專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
以往,在IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)等功率器件中，出于降低能量損失及提高散熱性等目的，提出有將半導(dǎo)體晶片減薄的技術(shù)。但是，例如將直徑為6英寸的半導(dǎo)體晶片減薄至80 μ m左右的厚度時(shí)，會(huì)出現(xiàn)在半導(dǎo)體晶片上發(fā)生破裂或彎曲的問題。為了消除這種問題，提出有形成于半導(dǎo)體晶片表面的金屬薄膜的成膜條件及半導(dǎo)體晶片的制造設(shè)備中的處理技術(shù)等。另外，為了推進(jìn)半導(dǎo)體晶片的大直徑化(例如，直徑8英寸等)和進(jìn)一步減薄，提出有將半導(dǎo)體晶片的背面?zhèn)鹊耐庵芏瞬孔鳛榧庸滩?加強(qiáng)筋部)保留下來而減小中央部分厚度的TAIKO(注冊(cè)商標(biāo))技術(shù)及為了將集成電路和MEMS(Micro Electro MechanicalSystems,微機(jī)電系統(tǒng))減薄而用其他部件進(jìn)行加固的WSS (Wafer Support System,晶片承載系統(tǒng))技術(shù)。在此對(duì)采用TAIKO技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明(以下，稱為現(xiàn)有例I)。圖7為示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。而且，圖8 圖11為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。首先，在半導(dǎo)體晶片I的正面?zhèn)刃纬烧姹砻娼Y(jié)構(gòu)2(步驟S101，圖8)。此時(shí)，在半導(dǎo)體晶片I的正面的表面上形成用于將半導(dǎo)體晶片I在水平方向上的位置與光掩膜的位置進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)3。接著，在半導(dǎo)體晶片I的正面上涂布保護(hù)正面表面結(jié)構(gòu)2的抗蝕劑(以下，稱為正面保護(hù)抗蝕劑)111(步驟S102，圖9)。接著，將半導(dǎo)體晶片I的背面?zhèn)鹊耐庵芏瞬孔鳛榧庸滩?加強(qiáng)筋部)102保留下來而僅對(duì)中央部分進(jìn)行研磨以使厚度變薄，由此制作出在半導(dǎo)體晶片I的背面設(shè)置凹部的晶片(以下，稱為加強(qiáng)晶片)101(步驟S103，圖9)。接著，在加強(qiáng)晶片101的背面涂布抗蝕劑(以下，稱為背面抗蝕劑)113(步驟S104，圖10)。接著，通過圖案化處理在背面抗蝕劑113上形成電路圖案。在圖案化工序中，首先將布置在曝光裝置的工作臺(tái)21下方的相機(jī)22和布置在工作臺(tái)21上方的光掩膜24的位置對(duì)準(zhǔn)。接著，在曝光裝置的工作臺(tái)21上以正面?zhèn)瘸碌臓顟B(tài)承載加強(qiáng)晶片101 (圖11)。接著，利用相機(jī)22，從工作臺(tái)21的下方識(shí)別出加強(qiáng)晶片101的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3，并對(duì)準(zhǔn)相機(jī)22與加強(qiáng)晶片101的位置。由此，加強(qiáng)晶片101和光掩膜24的位置被正確對(duì)準(zhǔn)。在工作臺(tái)21上，在對(duì)應(yīng)于加強(qiáng)晶片101的正面上所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的位置設(shè)有開口部23。因此，相機(jī)22通過工作臺(tái)21的開口部23觀察加強(qiáng)晶片101。接著，通過曝光以及顯影，在背面抗蝕劑113上轉(zhuǎn)印光掩膜24的掩膜圖案(步驟S105，圖11)。光掩膜24上形成有對(duì)應(yīng)于加強(qiáng)晶片101的背面表面結(jié)構(gòu)之電路圖案的開口部25。接著，通過對(duì)背面抗蝕劑113進(jìn)行燒固來結(jié)束圖案化工序。接著，將背面抗蝕劑113作為掩膜，通過離子注入以及熱擴(kuò)散，在加強(qiáng)晶片101的背面?zhèn)刃纬杀趁姹砻娼Y(jié)構(gòu)(未圖示)(步驟S106)。接著，去除背面抗蝕劑113。接著，將加強(qiáng)晶片101切割成芯片狀，通過剝離切割帶完成半導(dǎo)體裝置。接下來，說明采用WSS技術(shù)的半導(dǎo)體裝置的制造方法(以下，稱為現(xiàn)有例2)。圖12 圖14為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一示例的說明圖。首先，與現(xiàn)有例I相同地，進(jìn)行步驟SlOl的處理(參照?qǐng)D7、圖8)。接著，在半導(dǎo)體晶片I的正面利用例如紫外線(UV)固化性的粘接劑141貼合支撐基板143 (圖12)。在此，在支撐基板143的用粘接劑141粘接側(cè)的表面上例如涂敷有由吸收激光的材料形成的黑色層142，以便易于從半導(dǎo)體晶片I剝離支撐基板143。接著，研磨半導(dǎo)體晶片I的整個(gè)背面，將半導(dǎo)體晶片I減薄(圖12)。接著，在半導(dǎo)體晶片I的背面涂布抗蝕劑(以下，稱為背面抗蝕劑)144。(圖13)。接著，通過圖案化處理在背面抗蝕劑144上形成電路圖案(圖14)。在圖案化工序中，首先對(duì)準(zhǔn)布置在曝光裝置的工作臺(tái)151上方的紅外線相機(jī)152與布置在工作臺(tái)151和紅外線相機(jī)152之間的光掩膜153的位置。接著，在曝光裝置的工作臺(tái)151上，以正面?zhèn)瘸碌臓顟B(tài)承載半導(dǎo)體晶片I。接著，利用紅外線相機(jī)152，從光掩膜153的上方透過半導(dǎo)體晶片I識(shí)別出形成在半導(dǎo)體晶片I的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3，對(duì)準(zhǔn)紅外線相機(jī)152和半導(dǎo)體晶片I的位置。由此，紅外線相機(jī)152和半導(dǎo)體晶片I的位置被對(duì)準(zhǔn)，半導(dǎo)體晶片I和光掩膜153的位置被正確對(duì)準(zhǔn)。