專利名稱：Led封裝及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實(shí)施例涉及LED(發(fā)光二極管)封裝及其制造方法。相關(guān)申請的交叉引用本申請基于2010年1月四日提出的在先日本專利申請No. 2010-19768，并且要求該日本專利申請的優(yōu)先權(quán)；該日本專利申請的整個(gè)內(nèi)容在此通過引用而并入。
背景技術(shù)：
在安裝有LED芯片的常規(guī)LED封裝中，為了控制光分布以及提高來自LED封裝的光的提取效率，設(shè)置了由白色樹脂制成的杯狀封套。LED芯片安裝在封套的底面，并且在封套內(nèi)填充透明樹脂，以填埋LED芯片。這種封套通常由基于聚酰胺的熱塑性樹脂構(gòu)成。然而，近年來，隨著LED封裝的應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，日益要求LED封裝具有更高的耐久性。另一方面，LED芯片的輸出功率的增大導(dǎo)致從LED芯片發(fā)出的光和熱的增大，這使密封LED芯片的樹脂部分易于退化。另外，隨著LED封裝的應(yīng)用范圍的不斷擴(kuò)大，要求進(jìn)一步降低成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實(shí)施例提供一種耐久性高并且成本低的LED封裝以及所述LED封裝的制
造方法。按照本發(fā)明的一個(gè)方面的LED封裝包括置于相同平面上并且彼此隔開的第一和第二引線框架；設(shè)置在第一和第二引線框架上的LED芯片，LED芯片的一個(gè)端子連接到第一引線框架，另一個(gè)端子連接到第二引線框架；以及樹脂體。所述樹脂體覆蓋LED芯片，覆蓋第一和第二引線框架的每一個(gè)的頂面、部分底面和部分端面，并露出底面的剩余部分和端面的剩余部分。按照本發(fā)明的另一方面的LED封裝包括具有包括第一和第二凹槽的頂面的第一引線框架；布置成與第一引線框架隔開的第二引線框架；安裝在第一引線框架上，并交錯(cuò)地排列在第一凹槽和第二凹槽之間的區(qū)域中的第一到第四LED芯片，在第一到第四LED芯片的每一個(gè)的頂面上設(shè)置一對端子；安裝在第二引線框架上的齊納二極管芯片，齊納二極管芯片的底面端子接合到第二引線框架；第一導(dǎo)線，第一導(dǎo)線的一端被接合到第一引線框架的頂面上的一個(gè)區(qū)域，當(dāng)從第一凹槽觀看時(shí)，該區(qū)域在與安裝第一到第四LED芯片的區(qū)域相對的一側(cè)，第一導(dǎo)線的另一端被接合到第一 LED芯片的端子之一；第二導(dǎo)線，第二導(dǎo)線的一端被接合到第一 LED芯片的另一個(gè)端子，第二導(dǎo)線的另一端被接合到第二 LED芯片的端子之一；第三導(dǎo)線，第三導(dǎo)線的一端被接合到第二 LED芯片的另一個(gè)端子，第三導(dǎo)線的另一端被接合到第三LED芯片的端子之一；第四導(dǎo)線，第四導(dǎo)線的一端被接合到第三LED芯片的另一個(gè)端子，第四導(dǎo)線的另一端被接合到第四LED芯片的端子之一；第五導(dǎo)線，第五導(dǎo)線的一端被接合到第四LED芯片的另一個(gè)端子，第五導(dǎo)線的另一端被接合到第二引線框架； 第六導(dǎo)線，第六導(dǎo)線的一端被接合到第一引線框架的頂面上的一個(gè)區(qū)域，當(dāng)從第二凹槽觀看時(shí)，該區(qū)域在與安裝第一到第四LED芯片的區(qū)域相對的一側(cè)，第六導(dǎo)線的另一端被接合到齊納二極管芯片的頂面端子；以及覆蓋第一到第四LED芯片、齊納二極管芯片以及第一到第六導(dǎo)線，覆蓋第一和第二引線框架的每一個(gè)的頂面、部分底面和部分端面，并露出底面的剩余部分和端面的剩余部分的樹脂體。按照本發(fā)明的又一方面的LED封裝的制造方法包括通過有選擇地從由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電片中除去導(dǎo)電材料，把多個(gè)器件區(qū)域排列成矩陣，在每個(gè)器件區(qū)域中，形成包括彼此隔開的第一和第二引線框架的基本圖案，以及在器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域中形成引線框架片，引線框架片包括剩余的連接在相鄰器件區(qū)域之間的導(dǎo)電材料；把用于每個(gè)器件區(qū)域的LED芯片安裝在引線框架片上，把LED芯片的一個(gè)端子連接到第一引線框架，以及把另一個(gè)端子連接到第二引線框架；在引線框架片上形成樹脂板，以覆蓋引線框架片的器件區(qū)域的頂面和部分底面，并填埋LED芯片；以及除去位于引線框架片和樹脂板的劃片區(qū)域中的部分。


