專利名稱：太陽(yáng)能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，隨著能量需求的增長(zhǎng)，正在對(duì)將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的太陽(yáng)能電池進(jìn)行研究。具體地，已廣泛使用基于CIGS的電池，所述基于CIGS的電池是pn異質(zhì)結(jié)設(shè)備，具有包括襯底、金屬后電極層、P型基于CIGS的光吸收層、高電阻緩沖層、η型透明電極層等的襯底結(jié)構(gòu)。各種類型的襯底都可以用作所述襯底，但是當(dāng)襯底是撓性的時(shí)，在襯底被彎曲的情況下，導(dǎo)致在襯底上形成的金屬后電極層中產(chǎn)生裂縫的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問(wèn)題本發(fā)明一些方面的優(yōu)點(diǎn)在于，提供一種太陽(yáng)能電池及其制造方法，所述太陽(yáng)能電池能夠增加襯底和后電極之間的聯(lián)結(jié)力。技術(shù)方案根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池包括圖案層，布置在襯底上且包括不平整圖案；后電極，布置在所述圖案層上；光吸收層，布置在所述后電極上；緩沖層，布置在所述光吸收層上；以及前電極，布置在所述緩沖層上。根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池制造方法包括在襯底上形成包括不平整圖案的圖案層；在所述圖案層上形成后電極；在所述后電極上形成光吸收層；在所述光吸收層上形成緩沖層；以及在所述緩沖層上形成前電極。有益效果根據(jù)實(shí)施例的太陽(yáng)能電池及其制造方法可以在襯底上形成納米尺寸的不平整圖案，由此提高與形成在襯底上的后電極的聯(lián)結(jié)力。具體地，當(dāng)襯底是撓性的時(shí)，盡管襯底被彎曲，但是不會(huì)在襯底和后電極之間產(chǎn)生裂縫。就是說(shuō)，后電極還形成在不平整結(jié)構(gòu)圖案的凹槽內(nèi)部，以增加襯底和后電極之間的聯(lián)結(jié)力。此外，光吸收層(其一部分與襯底相接觸)也與不平整結(jié)構(gòu)圖案接觸，以增加光吸收層和襯底之間的聯(lián)結(jié)力。


圖1至11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的太陽(yáng)能電池制造方法的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
4
在實(shí)施例的描述中，當(dāng)各個(gè)襯底、層、膜或電極等被表述為形成在其它襯底、層、膜或電極“上”或“下”時(shí)，“上”或“下”還表示一個(gè)組件“直接地，，或“間接地(通過(guò)其它組件)”形成到另一組件上。此外，將基于附圖描述每個(gè)組件的“上”或“下”的標(biāo)準(zhǔn)。在附圖中，可以夸大地描繪每個(gè)組件的尺寸，并且不意味著實(shí)際應(yīng)用該尺寸。圖11是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的太陽(yáng)能電池的剖視圖。如圖11所示，實(shí)施例的太陽(yáng)能電池包括襯底100、圖案層170、后電極200、光吸收層300、緩沖層400和前電極500。在此情形中，圖案層170包括不平整圖案150，可以在不平整圖案150中周期性地形成具有四角棱錐或正弦波形狀的彎曲部。此外，如圖3所示，不平整圖案150包括凹槽110和突起120，凹槽的寬度為100-300nm，突起的寬度為100_200nm，凹槽和突起的高度可以為100_300nm。通過(guò)不平整結(jié)構(gòu)形成凹槽110和突起120，從而使得凹槽120具有從襯底100突起的形狀。此外，凹槽110和突起120使得接觸面積可以擴(kuò)大，可以增強(qiáng)襯底100和之后形成的后電極之間的結(jié)合。具體地，當(dāng)襯底100是撓性的時(shí)，盡管襯底100被彎曲，也可以通過(guò)圖案層170防