光掩膜153上設(shè)有與半導(dǎo)體晶片I的背面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案對(duì)應(yīng)的開口部154和其位置對(duì)應(yīng)于形成在半導(dǎo)體晶片I的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的開口部155。因此，紅外線相機(jī)152從光掩膜153的開口部155向半導(dǎo)體晶片I照射激光，觀察半導(dǎo)體晶片I。接著，通過曝光以及顯影，在背面抗蝕劑144上轉(zhuǎn)印光掩膜153的掩膜圖案(圖14)。接著，通過對(duì)背面抗蝕劑144進(jìn)行燒固來結(jié)束圖案化工序。接著，與現(xiàn)有例I相同地，將背面抗蝕劑144作為掩膜，通過離子注入以及熱擴(kuò)散，在半導(dǎo)體晶片I的背面?zhèn)刃纬杀趁姹砻娼Y(jié)構(gòu)(未圖示)。接著，去除背面抗蝕劑144。接著，在半導(dǎo)體晶片I的背面例如貼合切割帶。接著，從半導(dǎo)體晶片I的正面?zhèn)日丈浼す馐拐辰觿?41升華，從半導(dǎo)體晶片I剝離支撐基板143。接著，將半導(dǎo)體晶片I切割成芯片狀，通過剝離切割帶完成半導(dǎo)體裝置。如此地，作為在半導(dǎo)體晶片上貼合支撐基板之后改為例如在切割帶上貼合半導(dǎo)體晶片的方法，提出有如下方法:通過具有根據(jù)外部因素其粘合力降低的粘合層的粘合帶在呈板狀物的支撐基板上粘接半導(dǎo)體晶片的表面，并在該狀態(tài)下研磨半導(dǎo)體晶片的背面，在研磨后的半導(dǎo)體晶片的背面粘接切割帶，同時(shí)用切割框支撐切割帶的外周，接著向粘合層作用外部因素而降低粘合層的粘合力，由此在不損傷半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的情況下分離板狀物支撐基板和粘合帶(例如，參照下述專利文獻(xiàn)I)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1:國際公開第03/049164號(hào)小冊(cè)子

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題但是，在上述現(xiàn)有例I中，由于通過加強(qiáng)筋部102在半導(dǎo)體晶片I的背面形成凹部，因此無法均勻地涂布背面抗蝕劑113。因此，如圖10所示，在加強(qiáng)筋部102附近會(huì)出現(xiàn)背面抗蝕劑113變厚的部分131。而且，在背面抗蝕劑113變厚的部分131中，無法通過顯影完全溶解掉背面抗蝕劑113。因此，如圖11所示，無法將對(duì)應(yīng)于光掩膜24的開口部25的電路圖案轉(zhuǎn)印到背面抗蝕劑113。并且，在上述的現(xiàn)有例I中，如圖11所示，需要將加強(qiáng)晶片101與光掩膜24之間的間隔(以下，稱為間隙)132設(shè)置為大于加強(qiáng)筋部102的高度。間隙132越大，分辨率越低或者對(duì)準(zhǔn)精度越低。并且，當(dāng)采用上述的TAIKO技術(shù)時(shí)，若要使半導(dǎo)體晶片I進(jìn)一步大直徑化，則存在從加強(qiáng)晶片101的加強(qiáng)筋部102與中央部之間的層差部分開始發(fā)生破裂或缺失的隱患。圖15為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一示例的說明圖。圖15中示出了采用WSS技術(shù)在半導(dǎo)體晶片I粘接支撐基板(參照現(xiàn)有例2)，并使用將相機(jī)22布置在工作臺(tái)21下方的通常的曝光裝置(參照現(xiàn)有例I)來進(jìn)行曝光以及顯影的情形。在現(xiàn)有例2所示的WSS技術(shù)中，作為粘接劑141以及支撐基板143，例如使用由T-MAT (注冊(cè)商標(biāo))產(chǎn)品化的不透明的粘接劑和由3M(注冊(cè)商標(biāo)，3M公司)產(chǎn)品化的具有黑色層142的玻璃材料、由硅(Si)形成的支撐基板等，這些都是不透明的。因此，如圖15所示，當(dāng)使用通常的曝光裝置時(shí)，布置在工作臺(tái)21下方的相機(jī)22從工作臺(tái)21的開口部23只能觀察到支撐基板143的表面134。即，無法利用相機(jī)22識(shí)別形成在半導(dǎo)體晶片I的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。因此，當(dāng)采用WSS技術(shù)時(shí)，使用如上述的現(xiàn)有例2中所示的具有紅外線相機(jī)152的特殊的曝光裝置(參照?qǐng)D14)。然而，這種曝光裝置價(jià)格高，因此導(dǎo)致成本上升。進(jìn)而，需要在半導(dǎo)體晶片I的正面使用吸收激光的材料形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。并且，需要在光掩膜153設(shè)置使來自紅外線相機(jī)152的激光(紅外線)通過的開口部155。因此，當(dāng)作為背面抗蝕劑144使用正性抗蝕劑時(shí)，因?yàn)殚_口部155的存在而會(huì)對(duì)背面抗蝕劑144實(shí)施不必要的圖案化133。并且，由于利用紅外線相機(jī)152通過不透明的部件(半導(dǎo)體晶片I)識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3，因此無法清晰地獲取對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的影像，導(dǎo)致對(duì)準(zhǔn)精度降低。該發(fā)明是為解決上述現(xiàn)有技術(shù)引起的問題而提出的，其目的在于提供一種提高半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)精度的半導(dǎo)體裝置的制造方法。而且，其目的在于提供一種提高圖案化精度的半導(dǎo)體裝置的制造方法。而且，其目的在于提供一種能夠防止半導(dǎo)體晶片的破裂及缺失的半導(dǎo)體裝置的制造方法。而且，其目的在于提供一種能夠降低成本的半導(dǎo)體裝置的制造方法。技術(shù)方案為了解決上述技術(shù)問題，達(dá)成本發(fā)明的目的，權(quán)利要求1的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行與該半導(dǎo)體晶片的正面的表面形狀對(duì)應(yīng)的圖案化，且包括在所述半導(dǎo)體晶片的正面利用粘接劑貼合支撐基板的貼合工序，該粘接劑具有能夠透視該半導(dǎo)體晶片的正面的透明度，該支撐基板具有能夠透視該半導(dǎo)體晶片的正面的透明度。