專(zhuān)利名稱(chēng)：基板處理裝置的運(yùn)行方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板處理裝置的運(yùn)行方法。
背景技術(shù)：
目前，在傳感器、傳動(dòng)裝置、發(fā)信器、RF濾波器等中被開(kāi)發(fā)、實(shí)用化的壓電元件、或是作為各種IC卡、個(gè)人數(shù)字助理等非易失性存儲(chǔ)器而被利用的鐵電體存儲(chǔ)器(FeRAM)均具有貴金屬電極夾持鐵電體薄膜的結(jié)構(gòu)。在鐵電體薄膜或貴金屬電極的微細(xì)加工中使用利用等離子體的干式蝕刻方法，鐵電體薄膜或貴金屬電極被稱(chēng)作難蝕刻材料，缺乏與鹵素氣體(等離子體)的反應(yīng)性、且由于它們的鹵化物的蒸氣壓低，因而蝕刻產(chǎn)物不會(huì)作為氣體排出而易于附著在腔室的內(nèi)壁上。等離子體中的離子與附著物接觸時(shí)則發(fā)生反應(yīng)，附著物從腔室的內(nèi)壁被剝離，產(chǎn)生顆粒。所產(chǎn)生的顆粒附著在處理基板上、成為降低設(shè)備合格率的原因?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專(zhuān)利文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平8 - 269445號(hào)公報(bào)。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題
本發(fā)明人著眼于剛生成后的等離子體不穩(wěn)定時(shí)，等離子體中的離子與附著物發(fā)生反應(yīng)、引起顆粒的發(fā)生，認(rèn)識(shí)到重要的是如何穩(wěn)定地產(chǎn)生等離子體并進(jìn)行研究，進(jìn)而完成本發(fā)明。本發(fā)明為了解決上述以往技術(shù)的問(wèn)題而進(jìn)行，其目的在于提供可穩(wěn)定地產(chǎn)生等離子體、抑制顆粒發(fā)生的基板處理裝置的運(yùn)行方法。用于解決技術(shù)問(wèn)題的方法
為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其為具有真空槽、對(duì)所述真空槽內(nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣部、向所述真空槽內(nèi)供給氣體的氣體供給部、對(duì)等離子體生成裝置施加電壓以產(chǎn)生所述真空槽內(nèi)的氣體的等離子體的等離子體生成部，使等離子體與配置于所述真空槽內(nèi)的基板接觸而對(duì)所述基板進(jìn)行處理的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其具有以下工序向所述真空槽內(nèi)供給稀有氣體、對(duì)所述等離子體生成裝置施加電壓以產(chǎn)生所述稀有氣體的等離子體的等離子體點(diǎn)火工序；向所述真空槽內(nèi)供給反應(yīng)氣體、使所述反應(yīng)氣體與所述稀有氣體的等離子體接觸以產(chǎn)生所述反應(yīng)氣體的等離子體，使所述反應(yīng)氣體的等離子體與基板接觸而對(duì)所述基板進(jìn)行處理的等離子體處理工序。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體點(diǎn)火工序中的等離子體生成時(shí)的所述真空槽內(nèi)的壓力高于所述等離子體處理工序中的基板處理開(kāi)始時(shí)的所述真空槽內(nèi)的壓力。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體點(diǎn)火工序中的等離子