圖1是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖2A是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的截面圖，圖2B是舉例說明引線框架的平面圖。圖3是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法的流程圖。圖4A-4D是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法的工藝截面圖。圖5A-5C是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法的工藝截面圖。圖6A和6B是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法的工藝截面圖。圖7A是舉例說明第一實(shí)施例中的引線框架片的平面圖，圖7B是舉例說明引線框架片的器件區(qū)域的局部放大平面圖。圖8A-8H是舉例說明第一實(shí)施例的變形例中的引線框架片的形成方法的工藝截面圖。圖9是舉例說明按照第二實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖10是舉例說明按照第二實(shí)施例的LED封裝的側(cè)視圖。圖11是舉例說明按照第三實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖12是舉例說明按照第三實(shí)施例的LED封裝的截面圖。圖13是舉例說明按照第四實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖14是舉例說明按照第四實(shí)施例的LED封裝的截面圖。圖15是舉例說明按照第五實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖16是舉例說明按照第五實(shí)施例的LED封裝的截面圖。圖17是舉例說明按照第六實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖18是舉例說明按照第六實(shí)施例的LED封裝的截面圖。圖19是舉例說明按照第七實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖20是舉例說明按照第七實(shí)施例的LED封裝的截面圖。圖21是舉例說明按照第七實(shí)施例的第一變形例的LED封裝的透視圖。圖22是舉例說明按照第七實(shí)施例的第二變形例的LED封裝的透視圖。
圖23是舉例說明按照第七實(shí)施例的第三變形例的LED封裝的透視圖。圖M是舉例說明按照第七實(shí)施例的第四變形例的LED封裝的透視圖。圖25A是舉例說明按照第八實(shí)施例的LED封裝的平面圖，圖25B是其截面圖。圖沈是舉例說明按照第八實(shí)施例的第一變形例的LED封裝的透視圖。圖27A是舉例說明按照第八實(shí)施例的第一變形例的引線框架、LED芯片和導(dǎo)線的平面圖，圖27B是舉例說明LED封裝的底視圖，圖27C是舉例說明LED封裝的截面圖。圖觀是舉例說明按照第八實(shí)施例的第二變形例的LED封裝的透視圖。圖29A是舉例說明按照第八實(shí)施例的第三變形例的LED封裝的平面圖，圖29B是其截面圖。圖30A是舉例說明按照第八實(shí)施例的第四變形例的LED封裝的平面圖，圖30B是其截面圖。圖31A是舉例說明按照第八實(shí)施例的第五變形例的LED封裝的平面圖，圖31B是其截面圖。圖32A是舉例說明按照第八實(shí)施例的第六變形例的LED封裝的平面圖，圖32B是其截面圖。圖33A-33E是舉例說明在第八實(shí)施例的第七變形例中使用的引線框架片的器件區(qū)域的平面圖。圖34A是舉例說明按照第九實(shí)施例的LED封裝的透視圖，圖34B-34E是舉例說明按照第九實(shí)施例的LED封裝的側(cè)視圖。