專利名稱：載置臺構(gòu)造和處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片等的被處理體的處理裝置和載置臺構(gòu)造。
背景技術(shù)：
一般地，在制造半導(dǎo)體集成電路中，對半導(dǎo)體晶片等的被處理體重復(fù)進(jìn)行成膜處理、蝕刻處理、熱處理、改質(zhì)處理、結(jié)晶化處理等的各種的單片處理，來形成所期望的集成電路。在進(jìn)行上述那樣的各種的處理的情況下，相應(yīng)于該處理的種類，分別向處理容器內(nèi)導(dǎo)入必要的處理氣體，例如在成膜處理的情況下導(dǎo)入成膜氣體或鹵族氣體，在改質(zhì)處理的情況下導(dǎo)入臭氧氣體等，在結(jié)晶化處理的情況下導(dǎo)入N2氣體等的不活潑氣體或O2氣體等。當(dāng)以對半導(dǎo)體晶片一片一片地實(shí)施熱處理的單片式的處理裝置為例時(shí)，在能夠進(jìn)行抽真空的處理容器內(nèi)設(shè)置例如內(nèi)置有電阻加熱器的載置臺，在其上表面載置半導(dǎo)體晶片，在以規(guī)定的溫度(例如從100°C至IOO(TC)加熱的狀態(tài)下流過規(guī)定的處理氣體，在規(guī)定的エ藝條件下對晶片實(shí)施各種的熱處理(日本特開昭63 — 278322號公報(bào)、日本特開平07 一 078766號公報(bào)、日本特開平03 — 220718號公報(bào)、日本特開平06 — 260430號公報(bào)、日本特開2004 — 356624號公報(bào)、日本特開2006 — 295138號公報(bào)、日本特開2008 — 021963號公報(bào))。因此，對于處理容器內(nèi)的部件，要求它們對于加熱的耐熱性和即使曝露在處理氣體中也不會被腐蝕的耐腐蝕性。但是，載置半導(dǎo)體晶片的載置臺構(gòu)造一般具有耐熱性和耐腐蝕性，并且需要防止金屬污染物等的金屬污染，所以例如在AlN等的陶瓷材料中作為發(fā)熱體埋入電阻加熱器，并在高溫下一體燒制來形成載置臺。而且，在其他エ序相同地?zé)铺沾刹牧系葋硇纬芍е⑹乖撘惑w燒成的載置臺側(cè)和上述支柱例如通過熱擴(kuò)散接合熔敷而一體化，來制造載置臺構(gòu)造。而且，將這樣一體成形的載置臺構(gòu)造立起設(shè)置在處理容器內(nèi)的底部。此外，替代上述陶瓷材料，有時(shí)也使用具有耐熱耐腐蝕性且熱伸縮少的石英玻璃。在此，對現(xiàn)有的載置臺構(gòu)造的一個(gè)例子進(jìn)行說明。圖15是表示現(xiàn)有的載置臺構(gòu)造的ー個(gè)例子的截面圖。該載置臺構(gòu)造設(shè)置于能夠進(jìn)行真空排氣的處理容器內(nèi)，如圖15所示，具有由AlN等的陶瓷材料構(gòu)成的圓板狀的載置臺2。而且，同樣例如由AlN等的陶瓷材料構(gòu)成的圓筒狀的支柱4例如通過熱擴(kuò)散接合到該載置臺2的下表面的中央部而一體化。所以，雙方通過熱擴(kuò)散接合部6氣密地接合。在此，上述載置臺2的大小，例如在晶片尺寸在300mm的情況下,載置臺2的直徑為350mm左右，支柱4的直徑為56mm程度。在上述載置臺2內(nèi)設(shè)置有例如由加熱器等構(gòu)成的加熱單元8，對載置臺2上的作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W進(jìn)行加熱。上述支柱4的下端部通過固定塊10固定在容器底部9而呈立起狀態(tài)。而且，在上述圓筒狀的支柱4內(nèi)設(shè)置有其上端經(jīng)由連接端子12與上述加熱單元8連接的供電棒14，該 供電棒14的下端部側(cè)借助絕緣部件16向下方貫通容器底部井向外部引出。由此，防止處理氣體等侵入該支柱4內(nèi)，并防止上述供電棒14和連接端子12等被上述腐蝕性的處理氣體腐蝕。
但是，在半導(dǎo)體晶片的加工時(shí)，載置臺2自身成為高溫狀態(tài)。在該情況下，構(gòu)成支柱4的材料可以說是由熱傳導(dǎo)率并不是那么好的的陶瓷構(gòu)成，載置臺2和支柱4通過熱擴(kuò)散接合，所以在該支柱4傳遞，大量的熱從載置臺2的中心側(cè)向支柱4側(cè)逃離的問題被避免。因此，特別是在載置臺2的升降溫時(shí)，相對于載置臺2的中心部的溫度變低，產(chǎn)生的冷斑點(diǎn)，周邊部的溫度相對變高，在載置臺2的表面內(nèi)產(chǎn)生較大的溫度差，其結(jié)果，具有在載置臺2的中心部和周邊部之間產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，載置臺2產(chǎn)生破損的問題。特別是，也依存于エ藝的種類，但因載置臺2的溫度達(dá)到800°C以上，所以上述溫度差變得相當(dāng)大，與此相隨產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力。此外，除此之外，具有因載置臺的反復(fù)升降溫而導(dǎo)致的基于上述熱應(yīng)カ的破損被促進(jìn)的問題。此外，載置臺2和支柱4的上部成為高溫狀態(tài)而產(chǎn)生熱膨脹，另一方面，支柱4的下端部通過固定塊10固定在容器底部9，所以具有應(yīng)カ集中在載置臺2和支柱4的上部的接合部位，以該部分為起點(diǎn)產(chǎn)生破損的問題。為了解決上述問題點(diǎn)，如日本特開2008 - 021963號公報(bào)所示，提案有如下技術(shù)將發(fā)熱板收納在發(fā)熱板收納容器內(nèi)形成載置臺，并在其之間存在高溫耐熱性的某金屬密封部件等，通過由陶瓷材料等構(gòu)成的銷或螺栓部件松松地連接該發(fā)熱板收納容器和筒體狀的支柱。在該情況下，為了防止例如處理氣體經(jīng)由殘留在連結(jié)部等的微小的間隙向發(fā)熱板收納容器內(nèi)侵入，所以經(jīng)由上述支柱內(nèi)向發(fā)熱板收納容器內(nèi)供給吹掃氣體。但是，此時(shí)，處理容器內(nèi)的成膜氣體等的處理氣體經(jīng)由上述微小的間隙向發(fā)熱板收納容器內(nèi)逆流并浸入不可避免，其結(jié)果，存在在載置臺的背面?zhèn)刃纬梢鹁拿鎯?nèi)熱分布的不均勻性的不需要的薄膜的情況。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明想要解決的問題本發(fā)明著眼于以上的這種問題點(diǎn)，為了將其有效地解決而產(chǎn)生的。本發(fā)明的目的是提供一種載置臺構(gòu)造以及處理裝置，其能夠防止在載置臺產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，能夠防止該載置臺自身破損，并且，能夠防止成為被處理體的面內(nèi)溫度不均勻性的原因的不需要的膜附著在載置臺的背面?zhèn)?。本發(fā)明的載置臺構(gòu)造，設(shè)置于能夠進(jìn)行排氣的處理容器內(nèi)，用于載置應(yīng)處理的被處理體，所述載置臺構(gòu)造的特征在于，包括載置臺，在板狀的載置臺主體上支承用于載置所述被處理體的熱擴(kuò)散板，并且在所述載置臺主體與所述熱擴(kuò)散板的交界部分設(shè)置氣體擴(kuò)散室；設(shè)置于所述載置臺的加熱單元；ー個(gè)或者多個(gè)支柱管，用干支承所述載置臺，從所述處理容器的底部立起設(shè)置，其上端部與所述載置臺的下表面連接，并且與所述氣體擴(kuò)散室連通，流過吹掃氣體；載置臺罩部件，其以覆蓋所述載置臺主體的側(cè)面和下表面的方式設(shè)置；和支柱管罩部件，其包圍所述支柱管的周圍，并且上端部與所述載置臺罩部件連結(jié)，從 所述氣體擴(kuò)散室向下方引導(dǎo)流過所述載置臺主體與所述載置臺罩部件之間的間隙的所述吹掃氣體，使所述吹掃氣體從氣體出ロ排出。根據(jù)本發(fā)明，在設(shè)置于能夠進(jìn)行排氣的處理容器內(nèi)并用于載置應(yīng)處理的被處理體的載置臺構(gòu)造中，在載置臺主體的上支承用于載置被處理體的熱擴(kuò)散板，并在載置臺主體與熱擴(kuò)散板的交界部分設(shè)置氣體擴(kuò)散室的載置臺，設(shè)置有為了支承該載置臺而上端部與載置臺的下表面連接且與氣體擴(kuò)散室連通使吹掃氣體流動的ー個(gè)或者多個(gè)支柱管，并且以覆蓋載置臺主體的側(cè)面和下表面的方式設(shè)置有載置臺罩部件，并設(shè)置有包圍支柱管的周圍并且上端部與載置臺罩部件連結(jié)，并從氣體擴(kuò)散室將在載置臺主體和載置臺罩部件之間的間隙流動的吹掃氣體向下方引導(dǎo)而使其從氣體出口排出的支柱管罩部件，所以與現(xiàn)有構(gòu)造的支柱相比，載置臺和支柱管的接合部的面積減少，相應(yīng)地，熱的逃散減少，能夠抑制冷斑點(diǎn)的產(chǎn)生。所以，防止在載置臺產(chǎn)生大的熱應(yīng)カ的問題，防止該載置臺自身產(chǎn)生破損的問題。并且，為了防止處理氣體向載置臺內(nèi)侵入，通過使向氣體擴(kuò)散室內(nèi)供給的吹掃氣體經(jīng)由載置臺罩部件與載置臺主體之間的間隙流到支柱管罩部件內(nèi)，并從該支柱管罩部件的下方的氣體出口排出，由此，即使處理氣體從該氣體出口逆流浸入，該處理氣體也不會]到達(dá)載置臺。所以，抑制引起被處理體的面內(nèi)溫度分布的不均勻的不需要的薄膜附著到載置臺的背面?zhèn)鹊膯栴}。此外，本發(fā)明是用于對被處理體實(shí)施處理的處理裝置，其特征在于，包括能夠進(jìn)行排氣的處理容器；具有用于載置所述被處理體的所述特征的載置臺構(gòu)造；和向所述處理容器內(nèi)供給氣體的氣體供給單元。