3體生成時(shí)所述稀有氣體向所述真空槽內(nèi)的供給流量大于所述等離子體處理工序中的基板處理開(kāi)始時(shí)所述稀有氣體向所述真空槽內(nèi)的供給流量。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述稀有氣體含有選自由He、Ne、 Ar、Kr和Xe構(gòu)成的組中的任1種氣體。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體處理工序中使所述反應(yīng)氣體的等離子體與所述基板接觸而對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述基板具有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的電極膜和由鐵電體構(gòu)成的鐵電體膜，所述等離子體處理工序中使所述反應(yīng)氣體的等離子體與所述基板接觸而對(duì)所述電極膜或所述鐵電體膜的任一者或兩者進(jìn)行蝕刻。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述電極膜含有選自由Pt、Ir、IrO2 和SrRuO3構(gòu)成的導(dǎo)電性材料的組中的至少1種導(dǎo)電性材料。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述鐵電體膜含有選自由鈦酸鋇 (BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鉍鑭((Bi5La)4Ti3O12 BLT)、鈦鋯酸鉛(PbUi ，Ti)03 =PZT), 鈦鋯酸鑭鉛((PbLa) (ZrTi) O3 =PLZT)和鈦酸鉍鍶(SrBi2Ta2O3 =SBT)構(gòu)成的組中的任1種鐵電體。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述反應(yīng)氣體含有在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有選自由氟、氯、溴和碘構(gòu)成的組中的任1種鹵素元素的氣體。本發(fā)明為一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體處理工序中的所述基板處理中將所述基板加熱或冷卻至250°C以上的溫度。發(fā)明效果
由于剛生成后的等離子體穩(wěn)定、所發(fā)生的顆粒的量減少，因而產(chǎn)品的合格率提高。


[圖1]用于說(shuō)明蝕刻裝置結(jié)構(gòu)的圖。[圖2]表示相對(duì)于基板處理張數(shù)的基板上顆粒數(shù)的變化的圖。符號(hào)說(shuō)明
80……基板處理裝置(蝕刻裝置)
81……氣體供給部
82……真空排氣部
83……等離子體生成裝置(RF天線(xiàn))
89……真空槽
92……等離子體生成部。
具體實(shí)施例方式<基板處理裝置的結(jié)構(gòu)>
作為本發(fā)明中使用的基板處理裝置的一例，對(duì)搭載有電感耦合等離子體(ICP)源的蝕刻裝置。圖1的符號(hào)80表示該蝕刻裝置。蝕刻裝置80具有真空槽89、等離子體生成部92、氣體供給部81、真空排氣部82和溫度控制部88。真空槽89的內(nèi)部設(shè)置有用于載置基板的平臺(tái)86。平臺(tái)86上設(shè)置有電極95，該電極95與吸盤(pán)〔千、”、用直流電源96電連接。當(dāng)由吸盤(pán)用直流電源96向電極95施加直流電壓時(shí)，平臺(tái)86按照能夠利用靜電吸附保持載置于平臺(tái)86上的基板的方式來(lái)構(gòu)成。