專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及用于形成晶體管的半導(dǎo)體エ藝，并且，更特別地，涉及用于增加半導(dǎo)體襯底上布圖密度的エ藝。相關(guān)技術(shù)的描述例如平面晶體管的晶體管已經(jīng)是集成電路的核心幾十年。在使用晶體管期間，通過在エ藝開發(fā)方面的進(jìn)步和對(duì)增加特征密度的需要，單個(gè)晶體管的大小已經(jīng)穩(wěn)步減小。當(dāng)前的按比例縮小利用32nm的技術(shù)，而開發(fā)向22nm的技術(shù)進(jìn)步。用來在NMOS和PMOS結(jié)構(gòu)之間連接的金屬I (Ml)的垂直線路在標(biāo)準(zhǔn)的晶體管單元設(shè)計(jì)中是重要的。Ml垂直線路可以連接與底層活動(dòng)面積接觸的接觸件(輸出)。Ml垂直線路可以是加上與柵極接觸的其它Ml線。 給Ml金屬線(接觸線或者垂直線)確定線路中的第一個(gè)挑戰(zhàn)是未對(duì)準(zhǔn)或者覆蓋誤差。未對(duì)準(zhǔn)是現(xiàn)代平板印刷中増加的挑戰(zhàn)，其導(dǎo)致了某些實(shí)際的局限性。一個(gè)實(shí)際的局限性是小接觸特征之間的偏離希望去保持盡可能小，而重合中心是優(yōu)選的。解決該局限性促進(jìn)了 例如，接觸件對(duì)中放置在柵極上，并且細(xì)的Ml線對(duì)中放置在接觸件上，以使得柵極、接觸件和Ml線都在相同的點(diǎn)上對(duì)中。第二個(gè)挑戰(zhàn)是對(duì)于CPP(接觸的多間距)，希望接近技術(shù)限制(例如，22nm的設(shè)計(jì)規(guī)則)。該希望使得在Ml和柵極同一中心時(shí)兩個(gè)接觸的柵極之間不可以圖案化另外的Ml線(例如，垂直的Ml線)，這對(duì)于避免如上所述的未對(duì)準(zhǔn)是優(yōu)選的。能夠確定接觸的柵極之間Ml垂直線的線路同時(shí)避免未對(duì)準(zhǔn)將允許更密集的布圖，從而導(dǎo)致了較低的產(chǎn)品成本和更快的處理。圖I描繪了直接在柵極上具有接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)的器件的頂視圖。布

圖100包括通過接觸件106A、106B分別與Ml結(jié)構(gòu)104A、104B耦合的柵極102A、102B。Ml結(jié)構(gòu)104A、104B是柵極102A、102B的輸入接觸件。因?yàn)镸l結(jié)構(gòu)104A、104B的接近，所以對(duì)于另ー個(gè)Ml結(jié)構(gòu)(例如，Ml垂直線路)，M1結(jié)構(gòu)之間不存在任何空間。面積108代表Ml結(jié)構(gòu)104A、104B周圍的面積，其由于布圖的密度而阻礙放置其它的Ml結(jié)構(gòu)。可以供布圖10中Ml垂直線路使用的ー種可能的解決方案是通過提出(put in)虛擬柵極來膨脹(bloat)柵極面積(CPP膨脹)，以增加主動(dòng)?xùn)艠O之間的水平距離。然而，該方法増加了整個(gè)芯片的面積并且限制了芯片對(duì)芯片面積的性能。另ー個(gè)可能的解決方案是替代Ml垂直線路，使用額外的局部互連(LI)層形成到輸出的連接。LI層可以用于接觸柵極和/或接觸件活動(dòng)區(qū)域。然而，使用LI層要求使用另外的通路(VO)層，從而阻止縮短LI層到附近的Ml線附近。另外的VO層可以明顯地增加開發(fā)和/或加工成本。另ー個(gè)可能的解決方案是使用反向的金屬2(M2)層，其中M2層被暴露，而且M2線與Ml線方向相同。這使得使來自其他位置(例如，其它邏輯柵極或者電路的其它部分)的線確定路線以與Ml線連接是困難的。而且，為了以與CPP同樣緊密的間距印制M2，必須在平板印刷中調(diào)整(tradeoff)可以在正交方向印制的最小間距(エ藝方法包括，例如，光刻增強(qiáng)エ藝(RET)和偶極子照明)，或者使用多個(gè)暴露和多個(gè)掩膜，其產(chǎn)生了成本并帶來了不利后果。因而，反向M2的解決方案具有以下局限性其貫穿整個(gè)設(shè)計(jì)，并且損害以高密度確定路線通向Ml線的能力或者加工成本和產(chǎn)品的產(chǎn)量。還有ー個(gè)可能的解決方案是給柵極加頭(或者標(biāo)識(shí))，使柵極連接移位并且允許増加的布圖密度。接觸件然后可以直接(成方地)放置在頭上。然而，使用頭，増加了柵極寬度的偏差。該柵極寬度的偏差増加了關(guān)鍵尺寸的變化，并且能夠造成產(chǎn)量和可靠性問題。