圖I是表示具有本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的載置臺構(gòu)造的處理裝置的截面結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示設(shè)置于載置臺的加熱單元的一個(gè)例子的俯視圖。圖3是圖I的A — A向截面圖。圖4是是將圖I的載置臺構(gòu)造的一部的支柱管的部分代表地取出進(jìn)行表示的局部放大截面圖。圖5是用于說明圖4的載置臺構(gòu)造的組裝狀態(tài)的說明圖。圖6是表示載置臺構(gòu)造中的吹掃氣體的流動的局部放大截面圖。圖7A是表示本發(fā)明的載置臺構(gòu)造的第一變形實(shí)施例的罩部件的圖。圖7B是表示本發(fā)明的載置臺構(gòu)造的第一變形實(shí)施例的罩部件的圖。圖8A是表示本發(fā)明的處理裝置的第二變形實(shí)施例中所使用的載置臺的一部分的圖。圖SB是表示本發(fā)明的處理裝置的第二變形實(shí)施例中所使用的載置臺的一部分的圖。圖9是表示熱電偶的上端部的安裝結(jié)構(gòu)的圖。圖10是表示熱電偶的變形實(shí)施例的局部放大圖。圖IlA是表示熱電偶的彈簧部的放大圖。
圖IlB是表示熱電偶的彈簧部的放大圖。圖12A是表示締結(jié)單元的第一變形實(shí)施例的螺栓部件的螺栓的圖。圖12B是表示締結(jié)單元的第一變形實(shí)施例的螺栓部件的螺栓的圖。圖13是表示締結(jié)單元的第二變形實(shí)施例的安裝狀態(tài)的截面圖。圖14A是表示締結(jié)單元的第二變形實(shí)施例的圖。圖14B是表示締結(jié)單元的第二變形實(shí)施例的圖。圖15是表示現(xiàn)有的載置臺構(gòu)造的ー個(gè)例子的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下，基于附圖，對本發(fā)明的載置臺構(gòu)造和處理裝置的ー個(gè)最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳述。圖I是表示具有本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的載置臺構(gòu)造的處理裝置的截面結(jié)構(gòu)圖。圖2是表示設(shè)置于載置臺的加熱單元的一個(gè)例子的俯視圖。圖3是圖I的A — A向截面圖。圖4是將圖I的載置臺構(gòu)造的一部的支柱管的部分代表地取出進(jìn)行表示的局部放大截面圖。圖5是用于說明圖4的載置臺構(gòu)造的組裝狀態(tài)的說明圖。圖6是表示載置臺構(gòu)造中的吹掃氣體的流動的局部放大截面圖。在此，以使用等離子體進(jìn)行成膜處理的情況為例進(jìn)行說明。其中，以下說明的“功能棒體”并不僅僅是I根金屬棒，也包括具有可撓性的配線、用絕緣材料覆蓋多個(gè)配線而結(jié)合為I根形成為棒狀的部件等。如圖所示，該處理裝置20具有例如截面的內(nèi)部由大徑和小徑構(gòu)成的圓筒狀的鋁制的處理容器22。在該處理容器22內(nèi)的頂部借助絕緣層26設(shè)置有噴淋頭部24，該噴淋頭部24為用于導(dǎo)入必要的處理氣體、例如成膜氣體的氣體供給單元。從在噴淋頭部24的下 表面的氣體噴射面28設(shè)置的多個(gè)氣體噴射孔32A、32B朝向處理空間S噴射處理氣體。當(dāng)進(jìn)行等離子體處理吋，該噴淋頭部24兼作為上部電極。在噴淋頭部24內(nèi)形成有劃分為2個(gè)中空狀的氣體擴(kuò)散室30A、30B。導(dǎo)入此處的處理氣體，在向平面方向擴(kuò)散之后，從分別與各氣體擴(kuò)散室30A、30B連通的各氣體噴射孔32A、32B噴射。具體而言，氣體噴射孔32A、32B配置為矩陣狀。噴淋頭部24的整體例如由鎳或哈斯特洛伊耐蝕高鎳合金(注冊商標(biāo))等的鎳合金、鋁、或者鋁合金形成。另外，即使在作為噴淋頭部24只有一個(gè)氣體擴(kuò)散室的情況下，也至少在本專利申請的階段中，不從本發(fā)明中排除。在該噴淋頭部24與處理容器22的上端開ロ部的絕緣層26的接合部設(shè)置有例如由O形環(huán)等構(gòu)成的密封部件34，來維持處理容器22內(nèi)的氣密性。而且，該噴淋頭部24經(jīng)由匹配回路36與例如13. 56MHz的等離子體用的高頻電源38連接，必要時(shí)能夠產(chǎn)生等離子體。該頻率并不限定于上述13. 56MHz。此外，在處理容器22的側(cè)壁設(shè)置有相對該處理容器22內(nèi)搬入搬出作為被處理體的半導(dǎo)體晶片W的搬出搬入ロ 40，并且在該搬出搬入ロ 40氣密地設(shè)置有能夠開閉的門閥42。而且，處理容器22的底部44的中央部以向下方向凹下成為凸?fàn)畹姆绞匠尚?，在此形成有氣體排氣空間43。由此，如上所述，處理容器22內(nèi)的整體的截面的內(nèi)部為由大徑和小徑構(gòu)成的圓筒狀。而且，在處理容器22的劃分氣體排氣空間43的側(cè)壁的下部設(shè)置有排氣ロ 46。該排氣ロ 46與用于對處理容器22內(nèi)進(jìn)行排氣、例如抽真空的排氣系統(tǒng)48連接。該排氣系統(tǒng)48具有與排氣ロ 46連接的排氣通路49，在該排氣通路49上依次設(shè)置有壓カ調(diào)整閥50和真空泵52，能夠?qū)⑻幚砣萜?2維持在所期望的壓カ。另外，基于處理方式，有時(shí)也將處理容器22內(nèi)設(shè)置為接近大氣壓的壓力。在處理容器22內(nèi)的劃分氣體排氣空間43的底部44A以從其立起的方式設(shè)置有作為本發(fā)明的特征的載置臺構(gòu)造54。具體而言，該載置臺構(gòu)造54主要具有用于在上表面上載置被處理體的載置臺58 ;與載置臺58連接并且從處理容器22的底部立起用干支承載置臺58的ー個(gè)或者多個(gè)支柱管60 ;覆蓋載置臺58的載置臺罩部件63 ;和包圍支柱管60的周圍的支柱管罩部件65。在此，支柱管60設(shè)置多個(gè)，在全部的支柱管60內(nèi)插通功能棒體62。在圖I中，為了容易理解發(fā)明，記載有將各支柱管60在橫方向上排列配置。具體而言，載置臺58整體由電介質(zhì)構(gòu)成。在此，載置臺58包括由厚且透明的石英構(gòu)成的載置臺主體59;和設(shè)置于載置臺主體59的上表面?zhèn)鹊挠膳c載置臺主體59不同的不透明的電介質(zhì)、例如作為耐熱性材料的氮化鋁(AlN)等的陶瓷材料構(gòu)成的熱擴(kuò)散板61。而且，在載置臺主體59內(nèi)，例如以埋入的方式設(shè)置有加熱單元64。此外，在熱擴(kuò)散板61內(nèi)以埋入的方式設(shè)置有兼用電極66。而且，在熱擴(kuò)散板61的上表面上載置晶片W，該晶片W通過來自加熱單元64的輻射熱借助熱擴(kuò)散板61被加熱。
也如圖2所示，加熱單元64例如由碳絲加熱器或鑰絲加熱器等構(gòu)成的發(fā)熱體68，該發(fā)熱體68以遍及載置臺主體59 (載置臺58)的大致整個(gè)面的方式設(shè)置為規(guī)定的圖案形狀。在此，發(fā)熱體68電分離為2個(gè)區(qū)域載置臺58的中心側(cè)的內(nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A的區(qū)域；和其外側(cè)的外周區(qū)域發(fā)熱體68B的區(qū)域。各區(qū)域發(fā)熱體68A、68B的連接端子集中于載置臺58的中心部側(cè)。另外，區(qū)域數(shù)為也可以設(shè)定為I個(gè)或者3個(gè)以上。此外，如上所述，兼用電極66設(shè)置于不透明的熱擴(kuò)散板61內(nèi)。該兼用電極66例如由形成為網(wǎng)孔狀的導(dǎo)體線構(gòu)成，該兼用電極66的連接端子位于載置臺58的中心部。在此，兼用電極66兼為靜電卡盤(吸盤)用的卡盤電極；和成為用于施加高頻電カ的下部電極的高周波電極。而且，作為對發(fā)熱體68和兼用電極66進(jìn)行供電的供電棒、和測定溫度的熱電偶的導(dǎo)電棒，設(shè)置有所述功能棒體62。這些各功能棒體62插通到細(xì)的支柱管60內(nèi)。首先，也如圖I和圖3所示，在此，6根支柱管60以集中于載置臺58的中心部的方式設(shè)置。各支柱管60由電介質(zhì)構(gòu)成，具體而言，由與載置臺主體59相同的電介質(zhì)材料例如石英構(gòu)成。各支柱管60例如通過熱熔敷氣密地形成為一體的方式與載置臺主體59的下表面接合。所以，在各支柱管60的上端形成有熱熔敷接合部60A (參照圖4)。而且，在各支柱管60內(nèi)插通有功能棒體62。在圖4中，如上所述,代表表不一部分的支柱管60,在其中的一根支柱管60內(nèi)如后所述收納有兩根功能棒體62。