溫度控制部88連接于平臺(tái)86，將He氣體等導(dǎo)熱介質(zhì)通入平臺(tái)86與作為處理對(duì)象物的基板之間，同時(shí)通過(guò)控制設(shè)置于平臺(tái)86的加熱器99，可以將作為載置于平臺(tái)86上的處理對(duì)象物的基板加熱或冷卻至所需溫度。在真空槽89的頂部(頂棚部分)設(shè)置有由石英或氧化鋁等所形成的RF導(dǎo)入窗93， 以便能夠使電波從真空槽89的外部透過(guò)至內(nèi)部。等離子體生成部92具有作為等離子體生成裝置的RF天線(xiàn)83、匹配箱87a、等離子體用交流電源84。RF天線(xiàn)83設(shè)置在RF導(dǎo)入窗93的上方，通過(guò)匹配箱87a電連接于等離子體用交流電源84。當(dāng)從等離子體用交流電源84向RF天線(xiàn)83施加交流電壓時(shí)，電波從 RF天線(xiàn)83透過(guò)RF導(dǎo)入窗93、發(fā)射至真空槽89內(nèi)，從而可以將供給至真空槽89內(nèi)的蝕刻氣體等離子體化。另外，設(shè)置于平臺(tái)86上的電極97上通過(guò)匹配箱87b電連接有濺射用交流電源85。 從濺射用交流電源85向平臺(tái)86的電極97施加交流電壓時(shí)，等離子體中的離子被加速、與平臺(tái)86上的基板發(fā)生撞擊、可以對(duì)基板進(jìn)行蝕刻。氣體供給部81和真空排氣部82均配置在真空槽89的外部。真空排氣部82具有調(diào)壓閥82a和真空泵82b，真空泵82b通過(guò)調(diào)壓閥82a與真空槽89內(nèi)部連接，可以對(duì)真空槽 89內(nèi)進(jìn)行真空排氣。氣體供給部81與真空槽89內(nèi)部連接，可以將蝕刻氣體供給至真空槽 89內(nèi)。<基板處理裝置的運(yùn)行方法>
使用上述蝕刻裝置80說(shuō)明作為本發(fā)明的基板處理裝置的運(yùn)行方法。這里，作為處理對(duì)象物，使用在朝上的一面成膜有Ir薄膜的基板。首先，利用真空排氣部82預(yù)先對(duì)真空槽89內(nèi)進(jìn)行真空排氣。在之后的處理工序中，真空排氣部82持續(xù)對(duì)真空槽89內(nèi)進(jìn)行真空排氣。利用未圖示的傳輸裝置一邊維持真空槽89內(nèi)的真空環(huán)境、一邊將基板傳輸?shù)秸婵詹?9內(nèi)，使形成有Ir薄膜的面的相反面與平臺(tái)86接觸，使Ir薄膜側(cè)露出，配置在平臺(tái) 86上。從吸盤(pán)用直流電源96向設(shè)于平臺(tái)86的電極95施加直流電壓，利用靜電吸附將基板保持在平臺(tái)86上。接著，作為等離子體點(diǎn)火工序，從氣體供給部81向真空槽89內(nèi)供給稀有氣體。稀有氣體在這里使用Ar氣體。本發(fā)明的稀有氣體從價(jià)格或易于獲得等理由出發(fā)， 優(yōu)選Ar氣體，但也可不限定于此而使用He、Ne、Kr、Xe等氣體。調(diào)壓閥82a的排氣傳導(dǎo)性(排気二 >夕·夕夕> ^ )利用控制裝置98控制、將真空層89內(nèi)調(diào)壓至規(guī)定壓力。此時(shí)的壓力隨RF天線(xiàn)83的結(jié)構(gòu)、真空槽89的容積、稀有氣體的供給流量等而改變，優(yōu)選是剛生成后的等離子體為最穩(wěn)定的3Pa IOPa的范圍(A B表示A以上且B以下)。真空槽89內(nèi)的壓力穩(wěn)定后，啟動(dòng)等離子體用交流電源84，向RF天線(xiàn)83通入交流電流，使電波從RF天線(xiàn)83透過(guò)RF導(dǎo)入窗93發(fā)射至真空槽89，產(chǎn)生稀有氣體的等離子體。