止在后電極中產(chǎn)生裂縫。此外，后電極還形成不平整圖案150的凹槽110內(nèi)部，從而可以增加襯底100和后電極之間的結(jié)合力。圖案層170可以由包含樹(shù)脂的材料形成，該樹(shù)脂為諸如環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂三聚氰胺、亞克力和聚氨酯樹(shù)脂的單一型或混合型樹(shù)脂。下文中，將根據(jù)太陽(yáng)能電池的制造過(guò)程更詳細(xì)地描述所述太陽(yáng)能電池。圖1至11是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的太陽(yáng)能電池制造方法的剖視圖。首先，如圖1所示，包括不平整圖案150的圖案層170形成在襯底100上。襯底100使用玻璃也可以使用諸如氧化鋁的陶瓷襯底、不銹鋼和鈦襯底或聚合物襯底等作為其材料。玻璃襯底可以使用鈉鈣玻璃，聚合物襯底可以使用PET (polyethylenter印hthalate，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)和聚酰亞胺。此外，襯底100可以是剛性或撓性的。在襯底100的表面上形成樹(shù)脂層之后，不平整圖案150可以在樹(shù)脂層中形成不平
整圖案。此時(shí)，如圖2所示，形成圖案的方法包括在襯底100上形成樹(shù)脂層，并且應(yīng)用使用模具230的模制過(guò)程，同時(shí)應(yīng)用UV硬化過(guò)程。當(dāng)在襯底100上涂覆樹(shù)脂層時(shí)，進(jìn)行到旋轉(zhuǎn)涂布過(guò)程。樹(shù)脂層可以由包含單一型或混合型樹(shù)脂(諸如環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂黑素、亞克力和聚氨酯樹(shù)脂)的材料形成。然而，形成圖案的方法不限于此，在襯底100上形成樹(shù)脂層之后，可以利用激光源形成所述圖案。圖3和4詳細(xì)示出圖1的“A”區(qū)域，S卩，不平整圖案150，不平整圖案150包括凹槽110和突起120，并且周期性地形成具有正方柱形狀的不平整圖案150的彎曲部。通過(guò)不平整結(jié)構(gòu)形成凹槽110和突起120，從而使得突起120具有從襯底100突起的形狀。此外，凹槽110和突起120使得接觸面積可以擴(kuò)大，從而可以增大襯底100和之后形成的后電極之間的聯(lián)結(jié)力。具體地，當(dāng)襯底100是撓性的時(shí)，盡管襯底100被彎曲，但是拉伸應(yīng)力通過(guò)圖案層170傳遞到后電極，由此可以防止裂縫的產(chǎn)生。在此情形中，凹槽110的寬度f(wàn)為100-300nm,突起120的寬度g為100_200歷，凹槽110的高度b和突起120的高度C可以為100-300nm。在本實(shí)施例中，不平整圖案150包括凹槽110和突起120，但不限于此，并且所述不平整圖案150可以通過(guò)下述結(jié)構(gòu)形成，該結(jié)構(gòu)形成有能夠提高不平整圖案150與之后形成的后電極之間的聯(lián)結(jié)力的圖案。盡管附圖中未示出，但是具有正方柱形狀的不平整圖案150可以形成為在一個(gè)方向較長(zhǎng)。在此情形中，不平整圖案150不限于正方柱，如圖4所示，可以周期性地形成具有彎曲的正弦波形狀的不平整圖案160的彎曲部。圖案層170可以由包含樹(shù)脂的材料形成，該樹(shù)脂為諸如環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂三聚氰胺、亞克力和聚氨酯樹(shù)脂的單一型或混合型樹(shù)脂。當(dāng)襯底100由聚合物襯底(即PET和聚酰亞胺)形成時(shí)，由于圖案層170和襯底100之間的聯(lián)結(jié)力強(qiáng)，因此也可以增強(qiáng)襯底100和之后形成的后電極之間的聯(lián)結(jié)力。此外，如圖5和6所示，在圖案層170上形成后電極201。后電極201成為導(dǎo)電層。后電極層201使得從太陽(yáng)能電池的光吸收層300產(chǎn)生的電荷可以移動(dòng)，從而電流可以流到太陽(yáng)能電池外部。后電極層201應(yīng)該具有高電導(dǎo)率和小電阻率(specific resistance)以執(zhí)行上述功能。此外，當(dāng)在伴隨形成CIGS化合物的硫( 或硒(Se)氣氛下進(jìn)行熱處理時(shí)，后電極層201應(yīng)該保持具有高溫穩(wěn)定性。可以通過(guò)鉬(Mo)、金(Au)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鎢(W)和銅(Cu)中的任意一種形成這樣的后電極201。具體地，在它們中間，鉬(Mo)通常可以滿足后電極層201所需的特性。
