有效減少噪聲干擾，使電子產(chǎn)品背光源使用的發(fā)光裝置得以正常運(yùn)作，故，本發(fā)明相較于傳統(tǒng)散熱基板表面上利用表面黏著技術(shù)(SMT)、覆晶式(Flip-Ch ip)封裝或以低溫共燒陶瓷(LTCC)成型方式所設(shè)置的過電壓保護(hù)元件，不但可防止因不正常高電壓及靜電所造成外部光電元件芯片損毀的現(xiàn)象，并可確保基板1表面的平整性，而不會(huì)影響外部光電元件設(shè)置于基板1上的整體空間配置，以降低外部光電元件光軸設(shè)計(jì)上的不便與困難，使光軸容易保持于基板1正中央，且可提升整體出光效率、散熱效果。 而基板1的嵌置孔11內(nèi)一體成型的過電壓保護(hù)元件基材2調(diào)制的原料較佳實(shí)施例主要可分為三大系列第一類為使用半導(dǎo)體陶瓷材料〔如氧化鋅(ZnO)、鈦酸鍶(Sr TiO3)、碳化硅(SiC)等陶瓷材料〕摻雜0. 30%重量百分比后鍛燒(Calcni ed)成為半導(dǎo)化，再制成粉末后調(diào)成為膏狀，其中最佳的一具體實(shí)施例為使用氧化鋅89.9%、氧化錳(MnO)O. 97%、氧化鎳(NiO) 2%、氧化鈷(CoO) 0. 97 %、氧化鋪(Sb2O3) 3. 43 %及氧化鉍 (BiO3) 2. 73%材料依預(yù)定重量百分比摻雜、混合后，送入高溫爐進(jìn)行鍛燒1250°C燒結(jié)成為半導(dǎo)化，并經(jīng)過研磨、滾壓等方式制成半導(dǎo)化的氧化鋅粉末，且半導(dǎo)化的過電壓保護(hù)元件基材2崩潰電壓大小為受到摻雜材料的種類(如氧化錳、氧化鎳、氧化鈷、氧化銻、氧化鉍等) 與摻雜重量百分比以及燒結(jié)溫度的控制，再將半導(dǎo)化的氧化鋅粉末加入玻璃粉及樹脂調(diào)制成為膏狀、黏稠狀或液態(tài)等備用；第二類為使用弾性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末〔如硅膠45%中混入金屬顆粒鎢(W) 55%〕、弾性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末及ー種或ー種以上的非導(dǎo)體粉末(如硅膠45%中混入金屬顆粒鎢45%及氧化鋁粉10% )，或是彈性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末及ー種或ー種以上的半導(dǎo)體粉末(如硅膠45%中混入金屬顆粒鎢45%及碳化硅粉10% )混合在一起后，再加入玻璃粉及樹脂調(diào)制成為膏狀，此種調(diào)制的原料加熱固化后便會(huì)因膨脹系數(shù)不同而形成導(dǎo)通的微裂孔(Microcrack)，且該彈性高分子材料中所分布導(dǎo)通的金屬微?？煽s短過電壓保護(hù)元件ニ端電極導(dǎo)體3的導(dǎo)通距離而降低崩潰電壓；又，第三類為使用ニ種膨脹系數(shù)不同但比重相當(dāng)?shù)牟牧?如氧化鋁及玻璃)加上ー種或ー種以上的金屬粉末〔如銀鈀(Ag/Pt)〕混合在一起后調(diào)制成為膏狀，其中最佳的一具體實(shí)施例為使用1 3μπι氧化鋁(Al2O3)粉末 30%、鋅硼玻璃60%及銀鈀(Ag/Pt) 10%的粉末混合后，再加入樹脂調(diào)制成為膏狀，此種調(diào)制的原料加熱固化后氧化鋁與玻璃之間便會(huì)形成導(dǎo)通的微裂孔，其中分布導(dǎo)通的金屬微?？煽s短過電壓保護(hù)元件ニ端電極導(dǎo)體3的導(dǎo)通距離而降低崩潰電壓大小，惟此部分有關(guān)基板1內(nèi)埋設(shè)的過電壓保護(hù)元件基材2配合其ニ側(cè)表面上的電極導(dǎo)體3如何通過摻雜材料的種類、重量百分比、濃度或燒結(jié)溫度控制崩潰電壓(擊穿電壓)大小，以及ニ端電極導(dǎo)體3 所承受的電壓使空氣游離連續(xù)激發(fā)出電子，并通過金屬微粒作為跳板形成導(dǎo)通(擊穿)狀態(tài)，而可作為過電壓保護(hù)機(jī)制提供穩(wěn)定的電壓為現(xiàn)有技術(shù)的范疇，且該細(xì)部構(gòu)成因非本發(fā)明的重點(diǎn)所在，故在本說明書中僅作ー簡單敘述，以供了解。此外，以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例而已，非因此即局限本發(fā)明的專利范圍，本發(fā)明主要針對(duì)基板1表面上為縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔11，且各嵌置孔11內(nèi)分別埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材2，并于基板1 ニ側(cè)表面上形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材2上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體3，當(dāng)過電壓保護(hù)元件ニ端電極導(dǎo)體3承受的電壓為大于崩潰電壓吋，其阻抗值將瞬間極小化以抑制瞬時(shí)或突波電壓，并吸收大部分異常電流經(jīng)由過電壓保護(hù)回路排散，而具有過電壓保護(hù)的功能，并可確?