圖35是舉例說明總懸置引腳寬度比對LED封裝的特性退化的影響的示圖，其中水平軸代表總懸置引腳寬度比，垂直軸代表特性退化率。圖36是舉例說明總懸置引腳寬度比對導(dǎo)線接合性能的影響的示圖，其中水平軸代表總懸置引腳寬度比，垂直軸代表接合測試中的良品率。圖37是舉例說明按照第十實(shí)施例的LED封裝的截面圖。圖38是舉例說明按照第十一實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖39是舉例說明按照第i^一實(shí)施例的LED封裝的頂視圖。圖40是舉例說明按照第i^一實(shí)施例的LED封裝的側(cè)視圖。圖41是舉例說明按照第十一實(shí)施例的引線框架的頂視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參考附圖來說明本發(fā)明的實(shí)施例。首先說明本發(fā)明的第一實(shí)施例。圖1是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖2A是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的截面圖，圖2B是舉例說明引線框架的平面圖。如圖1-2B中所示，按照第一實(shí)施例的LED封裝1包括一對引線框架11和12。引線框架11和12被加工成平板形狀，被布置在同一個(gè)平面上并彼此隔開。引線框架11和12 按照例如在銅板的頂面和底面上形成鍍銀層的結(jié)構(gòu)，由相同導(dǎo)電材料制成。然而，在引線框架11和12的端面上沒有形成鍍銀層，而是露出銅板。
下面，為了便于說明，這里引入了 CTZ直角坐標(biāo)系。在與引線框架11和12的頂面平行的方向上從引線框架11到引線框架12的方向被定義為+X方向。在與引線框架11和 12的頂面垂直的方向上，向上的方向，即，當(dāng)從引線框架觀察時(shí)，安裝下面說明的LED芯片 14的方向被定義為+Z方向。此外，與+X方向和+Z方向都正交的方向之一被定義為+Y方向。另外，與+X、+Y和+Z方向相反的方向分別被稱為-Χ、_Υ和-Z方向。此外，“+X方向” 和“-χ方向”也被簡單地總稱為“X方向”。引線框架11包括一個(gè)基板部分11a。沿Z方向觀察，基板部分Ila為矩形。四個(gè)懸置引腳lib、11c、Ild和lie從基板部分Ila伸出。懸置引腳lib從基板部分Ila的面向 +Y方向的邊緣的X方向中部朝著+Y方向伸出。懸置引腳Ilc從基板部分Ila的面向-Y方向的邊緣的X方向中部朝著-Y方向伸出。懸置引腳lib和Ilc在X方向上的位置相同。懸置引腳Ild和lie從基板部分11的面向-X方向的邊緣的兩個(gè)端部朝著-X方向伸出。從而，懸置引腳lib lie從基板部分Ila的三個(gè)不同側(cè)面伸出。與引線框架11相比，引線框架12具有X方向上的較短長度，和Y方向上的相同長度。引線框架12包括一個(gè)基板部分12a。沿Z方向觀察，基板部分1 為矩形。四個(gè)懸置引腳12b、12c、12d和1 從基板部分1 伸出。懸置引腳12b從基板部分12a的面向+Y 方向的邊緣的-X方向端部朝著+Y方向伸出。懸置引腳12c從基板部分12a的面向-Y方向的邊緣的-X方向端部朝著-Y方向伸出。懸置引腳12d和1 從基板部分12a的面向+X 方向的邊緣的兩個(gè)端部朝著+X方向伸出。從而，懸置引腳從基板部分12a的三個(gè)不同側(cè)面伸出。引線框架11的懸置引腳Ild和lie的寬度可以與引線框架12的懸置引腳 12d和12e的寬度相同或不同。然而，如果懸置引腳Ild和lie的寬度不同于懸置引腳12d 和12e的寬度，那么更易于區(qū)分陽極和陰極。在引線框架11的底面llf，在基板Ila的X方向中部形成突起llg。從而，引線框架11具有兩個(gè)厚度值。即，基板部分Ila的X方向中部，S卩，形成突起Ilg的部分較厚，而基板部分Ila的兩個(gè)X方向端部以及懸置引腳Ilb-Ile較薄。在圖2B中，未形成突起Ilg 的那部分基板部分Ila被表示成薄板部分lit。同樣地，在引線框架12的底面12f，在基板部分1 的X方向中部形成突起12g。從而，引線框架12也具有兩個(gè)厚度值?；宀糠?2a 的X方向中部較厚，因?yàn)樵谀抢镄纬闪送黄?2g，而基板部分12a的兩個(gè)X方向端部以及懸置引腳較薄。在圖2B中，未形成突起12g的那部分基板部分1 被表示成薄板部分12t。