后電極層201可以包括至少兩層。在此情形中，每層可以由相同金屬或互不相同的金屬形成。此時(shí)，后電極201也插入不平整圖案150的凹槽110內(nèi)部中，以增加后電極201和襯底100之間的聯(lián)結(jié)力。后電極201的與圖案層170接觸的側(cè)面可以形成為具有與圖案層170的不平整圖案相對(duì)應(yīng)的凹面-凸面，并且后電極201的上表面可以形成為與襯底100平行。具體地，當(dāng)襯底100是撓性的時(shí)，盡管襯底100由于襯底和后電極之間的熱膨脹系數(shù)差異而被彎曲，但是通過(guò)形成在襯底上的不平整圖案150可以防止在襯底100和后電極之間產(chǎn)生裂縫。在此情形中，襯底100的厚度大于不平整圖案150和后電極201的厚度，并且后電極201的厚度大于不平整圖案150的厚度。
就是說(shuō)，襯底100、不平整圖案150和后電極201的厚度和尺寸關(guān)系可以參照?qǐng)D6表示如下(a+b)=W (c+d)(1)
(C)=X(d)⑵
(d)=Y(e)⑶
(f)=Z(g)⑷其中，W的值為0. 17-0. 43，X的值為0. 03-0. 15，Y的值為0. 04-0. 12，Z的值為1-2。在條件表達(dá)式中，a是從不平整圖案150的上表面(即突起120的上表面)到后電極圖案201的上表面的距離，b是凹槽110的高度，c是突起120的高度，d是在圖案層170中從凹槽110的下表面到襯底100的厚度。此外，e是襯底100的厚度，f是凹槽110的寬度，g是突起120的寬度。條件表達(dá)式(1)示出后電極201和圖案層170之間的關(guān)系。如條件表達(dá)式(1)所示，(a+b)(即后電極201的整體厚度)可以是(c+d)(即圖案層170的整體厚度)的0. 17-0. 43 (W)倍。在此情形中，當(dāng)W值小于0. 17時(shí)，緩沖層，即圖案層170的d區(qū)域變厚，從而降低襯底100和圖案170的粘合性。此外，當(dāng)W值大于0.43時(shí)，整個(gè)后電極201和圖案170之間的厚度減小，因此，圖案170中d的厚度不足，從而降低防止產(chǎn)生裂縫的緩沖功能。條件表達(dá)式(2)表示突起120或凹槽110在圖案層170的整體厚度中所占的百分比。就是說(shuō)，突起120的高度c可以是d(即在圖案層170中從凹槽110的下表面到襯底100的厚度)的0. 03-0. 15 (X)倍。此時(shí)，當(dāng)X值小于0.03時(shí)，突起120的高度，即c值過(guò)小，從而減小與后電極201的粘合面積，同時(shí)，不平整圖案150過(guò)小，從而降低防止產(chǎn)生裂縫的緩沖功能。此夕卜，當(dāng)X值大于0. 15時(shí)，突起120的高度，即c值變大，因此難以制造不平整圖案150。此外，當(dāng)沉積后電極201時(shí)，未沉積到凹槽110的下表面上，從而降低防止產(chǎn)生裂縫的緩沖功能。條件表達(dá)式(3)示出襯底100與區(qū)域d(即在圖案層170中從凹槽110的下表面到襯底100的厚度)之間的關(guān)系。就是說(shuō)，d值(即從凹槽110的下表面到襯底100的圖案層170的厚度)可以是襯底100的厚度的0. 04-0. 12 (Y)倍。此時(shí)，當(dāng)Y值小于0. 04時(shí)，d值小，從而降低防止襯底100產(chǎn)生裂縫的緩沖功能。此外，當(dāng)Y值大于0. 12時(shí)，襯底100的厚度相對(duì)減小，從而在襯底中容易發(fā)生彎折
現(xiàn)象，由此容易產(chǎn)生裂縫。條件表達(dá)式(4)示出凹槽110的寬度f(wàn)和突起120的寬度g之間百分比的關(guān)系。就是說(shuō)，凹槽110的寬度f(wàn)可以是突起120的寬度g的1-2 (Z)倍。此外，可以規(guī)律或不規(guī)律地形成不平整圖案150的周期h，并且周期h可以由200-500nm的周期形成。