；?表面的平整性，以妥善安排外部光電元件設(shè)置于基板1上的整體空間配置，使其光軸設(shè)計(jì)上容易保持于基板1正中央，且可提升出光效率、散熱效果，故舉凡可達(dá)成前述效果的流程步驟、方法皆應(yīng)受本發(fā)明所涵蓋，此種簡易修飾及等效結(jié)構(gòu)變化，均應(yīng)同理包含于本發(fā)明專利范圍內(nèi)。綜上所述，本發(fā)明過電壓保護(hù)元件及其制造方法使用時(shí)為確實(shí)能達(dá)到其功效及目的，故本發(fā)明誠為ー實(shí)用性優(yōu)異的發(fā)明，為符合發(fā)明專利的申請(qǐng)要件，依法提出申請(qǐng)。
權(quán)利要求
1.一種過電壓保護(hù)元件，尤指可將過電壓保護(hù)元件基材埋設(shè)于基板內(nèi)的過電壓保護(hù)元件，其特征在干，包括有基板及過電壓保護(hù)元件基材，其中基板表面上縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー 個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔，且各嵌置孔內(nèi)分別埋設(shè)有過電壓保護(hù)元件基材，并于基板ニ側(cè)表面上分別形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件，其特征在于，該基板可為有機(jī)物、無機(jī)物或金屬材質(zhì)所制成，且基板上的嵌置孔可為直孔、錐形孔或沙漏狀孔洞。
3.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材可為半導(dǎo)體陶瓷材料摻雜0. 30%重量百分比后加熱固化成為半導(dǎo)化，且半導(dǎo)體陶瓷材料可為氧化鋅、鈦酸鍶或碳化硅，而摻雜的材料可為氧化錳、氧化鎳、氧化鈷、氧化銻及氧化鉍。
4.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材可為彈性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末、弾性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末及ー種或ー種以上的非導(dǎo)體粉末，或弾性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末及ー種或ー種以上的半導(dǎo)體粉末，且彈性高分子材料可為硅膠、金屬粉末可為鎢、非導(dǎo)體粉末可為氧化鋁，而半導(dǎo)體粉末可為碳化硅。
5.如權(quán)利要求1所述的過電壓保護(hù)元件，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材可為ニ 種膨脹系數(shù)不同但比重相當(dāng)?shù)牟牧霞由烯`種或ー種以上的金屬粉末，且ニ種膨脹系數(shù)不同的材料可為氧化鋁及玻璃，而金屬粉末可為銀鈀。
6.一種過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，包括有基板及過電壓保護(hù)元件基材， 并依照下列的步驟實(shí)施(A)將基板表面上利用機(jī)械加工方式縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔；(B)將過電壓保護(hù)元件基材調(diào)制的原料填充、注入于基板的嵌置孔內(nèi)，并予以加熱固化成型；(C)將基板ニ側(cè)表面上利用導(dǎo)電金屬予以金屬化形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下ニ側(cè)處的電極導(dǎo)體，便完成過電壓保護(hù)元件的制造方法。
7.如權(quán)利要求6所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該步驟(A)基板上可利用激光、水刀、鉆孔、銑削或其他機(jī)械加工方式縱向開設(shè)有ー個(gè)或ー個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔，而基板材質(zhì)可為有機(jī)物、無機(jī)物或金屬材質(zhì)所制成，且基板上的嵌置孔可為直孔、錐形孔或沙漏狀孔洞。