后述的反應(yīng)氣體為多原子分子氣體、反應(yīng)氣體的等離子體含有正離子和負(fù)離子， 而稀有氣體是單原子分子氣體、稀有氣體的等離子體不含負(fù)離子。因而，即便蝕刻產(chǎn)物已經(jīng)附著在RF導(dǎo)入窗93上，當(dāng)為稀有氣體的等離子體時(shí)，也不會(huì)發(fā)生負(fù)離子與蝕刻產(chǎn)物接觸、 發(fā)生反應(yīng)而使蝕刻產(chǎn)物從RF導(dǎo)入窗93上剝離的情況，顆粒的發(fā)生得到抑制。之后，在終止蝕刻處理之前，持續(xù)從等離子體用交流電源84向RF天線(xiàn)83施加電力，維持稀有氣體的等離子體。接著，增加調(diào)壓閥8 的排氣傳導(dǎo)性、降低真空槽89內(nèi)的壓力、調(diào)壓至較等離子體點(diǎn)火工序中等離子體生成時(shí)的壓力更低的規(guī)定壓力。此時(shí)的壓力優(yōu)選為作為蝕刻基板的壓力的0. 2Pa 3Pa的范圍。啟動(dòng)溫度控制部88，一邊將He等導(dǎo)熱介質(zhì)通入平臺(tái)86與基板之間，一邊通過(guò)控制設(shè)于平臺(tái)86的加熱器99，將基板加熱或冷卻至規(guī)定溫度?；宓臏囟燃幢闶鞘覝馗浇部蛇M(jìn)行蝕刻，當(dāng)對(duì)鹵化物等蒸氣壓低的導(dǎo)電性材料或鐵電體等進(jìn)行蝕刻時(shí)，優(yōu)選將基板加熱或冷卻至250°C以上、特別是300°C左右。真空槽89內(nèi)的壓力穩(wěn)定后，作為等離子體處理工序，這里減少向真空槽89內(nèi)的稀有氣體的供給流量、開(kāi)始反應(yīng)氣體的供給、使反應(yīng)氣體與稀有氣體的等離子體接觸、將反應(yīng)氣體等離子體化、產(chǎn)生反應(yīng)氣體的離子或自由基等活性種類(lèi)、并使其與基板的Ir薄膜接觸。這里，反應(yīng)氣體使用Cl2氣體和&氣體的混合氣體。本發(fā)明的反應(yīng)氣體并非限定于此，可以含有在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有選自氟、氯、溴和碘中的任1種鹵元素的鹵素系氣體等能夠?qū)⒒逦g刻的氣體。這里，在減少稀有氣體的供給流量后、開(kāi)始反應(yīng)氣體的供給，但也可以在開(kāi)始反應(yīng)氣體的供給后，減少稀有氣體的供給流量。當(dāng)蝕刻不需要稀有氣體時(shí)，可以使稀有氣體的供給流量為0。另外，通過(guò)在不減少稀有氣體供給流量的情況下增加調(diào)壓閥82a的排氣傳導(dǎo)性， 從而在反應(yīng)氣體的供給開(kāi)始后也可進(jìn)行控制使得真空槽89內(nèi)達(dá)到規(guī)定壓力。在氣體的供給流量和真空層內(nèi)的壓力分別穩(wěn)定后，啟動(dòng)濺射用交流電源85，對(duì)設(shè)置于平臺(tái)86的電極97施加交流電壓，使等離子體中的離子入射至基板的Ir薄膜中，開(kāi)始蝕刻處理。即，等離子體點(diǎn)火工序中的等離子體生成時(shí)的真空槽89內(nèi)的壓力高于等離子體處理工序中的基板處理開(kāi)始時(shí)的真空槽89內(nèi)的壓力。另外，等離子體點(diǎn)火工序中的等離子體生成時(shí)稀有氣體向真空槽89內(nèi)的供給流量大于等離子體處理工序中的基板處理開(kāi)始時(shí)稀有氣體向真空槽89內(nèi)的供給流量。Ir薄膜與反應(yīng)氣體的等離子體發(fā)生反應(yīng)，所生成的蝕刻產(chǎn)物會(huì)蒸發(fā)或者被入射的離子濺射，從而將氣化的蝕刻產(chǎn)物真空排氣而除去。由于Ir的鹵化物的蒸氣壓低，因而蝕刻產(chǎn)物的一部分不會(huì)作為氣體排出，而附著在按照包圍平臺(tái)86的方式而設(shè)置的屏蔽物91或RF導(dǎo)入窗93等的腔室內(nèi)。這里，屏蔽物91為了防止蝕刻產(chǎn)物附著于真空槽89的內(nèi)壁而設(shè)置。