此外，就襯底100、不平整圖案150和后電極201的硬度而言，后電極201比襯底100和不平整圖案150硬，襯底100的硬度大于或等于不平整圖案150的硬度。隨后，如圖7所示，通過(guò)向后電極201應(yīng)用圖案化過(guò)程形成后電極圖案200?？梢酝ㄟ^(guò)向后電極201應(yīng)用光刻過(guò)程形成后電極圖案200。此外，后電極圖案200可以被布置為條狀類型或矩陣類型，以與每個(gè)電池對(duì)應(yīng)。然而，后電極圖案200不限于以上類型，并且可以形成為各種類型。此時(shí)，可以通過(guò)后電極圖案200露出形成在襯底100上的不平整圖案150的一部分。接著，如圖8所示，在后電極圖案200上形成光吸收層300和緩沖層400。光吸收層300包括ρ型半導(dǎo)體化合物。更詳細(xì)地，光吸收層300包括基于I-III-VI族的化合物。例如，光吸收層300可以具有基于銅-銦-鎵-硒(Cu(Inja)Sh，基于CIGS)或基于銅-鎵-硒的晶體結(jié)構(gòu)。例如，為了形成光吸收層300，通過(guò)利用銅靶、銦靶和鎵靶在后電極圖案200上形成基于CIG的金屬前驅(qū)膜。在下文中，金屬前驅(qū)膜通過(guò)硒化過(guò)程與硒反應(yīng)，以形成基于CIG的光吸收層300。此外，在形成金屬前驅(qū)膜的過(guò)程和硒化過(guò)程期間，包含在襯底100中的堿性成分穿過(guò)后電極圖案200擴(kuò)散到金屬前驅(qū)膜和光吸收層300中。堿性成分提高光吸收層300的晶粒度，以提高可結(jié)晶性。此外，光吸收層300可以通過(guò)共蒸發(fā)法由銅、銦、鎵和硒(Cu、Irufei和Se)形成。光吸收層300接收從外部入射的光，并將所接收的光轉(zhuǎn)換為電能。光吸收層300形成由光電效應(yīng)產(chǎn)生的光電動(dòng)勢(shì)。此時(shí)，光吸收層300的與襯底100接觸的部分也形成在不平整圖案150上。就是說(shuō)，光吸收層300的該部分也與不平整圖案150的凹槽110和突起120聯(lián)結(jié)，從而可以增加光吸收層300和襯底100的聯(lián)結(jié)力。緩沖層400可以由至少一層形成，并且可以通過(guò)硫化鎘(CdS)、ΙΤ0, ZnO和i_ZnO中的任意一種形成緩沖層400，或者通過(guò)將它們層疊在形成有光吸收層300的襯底100上形成緩沖層400，并且緩沖層400可以通過(guò)摻雜銦an)、鎵(Ga)和鋁(Al)而獲得低電阻值。此時(shí)，緩沖層400是η型半導(dǎo)體層，光吸收層300是ρ型半導(dǎo)體層。因此，光吸收層300和緩沖層400形成ρη結(jié)。緩沖層400被布置在光吸收層300和之后形成的前電極之間。就是說(shuō)，由于光吸收層300和前電極在晶格常數(shù)和帶隙能量方面差異很大，因此，為了形成良好的結(jié)，由于帶隙差異而將緩沖層布置在這兩種材料之間是必要的。在本實(shí)施例中，盡管緩沖層形成在光吸收層300上，但是本發(fā)明不限于此，并且緩沖層400可以由多個(gè)層形成。隨后，如圖9所示，穿過(guò)光吸收層300和緩沖層400形成接觸圖案?？梢酝ㄟ^(guò)應(yīng)用機(jī)械方法或利用激光的過(guò)程形成接觸圖案310，并且露出后電極圖案200的一部分。此外，如圖10所示，通過(guò)在緩沖層400上層疊透明導(dǎo)電材料，形成前電極500和互連部700。
當(dāng)在緩沖層400上層疊透明材料時(shí)，透明導(dǎo)電材料也插入到接觸圖案310的內(nèi)部，以形成互連部700。后電極圖案200和前電極500通過(guò)互連部700互相電連接。通過(guò)在襯底100上應(yīng)用濺射過(guò)程由摻雜鋁的氧化鋅形成前電極500。作為與光吸收層300形成pn結(jié)的窗口層，前電極500被用作太陽(yáng)能電池前面的透明電極，因此，前電極500由具有高透光率和良好電導(dǎo)率的氧化鋅(ZnO)形成。此時(shí)，可以通過(guò)向氧化鋅摻雜鋁來(lái)形成具有低電阻值的電極。通過(guò)利用ZnO靶的RF濺射法、利用Si靶的反應(yīng)濺射法、和金屬有機(jī)化學(xué)沉積法等沉積法，可以形成前電極500，即氧化鋅薄膜。此外，通過(guò)在氧化鋅薄膜上沉積具有優(yōu)異光電特性的ITO(氧化銦錫)薄膜，還可以形成雙層結(jié)構(gòu)。隨后，如圖11所示，穿過(guò)光吸收層300、緩沖層400和前電極500形成分隔圖案320。可以通過(guò)應(yīng)用機(jī)械方法或利用激光的過(guò)程形成分隔圖案320，并且露出后電極圖案200的一部分。緩沖層400和前電極500可以被分隔圖案320劃分，電池Cl、C2中的每個(gè)可以被分隔圖案320彼此分隔。光吸收層300、緩沖層400和前電極500可以通過(guò)分隔圖案320被布置為條狀類型