而且，權(quán)利要求2的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，在所述貼合工序之后，進(jìn)一步包括如下工序:承載工序，在工作臺(tái)上以所述支撐基板側(cè)朝下的狀態(tài)承載所述半導(dǎo)體晶片；位置對(duì)準(zhǔn)工序，從所述工作臺(tái)的下方檢測形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志，對(duì)準(zhǔn)該半導(dǎo)體晶片的位置。而且，權(quán)利要求3的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求2所記載的發(fā)明中，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中，透過所述支撐基板及所述粘接劑檢測形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志。而且，權(quán)利要求4的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求2所記載的發(fā)明中，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中，利用所述相機(jī)檢測形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志。而且，權(quán)利要求5的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求4所記載的發(fā)明中，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中，利用所述相機(jī)從所述工作臺(tái)的下方拍攝通過該工作臺(tái)所具備的開口部可見的所述半導(dǎo)體晶片的正面，基于由該相機(jī)拍攝的圖像，檢測用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志。而且，權(quán)利要求6的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求2所記載的發(fā)明中，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序之后，在所述半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行與該半導(dǎo)體晶片的正面的表面形狀對(duì)應(yīng)的圖案化。而且，權(quán)利要求7的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求2所記載的發(fā)明中，進(jìn)一步包括如下工序:第一圖案形成工序，在所述貼合工序之前在所述半導(dǎo)體晶片的正面形成電路圖案；第二圖案形成工序，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序之后在所述半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行與所述半導(dǎo)體晶片的正面的電路圖案對(duì)應(yīng)的圖案化。而且，權(quán)利要求8的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求7所記載的發(fā)明中，在所述貼合工序之后，在所述第二圖案形成工序之前，還包括研磨所述半導(dǎo)體晶片的背面而使該半導(dǎo)體晶片減薄的減薄工序。而且，權(quán)利要求9的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:在權(quán)利要求7所記載的發(fā)明中:在第一圖案形成工序中，在第一導(dǎo)電型的所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)刃纬山^緣柵雙極型晶體管的正面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案，在第二圖案形成工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的背面的表面層選擇性地形成相接的第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域和第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)域。而且，權(quán)利要求10的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于:在權(quán)利要求7所記載的發(fā)明中，在第一圖案形成工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的正面形成絕緣柵雙極型晶體管的正面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案，在第二圖案形成工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的外周端部從該半導(dǎo)體晶片的背面形成凹部。而且，權(quán)利要求11的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，所述粘接劑具有能夠透視形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志的透明度。而且，權(quán)利要求12的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，所述粘接劑是透明的。而且，權(quán)利要求13的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，所述粘接劑的厚度在15 μ m以上、40 μ m以下。