因此，需要通過允許Ml垂直線路來増加布圖密度，同時(shí)最小化開發(fā)和エ藝成本以及維持如理想級(jí)別的性能和可靠性。具有Ml垂直線路的更密集的布圖可以降低產(chǎn)品成本和/或増加利用更密集的布圖的芯片 的處理速度。這個(gè)更密集的布圖在例如22nm技術(shù)的先進(jìn)技術(shù)方面是有用的，以生產(chǎn)更快且更可靠的CPU(中央處理單元)或者GPU(圖形處理單元)。發(fā)明實(shí)施方案的概述在某些實(shí)施方案中，半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體襯底上的柵極。柵極的一個(gè)側(cè)壁可以包括至少ー個(gè)突起，以及柵極的對(duì)側(cè)壁可以包括至少ー個(gè)凹陷。絕緣層可以基本上設(shè)置在柵極上。接觸件可以通過絕緣層來形成。接觸件可以至少部分地與柵極中的突起中的至少ー個(gè)重疊。金屬層可以設(shè)置在絕緣層上。金屬層可以包括向柵極的第一側(cè)偏移的第一金屬層結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)可以至少部分地與接觸件重疊，以使得接觸件通過絕緣層將第一結(jié)構(gòu)和柵極電耦合。在某些實(shí)施方案中，半導(dǎo)體器件制造エ藝包括在半導(dǎo)體襯底上形成柵極，其中，柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少ー個(gè)突起，以及柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少ー個(gè)凹陷；基本上在柵極上形成絕緣層；通過絕緣層形成接觸件；以及在絕緣層上形成具有第一結(jié)構(gòu)的金屬層。在某些實(shí)施方案中，集成電路包括一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件中的至少ー個(gè)包括柵極，其中，柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少ー個(gè)突起，以及柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少一個(gè)凹陷，基本上設(shè)置在柵極上的絕緣層，通過絕緣層形成的接觸件，以及設(shè)置在絕緣層上具有第一結(jié)構(gòu)的金屬層。在某些實(shí)施方案中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)當(dāng)被執(zhí)行時(shí)生成可用來提供半導(dǎo)體器件的一個(gè)或者多個(gè)圖案的多個(gè)指令，所述半導(dǎo)體器件包括柵極，其中，柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少ー個(gè)突起，以及柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少ー個(gè)凹陷，基本上在柵極上設(shè)置的絕緣層，通過絕緣層形成的接觸件，以及設(shè)置在絕緣層上具有第一結(jié)構(gòu)的金屬層。在某些實(shí)施方案中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)當(dāng)被執(zhí)行時(shí)生成可在半導(dǎo)體エ藝中使用的一個(gè)或者多個(gè)圖案的多個(gè)指令，所述半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體襯底上形成柵極，其中柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少ー個(gè)突起，以及柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少ー個(gè)凹陷，基本上在柵極上形成絕緣層，通過絕緣層形成接觸件，以及在絕緣層上形成具有第一結(jié)構(gòu)的金屬層。附圖簡(jiǎn)述圖I描繪了現(xiàn)有技術(shù)的器件的頂視圖，其中接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)直接在柵極上。圖2A描繪了器件設(shè)計(jì)布圖的實(shí)施方案的頂視圖，其中接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)在具有彎曲的柵極上偏移。圖2B描繪了具有彎曲的柵極和覆蓋柵極彎曲的接觸件的放大圖。