在將Ir薄膜蝕刻至規(guī)定膜厚后，分別停止等離子體用交流電源84和濺射用交流電源85的功率，且停止由氣體供給部81供給反應(yīng)氣體。另外，停止從溫度控制部88導(dǎo)入稀有氣體，解除平臺(tái)86的真空吸附。接著，一邊維持真空槽89內(nèi)的真空環(huán)境、一邊利用未圖示的傳輸裝置將蝕刻后的基板取出。這里，對(duì)成膜有Ir薄膜的基板進(jìn)行蝕刻處理，但本發(fā)明的處理對(duì)象物并非限定于此，還可對(duì)如壓電元件那樣，在基板上依次層疊有由Pt、Ir、Ir02、SrRU03等鹵化物的蒸氣壓低的導(dǎo)電性材料所構(gòu)成的電極膜，和由鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈦酸鉍鑭((Bi， La)4Ti3012 :BLT)、鈦鋯酸鉛(Pb (Zr5Ti)O3 :PZT)、鈦鋯酸鑭鉛((PbLa) (ZrTi)O3 :PLZT)、鈦酸鉍鍶(SrBi2Ta2O3=SBT)等鹵化物的蒸氣壓低的鐵電體所構(gòu)成的鐵電體膜的處理對(duì)象物進(jìn)行蝕刻處理。S卩，可以對(duì)電極膜或鐵電體膜的任一者或兩者進(jìn)行蝕刻處理。本發(fā)明中使用的基板處理裝置并非限定于上述蝕刻裝置，可以使用等離子體CVD 裝置、等離子體灰化裝置等在真空槽內(nèi)產(chǎn)生等離子體而對(duì)基板進(jìn)行處理的裝置。另外，本發(fā)明中使用的基板處理裝置的等離子體源并非限定于上述的電感耦合型(ICP)，可以使用電容耦合型(CCP)、電子回旋共振型(ECR)、螺旋波激發(fā)型等的等離子體源。
實(shí)施例<實(shí)施例1 >
將在朝上的一面成膜有Ir薄膜的Φ8英寸基板(直徑20cm的基板)傳輸?shù)轿g刻裝置 80的經(jīng)真空排氣的真空槽89內(nèi)，使Ir薄膜露出，配置在平臺(tái)86上。從吸盤(pán)用直流電源96向設(shè)置于平臺(tái)86的電極95施加士800V的直流電壓，將基板靜電吸附在平臺(tái)86上。一邊以SOOPa的壓力將He氣體通至平臺(tái)86與基板之間，同時(shí)將基板溫度控制為300°C的溫度。接著，將Ar氣體供給至真空槽89內(nèi)，使真空槽89內(nèi)的壓力為7Pa。在真空槽89 內(nèi)的壓力穩(wěn)定后，從等離子體用交流電源84向RF天線(xiàn)83施加1600W的電力，產(chǎn)生Ar氣體的等離子體。接著，控制調(diào)壓閥82a，將真空槽89內(nèi)的壓力降低至0. 5Pa。接著，減少Ar氣體的供給流量、開(kāi)始Cl2氣體和O2氣體的供給，使得Ar =Cl2 :02氣體的各自供給流量比達(dá)到1 :4 :2。供給至真空槽89內(nèi)的氣體與等離子體相接觸，進(jìn)行等離子體化。接著，從濺射用交流電源85向設(shè)置于平臺(tái)86的電極97施加300W的交流電壓，使等離子體中的離子入射至基板中，將Ir薄膜蝕刻。蝕刻規(guī)定時(shí)間后，分別停止等離子體用交流電源84和濺射用交流電源85的輸出， 且停止從氣體供給部81供給反應(yīng)氣體。另外，停止從溫度控制部88導(dǎo)入He氣體，解除平臺(tái)86的真空吸附。一邊維持真空槽89內(nèi)的真空環(huán)境、一邊將蝕刻后的基板從真空槽89取出，接著計(jì)測(cè)基板上的顆粒數(shù)。每次一張地使用多張基板、重復(fù)上述處理工序。其中，在傳輸?shù)谝粡埢逯皬恼婵詹?9內(nèi)除去蝕刻產(chǎn)物，但在第二張之后不進(jìn)行從真空槽89內(nèi)除去蝕刻產(chǎn)物。
<比較例1 >