而且，權(quán)利要求14的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，所述支撐基板具有能夠透視形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志的透明度。而且，權(quán)利要求15的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，所述支撐基板是透明的。而且，權(quán)利要求16的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I所記載的發(fā)明中，所述支撐基板的厚度在5mm以下。而且，權(quán)利要求17的發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在權(quán)利要求I至16中任意一項(xiàng)所記載的發(fā)明中，所述支撐基板的厚度在Imm以下。根據(jù)上述的發(fā)明，在半導(dǎo)體晶片的正面通過粘接劑貼合支撐基板。粘接劑以及支撐基板具有能夠透視半導(dǎo)體晶片的正面的透明度。因此，從工作臺(tái)的下方能夠正確地識(shí)別形成在半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志。由此，能夠在半導(dǎo)體晶片的背面正確地進(jìn)行對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片的正面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案的圖案化。并且，在使用通常的曝光裝置時(shí)，能夠利用WSS技術(shù)來加固被減薄的半導(dǎo)體晶片。并且，由于能夠利用支撐基板加固被減薄的半導(dǎo)體晶片，因此無需在半導(dǎo)體晶片的外周端部形成加強(qiáng)筋部來加固該半導(dǎo)體晶片。由此，可以消除因在半導(dǎo)體晶片形成加強(qiáng)筋部而導(dǎo)致在加強(qiáng)筋部附近產(chǎn)生抗蝕劑加厚的部分的問題、半導(dǎo)體晶片與光掩膜之間的間隔(間隙)變大的問題、從加強(qiáng)筋部與中央部之間的層差部分開始發(fā)生破裂或缺失的問題等問題。并且，由于能夠使用通常的曝光裝置，無需使用在工作臺(tái)上方布置紅外線相機(jī)的特殊曝光裝置(現(xiàn)有例2:參照?qǐng)D14)。由此，與以往相比能夠減少制造成本。有益效果根據(jù)本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，產(chǎn)生能夠提高圖案化精度的效果。而且，產(chǎn)生能夠提高半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)精度的效果。而且，產(chǎn)生能夠防止半導(dǎo)體晶片的破裂及缺失的效果。而且，產(chǎn)生能夠降低制造成本的效果。


圖1為示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。圖2為依序示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖3為依序示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖4為依序示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖5為示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的重要部分的剖面圖。圖6為示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的重要部分的剖面圖。圖7為示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。圖8為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖9為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖10為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖11為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。圖12為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一示例的說明圖。
圖13為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一示例的說明圖。圖14為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一示例的說明圖。圖15為依序示出現(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置的制造方法的另一示例的說明圖。符號(hào)說明:1:半導(dǎo)體晶片2:正面表面結(jié)構(gòu)3:對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記11:透明度高的粘接劑12:透明度高的支撐基板13:抗蝕劑21:曝光裝置的工作臺(tái)22:曝光裝置的相機(jī)23:曝光裝置的工作臺(tái)的開口部24:光掩膜25:光掩膜的開口部
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的優(yōu)選實(shí)施方式。本說明書以及附圖中，用η或者P標(biāo)記的層或區(qū)域分別意味著電子或者空穴為多數(shù)載流子。并且，在η和P上所附加的+以及-分別意味著比沒有附加這些符號(hào)的層或區(qū)域，雜質(zhì)濃度高以及雜質(zhì)濃度低。在此，在以下實(shí)施方式的說明以及附圖中，針對(duì)同樣的構(gòu)成賦予相同的符號(hào)，并省略重復(fù)說明。(實(shí)施方式)圖1為示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的流程圖。并且，圖2 圖4為依序示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法的說明圖。針對(duì)制造在半導(dǎo)體晶片I的背面進(jìn)行與半導(dǎo)體晶片I的正面的表面結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的圖案化、在正面以及背面分別形成電路圖案的半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行說明。首先，通過離子注入以及熱擴(kuò)散，在半導(dǎo)體晶片I的正面的表面層形成例如基極區(qū)及發(fā)射極區(qū)、柵電極、發(fā)射電極等正面表面結(jié)構(gòu)2的電路圖案(步驟SI，圖2:第一圖案形成工序)。