圖3描述了在具有彎曲的柵極上偏移的接觸件和金屬結(jié)構(gòu)的布圖一部分的實(shí)施方案的放大的頂視圖，如在襯底上所形成的。圖4描繪了圖2A中所示出的布圖100的重新確定目標(biāo)(用于優(yōu)化工藝整合)的描繪。圖5描繪了圖2A中所示出的布圖的晶片上的描繪。圖6描繪了布圖的實(shí)施方案的橫截面?zhèn)纫晥D，其中接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)在柵極上偏移，如在襯底上所形成的。圖7描繪了布圖的實(shí)施方案的頂視圖，其中若干個(gè)接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)在具有彎曲的柵極上偏移，如在襯底上所形成的。雖然此處經(jīng)由若干個(gè)實(shí)施方案和圖示附圖的實(shí)例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到本發(fā)明不限于所述的實(shí)施方案或者附圖。應(yīng)當(dāng)理解，在這里的附圖和詳細(xì)說明書不意在將本發(fā)明限制在所公開的特定形式，而是相反的，本發(fā)明覆蓋了落入由所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明精神和范圍之內(nèi)的所有修改、等同形式或者替代方式。此處所使用的標(biāo)題僅僅是出于編制上的目的，并且不意味著限制說明書或者權(quán)利要求的范圍。正如此處所使用的，單詞“可以”用在容許的意思(即，意味著有可能)，而不是強(qiáng)制的意思(即，意味著必須)。相似地，單詞“包括”意味著包括但不限于。實(shí)施方案的詳述圖2A描繪了用于器件的布圖100的實(shí)施方案的頂視圖，其中，接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)在具有彎曲的柵極上偏移。布圖100可以是，例如，用在半導(dǎo)體器件中，例如，但不限于，中央處理單元(CPU)和圖像處理單元(GPU)。布圖100可以是在這種器件中使用的晶體管或者晶體管的一部分。在某些實(shí)施方案中，布圖100是NMOS或者PMOS布圖，或NMOS或者PMOS布圖的一部分。布圖100可以是CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))設(shè)計(jì)的布圖或者由CAD設(shè)計(jì)的工藝所形成的布圖。在某些實(shí)施方案中，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)當(dāng)被執(zhí)行時(shí)生成布圖100或者用來形成半導(dǎo)體工藝中的布圖100的圖案的多個(gè)指令。在某些實(shí)施方案中，布圖100包括柵極102A、102B。絕緣層可以沉積在柵極102A、102B上。接觸件106A、106B可以通過絕緣層形成，以與柵極102A、102B耦合。接觸件106A、106B可以是柵極102AU02B的輸入接觸件。在某些實(shí)施方案中，柵極102A、102B包括一個(gè)或者多個(gè)彎曲108A、108B?！皬澢笔菛艠O的一部分，其被彎曲或者在一個(gè)方向上離心偏移(如此處所描繪的實(shí)施方案中所示出的)。例如，柵極的彎曲部分具有在一個(gè)方向上偏移、移位或者被推動(dòng)的相對(duì)壁，以使得柵極的一個(gè)側(cè)壁具有突起(例如，突出部分、凸出、凸緣或者隆起)以及柵極的相對(duì)側(cè)壁具有凹陷(例如，凹口或者凹坑)。突起和凹陷可以沿著柵極長(zhǎng)度的一部分基本上彼此相對(duì)。在某些實(shí)施方案中，突起和凹陷沿著柵極長(zhǎng)度的一部分而不是全部基本上彼此相對(duì)。突起和凹陷可以沿著柵極長(zhǎng)度位于大約相同的位置。在某些實(shí)施方案中，在襯底上形成彎曲的突起和凹陷相似地確定尺寸和成形。在某些實(shí)施方案中，在襯底上形成彎曲的突起和凹陷長(zhǎng)度和/或深度不同。要理解的是，此處所描述的“彎曲”指的是在襯底表面上創(chuàng)建的形狀，并且不必是用來創(chuàng)建表面上的形狀的形狀或者設(shè)計(jì)。例如，在某些實(shí)施方案中，在晶片上的彎曲可以由不同的形狀或者一批形狀來形成。在某些實(shí)施方案中，彎曲由長(zhǎng)方形來形成，如圖2A中所示出的。在其它的實(shí)施方案中，彎曲由非長(zhǎng)方形來形成。例如，彎曲可以由具有在加工、期間要消除的(成圓的或者合并)、除了平板印刷的空間分辨率的特征(例如，尖角或者窄空間)之外的形狀來形成。