8.如權(quán)利要求6所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該步驟(B)過電壓保護(hù)元件基材調(diào)制的原料可為半導(dǎo)體陶瓷材料摻雜0. 30%重量百分比后加熱固化成為半導(dǎo)化，再制成粉末調(diào)制成為膏狀。
9.如權(quán)利要求8所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該半導(dǎo)體陶瓷材料可為氧化鋅、鈦酸鍶或碳化硅，并以氧化鋅89. 9%、氧化錳0. 97%、氧化鎳2%、氧化鈷 0. 97%、氧化銻3. 43%及氧化鉍2. 73%材料摻雜、混合后進(jìn)行鍛燒1250°C燒結(jié)成為半導(dǎo)化，并經(jīng)過研磨、滾壓等方式制成半導(dǎo)化的氧化鋅粉末，再加入玻璃粉及樹脂調(diào)制成為膏狀。
10.如權(quán)利要求6所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該步驟(B)過電壓保護(hù)元件基材調(diào)制的原料可為彈性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末、弾性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末及ー種或ー種以上的非導(dǎo)體粉末，或弾性高分子材料加上ー種或ー種以上的金屬粉末及ー種或ー種以上的半導(dǎo)體粉末，再調(diào)制成為膏狀。
11.如權(quán)利要求10所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材的彈性高分子材料可為硅膠45%并混入金屬顆粒鎢55%，再加入玻璃粉及樹脂調(diào)制成為膏狀。
12.如權(quán)利要求10所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材的彈性高分子材料可為硅膠45%并混入金屬顆粒鎢45%及氧化鋁粉10%，再加入玻璃粉及樹脂調(diào)制成為膏狀。
13.如權(quán)利要求10所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材的彈性高分子材料可為硅膠45%中混入金屬顆粒鎢45%及碳化硅粉10%，再加入玻璃粉及樹脂調(diào)制成為膏狀。
14.如權(quán)利要求6所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該步驟(B)過電壓保護(hù)元件基材調(diào)制的原料可為ニ種膨脹系數(shù)不同但比重相當(dāng)?shù)牟牧霞由烯`種或ー種以上的金屬粉末。
15.如權(quán)利要求14所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該過電壓保護(hù)元件基材的ニ種膨脹系數(shù)不同的材料可為1 3μπι氧化鋁30%、鋅硼玻璃60%及銀鈀10% 粉末混合后，再加入樹脂調(diào)制成為膏狀。
16.如權(quán)利要求6所述的過電壓保護(hù)元件的制造方法，其特征在干，該步驟(C)基板ニ 側(cè)表面上為可利用電鍍法將導(dǎo)電金屬浸積，或以金屬膏網(wǎng)版印刷、真空鍍膜、化學(xué)蒸鍍或?yàn)R鍍方式金屬化形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下ニ側(cè)處呈平整狀的電極導(dǎo)體，且導(dǎo)電金屬可為銅、銀、金、鎳、鈀、錫或鉬/金合金等材質(zhì)。
全文摘要
本發(fā)明為有關(guān)一種過電壓保護(hù)元件及其制造方法，包括有基板及過電壓保護(hù)元件基材，而基板表面上利用機(jī)械加工方式縱向開設(shè)有一個(gè)或一個(gè)以上呈貫通狀的嵌置孔，即可將過電壓保護(hù)元件基材原料調(diào)制成膏狀，并填充、注入于基板的嵌置孔內(nèi)加熱固化成型，再于基板二側(cè)表面上利用導(dǎo)電金屬予以金屬化形成有披覆至過電壓保護(hù)元件基材上、下二側(cè)處的電極導(dǎo)體，便完成過電壓保護(hù)元件內(nèi)埋式基板成品，當(dāng)過電壓保護(hù)元件二端電極導(dǎo)體所承受的電壓為大于崩潰電壓時(shí)，其阻抗值將瞬間極小化以抑制瞬時(shí)或突波電壓，而具有過電壓保護(hù)的功能。
文檔編號(hào)H01C17/28GK102592765SQ201110006320
公開日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2011年1月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月5日
發(fā)明者唐錦榮, 孫思隆, 林文新 申請(qǐng)人:禾伸堂企業(yè)股份有限公司