將在朝上的一面成膜有Ir薄膜的Φ8英寸基板(直徑20cm的基板)傳輸?shù)轿g刻裝置 80的經(jīng)真空排氣的真空槽89內(nèi)，使Ir薄膜露出，配置在平臺(tái)86上。從吸盤(pán)用直流電源96向設(shè)置于平臺(tái)86的電極95施加士800V的直流電壓，將基板靜電吸附在平臺(tái)86上。一邊以800 的壓力將He氣體通至平臺(tái)86與基板之間，同時(shí)將基板溫度控制為300°C的溫度。接著，以1 :4 :2的流量比向真空槽89內(nèi)供給Ar氣體、Cl2氣體和仏氣體，使真空槽89內(nèi)的壓力為7Pa。在真空槽89內(nèi)的壓力穩(wěn)定后，從等離子體用交流電源84向RF天線(xiàn) 83施加1600W的電力，產(chǎn)生真空槽89內(nèi)的氣體的等離子體。接著，控制調(diào)壓閥82a，將真空槽89內(nèi)的壓力降低至0. 5Pa。接著，從濺射用交流電源85向設(shè)置于平臺(tái)86的電極97施加300W的交流電壓，使等離子體中的離子入射至基板中，將Ir薄膜蝕刻。蝕刻與實(shí)施例1相同的規(guī)定時(shí)間后，分別停止等離子體用交流電源84和濺射用交流電源85的輸出，且停止從氣體供給部81供給反應(yīng)氣體。另外，停止從溫度控制部88導(dǎo)入He氣體，解除平臺(tái)86的真空吸附。一邊維持真空槽89內(nèi)的真空環(huán)境、一邊將蝕刻后的基板從真空槽89取出，接著計(jì)測(cè)基板上的顆粒數(shù)。每次一張地使用多張基板、重復(fù)上述處理工序。在傳輸?shù)谝粡埢逯皬恼婵詹?89內(nèi)除去蝕刻產(chǎn)物，在第二張之后不進(jìn)行從真空槽89內(nèi)除去蝕刻產(chǎn)物。<顆粒數(shù)的變化>
圖2表示實(shí)施例1 (利用Ar氣體的等離子體點(diǎn)火)和比較例1 (利用蝕刻氣體的等離子體點(diǎn)火)的各情況下，相對(duì)于基板處理張數(shù)的蝕刻后基板上的顆粒數(shù)變化。比較例1中，隨著基板的處理張數(shù)的增加，顆粒數(shù)也增加，但實(shí)施例1中即便對(duì)多張基板進(jìn)行處理，顆粒數(shù)也還是非常少。其原因認(rèn)為如下當(dāng)用蝕刻氣體生成等離子體時(shí)，剛生成后的等離子體中的Cl_或 0_等負(fù)離子與附著于RF導(dǎo)入窗93的蝕刻產(chǎn)物接觸而發(fā)生反應(yīng)，產(chǎn)生顆粒，而利用Ar氣體生成等離子體時(shí)，由于Ar氣體是單原子分子氣體，因而等離子體不含負(fù)離子，故穩(wěn)定。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置的運(yùn)行方法，其為具有真空槽、對(duì)所述真空槽內(nèi)進(jìn)行真空排氣的真空排氣部、向所述真空槽內(nèi)供給氣體的氣體供給部、對(duì)等離子體生成裝置施加電壓以產(chǎn)生所述真空槽內(nèi)的氣體的等離子體的等離子體生成部，使等離子體與配置于所述真空槽內(nèi)的基板接觸而對(duì)所述基板進(jìn)行處理的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其具有以下工序向所述真空槽內(nèi)供給稀有氣體、對(duì)所述等離子體生成裝置施加電壓以產(chǎn)生所述稀有氣體的等離子體的等離子體點(diǎn)火工序；和向所述真空槽內(nèi)供給反應(yīng)氣體、使所述反應(yīng)氣體與所述稀有氣體的等離子體接觸以產(chǎn)生所述反應(yīng)氣體的等離子體，使所述反應(yīng)氣體的等離子體與基板接觸而對(duì)所述基板進(jìn)行處理的等離子體處理工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體點(diǎn)火工序中的等離子體生成時(shí)的所述真空槽內(nèi)的壓力高于所述等離子體處理工序中的基板處理開(kāi)始時(shí)的所述真空槽內(nèi)的壓力。