例如，在一個(gè)實(shí)施方案中，不連續(xù)并且與柵極殘余部分偏離小于平板印刷的空間分辨率的距離的形狀可以與柵極的余下部分合并，以在襯底上形成連續(xù)彎曲。因而，布圖形狀的許多不同結(jié)合可以用來形成襯底上相似成形的彎曲。圖2B描繪了具有彎曲108A的柵極102A和覆蓋彎曲的接觸件106A的放大圖。正如圖2A和2B所示出的，柵極102A包括全彎曲108A(相似地，柵極102B示出為包括圖2A中的全彎曲108B)。如圖2B所示出的，彎曲108A彎曲或者離心偏移柵極102A的一部分。在某些實(shí)施方案中，(例如，對(duì)于例如NMOS和PMOS柵極的交叉耦合對(duì)的交叉耦合器件)，僅僅需要1/2的彎曲(1/2的彎曲偏移柵極，以使得柵極的剩余部分在1/2的彎曲之前從柵極部分偏移)。1/2的彎曲的實(shí)例在圖7中所描繪的實(shí)施方案中示出為參考編號(hào)116。
如圖2A和2B所示出的，接觸件106A、106B在柵極102A、102B上形成。接觸件106A、106B可以被定位，以使得接觸件分別至少部分與彎曲108AU08B重疊。例如，布圖100可以被創(chuàng)建(例如，圖案化或者被設(shè)計(jì))，以使得接觸件至少部分與彎曲重疊。在某些實(shí)施方案中，接觸件106AU06B的一部分與柵極102AU02B的其它部分重疊。在其它的實(shí)施方案中，接觸件106AU06B僅僅與柵極102AU02B的彎曲108AU08B的一部分重疊。因?yàn)榻佑|件106AU06B至少部分地與彎曲108AU08B重疊，如圖2A中所示出的，接觸件彼此偏移或者偏置，以在接觸件之間比直接位于非彎曲柵極上的接觸件(例如，如圖I中所示出的)之間提供更多的空間。在某些實(shí)施方案中，如圖2A中所示出的，包括Ml結(jié)構(gòu)104A、104B的金屬層在襯底上形成。Ml結(jié)構(gòu)104AU04B可以被定位，以使得Ml結(jié)構(gòu)分別至少部分地與接觸件106A、106B重疊。例如，布局100可以被創(chuàng)建(例如，圖案化或者被設(shè)計(jì))，以使得Ml結(jié)構(gòu)至少部分地與接觸件重疊。Ml結(jié)構(gòu)104A、104B可以是與接觸件106AU06B耦合的Ml結(jié)構(gòu)。例如，Ml結(jié)構(gòu)104A、104B可以是分別為柵極102A、102B提供輸入的金屬線。在某些實(shí)施方案中，Ml結(jié)構(gòu)104A、104B可以被定位，以使得Ml結(jié)構(gòu)至少部分地與柵極102A、102B的彎曲108A、108B重疊。因?yàn)镸l結(jié)構(gòu)104A、104B至少部分地與接觸件106A、106B重疊，所述接觸件106A、106B至少部分地與彎曲108A、108B重疊，所以Ml結(jié)構(gòu)彼此偏移或者偏置，以在Ml結(jié)構(gòu)之間提供更多的空間。對(duì)于另外的Ml結(jié)構(gòu)110，Ml結(jié)構(gòu)104AU04B之間增加的空間在這些Ml結(jié)構(gòu)之間提供了增加的間距。Ml結(jié)構(gòu)110可以形成作為與Ml結(jié)構(gòu)104A、104B相同的金屬層的一部分。Ml結(jié)構(gòu)110可以是例如將輸出接觸件112A與輸出接觸件112B耦合的金屬線。輸出接觸件112AU12B可以是例如到布圖100的活動(dòng)區(qū)域114AU14B的接觸件。圖3描繪了在具有彎曲108A的柵極102A上偏移的接觸件106A和Ml結(jié)構(gòu)的布圖100的一部分的實(shí)施方案的放大的頂視圖。布圖100的一部分(如圖3中所示出的)代表可以呈現(xiàn)在所加工的半導(dǎo)體襯底(例如，半導(dǎo)體晶片)上的布圖。如圖3中所示出的，Ml結(jié)構(gòu)104A與接觸件106A和柵極102A的彎曲108A重疊。接觸件106A部分地與柵極102A重疊并且至少部分地與彎曲108A重疊。柵極102A中的彎曲108A允許另外的Ml結(jié)構(gòu)110呈現(xiàn)在遠(yuǎn)離Ml結(jié)構(gòu)104A的柵極的另一側(cè)。在某些實(shí)施方案中，布圖100滿足或者超過用于布圖的最小的重疊和間距要求，以使得布圖中的元件(例如，柵極102A、柵極102B、M1結(jié)構(gòu)104A等)能夠正確地工作。例如，對(duì)于值可以存在要求，例如，而不限于(a)接觸件106A和柵極102A之間重疊的最小量(圖3中的箭頭A)；(b)接觸件106A和柵極102B之間間距的最小量(圖3中的箭頭B)；