具體而言，相對于內(nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A，作為電カ引入用和電カ輸出用的兩根功能棒體62的加熱器供電棒70、72分別獨(dú)立地插通支柱管60內(nèi)。各加熱器供電棒70、72的上端與內(nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A電連接。此外,相對于外周區(qū)域發(fā)熱體68B,作為電カ引入用和電カ輸出用的兩根功能棒體62的加熱器供電棒74、76分別獨(dú)立地插通支柱管60內(nèi)。各加熱器供電棒74、76的上端與外周區(qū)域發(fā)熱體68B電連接(參照圖I)。各加熱器供電棒70 76例如有鎳合金等構(gòu)成。此外,相對于兼用電極66,兼用供電棒78作為功能棒體62插通到支柱管60內(nèi)。兼用供電棒78的上端經(jīng)由連接端子78A(參照圖4)與兼用電極66電連接。兼用供電棒78例如由鎳合金、鶴合金、鑰合金等構(gòu)成。此外，向剰余的一根支柱管60內(nèi)插通用于測定載置臺58的溫度，作為功能棒體62的兩個(gè)熱電偶80、81。而且，熱電偶80、81的各測溫接點(diǎn)80A、81A分別位于熱擴(kuò)散板61的內(nèi)周區(qū)域和外周區(qū)域的下表面，對各區(qū)域的溫度進(jìn)行檢測。作為熱電偶80、81，例如能夠使用鞘型的熱電偶。該鞘型的熱電偶，在金屬保護(hù)管(鞘)的內(nèi)部插入有熱電偶裸線，并通過高純度的氧化鎂等的無機(jī)絕緣物的粉末密封充填，絕緣性、氣密性、應(yīng)答性優(yōu)良，在高溫環(huán)境或各種各樣的惡性氣氛中長時(shí)間的連續(xù)使用也發(fā)揮出眾的耐久性。在該情況下，圖4如所示，在連接端子78A和熱電偶80、81通過的載置臺主體59的部分，分別形成有貫通孔84、86，并且載置臺主體59的上表面與各貫通孔84、86連通。在圖4中，作為功能棒體62，代表地記載有加熱器供電棒70、兼用供電棒78和兩根熱電偶80、81。而且，在此，在載置臺主體59和熱擴(kuò)散板61的交界部分形成有圓板狀的氣體擴(kuò)散室88。具體而言，在位干與熱擴(kuò)散板61的外周端相比稍微靠內(nèi)側(cè)的下表面周邊部，設(shè)置有向下方方向突出的環(huán)狀的抵接突部89，該抵接突部89的頂端面(下表面)與載置臺主體59的上表面抵接。由此,抵接突部89的內(nèi)側(cè)形成為凹部，該凹部的部分形成氣體擴(kuò)散室88。在此，抵接突部89不僅僅設(shè)置于熱擴(kuò)散板61，也可以設(shè)置于載置臺主體59 —側(cè)，或者也可以設(shè)置于雙方。在載置直徑300mm的晶片W的情況下，載置臺58的直徑為約340mm左右，抵接突部89的寬度是IOmm左右。氣體擴(kuò)散室88經(jīng)由貫通孔84與插通兼用供電棒78的 支柱管60連通，如后所述，能夠?qū)怏w擴(kuò)散室88內(nèi)供給吹掃氣體。此外，處理容器22的底部44例如由不銹鋼構(gòu)成，也如圖4所示，在劃分氣體排氣空間43的底部44A的中央部形成有導(dǎo)體引出ロ 90。在該導(dǎo)體引出ロ 90的內(nèi)側(cè)借助O形環(huán)等的密封部件94氣密地固定安裝有例如由不銹鋼等構(gòu)成的安裝臺座92。而且，在該安裝臺座92上安裝有固定各支柱管60的管固定臺96。管固定臺96由與各支柱管60相同的材料、即在此由石英形成，與各支柱管60對應(yīng)地形成有貫通孔98。而且，各支柱管60的下端部側(cè)通過熱熔敷等連接固定于管固定臺96的上表面?zhèn)取Ｋ?，在此，形成有熱熔敷?0B。在該情況下,插通有各加熱器供電棒70、72、74、76的各支柱管60向下方方向插通形成于管固定臺96的貫通孔98，其下端部被封住，并在內(nèi)部以減壓氣氛封入有N2或Ar的不活潑氣體。其中，在圖4中,僅僅表不一根加熱器供電棒70,但其他的加熱器供電棒72 76也同樣構(gòu)成。在固定各支柱管60的下端部的管固定臺96的周邊部，以包圍它們的方式設(shè)置有例如由不銹鋼等構(gòu)成的固定部件100。該固定部件100通過螺栓102向安裝臺座92側(cè)固定。此外，在安裝臺座92上，與管固定臺96的各貫通孔98相對應(yīng)，形成有貫通孔104，分別向下方插通功能棒體62。而且，在管固定臺96的下表面和安裝臺座92的上表面的接合面，以包圍各貫通孔104的周圍的方式設(shè)置有O形環(huán)等的密封部件106，來提高該部分的密封性。此外，在插通有兼用供電棒78和兩根熱電偶80、81的各貫通孔104的下端部，分別借助由O形環(huán)等構(gòu)成的密封部件108、110，通過螺栓116、118安裝固定有封止板112、114。由此，各兼用供電棒78和熱電偶80、81氣密地貫通封止板112、114。封止板112、114例如由不銹鋼等構(gòu)成，以與對于封止板112的兼用供電棒78的貫通部對應(yīng)的方式，在兼用供電棒78的周圍設(shè)置有絕緣部件120。此外，安裝臺座92和與其相接的底部44A與插通有兼用供電棒78的貫通孔104連通，形成吹掃氣體路122。由此，能夠朝向通過兼用供電棒78的支柱管60內(nèi)供給N2等的吹掃氣體。在此，如上述方式，經(jīng)由氣體擴(kuò)散室88，貫通孔84和貫通孔86連通，所以也可以替代兼用供電棒78的支柱管60，向通過兩根熱電偶80、81的支柱管60內(nèi)供給不活潑氣體在此，對各部分的尺寸的一個(gè)例子進(jìn)行說明。載置臺58的直徑，在與300mm(12英寸)晶片對應(yīng)的情況下是340mm左右，200mm (8英寸)晶片對應(yīng)的情況下是230mm左右，與400mm (16英寸)晶片對應(yīng)的情況下是460mm左右。此外,各支柱管60的直徑是8 16mm左右，各功能棒體62的直徑是4 6mm左右。返回圖1，熱電偶80、81與例如具有計(jì)算機(jī)等的加熱器電源控制部134連接。此夕卜，與加熱單元64的各加熱器供電棒70、72、74、76連接的各配線136、138、140、142也與加熱器電源控制部134連接，基于通過熱電偶80、81測定的溫度，能夠?qū)?nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A和外周區(qū)域發(fā)熱體68B分別單獨(dú)地控制，維持所期望的溫度。此外，與兼用供電棒78連接的配線144分別與靜電卡盤用的直流電源146和用于施加偏壓用的高頻電カ的高頻電源148連接，靜電吸附載置臺58上的晶片W，并且在加工時(shí)能夠?qū)ψ鳛橄虏侩姌O的載置臺58施加高頻電力作為偏壓。作為該高頻電カ的頻率能夠使用13. 56MHz，但另外也能夠使用400kHz等，并不限于這些頻率。此外，在載置臺58和載置臺罩部件63將其在上下方向上貫通形成多個(gè)例如三根銷插通孔150 (在圖I中僅僅表示兩個(gè))，在各銷插通孔150配置有以遊嵌狀態(tài)能夠上下移動地插通的推升銷152。在該推升銷152的下端配置有圓弧狀的例如氧化鋁那樣的陶瓷制的推升環(huán)154，該推升環(huán)154搭在各推升銷152的下端。從該推升環(huán)154延伸的臂部156與以貫通處理容器22的底部44的方式設(shè)置的出沒桿158連結(jié)，該出沒桿158通過傳動裝置160能夠上升和下降。由此，當(dāng)各推升銷152交接晶片W吋，從各銷插通孔150的上端向上方出沒。此外，在出沒桿158的處理容器22的底部44的貫通部設(shè)置有能夠伸縮的波紋管162，出沒桿158能夠邊維持處理容器22內(nèi)的氣密性邊升降。另ー方面，以覆蓋載置臺58的方式設(shè)置的載置臺罩部件63主要用于通過將附著于處理容器22內(nèi)的不需要的膜除去的NF3氣體等的洗凈氣體保護(hù)載置臺主體59。支柱管罩部件65最終將向載置臺58內(nèi)的氣體擴(kuò)散室88內(nèi)導(dǎo)入的吹掃氣體向各支柱管60的下方引導(dǎo)。載置臺罩部件63和支柱管罩部件65均由作為耐腐蝕性材料的氮化鋁或氧化鋁等的陶瓷材料構(gòu)成。而且，支柱管罩部件65與載置臺罩部件63接合成一體。也如圖4和圖5所示，載置臺罩部件63為了其組裝容易，在此同心圓狀地分割為多個(gè)，分割形成為覆蓋載置臺58的側(cè)面和從載置臺58的下表面的中周部至周邊部的周邊側(cè)覆蓋板63A :和覆蓋載置臺58的下表面的中央部的圓板狀的中央側(cè)覆蓋板63B。另外，該分割數(shù)并不限于兩個(gè)，也可以進(jìn)一歩將周邊側(cè)覆蓋板63A同心狀地分割為多個(gè)，此外，也可以不分割而一體地形成整體。進(jìn)而，也可以不設(shè)計(jì)中央側(cè)覆蓋板63B，將其省略。而且，在周邊側(cè)覆蓋板63A的內(nèi)周端環(huán)狀地形成有卡合臺階部170，并使該卡合臺階部170與中央側(cè)覆蓋板63B的周邊部抵接，對其進(jìn)行支承。熱擴(kuò)散板61、載置臺主體59以及載置臺罩部件63通過締結(jié)単元171連結(jié)成一體。在此，締結(jié)単元171例如為螺栓部件182。具體而聶言，螺栓部件182具有螺栓178和螺母180。而且，在熱擴(kuò)散板61、載置臺主體59以及周邊側(cè)覆蓋板63A分別形成有貫通孔172、174、176，在這些貫通孔172、174、176上插通上述螺栓178。