此時(shí)，在形成正面表面結(jié)構(gòu)2的電路圖案的同時(shí)，例如在切割線上形成用于將半導(dǎo)體晶片I在水平方向上的位置與光掩膜的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志(對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記)3。由此，在半導(dǎo)體晶片I的正面形成由發(fā)射電極等表面結(jié)構(gòu)和對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3等形成的凹凸形狀(表面形狀)。接著，在半導(dǎo)體晶片I的正面旋涂例如凝膠狀的粘接劑11并燒固。接著，在粘接劑11上粘接支撐基板12。在此，可使用片材狀的粘接劑11。接著，一邊加熱，一邊從半導(dǎo)體晶片I側(cè)及支撐基板12側(cè)施加壓力，從而加壓粘接半導(dǎo)體晶片I和支撐基板12。由此，在半導(dǎo)體晶片I的正面通過粘接劑11貼合支撐基板12 (步驟S2，圖2:貼合工序)。在貼合工序中，使用具有能夠透視半導(dǎo)體晶片I的正面的透明度的粘接劑11及支撐基板12。即，粘接劑11及支撐基板12由使光線透過、吸收或擴(kuò)散光線的程度低、透射率高的材料形成。并且，支撐基板12具有能夠維持被減薄的半導(dǎo)體晶片I的平坦性的程度的硬度。在此，光線主要是指可見光線。具體而言，粘接劑11及支撐基板12所具有的透明度達(dá)到例如利用曝光裝置的相機(jī)(參照?qǐng)D4)從支撐基板12側(cè)拍攝半導(dǎo)體晶片I時(shí)能夠透過粘接劑11及支撐基板12看到半導(dǎo)體晶片I的正面的程度。并且，粘接劑11及支撐基板12具有能夠透視半導(dǎo)體晶片I的正面的表面形狀、即半導(dǎo)體晶片I的正面所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的程度的透明度。較佳地，優(yōu)選透明的粘接劑11及支撐基板12。作為粘接劑11，例如可以使用HD_3007(商標(biāo))等的聚酰亞胺系的透明粘接劑。通過粘接劑11使半導(dǎo)體晶片I和支撐基板12加壓粘接之后的粘接劑11的厚度(以下，簡稱為粘接劑11的厚度)優(yōu)選為在15 μ m以上、40 μ m以下。其理由如下:當(dāng)粘接劑11的厚度小于15 μ m時(shí),無法用粘接劑11平坦地填補(bǔ)半導(dǎo)體晶片I的正面表面結(jié)構(gòu)2的凹凸，會(huì)出現(xiàn)正面表面結(jié)構(gòu)2接觸到支撐基板12的部分。因此，無法利用粘接劑11來保護(hù)正面表面結(jié)構(gòu)2。另外，當(dāng)粘接劑11的厚度大于40 μ m時(shí)，不能透視半導(dǎo)體晶片I的正面。進(jìn)一步地，當(dāng)粘接劑11的厚度大于40 μ m時(shí)，存在半導(dǎo)體晶片I傾斜地加壓粘接在支撐基板12上的隱患。因此，就粘接劑11的厚度而言，優(yōu)選為具有能夠保護(hù)正面表面結(jié)構(gòu)2的程度的厚度，并且又薄到能夠透視半導(dǎo)體晶片I的正面的程度。作為支撐基板12，例如可以使用由二氧化硅(SiO2)形成的礦物(石英)及派熱克斯(Pyrex，注冊(cè)商標(biāo))及TEMPAX (注冊(cè)商標(biāo))等的耐熱玻璃、透明的碳化硅(SiC)基板。支撐基板12的厚度優(yōu)選為在5mm以下。其理由在于，當(dāng)支撐基板12的厚度在5mm以上時(shí),無法透視半導(dǎo)體晶片I的正面。并且，支撐基板12的厚度優(yōu)選為在Imm以下。其理由在于，當(dāng)支撐基板12的厚度在1_以上時(shí)，存在例如無法在一般所使用的晶片盒中收容半導(dǎo)體晶片I的問題。因此，含粘接劑11及支撐基板12的厚度的半導(dǎo)體晶片I的厚度優(yōu)選為能夠利用搬運(yùn)機(jī)械手將半導(dǎo)體晶片I收容到晶片盒中、且能夠利用搬運(yùn)機(jī)械手取出半導(dǎo)體晶片I的厚度。接著，對(duì)半導(dǎo)體晶片I的整個(gè)背面進(jìn)行研磨，對(duì)半導(dǎo)體晶片I進(jìn)行減薄(步驟S3，圖2:減薄工序)。接著，在半導(dǎo)體晶片I的背面涂布抗蝕劑(背面抗蝕劑)13(步驟S4，圖3)。接著，通過圖案化處理在背面抗蝕劑13上形成電路圖案。在圖案化工序中，首先將布置在曝光裝置的工作臺(tái)21下方的相機(jī)22與布置在工作臺(tái)21上方的光掩膜24的水平方向上的位置對(duì)準(zhǔn)到例如預(yù)先設(shè)定的位置。接著，在工作臺(tái)21上以正面?zhèn)瘸碌臓顟B(tài)承載半導(dǎo)體晶片I (圖4:承載工序)。詳細(xì)來講，將如上所述地貼合了支撐基板12的半導(dǎo)體晶片1，例如利用搬運(yùn)機(jī)械手從晶片盒中取出，并以支撐基板12側(cè)接觸工作臺(tái)21上的狀態(tài)放置。接著，利用相機(jī)22從工作臺(tái)21的下方拍攝半導(dǎo)體晶片I的正面，基于所拍攝的圖像檢測對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。即，從利用相機(jī)22拍攝的圖像，檢測例如形成在研磨線上的凸起狀或者凹槽狀的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。曝光裝置具有將半導(dǎo)體晶片I的水平方向位置例如沿X軸方向及Y軸方向移動(dòng)的位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)，通過該位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)基于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3對(duì)準(zhǔn)相機(jī)22與半導(dǎo)體晶片I的位置(位置對(duì)準(zhǔn)工序)。由此，可以正確地對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片I與光掩膜24的位置。