(c)接觸件106A和Ml結(jié)構(gòu)104A之間重疊的最小量(圖3中的箭頭C);(d)接觸件106A和另外的Ml結(jié)構(gòu)110之間間距的最小量(圖3中的箭頭D)；(e)接觸件106A和接觸件112B之間間距的最小量(圖3中的箭頭E)；(f)接觸件106A和活動(dòng)區(qū)域114B之間間距的最小量(圖3中的箭頭F)?？梢栽诖_定重疊和/或間距的最小量中使用的因素包括，但不限于，掩膜未對(duì)準(zhǔn)誤差(覆蓋誤差)、z向逐漸減小的變化(側(cè)壁變化)、關(guān)鍵尺寸一致性(CDU)(由于平板印刷效應(yīng))(該變化在圖3中由雙線結(jié)構(gòu)來代表)，蝕刻工藝變化(例如，RIE變化)，以及靜電最小值。對(duì)于重疊，靜電最小值可以是代表在元件之間所需以使得電阻和電遷移保持在所選擇的閾值之下的接觸面積的最小量的數(shù)。對(duì)于重疊，靜電最小值可以例如通過假定接觸件106A是橢圓并且使用基于閾值計(jì)算橢圓面積的特征，或者，例如，通過使用蒙特-卡洛(Monte Carlo)模擬法來確定數(shù)量。對(duì)于間隔，靜電最小值可以是代表分離以避免在元件之間的空間中使用的電介質(zhì)擊穿所需要的最小距離的數(shù)。作為實(shí)例，以上所列出的最小數(shù)值，(&)-的，適合于具有2511111寬\6011111長(zhǎng)的彎曲(彎曲從柵極邊緣偏移25nm并且在彎曲回到柵極邊緣之前延伸60nm的長(zhǎng)度)的22nm寬的柵極。接觸件是40nm寬X80nm長(zhǎng)的接觸件，其離心偏移30nm，以與彎曲重疊。重疊誤差、側(cè)壁變化、⑶U、以及RIE變化的最小值通過使用4個(gè)西格瑪RSS (方和根)值來計(jì)算。靜電最小數(shù)被發(fā)現(xiàn)假定接觸件具有有60nm主軸的橢圓的面積以及閾值被設(shè)為具有50%標(biāo)稱接觸件面積。最小值被發(fā)現(xiàn)近似地是(a) 22nm ； (b) 2Inm ； (c) 28nm ； (d) 28nm ； (e) 30nm ；以及(f)22nm。所計(jì)算的最小值與使用PVBAND模擬來生成與圖2A和圖3中所示出的布圖100相似的布圖所發(fā)現(xiàn)的值進(jìn)行比較。由PVBAND模擬所生成的布圖被發(fā)現(xiàn)滿足通過計(jì)算發(fā)現(xiàn)的所有的最小值要求。因而，布圖被發(fā)現(xiàn)使用當(dāng)前的平板印刷工具來實(shí)施是可行的，并且可以產(chǎn)生布圖，而除了不同于實(shí)施柵極中的彎曲的當(dāng)前加工技術(shù)之外，不需要另外的工藝層和/或開發(fā)以及重新確定接觸件和Ml結(jié)構(gòu)的位置。圖4和圖5描繪了圖2A中所示出的布圖100的重新確定目標(biāo)的(用于優(yōu)化的工藝整合)以及在晶片上的描繪。圖4中所描繪的布圖100的實(shí)施方案可以被優(yōu)化用于工藝整合，以使得最小的重疊和間隔要求甚至利用加工或者設(shè)計(jì)中的誤差來獲得。在一些實(shí)施方案中，除了柵極102AU02B之外的其它特征可以包括彎曲，以進(jìn)一步地減少布圖100的關(guān)鍵尺寸上的加工誤差的可能影響。例如，如圖4所示出的，Ml結(jié)構(gòu)104A、104B、另外的Ml結(jié)構(gòu)110和活動(dòng)區(qū)域114A、114B包括小彎曲。Ml結(jié)構(gòu)中的彎曲和/或活動(dòng)區(qū)域可以以厚結(jié)構(gòu)開始并且切成在其中需要彎曲的凹口來形成，或者以薄結(jié)構(gòu)開始并且除了需要彎曲的各處之外擴(kuò)大結(jié)構(gòu)來形成。圖6描繪了布局100的實(shí)施方案的橫截面?zhèn)纫晥D，其中接觸件106A和Ml結(jié)構(gòu)104A在柵極102A上偏移，正如在襯底120上所形成的。如圖6所示,接觸件106A通過絕緣層122來形成。接觸件106A可以至少部分地從柵極102A和Ml結(jié)構(gòu)104A偏移。柵極102A中的彎曲(未示出)允許接觸件106A從柵極102A偏移，同時(shí)在接觸件和柵極之間提供足夠的連接。接觸件106A和Ml結(jié)構(gòu)104A的偏移允許另外的Ml結(jié)構(gòu)110位于柵極102A和柵極102B之間。圖7描繪了布局200的實(shí)施方案的頂視圖，其中，若干個(gè)接觸件和金屬層結(jié)構(gòu)在具有彎曲的柵極上偏移，正如在襯底上所形成的。圖7代表可以包括圖2A、圖3、圖4和圖5中所示出的布圖100的更大布圖。可供參考的，畫出布圖100的輪廓作為圖7中布圖200的一部分。布圖200可以是，例如，用于GPU的觸發(fā)器(flop)布圖。