換句話說，在基板Ila和12a的兩個(gè)X方向端部的底面分別形成槽口，所述槽口沿著基板部分Ila和12a的邊緣在Y方向上延伸。在圖2B中，引線框架11和12中的較薄部分，即，薄板部分和懸置引腳用虛線陰影表示。突起Ilg和12g形成于與引線框架11和12的彼此相對的邊緣隔開的區(qū)域中。包括這些邊緣的區(qū)域構(gòu)成薄板部分lit和12t。引線框架11的頂面Ilh和引線框架12的頂面Ia1在同一個(gè)平面上。引線框架11的突起Ilg的底面和引線框架12的突起12g的底面在同一個(gè)平面上。每個(gè)懸置引腳的頂面在ζ方向上的位置與引線框架11和12的頂面的位置一致。從而，懸置引腳位于同一個(gè)XY平面上。裝片材料13附著到引線框架11的頂面Ilh中與基板部分Ila相對應(yīng)的部分區(qū)域上。在本實(shí)施例中，裝片材料13可以是導(dǎo)電的或者絕緣的。在裝片材料13導(dǎo)電的情況下， 裝片材料13由例如銀膏、焊料、共晶焊料等形成。在裝片材料13絕緣的情況下，裝片材料13由例如透明樹脂糊形成。LED芯片14設(shè)置在裝片材料13上。即，裝片材料使LED芯片14附著到引線框架 11上，使得LED芯片14被安裝在引線框架11上。LED芯片14包括堆疊在藍(lán)寶石襯底上的由氮化鎵(GaN)等制成的半導(dǎo)體層。LED芯片14的形狀是例如長方體，具有設(shè)置在LED芯片的頂面上的端子Ha和14b。通過在端子1 和14b之間施加電壓，LED芯片14發(fā)出例如藍(lán)光。導(dǎo)線15的一端接合到LED芯片14的端子14a。導(dǎo)線15從端子1 朝著+Z方向 (直接向上)拉出，并朝著-X方向和-Z方向之間的方向彎曲。導(dǎo)線15的另一端接合到引線框架11的頂面llh。因此，端子1 通過導(dǎo)線15連接到引線框架11。另一方面，導(dǎo)線16 的一端接合到端子14b。導(dǎo)線16從端子14b朝著+Z方向拉出，并朝著+X方向和-Z方向之間的方向彎曲。導(dǎo)線16的另一端接合到引線框架12的頂面12h。因此，端子14b通過導(dǎo)線 16連接到引線框架12。導(dǎo)線15和16由諸如金或鋁之類的金屬形成。此外，LED封裝1包括透明樹脂體17。透明樹脂體17由諸如硅樹脂之類的透明樹脂形成。這里，術(shù)語“透明”還包含半透明。透明樹脂體17的外形是長方體。透明樹脂體 17填埋引線框架11和12、裝片材料13、LED芯片14以及導(dǎo)線15和16。因此，透明樹脂體 17的外形構(gòu)成LED封裝1的外形。在透明樹脂體17的底面和側(cè)面露出引線框架11的一部分和引線框架12的一部分。即，透明樹脂體17覆蓋LED芯片14，并覆蓋引線框架11和 12的頂面、部分底面和部分端面。然而，透明樹脂體17露出引線框架11和12的剩余底面和剩余端面。這里使用的術(shù)語“覆蓋”指的是包括覆蓋物接觸被覆蓋物和覆蓋物不接觸被覆蓋物這兩種情況的概念。更具體地說，在引線框架11的底面Ilf中，在透明樹脂體17的底面露出突起Ilg 的底面。在透明樹脂體17的側(cè)面露出懸置引腳lib lie的末端面。另一方面，在引線框架11中，整個(gè)頂面llh、底面Ilf的突起Ilg外區(qū)域(即，懸置引腳和薄板部分的底面)、 突起Ilg的側(cè)面、以及基板部分Ila的端面被透明樹脂體17覆蓋。同樣地，在引線框架12 中，在透明樹脂體17的底面露出突起12g的底面。在透明樹脂體17的側(cè)面露出懸置引腳 12b-12e的末端面。整個(gè)頂面12h、底面12f的突起12g外區(qū)域(即，懸置引腳和薄板部分的底面)、突起12g的側(cè)面、以及基板部分12a的端面被透明樹脂體17覆蓋。在LED封裝1 中，在透明樹脂體17的底面露出的突起Ilg和12g的底面構(gòu)成外部電極焊盤。因此，從上方看，透明樹脂體17的形狀為矩形。上述多個(gè)懸置引腳的末端面在透明樹脂體17的三個(gè)不同側(cè)面露出。大量的熒光體18散布在透明樹脂體17內(nèi)。每個(gè)熒光體18為顆粒。熒光體18吸收從LED芯片14發(fā)出的光，然后發(fā)出波長更長的光。例如，熒光體18吸收從LED芯片14 發(fā)出的部分藍(lán)光，并發(fā)出黃光。從而，LED封裝1射出從LED芯片14發(fā)出，但是未被熒光體 18吸收的藍(lán)光，和從熒光體18發(fā)出的黃光，從而整體來看導(dǎo)致白色發(fā)光。為了便于舉例說明，圖1、3及其后的各個(gè)附圖未示出熒光體18。另外，在圖2A和2B中，與實(shí)際情況相比，較大并且較少地示出了熒光體18。這種熒光體18可以是例如，發(fā)出黃綠色、黃色或橙色光的基于硅酸鹽的熒光體。 基于硅酸鹽的熒光體可用下面的通式表示(2-x-y) SrO · χ (Bau, Cav) 0 · (1-a-b-c—d) SiO2 · aP205bAl203cB203dGe02: yEu2+