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體點(diǎn)火工序中的等離子體生成時(shí)所述稀有氣體向所述真空槽內(nèi)的供給流量大于所述等離子體處理工序中的基板處理開(kāi)始時(shí)所述稀有氣體向所述真空槽內(nèi)的供給流量。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述稀有氣體含有選自由He、Ne、Ar、Kr和Xe構(gòu)成的組中的任1種氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體處理工序中使所述反應(yīng)氣體的等離子體與所述基板接觸而對(duì)所述基板進(jìn)行蝕刻。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述基板具有由導(dǎo)電性材料構(gòu)成的電極膜和由鐵電體構(gòu)成的鐵電體膜，所述等離子體處理工序中使所述反應(yīng)氣體的等離子體與所述基板接觸、對(duì)所述電極膜或所述鐵電體膜的任一者或兩者進(jìn)行蝕刻。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述電極膜含有選自由Pt、 Ir、IrO2, SrRuO3構(gòu)成的導(dǎo)電性材料的組中的至少1種導(dǎo)電性材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述鐵電體膜含有選自由鈦酸鋇(BaTi03)、鈦酸鉛(PbTi03)、鈦酸鉍鑭((Bi，La) Ji3O12 :BLT)、鈦鋯酸鉛(Pb (Zr, Ti) O3 :PZT)、鈦鋯酸鑭鉛((PbLa) (ZrTi)O3 :PLZT)和鈦酸鉍鍶(SrBi2Ta2O3 :SBT)構(gòu)成的組中的任1種鐵電體。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述反應(yīng)氣體含有在化學(xué)結(jié)構(gòu)中含有選自由氟、氯、溴和碘構(gòu)成的組中的任1種鹵素元素的氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求5至9任一項(xiàng)所述的基板處理裝置的運(yùn)行方法，其中所述等離子體處理工序中的所述基板處理中將所述基板加熱或冷卻至250°C以上的溫度。
全文摘要
本發(fā)明提供通過(guò)穩(wěn)定生成等離子體、可抑制顆粒發(fā)生的基板處理裝置的運(yùn)行方法。在進(jìn)行了真空排氣的真空槽內(nèi)配置基板后，首先向真空槽內(nèi)供給稀有氣體，對(duì)等離子體發(fā)生裝置施加電壓以生成稀有氣體的等離子體。接著，向真空槽內(nèi)供給反應(yīng)氣體、使反應(yīng)氣體與稀有氣體的等離子體接觸以生成反應(yīng)氣體的等離子體。使該反應(yīng)氣體的等離子體與基板接觸而對(duì)基板進(jìn)行處理。利用等離子體生成裝置，通過(guò)不對(duì)反應(yīng)氣體進(jìn)行等離子體化、而是首先對(duì)稀有氣體進(jìn)行等離子體化，從而穩(wěn)定地生成等離子體、抑制顆粒的發(fā)生。
文檔編號(hào)H01L21/3065GK102484065SQ201080039989
公開(kāi)日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月9日
發(fā)明者吉田善明, 小風(fēng)豐, 植田昌久 申請(qǐng)人:株式會(huì)社愛(ài)發(fā)科