上述螺栓178的頂端部通過進(jìn)行螺紋切削形成為螺紋部178A，在該螺紋部178A上螺合上述螺母180，而固定為一體。由此，成為在熱擴(kuò)散板61和載置臺罩部件63之間夾持載置臺主體59而連結(jié)的狀態(tài)。即，載置臺主體59以被夾持的狀態(tài)固定在熱擴(kuò)散板61和周邊側(cè)覆蓋板63A之間。設(shè)置于熱擴(kuò)散板61的貫通孔172以埋入螺栓頭的方式形成為臺階部狀，與此相對，載置臺主體59和周邊側(cè)覆蓋板63A的各貫通孔174、176設(shè)定為比螺栓178的直徑稍大例如2 3mm左右，形成為游嵌狀態(tài)。由此，在螺栓178的外周面和貫通孔174的內(nèi)周面之間形成有使氣體擴(kuò)散室88內(nèi)的吹掃氣體向下方方向流動的間隙184 (參照圖4)。此外，螺母180在內(nèi)部形成有同心狀的中空部，在該中空部安裝有由線圈彈簧構(gòu)成的弾性部件186，構(gòu)成為帶彈性部件的螺母。而且，螺母180按壓周邊側(cè)覆蓋板63A，另 一方面，弾性部件186的頂端按壓載置臺主體59 (參照圖4)，其結(jié)果，能夠在周邊側(cè)覆蓋板 63A和中央側(cè)覆蓋板63B與載置臺主體59之間形成有使流動吹掃氣體的間隙188。此外，覆蓋載置臺主體59的側(cè)面的周邊側(cè)覆蓋板63A的側(cè)板63’的內(nèi)徑設(shè)定為比載置臺主體59的直徑大數(shù)mm左右，在該側(cè)板63’和載置臺主體59的側(cè)面之間也形成有吹掃氣體流入的間隙190。而且，該側(cè)板63’的上端與熱擴(kuò)散板61的最外周的下表面接觸，形成接觸部200。在該情況下，不可避免地在該接觸部200產(chǎn)生微小的間隙，但如后文所述，經(jīng)由該微小的間隙放出吹掃氣體。在螺栓178的中央部形成有銷插通孔150，其在上下方向上貫通螺栓178。通過使該螺栓178插通貫通孔172、174、176，形成在載置臺58上設(shè)置有銷插通孔150的狀態(tài)。另夕卜，也可不將銷插通孔150設(shè)置在螺栓178上，也可以另外單獨(dú)設(shè)置在載置臺58的其他的部分。螺栓部件182、即螺栓178和螺母180能夠使用耐腐蝕性的材料、例如氮化鋁或者氧化鋁等的陶瓷材料。此外，作為彈性部件186能夠使用陶瓷彈簧，或在金屬污染的問題較少的情況下能夠使用金屬彈簧等。此外，在中央側(cè)覆蓋板63B插通各支柱管60，因此形成具有比該支柱管60的外徑大數(shù)mm左右的內(nèi)徑的支柱管插通孔192 (參照圖5)。而且，供給至氣體擴(kuò)散室88經(jīng)由間隙184和間隙188流動的吹掃氣體，經(jīng)由形成于支柱管60的外周和支柱管插通孔192的內(nèi)周之間的間隙，向支柱管罩部件65內(nèi)流動。而且，支柱管罩部件65以包圍各支柱管60的全體的周圍的方式形成為圓筒狀，其上端與周邊側(cè)覆蓋板63A的內(nèi)周端通過熱熔敷接合部194 一體地接合并進(jìn)行對其進(jìn)行支承。該支柱管罩部件65向下方向延伸，如圖I和圖4所示，其下端部位于處理容器22的底部44A的附近，并在該處形成氣體出口 196。而且，對處理容器22內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣的排氣ロ 46位于該氣體出ロ 196的很近的側(cè)方，能夠立即從排氣ロ 46吸引從上述氣體出ロ 196流出的吹掃氣體，而進(jìn)行排氣。在該情況下，支柱管罩部件65的長度L (參照圖4)設(shè)定為如下長度阻礙至少從其排出的吹掃氣體的流動，即使處理氣體和洗凈氣體從氣體出ロ 196逆流擴(kuò)散，也不會到達(dá)載置臺主體59的下表面。這樣的長度L也是基于處理容器22內(nèi)的壓カ和吹掃氣體的供給壓(供給量)設(shè)定的，但一般而言可以設(shè)定為IOOmm以上例如130mm。而且，處理裝置20的全體的動作、例如エ藝壓カ的控制、載置臺58的溫度控制、處理氣體的供給和供給停止等，通過例如由計(jì)算機(jī)等構(gòu)成的裝置控制部197進(jìn)行。而且，裝置控制部197具有存儲上述動作所需要的計(jì)算機(jī)程序的存儲介質(zhì)198。該存儲介質(zhì)198包括軟盤、⑶(Compact Disc)、硬盤或閃存等。接著，對以上方式構(gòu)成的利用等離子體的處理裝置20的動作進(jìn)行說明。首先，將未處理的半導(dǎo)體晶片W保持于未圖示的輸送臂，并經(jīng)由成為開狀態(tài)的門閥42、搬出搬入ロ 40，搬入處理容器22內(nèi)。將該晶片W交接到上升的推升銷152，通過使該推升銷152降下，將晶片W載置到載置臺構(gòu)造54的被各支柱管60支承的載置臺58的熱擴(kuò)散板61的上表面，而被支承。此時(shí)，通過從直流電源146對設(shè)置于載置臺58的熱擴(kuò)散板61上的兼用電極66施加直流電壓，使靜電卡盤發(fā)揮作用，將晶片W吸附保持于載置臺58上。另外，替代靜電卡盤，有時(shí)也使用按壓晶片W的周邊部的夾具結(jié)構(gòu)。接著，分別邊進(jìn)行流量控制，邊向噴淋頭部24供給各種的處理氣體，這些氣體從氣體噴射孔32A、32B噴射，向處理空間S導(dǎo)入。而且，通過繼續(xù)驅(qū)動排氣系統(tǒng)48的真空泵52，處理容器22內(nèi)的氣氛被抽真空，而且，通過調(diào)整壓カ調(diào)整閥50的閥開度，將處理空間S的氣氛維持為規(guī)定的エ藝壓力。此時(shí)，晶片W的溫度被維持在規(guī)定的エ藝溫度。S卩，通過從加熱器電源控制部134分別對構(gòu)成載置臺58的加熱單元64的內(nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A和外周區(qū)域發(fā)熱體68B施加電壓，來控制發(fā)熱。其結(jié)果，由于來自各區(qū)域發(fā)熱體68A、68B的熱，晶片W被升溫加熱。此時(shí)，通過設(shè)置于熱擴(kuò)散板61的下表面中央部和周邊部的熱電偶80、81，來分別測定內(nèi)周區(qū)域和外周區(qū)域的晶片(載置臺)溫度，并基于這些測定値，加熱器電源控制部134通過反饋對每個(gè)區(qū)域進(jìn)行溫度控制。因此，能夠以使晶片W的溫度始終控制在面內(nèi)均勻性較高的狀態(tài)。在該情況下，取決于エ藝的種類，但載置臺58的溫度例如達(dá)到700°C左右。此外，當(dāng)進(jìn)行等離子體處理時(shí)，通過驅(qū)動高頻電源38，在作為上部電極的噴淋頭部24與作為下部電極的載置臺58之間施加高頻，在處理空間S產(chǎn)生等離子體，進(jìn)行規(guī)定的等離子體處理。另外，此時(shí)，通過從偏壓用的高頻電源148對設(shè)置于載置臺58的熱擴(kuò)散板61的兼用電極66施加高頻電カ，能夠引入等離子體離子。在此，也參照圖6，對載置臺構(gòu)造54的作用進(jìn)行詳細(xì)說明。另外，在圖6中，通過箭頭表示吹掃氣體(N2)的流向。經(jīng)由作為功能棒體62的加熱器供電棒70、72向加熱單元的內(nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A供給電カ，經(jīng)由加熱器供電棒74、76向外周區(qū)域發(fā)熱體68B供給電カ。此外，載置臺58的中央部的溫度經(jīng)由以其測溫接點(diǎn)80A與載置臺58的下表面中央部相接的方式配置的熱電偶80，傳遞到加熱器電源控制部134。在該情況下，測溫接點(diǎn)80A測定內(nèi)周區(qū)域的溫度。此外，在配置于外周的熱電偶81的測溫接點(diǎn)81A，測定外周區(qū)域的溫度，該測定値被傳送到加熱器電源控制部134。這樣，對內(nèi)周區(qū)域發(fā)熱體68A和外周區(qū)域發(fā)熱體68B的供供電カ分別基于反饋控制進(jìn)行決定。并且，經(jīng)由兼用供電棒78向兼用電極66施加靜電卡盤用的直流電壓和偏壓用的高頻電力。而且，作為功能棒體62的加熱器供電棒70、72、74、76、熱電偶80、81以及兼用供電棒78的上端分別單獨(dú)地插通到氣密地?zé)崛鄯蟮捷d置臺58的載置臺主體59的下表面的細(xì)的支柱管60內(nèi)(熱電偶80、81插通到一根共通的支柱管)。而且，同時(shí)，這些支柱管60以 立起的方式對載置臺58本身進(jìn)行支承。此外，插通有各加熱器供電棒70 76的各支柱管60內(nèi)，通過不活潑氣體、例如N2氣體以減壓狀態(tài)被封止，來防止加熱器供電棒70 76的氧化。此外，經(jīng)由吹掃氣體路122，向插通有兼用供電棒78的支柱管60內(nèi)供給例如N2氣體作為吹掃氣體，該N2氣體流入形成于載置臺主體59和熱擴(kuò)散板61的交界部分的氣體擴(kuò)散室88內(nèi)，并在其中放射狀地朝向半徑方向外方擴(kuò)散。該吹掃氣體的一部分也流入插通熱電偶80、81的支柱管60內(nèi)。而且，進(jìn)行該擴(kuò)散的吹掃氣體的大部分，經(jīng)由形成于載置臺主體59的周邊部的螺栓178的插通用的貫通孔174的間隙184，流入形成于載置臺主體59和周邊側(cè)覆蓋板63A 以及中央側(cè)覆蓋板63B之間的間隙188內(nèi)。