具體來講，通過位置對(duì)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)在水平方向上移動(dòng)半導(dǎo)體晶片1，以便在對(duì)涂布在半導(dǎo)體晶片I的背面的抗蝕劑進(jìn)行圖案化處理時(shí)能夠?qū)嵤?duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片I的正面表面結(jié)構(gòu)2的電路圖案的圖案化。在進(jìn)行位置對(duì)準(zhǔn)工序之前，由于光掩膜24的位置已經(jīng)對(duì)準(zhǔn)相機(jī)22進(jìn)行了固定，因此利用相機(jī)22檢測出對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3，并基于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3移動(dòng)半導(dǎo)體晶片1，即可正確對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片I和光掩膜24的位置。在工作臺(tái)21上，在與形成在半導(dǎo)體晶片I的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3對(duì)應(yīng)的位置形成有開口部23。因此，相機(jī)22從工作臺(tái)21的開口部23觀察能夠透過支撐基板12及粘接劑11看得見的半導(dǎo)體晶片I的正面，并識(shí)別對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。在此，作為相機(jī)22，例如可以使用主要觀察照射了可見光線的物體的CXD(ChargeCoupled Device)相機(jī)。相機(jī)22也可以通過例如設(shè)置了曝光裝置的室內(nèi)的光線來觀察半導(dǎo)體晶片1，也可以從支撐基板12側(cè)向半導(dǎo)體晶片I照射光線來觀察半導(dǎo)體晶片I。接著，在形成在半導(dǎo)體晶片I背面的背面抗蝕劑13上通過光掩膜24照射光線(紫外光)(曝光)。而且，例如用溶劑溶解背面抗蝕劑13的曝光部(顯影)。由此，在背面抗蝕劑13上轉(zhuǎn)印光掩膜24的掩膜圖案。接著，通過燒固背面抗蝕劑13來結(jié)束圖案化工序(步驟S5，圖4:第二圖案形成工序)。光掩膜24上形成有與半導(dǎo)體晶片I的背面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案對(duì)應(yīng)的開口部25。在圖案化工序中，將設(shè)置在光掩膜24的上方的光源的光線利用各種透鏡通過光掩膜24例如以等倍投影法曝光到半導(dǎo)體晶片I。由此，在背面抗蝕劑13上轉(zhuǎn)印半導(dǎo)體晶片I的背面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案。接著，將背面抗蝕劑13作為掩膜，通過離子注入及熱擴(kuò)散，在半導(dǎo)體晶片I的背面的表面層形成例如交互形成P集電極區(qū)和η集電極區(qū)的背面表面結(jié)構(gòu)(未圖示)等(步驟S6)。接著，去除背面抗蝕劑13。在上述的 位置對(duì)準(zhǔn)工序中，對(duì)準(zhǔn)形成在半導(dǎo)體晶片I的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3來對(duì)準(zhǔn)光掩膜24與半導(dǎo)體晶片I的位置。因此，在步驟S6的處理中，在半導(dǎo)體晶片I的背面實(shí)施與半導(dǎo)體晶片I的正面的表面形狀對(duì)應(yīng)的圖案化。即，在半導(dǎo)體晶片I的背面進(jìn)行與半導(dǎo)體晶片I的正面表面結(jié)構(gòu)2的電路圖案對(duì)應(yīng)的圖案化。步驟S6中，也可以通過蝕刻形成從半導(dǎo)體晶片I的背面直達(dá)正面的凹部。接著，在半導(dǎo)體晶片I的背面貼合例如切割帶。接著，從半導(dǎo)體晶片I的支撐基板12側(cè)照射激光而使粘接劑11升華，從半導(dǎo)體晶片I剝離支撐基板12。根據(jù)粘接劑11中使用的材料，可以使用溶劑來溶解粘接劑11，也可以通過加熱來軟化粘接劑11。接著，將半導(dǎo)體晶片I切割成芯片狀，通過剝離切割帶來完成在正面和背面分別形成電路圖案的半導(dǎo)體
>j-U ρ α裝直。支撐基板12具有耐藥品性和耐熱性。因此，從半導(dǎo)體晶片I剝離的支撐基板12上會(huì)殘留有粘接劑殘?jiān)疤蓟瘹堅(jiān)?，從而可以用有機(jī)溶劑等清洗之后重新利用。并且，例如可以使用紅外線相機(jī)來代替CXD相機(jī)。此時(shí)，作為支撐基板12，可以使用硅(Si)基板作為半導(dǎo)體晶片I的加固材料。并且，可以將因重新利用而導(dǎo)致透明度降低的支撐基板12進(jìn)一步利用。圖5、圖6為示出實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的重要部分的剖面圖。通過使用上述的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，例如可以制造反向?qū)↖GBT(RC-1GBT:Reverse Conducting IGBT)及反向阻斷型 IGBT (RB-1GBT:Reverse Blocking IGBT)。圖5為示出RC-1GBT的一個(gè)示例的重要部分的剖面圖。如圖5所示，RC-1GBT40在成為n_漂移區(qū)的半導(dǎo)體晶片31的正面的表面層，作為正面表面結(jié)構(gòu)2形成P基極區(qū)32、n+發(fā)射極區(qū)33、柵電極34、發(fā)射電極35等縱型IGBT的正面表面結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體晶片31的背面的表面層，交互形成P+集電極區(qū)(第一半導(dǎo)體區(qū))36和n+集電極區(qū)(第二半導(dǎo)體區(qū))37。詳細(xì)來講，在半導(dǎo)體晶片31的背面選擇性地形成作為IGBT的背面表面結(jié)構(gòu)的P+集電極區(qū)36，在半導(dǎo)體晶片31上形成IGBT區(qū)41。并且，選擇性地形成與P+集電極區(qū)36相接的n+集電極區(qū)37，在半導(dǎo)體晶片31上形成與IGBT區(qū)41相鄰的二極管區(qū)42。S卩，使用上述實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，可以制造在半導(dǎo)體晶片31的背面的表面層以對(duì)應(yīng)于IGBT的正面表面結(jié)構(gòu)的圖案設(shè)有P+集電極區(qū)36和n+集電極區(qū) 37 的 RC-1GBT40。