布圖200可以包括若干個(gè)柵極102，一些柵極包括彎曲108。出于簡(jiǎn)化的目的，接觸件、Ml結(jié)構(gòu)、以及活動(dòng)區(qū)域在圖7中未被標(biāo)記。布圖200示出了 使用柵極中的彎曲和接觸件阻止了布局?jǐn)U大，并且考慮到可以生產(chǎn)更快且更可靠CPU或者GPU的更密集的布圖。圖7描繪了具有1/2彎曲116的柵極102’的實(shí)施方案。柵極102’可以與另一個(gè) 柵極(例如，柵極102”)交叉耦合。因?yàn)闁艠O102’被交叉耦合，所以柵極在僅僅1/2彎曲之后終止，并且全彎曲不是必須的。此外，柵極102”是柵極的實(shí)例，其中接觸件在柵極上對(duì)中。因此，圖7中所描繪的實(shí)施方案示出了 具有在柵極上對(duì)中的接觸件的柵極可以包括在與具有彎曲的柵極和部分地與柵極重疊的接觸件布圖相同的布圖中，并且，在一些實(shí)施方案中，這些不同類型的柵極和接觸件可以彼此合理接近。本發(fā)明的不同方面的進(jìn)一步修改和替代實(shí)施方案對(duì)于考慮了本說明書的本領(lǐng)域技術(shù)人員將是顯而易見的。因此，本說明書被解釋為僅僅是說明性的，并且目的是教導(dǎo)本領(lǐng)域技術(shù)人員執(zhí)行本發(fā)明的通用方法。要理解的是，此處所示出和描述的本發(fā)明的形式將被視為目前優(yōu)選的實(shí)施方案。對(duì)于此處所圖示和描述的元件和材料，可以被替代，并且工藝可以顛倒，以及本發(fā)明的某些特征可以獨(dú)立利用，所有的正如本領(lǐng)域技術(shù)人員已經(jīng)從本發(fā)明的說明書中受益之后將變得顯而易見。可以對(duì)此處所描述的元件進(jìn)行改變，而不脫離如以下權(quán)利要求中所描述的本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件,包括 在半導(dǎo)體襯底上的柵極，其中所述柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少一個(gè)突起，以及所述柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少一個(gè)凹陷； 基本上在所述柵極上設(shè)置的絕緣層； 通過所述絕緣層形成的接觸件，其中所述接觸件至少部分地與所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)重疊；以及 在所述絕緣層上設(shè)置的金屬層，其中所述金屬層包括向所述柵極的第一側(cè)偏移的第一結(jié)構(gòu)，以及其中所述第一結(jié)構(gòu)至少部分地與所述接觸件重疊，以使得所述接觸件通過所述絕緣層將所述第一結(jié)構(gòu)和所述柵極電耦合。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中所述突起中的至少一個(gè)和所述凹陷中的至少一個(gè)沿著所述柵極的長(zhǎng)度的一部分基本上彼此相對(duì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其中所述突起和所述凹陷沿著所述柵極的所述長(zhǎng)度的一部分而不是全部基本上彼此相對(duì)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中所述第一結(jié)構(gòu)至少部分地與所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)重疊。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中所述第一結(jié)構(gòu)不與所述柵極對(duì)側(cè)的所述第一結(jié)構(gòu)的另一側(cè)上的另外的柵極重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)和所述柵極中的所述凹陷中的至少一個(gè)允許所述金屬層中的第二結(jié)構(gòu)位于所述柵極和至少一個(gè)另外的柵極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，還包括位于與所述柵極的所述第一側(cè)相對(duì)的所述柵極第二側(cè)上的所述金屬層中的第二結(jié)構(gòu)，其中所述第二結(jié)構(gòu)與所述第一結(jié)構(gòu)電隔離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述第二結(jié)構(gòu)不與所述柵極重疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其中所述第二結(jié)構(gòu)不與所述柵極對(duì)側(cè)的所述第二結(jié)構(gòu)的所述側(cè)面上的另外的柵極重疊。