另外，吹掃氣體的一部分，也流入形成于載置臺主體59的側(cè)面的間隙190內(nèi)。在間隙188內(nèi)流動的吹掃氣體，進(jìn)而經(jīng)由形成于中央側(cè)覆蓋板63B的支柱管插通孔192的間隙，流入筒體狀的支柱管罩部件65內(nèi)。該吹掃氣體在支柱管罩部件65內(nèi)流下后，通過形成于該下端部的氣體出口 196，排除至氣體排氣空間43內(nèi)的底部，然后，從形成于其側(cè)方的排氣ロ 46向處理容器22的外進(jìn)行抽真空。即，以支柱管罩部件65作為由吹掃氣體路122供給的吹掃氣體的氣體排氣路進(jìn)行使用。在該情況下，以由熱擴(kuò)散板61、載置臺罩部件63和支承管罩部件65劃分的區(qū)域的上述吹掃氣體的壓カ變?yōu)楸忍幚砣萜?2內(nèi)的エ藝壓力高的正壓狀態(tài)的方式，來維持從吹掃氣體路122供給的吹掃氣體的流量。然后，在這樣的狀況下，由于反復(fù)進(jìn)行晶片W的處理，載置臺58重復(fù)升溫和降溫。而且，當(dāng)由于這樣的載置臺58的溫度的升降，例如使載置臺58的溫度從室溫如上所述達(dá)到700°C左右時(shí)，因熱伸縮在載置臺58的中心部中產(chǎn)生僅有O. 2 O. 3mm左右的距離的沿半徑方向的熱伸縮差。在該情況下，在現(xiàn)有的載置臺構(gòu)造的情況中，由于通過熱擴(kuò)散接合使由非常硬的陶瓷材料構(gòu)成的載置臺和直徑大的支柱牢固地結(jié)合成一體，所以所謂的上述的僅僅O. 2 O. 3_左右的熱伸縮差，由于伴隨該熱伸縮差反復(fù)產(chǎn)生的熱應(yīng)力，載置臺和支柱的接合部產(chǎn)生破損的現(xiàn)象頻繁產(chǎn)生。對此，在本實(shí)施方式中，載置臺主體59通過直徑為Icm左右的細(xì)的多根在此為六根的支柱管60結(jié)合并被支承，所以這些各支柱管60能夠追隨載置臺主體59的水平方向上的熱伸縮進(jìn)行移動，所以能夠容許上述的那樣的載置臺主體59的熱伸縮。其結(jié)果，沒有熱應(yīng)カ施加在載置臺主體59和各支柱管60的接合部的問題，能夠有效地防止在各支柱管60的上端部和載置臺主體59的下表面、即兩者的連結(jié)部產(chǎn)生破損的問題。此外，由石英構(gòu)成的各支柱管60通過熔敷牢固地結(jié)合到載置臺主體59的下表面，但如上文所述，該支柱管60的直徑為IOmm左右，較小，其結(jié)果能夠減少從載置臺主體59向各支柱管60的傳熱量。所以，能夠減少向各支柱管60側(cè)逃跑的熱，所以相應(yīng)地在載置臺主體59中能夠大幅度地抑制冷斑點(diǎn)的產(chǎn)生。此外，各功能棒體62分別被支柱管60覆蓋，另外，向支柱管60內(nèi)供給不活潑氣體作為吹掃氣體，或者在不活潑氣體的氣氛下封止，所以沒有各功能棒體62暴露在腐蝕性的處理氣體的問題。特別是，采用不活潑氣體的氣氛下的封止吋，能夠防止功能棒體62和連接端子78A等被氧化。此外，如上所示，吹掃氣體在氣體擴(kuò)散室88內(nèi)擴(kuò)散之后，經(jīng)由間隙184和間隙188流動，此外，也流入形成于載置臺主體59的側(cè)面?zhèn)鹊拈g隙190內(nèi)。所以，呈正壓狀態(tài)的吹掃氣體從因熱擴(kuò)散板61的外周端的下表面與周邊側(cè)覆蓋板63A的側(cè)板63’的上端面的面接觸而在接觸部200 (參照圖6)產(chǎn)生的微小的間隙向處理空間S側(cè)漏出，所以能夠防止成膜氣體等的處理氣體和腐蝕性的洗凈氣體向載置臺罩部件63內(nèi)侵入乃至浸入的問題。其中，接觸部200上的熱擴(kuò)散板61和側(cè)板63’的表面粗糙度例如為10 μ m左右。此外，即使在螺栓部件182的緊固固定螺母180的部分，有時(shí)也產(chǎn)生與處理空間S側(cè)連通的微小的間隙，但即使在該情況下，如上所述，正壓狀態(tài)的吹掃氣體向外側(cè)漏出，所以能夠防止處理氣體和洗凈氣體向內(nèi)側(cè)侵入乃至浸入的問題。此外，從支柱管罩部件65的下端部的氣體出口 196最終排除吹掃氣體，不能避免處理氣體和洗凈氣體從該大口徑的氣體出口 196—定程度侵入支柱管罩部件65內(nèi)。但是，在此，支柱管罩部件65的長度L設(shè)定為充分的長度，所以能夠阻止侵入內(nèi)部的處理氣體和洗凈氣體到達(dá)載置臺主體59。所以，能夠防止成為引起晶片面內(nèi)的溫度不均勻性的主要原因的不需要的膜附著在載置臺主體59的上表面和下表面等。在此，吹掃氣體的流量例如在10 200sccm的范圍內(nèi)。此外，熱擴(kuò)散板61和載置臺主體59通過設(shè)置于螺母180的弾性部件186相互按壓，所以與單單通過螺母180締結(jié)兩者的情況相比，不僅僅能夠提高側(cè)板63’的上端面和熱 擴(kuò)散板61的外周端的下表面的接觸部200 (參照圖6)的氣密性，而且該抵接突部89的熱傳導(dǎo)良好，因此能夠抑制熱擴(kuò)散板61的外周的溫度降低。還有，通過螺栓部件182的緊固，能夠防止熱擴(kuò)散板61的浮起，所以沒有安裝在熱擴(kuò)散板61的熱電偶80、81的測溫接點(diǎn)80A、81A從熱擴(kuò)散板61離開的問題，所以能夠相應(yīng)地正確地測定該熱擴(kuò)散板61的溫度。實(shí)際上，當(dāng)通過設(shè)定上述的載置臺構(gòu)造54的處理裝置20實(shí)施金屬膜的成膜處理時(shí)，在從圓筒狀的支柱管罩部件65的下端的氣體出口 196向高度方向進(jìn)入至一半程度的位置的內(nèi)壁附著有不需要的薄膜，但處理氣體不浸入至其以上的高度，能夠確認(rèn)不會在載置臺主體59的上表面和下表面附著不需要的薄膜。這樣，根據(jù)本實(shí)施方式，在設(shè)置于能夠進(jìn)行排氣的處理容器22內(nèi)并用于載置應(yīng)處理的被處理體的載置臺構(gòu)造中，在載置臺主體59上支承用于載置被處理體的熱擴(kuò)散板61，并且在載置臺主體59和熱擴(kuò)散板61的交界部分設(shè)置有氣體擴(kuò)散室88而構(gòu)成的載置臺58上，為了支承該載置臺58，設(shè)置有上端部與載置臺58的下表面連接并且與氣體擴(kuò)散室88連通使吹掃氣體流動的ー個(gè)或者多個(gè)支柱管60，以覆蓋載置臺主體59的側(cè)面和下表面的方式設(shè)置有載置臺罩部件63，并設(shè)置有支柱管罩部件65，該支柱管罩部件65包圍支柱管60的周圍并且上端部與載置臺罩部件63連結(jié)，從氣體擴(kuò)散室88向下方引導(dǎo)在載置臺主體59和載置臺罩部件63之間的間隙流動的吹掃氣體，并將其從氣體出ロ 196排出，所以與現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的支柱相比，載置臺和支柱管的接合部的面積較少，相應(yīng)地，熱的逃離減少，能夠抑制冷斑點(diǎn)的產(chǎn)生。所以，防止在載置臺58產(chǎn)生較大的熱應(yīng)カ的問題被，能夠防止該載置臺自身產(chǎn)生破損的問題。并且，為了防止處理氣體向載置臺58內(nèi)侵入，通過使向氣體擴(kuò)散室88內(nèi)供給的吹掃氣體經(jīng)由載置臺罩部件63與載置臺主體59之間的間隙在支柱管罩部件65內(nèi)流動，從該支柱管罩部件65的下方的氣體出ロ 196排出，由此，即使處理氣體從該氣體出ロ 196逆流浸入，該處理氣體也不會到達(dá)載置臺主體59。所以，能夠抑制在載置臺58的背面?zhèn)雀街鸨惶幚眢w的面內(nèi)溫度分布的不均勻性的不需要的薄膜的問題。<第一變形實(shí)施例>接著，對本發(fā)明的第一變形實(shí)施例進(jìn)行說明。在上述實(shí)施例中，使支柱管罩部件65作為一體物件形成，但并不限定于此，為了使該組裝變得容易，也可以將圓筒狀的支柱管罩部件65在高度方向上分割為多個(gè)并使其能夠相互連結(jié)。圖7A和圖7B是表示這樣的本發(fā)明的載置臺構(gòu)造的第一變形實(shí)施例的罩部件的圖。圖7A表示縱截面圖，圖7B表示下部罩部的橫截面圖。另外，在圖7A和圖7B中，對與圖I至圖6所示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分標(biāo)注同一參照符號，并省略其說明。如圖7A和圖7B所示，在此，將支柱管罩部件65在高度方向上分割為兩部分，包括上部罩部65A和下部罩部65B。另外，當(dāng)然也可以進(jìn)ー步將支柱管罩部件65分割為三部分以上。而且，在上部罩部65A的下端部和下部罩部65B的上端部，形成有插ロ狀的印盒接頭210。而且，在此，為了進(jìn)ー步提高組裝性，在縱方向上對下部罩部65B進(jìn)行分割，由截面為半圓弧狀的兩個(gè)二等分罩65B — 1、65B — 2形成。而且,在半圓弧狀的兩個(gè)二等分罩65B-1、 65B-2的接合部的兩端分別設(shè)置有連結(jié)片212 — 1,212 一 2。通過用螺栓214分別緊固該兩連結(jié)片212 — 1,212 一 2，能夠連結(jié)兩個(gè)二等分罩65B — U65B 一 2。