圖6為示出RB-1GBT的重要部分的剖面圖。如圖6所示，RB-1GBT50在成為n_漂移區(qū)的半導(dǎo)體晶片51的正面?zhèn)确謩e形成縱型IGBT52的正面表面結(jié)構(gòu)以及維持耐壓的區(qū)域(耐壓結(jié)構(gòu)區(qū))53的P+區(qū)域。在半導(dǎo)體晶片51的背面形成有IGBT52的P集電極區(qū)。并且，在耐壓結(jié)構(gòu)區(qū)53，從背面?zhèn)绕鹦纬砂疾?4，耐壓結(jié)構(gòu)區(qū)53側(cè)的半導(dǎo)體晶片51比IGBT52側(cè)的半導(dǎo)體晶片51，其厚度變薄。雖然作了簡化的表示，IGBT52的正面表面結(jié)構(gòu)與耐壓結(jié)構(gòu)區(qū)53之間設(shè)有通過擴(kuò)散形成的P型保護(hù)環(huán)區(qū)和與保護(hù)環(huán)區(qū)相接并相對(duì)保護(hù)環(huán)區(qū)朝外側(cè)或內(nèi)側(cè)延伸的多個(gè)場板，多個(gè)場板呈環(huán)狀。IGBT52的p集電極區(qū)通過形成在凹部54的側(cè)壁的P區(qū)域與耐壓結(jié)構(gòu)區(qū)53的p+區(qū)域相連結(jié)。凹部54可以從半導(dǎo)體晶片51的背面貫通至正面，也可以形成為直達(dá)耐壓結(jié)構(gòu)區(qū)53的P+區(qū)域的深度。即，可以使用上述的實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法來制造在半導(dǎo)體晶片51的背面以對(duì)應(yīng)于正面表面結(jié)構(gòu)的圖案設(shè)有凹部54的RB-1GBT50。并且，也可以使用上述實(shí)施方式所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法，對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體晶片的正面的電路圖案形成從半導(dǎo)體晶片的正面貫通至背面的貫通孔。由此，可以制造采用了層疊安裝多個(gè)半導(dǎo)體晶片的TSV(Thix)Ugh Silicon Via，硅直通孔)技術(shù)的半導(dǎo)體裝置。如上面說明的那樣，根據(jù)實(shí)施方式，在半導(dǎo)體晶片I的正面利用粘接劑11貼合支撐基板12。粘接劑11及支撐基板12具有能夠透視半導(dǎo)體晶片I的正面的透明度。在此，能夠透視的透明度是指從工作臺(tái)21的下方能夠利用CXD相機(jī)識(shí)別半導(dǎo)體晶片I的正面所形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3的透明度。因此，從工作臺(tái)21的下方，能夠正確識(shí)別形成在半導(dǎo)體晶片I的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記3。由此，能夠提高半導(dǎo)體晶片I的位置對(duì)準(zhǔn)(對(duì)準(zhǔn))精度。因此，能夠在半導(dǎo)體晶片I的背面正確地實(shí)施與半導(dǎo)體晶片I的正面表面結(jié)構(gòu)2的電路圖案對(duì)應(yīng)的圖案化。即，能夠提高圖案化的精度。并且，當(dāng)使用通常的曝光裝置時(shí)，能夠利用WSS技術(shù)加固被減薄的半導(dǎo)體晶片I。由此，能夠防止半導(dǎo)體晶片I的破裂及缺失、彎曲等。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體晶片I的大直徑化以及進(jìn)一步的減薄。并且，由于能夠利用WSS技術(shù)加固被減薄的半導(dǎo)體晶片11，因此無需采用在半導(dǎo)體晶片I的外周端部形成加強(qiáng)筋部的TAIKO技術(shù)。由此，能夠消除因?yàn)樵诎雽?dǎo)體晶片I上形成加強(qiáng)筋部而產(chǎn)生的問題。并且，作為支撐基板12，如上所述地使用石英等玻璃基板，由此能夠防止因?yàn)樾纬稍诎雽?dǎo)體晶片I的背面的例如金屬電極等而于工序處理中在半導(dǎo)體晶片I發(fā)生彎曲等，維持半導(dǎo)體晶片I的平坦性。
并且，由于能夠使用通常的曝光裝置，因此無需使用在工作臺(tái)的上方布置紅外線相機(jī)的特殊曝光裝置(現(xiàn)有例2:參照?qǐng)D14)。由此，與以往相比，能夠減少成本。并且，在承載工序之前，利用支撐基板12加固半導(dǎo)體晶片I。因此，即使在工作臺(tái)21的開口部23的寬度比以往的更寬的情形下，也不會(huì)因?yàn)楣ぷ髋_(tái)21的開口部23而影響半導(dǎo)體晶片I的平坦性。由此，可以將工作臺(tái)21的開口部23的寬度做得比以往更寬，使得相機(jī)22能夠從開口部23觀察的范圍變大。因此，能夠利用相機(jī)22觀察的半導(dǎo)體晶片I表面的范圍變大，可以增大電路圖案設(shè)計(jì)的自由度。并且，當(dāng)吸引工作臺(tái)21的開口部23內(nèi)的空氣而吸附固定半導(dǎo)體晶片I時(shí)，能夠穩(wěn)定地固定半導(dǎo)體晶片I。在上面的內(nèi)容中，本發(fā)明是以在半導(dǎo)體晶片的背面形成與正面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案對(duì)應(yīng)的電路圖案的方法為例進(jìn)行說明，但是本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式，能夠應(yīng)用于在工作臺(tái)上承載半導(dǎo)體晶片之后進(jìn)行半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的各種工序中。產(chǎn)業(yè)上的可利用性如上所述，本發(fā)明所涉及的半導(dǎo)體裝置的制造方法可利用于采用為了對(duì)集成電路及MEMS進(jìn)行減薄而利用其他部件進(jìn)行加固的WSS技術(shù)的功率半導(dǎo)體裝置的制造。