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上的另外的柵極，其中所述另外的柵極位于遠(yuǎn)離所述柵極的所述第二結(jié)構(gòu)的所述對(duì)側(cè)上，以及其中所述第二結(jié)構(gòu)不與所述柵極或者所述另外的柵極重疊。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，還包括在所述絕緣層中形成的至少一個(gè)另外的接觸件，其中所述另外的接觸件被配置為通過所述絕緣層將所述器件的活動(dòng)區(qū)域與所述第二結(jié)構(gòu)奉禹合。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的器件，其中所述柵極中的所述突起和所述凹陷是根據(jù)CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))設(shè)計(jì)的圖案來形成的。
13.一種半導(dǎo)體器件制造工藝，包括 在半導(dǎo)體襯底上形成柵極，其中所述柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少一個(gè)突起，以及所述柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少一個(gè)凹陷； 基本上在所述柵極上形成絕緣層； 通過所述絕緣層形成接觸件，其中所述接觸件至少部分地與所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)重疊；以及在所述絕緣層上形成金屬層，其中所述金屬層包括向所述柵極的第一側(cè)偏移的第一結(jié)構(gòu)，以及其中所述第一結(jié)構(gòu)至少部分地與所述接觸件重疊，以使得所述接觸件通過所述絕緣層將所述第一結(jié)構(gòu)和所述柵極電耦合。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的工藝，還包括沿著所述柵極的長(zhǎng)度的一部分形成基本上彼此相對(duì)的所述突起中的至少一個(gè)和所述凹陷中的至少一個(gè)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的工藝，其中所述突起和所述凹陷沿著所述柵極的所述長(zhǎng)度的一部分而不是全部基本上彼此相對(duì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的工藝，還包括定位所述第一結(jié)構(gòu)，以使得所述第一結(jié)構(gòu)不與所述柵極對(duì)側(cè)的所述第一結(jié)構(gòu)的另一側(cè)上的另外的柵極重疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的工藝，還包括在位于與所述柵極的所述第一側(cè)相對(duì)的所述柵極的第二側(cè)上的所述金屬層中形成第二結(jié)構(gòu)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的工藝，還包括定位所述第二結(jié)構(gòu)，以使得所述第二結(jié)構(gòu)不與所述柵極重疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的工藝，還包括定位所述第二結(jié)構(gòu)，以使得所述第二結(jié)構(gòu)不與所述柵極對(duì)側(cè)的所述第二結(jié)構(gòu)的另一側(cè)面上的另外的柵極重疊。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的工藝，還包括在所述半導(dǎo)體襯底上形成另外的柵極，其中所述另外的柵極位于遠(yuǎn)離所述柵極的所述第二結(jié)構(gòu)的所述對(duì)側(cè)上，以及其中所述第二結(jié)構(gòu)不與所述柵極或者所述另外的柵極重疊。
21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的工藝，還包括在所述絕緣層中形成至少一個(gè)另外的接觸件，以通過所述絕緣層將所述器件的活動(dòng)區(qū)域與所述第二結(jié)構(gòu)耦合。