此外，在兩個(gè)二等分罩65B — U65B 一 2的接合部形成有能夠相互嵌入的臺階狀的接合臺階部216，在該接合臺階部產(chǎn)生的微小的間隙的通路長度較長，處理容器22內(nèi)的處理氣體等不能容易地向下部罩部65B內(nèi)侵入。實(shí)際上，當(dāng)通過設(shè)置有上述的支柱管罩部件65的處理裝置20實(shí)施金屬膜的成膜處理時(shí)，構(gòu)成下部罩部65B的二等分罩65B — U65B 一 2的接合部的附近的內(nèi)表面和氣體出ロ 196的附近的內(nèi)表面附著有某程度的不需要的薄膜，但在上部罩部65A的內(nèi)表面幾乎看不到不需要的薄膜的付著。此外，能夠確認(rèn)在載置臺主體59的上表面和下表面沒有附著不需要的薄膜。其中，即使在第一變形實(shí)施例的情況下，如上所述，也當(dāng)然能夠省略中央側(cè)覆蓋板63B。<第二變形實(shí)施例>接著，對本發(fā)明的第二變形實(shí)施例進(jìn)行說明。在之前的實(shí)施例中，吹掃氣體經(jīng)由在設(shè)置于載置臺主體59的三個(gè)貫通孔174形成的間隙184流入形成于載置臺罩部件63的側(cè)板63’與載置臺主體59之間的間隙190。在該情況下，這些間隙190內(nèi)的吹掃氣體的壓カ在載置臺主體59的周向上變得不均勻，其結(jié)果，為了防止處理氣體從該間隙190經(jīng)由接觸部200 (參照圖6)的微小的間隙侵入，向處理空間S側(cè)放出的吹掃氣體的流量變得不均勻，具有難以進(jìn)行設(shè)計(jì)方式的吹掃氣體的放出的擔(dān)心。所以，為了消除這樣的擔(dān)心，在該第二變形實(shí)施例中，如圖8A和圖SB所示，在抵接突部89設(shè)置多個(gè)氣體槽。圖8A和圖SB是表示本發(fā)明的處理裝置的第二變形實(shí)施例所使用的載置臺的一部分的圖。圖8A是表示載置臺58的一部分的局部放大圖，圖SB是表示熱擴(kuò)散板61的下表面的局部俯視圖。另外，關(guān)于圖8A和圖8B,對與圖I至圖6所不的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分標(biāo)注同一參照符號。如上所述，在此，在熱擴(kuò)散板61的周邊部環(huán)狀地設(shè)置的抵接突部89的表面(下表面)，形成有在抵接突部89的寬度方向上延伸的氣體槽220。該氣體槽220沿抵接突部89的周向全周以規(guī)定的間隔設(shè)置多個(gè)，通過氣體槽220使氣體擴(kuò)散室88和外周側(cè)的間隙190之間直接連通。該氣體槽220的寬度L2是數(shù)_左右，設(shè)置的數(shù)目并不特別限定，但例如在10 50個(gè)左右的范圍內(nèi)足夠。在該第二變形實(shí)施例的的情況下，氣體擴(kuò)散室88內(nèi)的吹掃氣體經(jīng)由設(shè)置于抵接突部89的多個(gè)氣體槽220，直接流入外周側(cè)的間隙190。由此，能夠抑制在間隙190內(nèi)吹掃氣體的壓カ變得不均勻的問題。其結(jié)果，從間隙190經(jīng)由接觸部200的微小的間隙向處理空間S側(cè)放出的吹掃氣體的流量變得均勻，能夠如設(shè)計(jì)方式放出吹掃氣體。<熱電偶的變形實(shí)施例>接著，對熱電偶80、81的變形例進(jìn)行說明。在此之前說明過的熱電偶80、81，如圖9所示，在熱擴(kuò)散板61的下表面設(shè)置突起部222、224，并且該突起部222、224形成有沿縱方向的安裝孔222k和沿橫方向的安裝孔224A，在該安裝孔222A、224A內(nèi)分別插入安裝有熱電偶80,81的測溫接點(diǎn)80A、81A。在該情況下，為了確保溫度測定的精度，測溫接點(diǎn)80A、81A需要始終接觸熱擴(kuò)散板61。所以，熱電偶80、81的上端部，也考慮熱伸縮量，以較高的安裝精度安裝于熱擴(kuò)散板61。但是，當(dāng)由于半導(dǎo)體晶片的反復(fù)處理，熱電偶80、81自身進(jìn)行反復(fù)熱伸縮時(shí)，比起石英制的支柱管60，插通到該內(nèi)部的熱電偶80、81的一方的熱伸縮量較大，熱電偶80、81的上端部以相對熱擴(kuò)散板61突起的方式作用，在最壞的情況下，具有損壞熱擴(kuò)散板61的問題。所以，在此，在熱電偶自身設(shè)置彈簧部，來吸收伴隨熱電偶自身的熱伸縮產(chǎn)生的變形。圖10是表不這樣的熱電偶的變形實(shí)施例的一個(gè)例子的局部放大圖，圖IlA和圖IlB是表示熱電偶的彈簧部的放大圖。另外，對與圖I至圖8所示的結(jié)構(gòu)部分相同的結(jié)構(gòu)部分標(biāo)注同一參照符號，并省略其說明。如圖10、圖IIA和圖IlB所示，在熱電偶80、81的長度方向上的途中形成有卷繞熱電偶80、81自身而形成的彈簧部226、228。圖IlA表示組裝兩個(gè)熱電偶80、81前的狀態(tài)，圖IlB表示組裝兩個(gè)熱電偶80、81后的狀態(tài)。具體而言，彈簧部226、228分別設(shè)置于各熱電偶80、81的長度方向的下部側(cè)。各彈簧部226、228分別卷繞為螺旋狀，具有相對于其長度方向能夠進(jìn)行伸縮的彈性功能。各彈簧部226、228的形成位置在高度方向上不同，以組裝時(shí)兩彈簧部226、228不重疊的方式設(shè)置。而且，以兩熱電偶80、81的在上下方向上延伸的直線部分插通卷繞的彈簧部226、228內(nèi)的方式組裝。熱電偶80、81的直徑為I 2mm左右，彈簧部226、228的直徑為5 15mm左右。各彈簧部226、228的卷繞數(shù)(圈數(shù))基于應(yīng)吸的熱伸縮量，例如為2 20圈左右。由此，當(dāng)假定例如熱電偶80、81應(yīng)測定的最大溫度例如為800 0C左右時(shí)，能夠吸收土 4mm左右的熱イ申縮量。此外，各彈簧部226、228的長度例如為30 50mm左右。熱電偶80、81的結(jié)構(gòu)，如之前說明的那樣，通過在例如作為耐腐蝕性金屬的例如英考耐魯(inconel注冊商標(biāo))構(gòu)成的金屬保護(hù)管的內(nèi)部插入熱電偶線，并密閉充填高純度的氧化鎂等的無機(jī)絕緣物的粉末而形成。在這樣的熱電偶80、81中，能夠容易地對上述那樣的彈簧部226、228進(jìn)行加工成形。如圖10所示，各彈簧部226、228的收納位置設(shè)置于安裝臺座92的貫通孔104的部分、或者與該貫通孔104連通的空間部。具體而言，在劃分貫通孔104的安裝臺座92的下表面?zhèn)?，借助O形環(huán)等的密封部件232通過螺釘234氣密地安裝固定有形成為凹部狀的彈簧收納容器230，在其內(nèi)部形成有與貫通孔104連通的彈簧收納空間236。、
而且，使彈簧部226、228位于這樣的彈簧收納空間236。在兩熱電偶80、81的根部形成有引出塊238，其將兩熱電偶80、81的周圍氣密地一體化并進(jìn)行固定。而且，借助密封件部240將該引出塊238安裝于形成于彈簧收納容器230的底部的貫通孔242，由此將熱電偶80、81向處理容器22的外部引出。具體而言，引出塊238，以將貫通孔242氣密地封止的方式，借助由O形環(huán)等的密封部件構(gòu)成的密封件部240，通過螺釘(未圖示)氣密地 安裝固定。所以，彈簧部226、228位于與密封件部240相比靠內(nèi)側(cè)的氣氛中。當(dāng)組裝熱電偶80、81時(shí)，在室溫下，熱電偶80、81的上端側(cè)與載置臺58的熱擴(kuò)散板61接觸，以通過彈簧部226、228的作用被稍微向上方向施力的狀態(tài)組裝。通過這樣的構(gòu)成，即使熱電偶80、81伴隨半導(dǎo)體晶片W的反復(fù)處理進(jìn)行熱伸縮，也能夠通過各彈簧部226、228弾性地進(jìn)行伸縮來吸收該時(shí)產(chǎn)生的變形。所以，能夠抑制在各熱電偶80、81相接的熱擴(kuò)散板61施加過度的負(fù)荷，防止其破損。此外，如上所述，通過熱電偶80、81的各彈簧部226、228進(jìn)行熱伸縮，能夠確保各熱電偶80、81的上端部的測溫接點(diǎn)80A、81A始終與熱擴(kuò)散板61相接的狀態(tài)，能夠從低溫至高溫較高地維持測溫精度。在此，以將具有彈簧部226、228的熱電偶80、81插通到較細(xì)的支柱管60內(nèi)的情況為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此。即，也可以將具有彈簧部226、228的熱電偶80、81適用于，通過如圖15所示的圓筒狀的較粗的支柱4支承載置臺2的那樣的現(xiàn)有的載置臺構(gòu)造。在該情況下，在較粗的支柱4內(nèi)插通具有彈簧部226、228的熱電偶80、81。另外，在上述各實(shí)施例中，使設(shè)置于螺母180的弾性部件186的一端與載置臺主體59抵接，并對其進(jìn)行按壓，但并不限定于此。也可以使彈性部件186的一端與周邊側(cè)覆蓋板63A抵接，通過彈性部件186使熱擴(kuò)散板61和載置臺主體59和周邊側(cè)覆蓋板63A相互按壓而一體化。<締結(jié)單元的第一變形實(shí)施例>接著，對締結(jié)単元171的第一變形實(shí)施例進(jìn)行說明。對與在之前說明過的結(jié)構(gòu)部分相同的部分標(biāo)注同一參照符號，并省略其說明。之前說明過的締結(jié)單元171的螺栓部件182，通過具有耐腐蝕性且金屬污染較少的陶瓷材料形成螺栓178和螺母180，但在該情況下，對應(yīng)晶片的熱處理的實(shí)施，載置臺主體59和熱擴(kuò)散板61等進(jìn)行熱伸縮，所以不可避免地對螺栓178施加某程度的熱應(yīng)力。特別是，在螺栓178的頭頂部之下的頸的部分施加有較大的熱應(yīng)力。螺栓178的對于熱應(yīng)カ的強(qiáng)度在設(shè)計(jì)部件時(shí)當(dāng)然被考慮。但是，即使如此，也具有對螺栓178產(chǎn)生損害的擔(dān)心。所以，在締結(jié)單元的第一變形實(shí)施例中，為了去除那樣的損害的擔(dān)心，不由陶瓷材料而由金屬材料形成螺栓182。圖12A和圖12B是表示締結(jié)單元的第一變形實(shí)施例的螺栓部件的螺栓的圖，圖12A是側(cè)面圖，圖12B是仰視圖。在此，螺栓部件182的螺母180以及彈性部件186的記載省略(參照圖5)。如上所述，螺栓178由金屬材料形成，螺栓178的被擴(kuò)徑的螺栓頭178B、主體部分178 C以及下端部的螺紋部178A全部由金屬材料形成。作為該金屬材料例如能夠使