其中，0 < χ,0· 005 < y < 0. 5,x+y ( 1· 6，0 彡 a, b，c，d < 0· 5，0 < u，0 < v，禾口
u+v = I。此外，也可使用基于YAG的熒光體作為黃色熒光體?；赮AG的熒光體可用下面的通式表示 (REhSmx) 3 (AlyGa1^y) 5012 Ce，其中0彡χ<1，0彡y彡1，RE是選自Y和Gd的至少一種元素。或者，熒光體18可以是基于硅鋁氧氮的紅色熒光體和綠色熒光體的混合物。艮口， 熒光體18可包括吸收從LED芯片14發(fā)出的藍(lán)光并發(fā)出綠光的綠色熒光體，以及吸收藍(lán)光并發(fā)出紅光的紅色熒光體?；诠桎X氧氮的紅色熒光體可用下面的通式表示(M1^jRx)alAlSiblOclNdl,其中，M是除Si和Al以外的至少一種金屬元素，特別地，最好是Ca和Sr至少之一。R是發(fā)光中心元素，特別優(yōu)選的是Eu。量值x、al、bl、cl和dl滿足0<x彡1，0.6
<al < 0. 95,2 < bl < 3. 9,0. 25 < cl < 0. 45，以及 4 < dl < 5· 7。下面給出這種基于硅鋁氧氮的紅色熒光體的一個(gè)具體例子Sr2Si7Al7ON13: Eu2+。例如，基于硅鋁氧氮的綠色熒光體可用下面的通式表示(M1^jRx)a2AlSib2Oc2Nd2,其中，M是除Si和Al以外的至少一種金屬元素，特別地，最好是Ca和Sr至少之一。R是發(fā)光中心元素，特別優(yōu)選的是Eu。量值x、a2、b2、c2和d2滿足0<x彡l，0.93
<a2 < 1. 3,4. 0 < b2 < 5. 8,0. 6 < c2 < 1，以及 6 < d2 < 11。下面給出這種基于硅鋁氧氮的綠色熒光體的一個(gè)具體例子Sr3Si13Aip2N21: Eu2+。下面說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法。圖3是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法的流程圖。圖4A-4D、圖5A-5C及圖6A和6B是舉例說明按照第一實(shí)施例的LED封裝的制造方法的工藝截面圖。圖7A是舉例說明第一實(shí)施例中的引線框架片的平面圖，圖7B是舉例說明引線框架片的器件區(qū)域的局部放大平面圖。首先，如圖4A中所示，制備由導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電片21。導(dǎo)電片21是頂面和底面具備鍍銀層21b的條狀銅板21a。隨后，在導(dǎo)電片21的頂面和底面上形成掩膜2 和22b。 在掩膜2 和22b中有選擇地形成開口 22c。例如，可以用印刷工藝形成掩膜2 和22b。之后，其上附有掩膜2 和22b的導(dǎo)電片21被浸入蝕刻液體中，從而被濕法蝕刻。 因此，在導(dǎo)電片21中，位于開口 22c中的部分被蝕刻并有選擇地去除。這里，通過調(diào)整浸入時(shí)間來控制蝕刻量，使得在分別從導(dǎo)電片21的頂面和底面開始的蝕刻獨(dú)自貫穿導(dǎo)電片21 之前，蝕刻被停止。因此，從頂面和底面?zhèn)冗M(jìn)行半蝕刻。然而，在既從頂面?zhèn)扔謴牡酌鎮(zhèn)任g刻的那部分中，進(jìn)行蝕刻，以便貫穿導(dǎo)電片21。之后，除去掩膜2 和22b。因此，如圖3和4B中所示，從導(dǎo)電片21有選擇地除去銅板21a和鍍銀層21b，從而形成引線框架片23。為了便于舉例說明，在圖4B及其之后的各個(gè)附圖中，銅板21a和鍍銀層21b被無差別地一體表示成引線框架片23。如圖7A中所示，在引線框架片23中定義三個(gè)方塊B。在每個(gè)方塊B中定義大約1000個(gè)器件區(qū)域P。如圖7B中所示，器件區(qū)域P被排列成矩陣，器件區(qū)域P之間的部分構(gòu)成格子狀劃片區(qū)域D。