22.根據(jù)權(quán)利要求13所述的工藝，還包括根據(jù)CAD(計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì))設(shè)計(jì)的圖案來形成所述柵極中的所述突起和所述凹陷。
23.一種集成電路，其包括一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體器件，其中所述半導(dǎo)體器件中的至少一個(gè)包括 在半導(dǎo)體襯底上的柵極，其中所述柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少一個(gè)突起，以及所述柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少一個(gè)凹陷； 基本上設(shè)置在所述柵極上的絕緣層； 通過所述絕緣層形成的接觸件，其中所述接觸件至少部分地與所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)重疊；以及 在所述絕緣層上設(shè)置的金屬層，其中所述金屬層包括向所述柵極的第一側(cè)偏移的第一結(jié)構(gòu)，以及其中所述第一結(jié)構(gòu)至少部分地與所述接觸件重疊，以使得所述接觸件通過所述絕緣層將所述第一結(jié)構(gòu)和所述柵極電耦合。
24.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)當(dāng)被執(zhí)行時(shí)生成可用來提供半導(dǎo)體器件的一個(gè)或者多個(gè)圖案的多個(gè)指令，所述半導(dǎo)體器件包括 在半導(dǎo)體襯底上的柵極，其中所述柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少一個(gè)突起，以及所述柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少一個(gè)凹陷； 基本上在所述柵極上設(shè)置的絕緣層； 通過所述絕緣層形成的接觸件，其中所述接觸件至少部分地與所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)重疊；以及在所述絕緣層上設(shè)置的金屬層，其中所述金屬層包括向所述柵極的第一側(cè)偏移的第一結(jié)構(gòu)，以及其中所述第一結(jié)構(gòu)至少部分地與所述接觸件重疊，以使得所述接觸件通過所述絕緣層將所述第一結(jié)構(gòu)和所述柵極電耦合。
25.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其存儲(chǔ)當(dāng)被執(zhí)行時(shí)生成可在半導(dǎo)體工藝中使用的一個(gè)或者多個(gè)圖案的多個(gè)指令，所述半導(dǎo)體工藝包括 在半導(dǎo)體襯底上形成柵極，其中所述柵極的一個(gè)側(cè)壁包括至少一個(gè)突起，以及所述柵極的對(duì)側(cè)壁包括至少一個(gè)凹陷； 基本上在所述柵極上形成絕緣層； 通過所述絕緣層形成接觸件，其中所述接觸件至少部分地與所述柵極中的所述突起中的至少一個(gè)重疊；以及 在所述絕緣層上形成金屬層，其中所述金屬層包括向所述柵極的第一側(cè)偏移的第一結(jié)構(gòu)，以及其中所述第一結(jié)構(gòu)至少部分地與所述接觸件重疊，以使得所述接觸件通過所述絕緣層將所述第一結(jié)構(gòu)和所述柵極電耦合。
全文摘要
半導(dǎo)體器件包括在半導(dǎo)體襯底上的柵極。柵極的一個(gè)側(cè)壁可以包括至少一個(gè)突起，以及柵極的對(duì)側(cè)壁可以包括至少一個(gè)凹陷。接觸件通過在柵極上設(shè)置的絕緣層來形成。接觸件至少部分地與柵極中的突起中的至少一個(gè)重疊。金屬層設(shè)置在絕緣層上。金屬層包括向柵極的第一側(cè)偏移的第一結(jié)構(gòu)。第一結(jié)構(gòu)至少部分地與接觸件重疊，以使得接觸件通過絕緣層將第一結(jié)構(gòu)和柵極電耦合。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102648521SQ201080046074
公開日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2010年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月31日
發(fā)明者安德魯·E·卡爾森 申請(qǐng)人:超威半導(dǎo)體公司