或矩陣類型。分隔圖案320不限于上述類型，并且可以形成為各種類型。通過(guò)分隔圖案320形成包括后電極圖案200、光吸收層300、緩沖層400和前電極500的電池C1、C2。此時(shí)，電池C1、C2中的每個(gè)通過(guò)互連部700彼此連接。第二電池C2的后電極圖案200與接觸第二電池C2的第一電池Cl的前電極500通過(guò)互連部700彼此連接。上述根據(jù)實(shí)施例的太陽(yáng)能電池及其制造方法可以在襯底上形成納米尺寸的不平整圖案，由此提高與形成在襯底上的后電極的聯(lián)結(jié)力。具體地，當(dāng)襯底是撓性的時(shí)，盡管襯底被彎曲，但是不會(huì)在襯底和后電極之間產(chǎn)生裂縫。就是說(shuō)，后電極還形成在不平整結(jié)構(gòu)圖案的凹槽內(nèi)部，以增加襯底和后電極之間的聯(lián)結(jié)力。光吸收層(其一部分與襯底相接觸)也與不平整結(jié)構(gòu)圖案接觸，以增加光吸收層和襯底之間的聯(lián)結(jié)力。此外，盡管示出和描述了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，但是本發(fā)明不限于上述具體實(shí)施例，并且在不脫離本實(shí)施例基本特性的范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行各種變型或應(yīng)用。例如，在實(shí)施例中具體表示的各實(shí)施要素可變更實(shí)施，這些變更與應(yīng)用有關(guān)的不同之處應(yīng)理解為包含于權(quán)利要求書(shū)限定的本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種太陽(yáng)能電池，包括圖案層，布置在襯底上且包括不平整圖案；后電極，布置在所述圖案層上；光吸收層，布置在所述后電極上；緩沖層，布置在所述光吸收層上；以及前電極，布置在所述緩沖層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中，凹槽和突起周期性地形成在所述不平整圖案中。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中，所述凹槽的寬度為100-300nm，所述突起的寬度為100-200nm，所述凹槽和所述突起的高度為100-300nm，并且包括所述凹槽和所述突起的所述不平整圖案的周期為200-500nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中，就所述襯底、所述圖案層和所述后電極而言，其中，a是從所述不平整圖案的上表面，即所述突起的上表面，到所述后電極的表面的距離，b是所述凹槽的高度，c是所述突起的高度，d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度，滿足條件表達(dá)式(a+b) = W(c+d)，其中W的值為0. 17-0. 43。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中，就所述圖案層而言，其中，c是所述突起的高度，d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度，滿足條件表達(dá)式(C)=X(d)，其中 X 的值為 0. 03-0. 15。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中，就所述襯底和所述圖案層而言，其中，d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度，e是所述襯底的厚度，滿足條件表達(dá)式(d) = Y(e)，其中Y的值為0.04-0. 12。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能電池，其中，就所述圖案層而言，其中，f是所述凹槽的寬度，g是所述突起的寬度，滿足條件表達(dá)式(f) = Z(g)，其中Z的值為1-2。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中，所述圖案層可以由包含樹(shù)脂的材料形成，該樹(shù)脂為諸如環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂三聚氰胺、亞克力和聚氨酯樹(shù)脂的單一型或混合型樹(shù)脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中，所述后電極的與所述圖案層接觸的側(cè)面被形成為具有與所述圖案層的所述不平整圖案相對(duì)應(yīng)的凹面-凸面，所述后電極的上表面形成為與所述襯底平行。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能電池，其中，所述不平整圖案的寬度從所述襯底朝向所述后電極變窄。