在每個(gè)器件區(qū)域P中，形成包括相互隔開的引線框架11和12的基本圖案。在劃片區(qū)域D中，保留形成導(dǎo)電片21的導(dǎo)電材料，以便連接在相鄰器件區(qū)域P之間。更具體地說，在器件區(qū)域P中，引線框架11和12相互隔開。然而，屬于一個(gè)器件區(qū)域P的引線框架11與屬于位于所述一個(gè)器件區(qū)域P的-X方向側(cè)的相鄰器件區(qū)域P的引線框架12相連。在這些框架之間，形成具有朝著+X方向凸出的形狀的開口 23a。此外，屬于Y方向上相鄰的器件區(qū)域P的引線框架11通過橋2 相互連接。同樣地，屬于Y方向上相鄰的器件區(qū)域P的引線框架12通過橋23c相互連接。因此，四個(gè)導(dǎo)電元件從引線框架11 和12的基板部分Ila和1 朝三個(gè)方向伸出。此外，由于利用半蝕刻從引線框架片23的底面?zhèn)任g刻引線框架片23，分別在引線框架11和12的底面上形成突起Ilg和12g(參見圖 2A 和 2B)。隨后，如圖3和4C中所示，由例如聚酰亞胺制成的增強(qiáng)帶M被附到引線框架片23 的底面上。隨后，裝片材料13被附著到屬于引線框架片23的每個(gè)器件區(qū)域P的引線框架 11上。例如，從排料裝置把糊狀裝片材料13排放到引線框架11上，或者借助機(jī)械方法把糊狀裝片材料13轉(zhuǎn)移到引線框架11上。之后，把LED芯片安裝到裝片材料13上。隨后進(jìn)行燒結(jié)裝片材料13的熱處理(裝配固化)。從而，借助引線框架片23的每個(gè)器件區(qū)域P中的裝片材料13，LED芯片14被安裝到引線框架11上。之后，如圖3和4D中所示，借助超聲波焊接，導(dǎo)線15的一端被接合到LED芯片14 的端子14a，導(dǎo)線15的另一端被接合到引線框架11的頂面llh。此外，導(dǎo)線16的一端被接合到LED芯片14的端子14b，導(dǎo)線16的另一端被接合到引線框架12的頂面12h。從而，端子1 通過導(dǎo)線15與引線框架11連接，端子14b通過導(dǎo)線16與引線框架12連接。隨后，如圖3和5A中所示，制備下模101。下模101和后面說明的上模102—起構(gòu)成一對模具。在下模101的頂面形成長方體凹進(jìn)部分101a。另一方面，在諸如硅樹脂之類的透明樹脂中混合和攪拌熒光體18 (參見圖2A)，以制備液體或半液體的含熒光體樹脂材料26。之后，用給料器103把含熒光體樹脂材料沈送入下模101的凹進(jìn)部分IOla中。接下來，如圖3和5B中所示，把安裝有LED芯片14的上述引線框架片23安裝在上模102的底面上，使得LED芯片14面朝下。隨后，把上模102壓在下模101上，夾緊這兩個(gè)模具。從而，把引線框架片23壓向含熒光體的樹脂材料沈。此時(shí)，含熒光體的樹脂材料 26覆蓋LED芯片14以及導(dǎo)線15和16，并進(jìn)入引線框架片23的通過蝕刻除去的部分中。從而，模塑含熒光體的樹脂材料26。接下來，如圖3和5C中所示，在引線框架片23的頂面被壓向含熒光體的樹脂材料 26的狀態(tài)下，進(jìn)行熱處理(模塑固化)，從而固化含熒光體的樹脂材料沈。之后，如圖6A中所示，使上模102脫離下模101。因此，在引線框架片23上形成覆蓋引線框架片23的整個(gè)頂面和部分底面，并且填埋LED芯片14等的透明樹脂板四。熒光體18(參見圖2A)散布在透明樹脂板四中。之后，從引線框架片23剝離增強(qiáng)帶M。因此，在透明樹脂板四的表面露出引線框架11和12的突起Ilg和12g(參見圖2A和2B)的底面。接下來，如圖3和圖6B中所示，用劃片刀104，從引線框架片23側(cè)開始，S卩，從-Z方向側(cè)到+Z方向，對引線框架片23和透明樹脂板四的合成體進(jìn)行劃片。因此，除去引線框架片23和透明樹脂板四的位于劃片區(qū)域D中的部分。結(jié)果，引線框架片23和透明樹脂板四的位于器件區(qū)域P中的部分被單片化，從而制備圖1-2B中所示的LED封裝1。這里， 可從透明樹脂板四側(cè)開始，對引線框架片23和透明樹脂板四的合成體進(jìn)行劃片。在劃片之后的每個(gè)LED封裝1中，引線框架11和12與引線框架片23分離。另外， 透明樹脂板四被分成多個(gè)透明樹脂體17。劃片區(qū)域D在Y方向上延伸的部分通過引線框架片23的開口 23a。因此，在引線框架11和12中形成懸置引腳lld、lle、12d和12e。另夕卜，借助橋23b的分割，在引線框架11中形成懸置引腳lib和11c。