技術(shù)編號：6992841
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及。背景技術(shù)以往,在IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)等功率器件中，出于降低能量損失及提高散熱性等目的，提出有將半導(dǎo)體晶片減薄的技術(shù)。但是，例如將直徑為6英寸的半導(dǎo)體晶片減薄至80 μ m左右的厚度時，會出現(xiàn)在半導(dǎo)體晶片上發(fā)生破裂或彎曲的問題。為了消除這種問題，提出有形成于半導(dǎo)體晶片表面的金屬薄膜的成膜條件及半導(dǎo)體晶片的制造設(shè)備中的處理技術(shù)等。另外，為了推進(jìn)半導(dǎo)體晶片的大直徑化(例如...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。