11.一種太陽(yáng)能電池制造方法，包括在襯底上形成包括不平整圖案的圖案層；在所述圖案層上形成后電極；在所述后電極上形成光吸收層；在所述光吸收層上形成緩沖層；以及在所述緩沖層上形成前電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽(yáng)能電池制造方法，其中，形成所述圖案層包括在所述襯底上形成樹(shù)脂層；以及通過(guò)對(duì)所述樹(shù)脂層應(yīng)用利用模具的模制過(guò)程同時(shí)應(yīng)用UV硬化過(guò)程，來(lái)形成具有不平整圖案的所述圖案層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的太陽(yáng)能電池制造方法，其中，所述樹(shù)脂層可以由包含樹(shù)脂的材料形成，該樹(shù)脂為諸如環(huán)氧樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂三聚氰胺、亞克力和聚氨酯樹(shù)脂的單一型或混合型樹(shù)脂。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的太陽(yáng)能電池制造方法，其中，凹槽和突起周期性地形成在所述不平整圖案中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能電池制造方法，其中，所述凹槽的寬度為100-300nm，所述突起的寬度為100-200nm，所述凹槽和所述突起的高度為100-300nm，并且包括所述凹槽和所述突起的所述不平整圖案的周期為200-500nm。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能電池制造方法，其中，就所述襯底、所述圖案層和所述后電極而言，其中，a是從所述不平整圖案的上表面，即所述突起的上表面，到所述后電極的表面的距離，b是所述凹槽的高度，c是所述突起的高度，d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度，滿足條件表達(dá)式(a+b) = W(c+d)，其中W的值為0. 17-0. 43。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能電池制造方法，就所述圖案層而言，其中，c是所述突起的高度，d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度，滿足條件表達(dá)式(c) = X(d)，其中 X 的值為 0.03-0. 15。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能電池制造方法，就所述襯底和所述圖案層而言，其中，d是在所述圖案層中從所述凹槽的下表面到所述襯底的厚度，e是所述襯底的厚度，滿足條件表達(dá)式(d) = Y(e)，其中Y的值為0. 04-0. 12。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的太陽(yáng)能電池制造方法，就所述圖案層而言，其中，f是所述凹槽的寬度，g是所述突起的寬度，滿足條件表達(dá)式(f) = Z(g)，其中Z的值為1-2。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池包括圖案層，布置在襯底上且包括不平整圖案；后電極，布置在所述圖案層上；光吸收層，布置在所述后電極上；緩沖層，布置在所述光吸收層上；以及前電極，布置在所述緩沖層上。根據(jù)本發(fā)明的太陽(yáng)能電池制造方法包括在襯底上形成包括不平整圖案的圖案層；在所述圖案層上形成后電極；在所述后電極上形成光吸收層；在所述光吸收層上形成緩沖層；以及在所述緩沖層上形成前電極。
文檔編號(hào)H01L31/042GK102598299SQ201080049288
公開(kāi)日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2010年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月28日
發(fā)明者李東根 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司