用鎳、鎳合金等。而且，在該情況下，螺合到螺紋部178A的螺母180 (參照圖4和圖5)應(yīng)盡可能避免使用金屬材料，如之前的實(shí)施例的方式，由陶瓷材料形成。因此，由于由陶瓷材料構(gòu)成的螺母180和由金屬材料構(gòu)成的螺栓178之間的熱伸縮差(金屬材料的熱伸縮量比陶瓷材料的熱伸縮量大)，在螺栓178的截面方向上產(chǎn)生較大的應(yīng)力，產(chǎn)生螺母180自身產(chǎn)生破損的擔(dān)心。所以，在此，在螺栓178的螺紋部178A形成有沿螺栓178的長度方向延伸的熱伸縮容許狹縫250。該熱伸縮容許狹縫250的長度例如為大約IOmm左右，至少沿螺紋部178A的長度方向上的整體形成。此外，熱伸縮容許狹縫250的寬度例如為大約O. 5mm左右。在圖12B中，熱伸縮容許狹縫250設(shè)置ー個(gè)，但并不限定于此，也可以以與熱伸縮容許狹縫250相對的方式在相反一側(cè)也設(shè)置相同的熱伸縮容許狹縫，還可以設(shè)置較多的熱伸縮容許狹縫。這樣，用金屬材料形成螺栓178，而且，在螺紋部178A設(shè)置有熱伸縮容許狹縫250，所以即使相應(yīng)于晶片的熱處理對螺栓178施加較大的熱應(yīng)力，也能夠消除螺栓178自身產(chǎn) 生破損的擔(dān)心。此外，即使在螺栓178和螺母180之間由于兩部件的熱伸縮量而被施加較大的熱應(yīng)力，由于形成于螺紋部178A的熱伸縮容許狹縫250的間隙變窄，所以也能夠吸收該熱應(yīng)力。其結(jié)果，能夠防止螺母180因熱應(yīng)カ而產(chǎn)生破損等的問題。另外，也可以不用陶瓷材料而用與螺栓178相同的金屬材料形成螺母180。<締結(jié)單元的第二變形實(shí)施例>接著，對締結(jié)単元171的第二變形實(shí)施例進(jìn)行說明。對與之前說明過的結(jié)構(gòu)部分相同的部分標(biāo)注同一參照符號，并省略其說明。作為之前說明過的締結(jié)單元171，以使用具有螺紋部178A的螺栓部件182的情況為例進(jìn)行了說明，但是取而代之，也可以使用不具有成為微粒等的產(chǎn)生的原因的螺紋部的締結(jié)單元171。圖13是表示這樣的締結(jié)單元的第二變形實(shí)施例的安裝狀態(tài)的截面圖，圖14A表示第二變形實(shí)施例的整體的立體圖，圖14B是表示固定部件的俯視圖。在之前的締結(jié)單元171中，使用了具有螺紋部178A的螺栓部件178，但是取而代之，在第二實(shí)施例使用沒有螺紋部的套筒。具體而言，該締結(jié)単元171與之前的螺栓相同，具有圓筒體狀的套筒252，該套筒252形成有頭頂部被擴(kuò)徑的頭252A。該套筒252與之前的螺栓相同，設(shè)置為插通(貫通)形成于熱擴(kuò)散板61、載置臺主體59和載置臺罩部件63的各貫通孔172、174、176(參照圖5)。圓筒體狀的套筒252的中空部分形成為銷插通孔150。而且，在套筒252的下端部設(shè)置有在中心部插通套筒252的圓板狀的支架256。支架256的插通孔254的內(nèi)徑設(shè)定為比套筒252的外徑大很多，在與套筒252的外周之間形成空間部。該空間部收納有由與之前的弾性部件186相同的線圈彈簧構(gòu)成的第一弾性部件258，并且在該第一弾性部件258插通套筒252。此外，插通孔254的下端的開ロ直徑形成為比其上部側(cè)窄，并且比第一弾性部件258的直徑小，形成有環(huán)狀的卡合凸部256A。由此，使第一彈性部件258的下端與支架256的卡合凸部256A抵接，并且使上端與載置臺主體59的下表面抵接。這樣，將第一弾性部件258安裝于載置臺主體59與支架256之間。此外，在支架256的周緣部的上表面?zhèn)妊刂芟蛞缘乳g隔形成有多個(gè)在圖示例中為三個(gè)彈簧收納凹部260。而且，在各彈簧收納凹部260收納有例如由線圈彈簧構(gòu)成的第二彈性部件262，在與位于上方的載置臺罩部件63之間成為按壓狀態(tài)。所以，第二弾性部件262為設(shè)置于載置臺罩部件63與支架256之間的狀態(tài)。而且，在套筒252的下端安裝有用于固定支架256的固定部件264。具體而言，在套筒252的下端部形成有使其外徑縮小的環(huán)狀的卡合凹部266。而且，固定部件264成形為圓板狀，在該固定部件264至其中心部形成有環(huán)狀的卡合凹部266能夠插通的切入部264A。由此，在抵抗第一和第二彈性部件258、260的彈カ進(jìn)行按壓的狀態(tài)下，在切入部264A嵌入套筒252的卡合凹部266的部分，能夠固定整體。在此，在圓板狀的固定部件264設(shè)置有沿其板厚方向貫通，能夠前進(jìn)和后退的調(diào)整螺釘268。在此，調(diào)整螺釘268在固定部件264的周緣部沿其周向以等間隔設(shè)置多個(gè)例如三個(gè)，由此能夠調(diào)整對支架256的按壓カ。在此，套筒252和支架256由氮化鋁或氧化鋁等的陶瓷材料、或者由鎳或鎳合金等形成。此外，圓板狀的固定部件264以及調(diào)整螺釘268由鎳或鎳合金形成。并且，第一和第ニ弾性部件258、262能夠使用陶瓷彈簧或金屬污染的擔(dān)心少的金屬彈簧等。
即使在該情況下，能夠發(fā)揮與之前參照圖5說明過的情況相同的作用效果。并且，在此，由于締結(jié)単元171的套筒252不具有螺紋部，相應(yīng)地不僅僅能夠抑制微粒的產(chǎn)生，而且也能夠減少成為破損的原因的熱應(yīng)カ施加的部位。此外，通使設(shè)置于圓板狀的固定部件264的三個(gè)調(diào)整螺釘268前進(jìn)或者后退，能夠使對干支架256的按壓カ變化，由此，能夠改變在支架256的上表面與載置臺罩部件63的下表面之間產(chǎn)生的微小的間隙的間隔，井能夠控制從該間隙向外部放出的N2氣體的流量。此外，也可以通過設(shè)置與兼用電極66相同結(jié)構(gòu)的接地電極，并使與其連接的功能棒體62的下端接地作為導(dǎo)電棒使用，使接地電極接地。此外，在設(shè)置有多個(gè)區(qū)域的發(fā)熱體的情況下，當(dāng)使一根加熱器供電棒接地時(shí)，能夠以各區(qū)域的發(fā)熱體的一方的加熱器供電棒作為上述接地的加熱器供電棒通用。此外，在本實(shí)施方式中，以使用等離子體的處理裝置為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此，也能夠適用于使用了在載置臺58埋入加熱單元64的載置臺構(gòu)造的所有的處理裝置、例如基于使用等離子體的等離子體CVD的成膜裝置、基于不用等離子體的熱CVD的成膜裝置、蝕刻裝置、熱擴(kuò)散裝置、擴(kuò)散裝置、改性裝置等。所以，兼用電極66 (包含卡盤電極或高頻電極)、熱電偶80、81以及附屬其的部件能夠省略。還有，作為氣體供給單元并不限定于噴淋頭部24，例如也可以由插通到處理容器22內(nèi)的氣體噴嘴構(gòu)成氣體供給單元。此外，還有，作為溫度測定單元，在此使用熱電偶80、81，但并不限定于此，也可以使用放射溫度計(jì)。在該情況下，放射溫度計(jì)所使用的導(dǎo)通光的光纖為功能棒體，該光纖插通到支柱管60內(nèi)。此外，在此作為被處理體以半導(dǎo)體晶片為例進(jìn)行了說明，但并不限定于此，也能夠?qū)⒈景l(fā)明適用于玻璃基板、IXD基板、陶瓷基板等。
權(quán)利要求
1.ー種載置臺構(gòu)造，其設(shè)置于能夠進(jìn)行排氣的處理容器內(nèi)，用于載置應(yīng)處理的被處理體，所述載置臺構(gòu)造的特征在于，包括 載置臺，在板狀的載置臺主體上支承用于載置所述被處理體的熱擴(kuò)散板，并且在所述載置臺主體與所述熱擴(kuò)散板的交界部分設(shè)置氣體擴(kuò)散室； 設(shè)置于所述載置臺的加熱單元； ー個(gè)或者多個(gè)支柱管，用干支承所述載置臺，從所述處理容器的底部立起設(shè)置，其上端部與所述載置臺的下表面連接，并且與所述氣體擴(kuò)散室連通，流過吹掃氣體； 載置臺罩部件，其以覆蓋所述載置臺主體的側(cè)面和下表面的方式設(shè)置；和 支柱管罩部件，其包圍所述支柱管的周圍，并且上端部與所述載置臺罩部件連結(jié)，從所述氣體擴(kuò)散室向下方引導(dǎo)流過所述載置臺主體與所述載置臺罩部件之間的間隙的所述吹掃氣體，使所述吹掃氣體從氣體出ロ排出。