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行與該半導(dǎo)體晶片的正面的表面形狀對(duì)應(yīng)的圖案化， 且包括在所述半導(dǎo)體晶片的正面利用粘接劑貼合支撐基板的貼合工序，該粘接劑具有能夠透視該半導(dǎo)體晶片的正面的透明度，該支撐基板具有能夠透視該半導(dǎo)體晶片的正面的透明度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述貼合工序之后，進(jìn)一步包括如下工序: 承載工序，在工作臺(tái)上以所述支撐基板側(cè)朝下的狀態(tài)承載所述半導(dǎo)體晶片； 位置對(duì)準(zhǔn)工序，從所述工作臺(tái)的下方檢測形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志，對(duì)準(zhǔn)該半導(dǎo)體晶片的位置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中，透過所述支撐基板及所述粘接劑檢測形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中，利用所述相機(jī)檢測形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)O
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序中，利用所述相機(jī)從所述工作臺(tái)`的下方拍攝通過該工作臺(tái)所具備的開口部可見的所述半導(dǎo)體晶片的正面，基于由該相機(jī)拍攝的圖像，檢測用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序之后，在所述半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行與該半導(dǎo)體晶片的正面的表面形狀對(duì)應(yīng)的圖案化。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，進(jìn)一步包括如下工序: 第一圖案形成工序，在所述貼合工序之前在所述半導(dǎo)體晶片的正面形成電路圖案； 第二圖案形成工序，在所述位置對(duì)準(zhǔn)工序之后在所述半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行與所述半導(dǎo)體晶片的正面的電路圖案對(duì)應(yīng)的圖案化。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，在所述貼合工序之后，在所述第二圖案形成工序之前，還包括研磨所述半導(dǎo)體晶片的背面而使該半導(dǎo)體晶片減薄的減薄工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 在第一圖案形成工序中，在第一導(dǎo)電型的所述半導(dǎo)體晶片的正面?zhèn)刃纬山^緣柵雙極型晶體管的正面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案， 在第二圖案形成工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的背面的表面層選擇性地形成相接的第二導(dǎo)電型的第一半導(dǎo)體區(qū)域和第一導(dǎo)電型的第二半導(dǎo)體區(qū)域。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于: 在第一圖案形成工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的正面形成絕緣柵雙極型晶體管的正面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案， 在第二圖案形成工序中，在所述半導(dǎo)體晶片的外周端部從該半導(dǎo)體晶片的背面形成凹部。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述粘接劑具有能夠透視形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志的透明度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述粘接劑是透明的。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述粘接劑的厚度在15 μ m以上、40μηι以下。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述支撐基板具有能夠透視形成在所述半導(dǎo)體晶片的正面的用于該半導(dǎo)體晶片的位置對(duì)準(zhǔn)的標(biāo)志的透明度。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述支撐基板是透明的。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述支撐基板的厚度在5mm以下。
17.根據(jù)權(quán)利要求1至16中任意一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，所述支撐基板的厚度在Imm以下。
全文摘要
在半導(dǎo)體晶片(1)的正面形成正面表面結(jié)構(gòu)(2)的電路圖案的同時(shí)形成對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(3)。接著，在半導(dǎo)體晶片(1)的正面利用透明的粘接劑(11)貼合透明的支撐基板(12)。接著，在半導(dǎo)體晶片(1)的背面涂布抗蝕劑(13)。接著，在曝光裝置的工作臺(tái)(21)上以支撐基板(12)側(cè)朝下的狀態(tài)承載半導(dǎo)體晶片(1)。接著，利用布置在工作臺(tái)(21)下方的相機(jī)(22)，從工作臺(tái)(21)的下方透過支撐基板(12)及粘接劑(11)識(shí)別形成在半導(dǎo)體晶片(1)的正面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(3)，對(duì)準(zhǔn)半導(dǎo)體晶片(1)和光掩膜(24)的位置。接著，對(duì)抗蝕劑(13)進(jìn)行圖案化。接著，將抗蝕劑(13)作為掩膜，在半導(dǎo)體晶片(1)的背面形成背面表面結(jié)構(gòu)的電路圖案。
文檔編號(hào)H01L29/78GK103119698SQ201080069128
公開日2013年5月22日 申請(qǐng)日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者中島經(jīng)宏, 中澤治雄 申請(qǐng)人:富士電機(jī)株式會(huì)社