借助橋23c的分割，在引線框架12中形成懸置引腳12b和12c。在透明樹脂體17的側(cè)面，露出懸置引腳Ilb-Ile 和的末端面。接下來，如圖3中所示，對LED封裝1進(jìn)行各種測試。此時(shí)，懸置引腳Ilb-Ile和 12b-12e的末端面可被用作測試端子。下面說明第一實(shí)施例的功效。按照第一實(shí)施例的LED封裝1不具備由白色樹脂形成的封套。因而，不存在因吸收從LED芯片14產(chǎn)生的光和熱而引起的封套的退化。特別地，雖然在封套由基于聚酰胺的熱塑性樹脂形成的情況下，易于發(fā)生退化，然而在該實(shí)施例中不存在這種風(fēng)險(xiǎn)。因此，按照第一實(shí)施例的LED封裝1具有高耐久性。因而，按照第一實(shí)施例的LED封裝1壽命長，可靠性高，并且適用于各種用途。此外，在按照第一實(shí)施例的LED封裝1中，透明樹脂體17由硅樹脂形成。由于硅樹脂具有很高的耐光和耐熱性，因此也改善了 LED封裝1的耐久性。此外，按照該實(shí)施例的LED封裝1不具備覆蓋透明樹脂體17的側(cè)面的封套。因而， 朝向較大的角度射出光。因此，按照該實(shí)施例的LED封裝1對于要求較大角度的光發(fā)射的應(yīng)用，例如，照明和液晶電視機(jī)的背光是有利的。此外，在按照第一實(shí)施例的LED封裝1中，透明樹脂體17覆蓋引線框架11和12 的部分底面和大部分端面，從而保持引線框架11和12的周邊部分。因而，在從透明樹脂體 17露出引線框架11和12的突起Ilg和12g的底面以實(shí)現(xiàn)外部電極焊盤的同時(shí)，能夠增強(qiáng)引線框架11和12的可保持性。即，在基板部分Ila和12a的X方向中部形成突起Ilg和 12g，使得在基板部分Ila和1 的底面的兩個(gè)X方向端部實(shí)現(xiàn)槽口。通過使透明樹脂體17 滲入所述槽口中，能夠牢固地保持引線框架11和12。這使得在劃片時(shí)，更加不可能從透明樹脂體17剝離引線框架11和12。因此，能夠提高LED封裝1的產(chǎn)量。此外，在按照該實(shí)施例的LED封裝1中，在引線框架11和12的頂面和底面形成鍍銀層。由于鍍銀層的光反射率高，因此按照該實(shí)施例的LED封裝1的光提取效率高。此外，在該實(shí)施例中，能夠用一個(gè)導(dǎo)電片21集體制造大量的LED封裝1，比如大約數(shù)千個(gè)LED封裝1。因此，能夠降低每個(gè)LED封裝的制造成本。另外，由于未設(shè)置任何封套， 部件的數(shù)目和工藝的數(shù)目少，實(shí)現(xiàn)了低成本。此外，在該實(shí)施例中，使用濕法蝕刻來形成引線框架片23。因此，當(dāng)制造新式布局的LED封裝時(shí)，只需要準(zhǔn)備掩膜原版。因此，與使用諸如模壓之類來形成引線框架片23的情況相比，能夠把初期成本抑制在較低水平。此外，在按照該實(shí)施例的LED封裝1中，懸置引腳從引線框架11和12的基板部分Ila和12a伸出。這防止了在透明樹脂體17的側(cè)面露出基板部分本身。因此，能夠減少引線框架11和12的露出面積。這能夠防止引線框架11和12從透明樹脂體17剝落。此外， 還能夠抑制引線框架11和12的腐蝕。當(dāng)從制造方法的觀點(diǎn)考慮該效果時(shí)，如圖7B中所示，開口 23a、橋2 和23c設(shè)置在引線框架片23中，以便被置于劃片區(qū)域D中，從而減少了置于劃片區(qū)域D中的金屬部分。 這使劃片更容易，并且能夠抑制劃片刀的磨損。此外，在該實(shí)施例中，四個(gè)懸置引腳沿三個(gè)方向從每個(gè)引線框架11和12伸出。因此，在圖4C中所示的安裝LED芯片14的工藝中，由相鄰器件區(qū)域P中的引線框架11和引線框架12從三個(gè)方向可靠地支持引線框架11，從而實(shí)現(xiàn)較高的可安裝性。同樣地，在圖4D中所示的導(dǎo)線接合工藝中，從三個(gè)方向可靠地支持導(dǎo)線接合位置。因而，例如，在超聲波焊接中施加的超聲波不太可能泄漏，并且導(dǎo)線能夠被順利地接合到引線框架和LED芯片上。此外，在第一實(shí)施例中，在圖6B中所示的劃片工藝中，從引線框架片23側(cè)進(jìn)行劃片。因此，構(gòu)成引線框架11和12的切斷端的金屬材料在透明樹脂體17的側(cè)面朝著+Z方向延展。