2.如權(quán)利要求I所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述載置臺主體和/或所述熱擴(kuò)散板的周邊部，設(shè)置有形成為環(huán)狀的抵接突部，用于使所述載置臺主體和所述熱擴(kuò)散板抵接。
3.如權(quán)利要求2所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述環(huán)狀的抵接突部的表面，在周向上以規(guī)定的間隔設(shè)置有多個(gè)沿該抵接突部的寬度方向形成的氣體槽。
4.如權(quán)利要求I至3中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述載置臺罩部件具有覆蓋所述載置臺主體的側(cè)面的側(cè)板，該側(cè)板與所述側(cè)面隔開間隙，所述側(cè)板的上端與所述熱擴(kuò)散板的下表面接觸，形成有接觸部。
5.如權(quán)利要求I至4中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述載置臺主體、所述熱擴(kuò)散板和所述載置臺罩部件通過締結(jié)単元連結(jié)為一體。
6.如權(quán)利要求5所述的載置臺構(gòu)造，其特征在干 所述締結(jié)単元具有貫通所述載置臺主體、所述熱擴(kuò)散板和所述載置臺罩部件的螺栓，以在所述熱擴(kuò)散板與所述載置臺罩部件之間夾持所述載置臺主體的狀態(tài)進(jìn)行連結(jié)。
7.如權(quán)利要求6所述的載置臺構(gòu)造，其特征在干 在所述締結(jié)單元設(shè)置有向所述熱擴(kuò)散板側(cè)按壓所述載置臺主體的弾性部件。
8.如權(quán)利要求7所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述彈性部件由陶瓷彈簧或者金屬彈簧構(gòu)成。
9.如權(quán)利要求6至8中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述螺栓的下端形成有螺合螺母的螺紋部， 在所述螺紋部形成有沿所述螺栓的長邊方向延伸的熱伸縮容許狹縫。
10.如權(quán)利要求9所述的載置臺構(gòu)造，其特征在干 所述螺栓由金屬材料構(gòu)成， 所述螺母由陶瓷材料構(gòu)成。
11.如權(quán)利要求6至10中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述螺栓形成有銷插通孔，該銷插通孔用于插通使所述被處理體升起或者降下的推升銷。
12.如權(quán)利要求5所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于所述締結(jié)単元具有 以貫通所述熱擴(kuò)散板、所述載置臺主體和所述載置臺罩部件的方式設(shè)置，頭頂部被擴(kuò)徑的筒體狀的套筒； 被所述套筒的下端部插通的支架； 設(shè)置于所述載置臺主體與所述支架之間的第一弾性部件； 設(shè)置于所述載置臺罩部件與所述支架之間的第二弾性部件；和固定部件，以抵抗所述第一弾性部件和第二弾性部件的彈カ進(jìn)行按壓的狀態(tài)將所述支架固定于所述套筒的下端。
13.如權(quán)利要求12所述的載置臺構(gòu)造，其特征在干 在所述固定部件設(shè)置有調(diào)整對于所述支架的按壓カ的調(diào)整螺釘。
14.如權(quán)利要求12或13所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述第一弾性部件和/或第二弾性部件由陶瓷彈簧或者金屬彈簧構(gòu)成。
15.如權(quán)利要求12至14中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述筒體狀的套筒的中空部分作為插通使所述被處理體升起或者降下的推升銷的銷插通孔而形成。
16.如權(quán)利要求I至15中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述氣體擴(kuò)散室內(nèi)的壓カ處于比所述處理容器內(nèi)的壓カ高的正壓狀態(tài)。
17.如權(quán)利要求I至16中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述載置臺和所述支柱管分別由電介質(zhì)形成。
18.如權(quán)利要求17所述的載置臺構(gòu)造，其特征在干 所述熱擴(kuò)散板由不透明的電介質(zhì)構(gòu)成。
19.如權(quán)利要求I至18中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述支柱管與所述載置臺的中心部接合。
20.如權(quán)利要求I至19中任ー項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述支柱管內(nèi)收納有一根或者多根功能棒體。
21.如權(quán)利要求20所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述功能棒體是與所述加熱單元側(cè)電連接的加熱器供電棒。
22.如權(quán)利要求20所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述載置臺設(shè)置有靜電卡盤用的卡盤電扱， 所述功能棒體是與所述卡盤電極電連接的卡盤用供電棒。
23.如權(quán)利要求20所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述載置臺設(shè)置有用于施加高頻電カ的高頻電扱， 所述功能棒體是與所述高周波電極電連接的高周波供電棒。
24.如權(quán)利要求20所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述載置臺設(shè)置有兼用電極，該兼用電極兼用作靜電卡盤用的卡盤電極和用于施加高頻電カ的高頻電極， 所述功能棒體是與所述兼用電極電連接的兼用供電棒。
25.如權(quán)利要求20所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述功能棒體是用于測定所述載置臺的溫度的熱電偶。
26.如權(quán)利要求25所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 在所述熱電偶的中途形成有卷繞所述熱電偶自身而形成的彈簧部。
27.如權(quán)利要求26所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述彈簧部通過螺旋狀地卷繞所述熱電偶自身而形成。
28.如權(quán)利要求23或26所述的載置臺構(gòu)造，其特征在于 所述彈簧部位于密封部的內(nèi)側(cè)的氣氛中，該密封部為了以氣密狀態(tài)向所述處理容器之外引出所述熱電偶而設(shè)置。
29.—種處理裝置，其用于對被處理體實(shí)施處理，該處理裝置的特征在于，包括 能夠進(jìn)行排氣的處理容器； 用于載置所述被處理體的、權(quán)利要求I至28中的任一項(xiàng)所述的載置臺構(gòu)造；和 向所述處理容器內(nèi)供給氣體的氣體供給單元。
30.如權(quán)利要求29所述的處理裝置，其特征在于 所述載置臺構(gòu)造的不活潑氣體的氣體出ロ位于所述處理容器的氣體排出ロ的附近。
全文摘要
本發(fā)明涉及設(shè)置于能夠進(jìn)行排氣的處理容器內(nèi)并用于載置應(yīng)處理的被處理體的載置臺構(gòu)造。本發(fā)明的載置臺構(gòu)造包括載置臺，在板狀的載置臺主體上支承用于載置所述被處理體的熱擴(kuò)散板，并且在所述載置臺主體與所述熱擴(kuò)散板的交界部分設(shè)置氣體擴(kuò)散室；設(shè)置于所述載置臺的加熱單元；一個(gè)或者多個(gè)支柱管，用于支承所述載置臺，從所述處理容器的底部立起設(shè)置，其上端部與所述載置臺的下表面連接，并且與所述氣體擴(kuò)散室連通，流過吹掃氣體；載置臺罩部件，其以覆蓋所述載置臺主體的側(cè)面和下表面的方式設(shè)置；和支柱管罩部件，其包圍所述支柱管的周圍，并且上端部與所述載置臺罩部件連結(jié)，從所述氣體擴(kuò)散室向下方引導(dǎo)流過所述載置臺主體與所述載置臺罩部件之間的間隙的所述吹掃氣體，使所述吹掃氣體從氣體出口排出。
文檔編號H01L21/205GK102668060SQ201080055569
公開日2012年9月12日 申請日期2010年12月20日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月28日
發(fā)明者山本弘彥, 川崎裕雄, 村岡貴志, 長岡秀樹, 齊藤哲也 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社