這避免了如果該金屬材料在透明樹脂體17的側(cè)面朝著-Z方向延展并從LED封裝 1的底面突出時(shí)會出現(xiàn)的毛邊。因而，當(dāng)安裝LED封裝1時(shí)，不會發(fā)生歸因于毛邊的任何安裝失敗。下面說明第一實(shí)施例的變形例。所述變形例是形成引線框架片的方法的變形例。更具體地說，這種變形例和上述第一實(shí)施例的不同之處在于形成圖4A中所示的引線框架片的方法。圖8A-8H是舉例說明所述變形例中的引線框架片形成方法的工藝截面圖。首先，如圖8A中所示，準(zhǔn)備并清洗銅板21a。接下來，如圖8B中所示，在銅板21a 的兩個(gè)表面上涂覆光刻膠涂層，之后干燥光刻膠涂層，從而形成光刻膠膜111。接下來，如圖8C中所示，在光刻膠膜111上布置掩膜圖案112，之后使之曝露在紫外線照射下。因此， 光刻膠膜111的曝光部分被固化以形成光刻膠圖案111a。之后，如圖8D中所示，進(jìn)行顯影， 從而光刻膠膜111的未固化部分被洗掉。從而，光刻膠圖案Illa保留在銅板21a的上表面和下表面上。隨后，如圖8E中所示，利用光刻膠圖案Illa作為掩膜進(jìn)行蝕刻，以從兩個(gè)表面除去銅板21a的曝光部分。此時(shí)，蝕刻深度被設(shè)定成約為銅板21a的板厚的一半。因此， 僅僅從一側(cè)蝕刻的區(qū)域被半蝕刻，而從兩側(cè)蝕刻的區(qū)域被貫通。之后，如圖8F中所示，除去光刻膠圖案111a。接下來，如圖8G中所示，用掩膜113覆蓋銅板21a的端部，并進(jìn)行電鍍。 因此，在銅板21a的除其端部以外的部分的表面上形成鍍銀層21b。之后，如圖8H中所示， 清洗掉掩膜113。之后進(jìn)行檢查。從而制備引線框架片23。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、 制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第二實(shí)施例。圖9是舉例說明按照該實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖10是舉例說明按照該實(shí)施例的LED封裝的側(cè)視圖。如圖9和圖10中所示，按照該實(shí)施例的LED封裝2與按照上述第一實(shí)施例的LED 封裝1(參見圖1)的不同之處在于引線框架11 (參見圖1)在X方向上被分成兩個(gè)引線框架31和32。引線框架32位于引線框架31和引線框架12之間。在引線框架31中，形成與引線框架11的懸置引腳Ild和lie相對應(yīng)的懸置引腳31d和31e。此外，形成從基板部分 31a分別朝著+Y方向和-Y方向伸出的懸置引腳31b和31c。懸置引腳31b和31c在X方向上的位置相同。此外，導(dǎo)線15被接合到引線框架31。另一方面，在引線框架32中，形成與引線框架11的懸置引腳lib和lie (參見圖1)相對應(yīng)的懸置引腳32b和32c。借助裝片材料13，把LED芯片14安裝在引線框架32上。此外，與引線框架11的突起Ilg相對應(yīng)的突起被分割成分別在引線框架31和32中形成的突起31g和32g。在該實(shí)施例中，通過外部電位施加，引線框架31和32用作外部電極。另一方面， 不需要對引線框架32施加任何電位。引線框架32可以用作專用于散熱器的引線框架。因此，當(dāng)在一個(gè)模塊上安裝多個(gè)LED封裝2時(shí)，引線框架32可以連接到公共散熱器。這里，可對引線框架32施加接地電位，或者可以使引線框架32處于浮動(dòng)狀態(tài)。當(dāng)在母板上安裝LED 封裝2時(shí)，能夠通過把焊球分別接合到引線框架31、32和12來抑制所謂的Manhattan現(xiàn)象。 Manhattan現(xiàn)象是其中當(dāng)借助多個(gè)焊球等在襯底上安裝器件等時(shí)，器件因回流爐中焊球的不同熔融定時(shí)和焊料的表面張力而豎起的現(xiàn)象。這種現(xiàn)象導(dǎo)致安裝失敗。按照第二實(shí)施例， 引線框架的布局在X方向上對稱，焊球沿X方向上密集排列。因此，不可能出現(xiàn)Manhattan 現(xiàn)象。此外，在該實(shí)施例中，由懸置引腳31b_31e從三個(gè)方向支持引線框架31，從而改善了導(dǎo)線15的接合性能。同樣地，由懸置引腳12b-12e從三個(gè)方向支持引線框架12，從而改善了導(dǎo)線16的接合性能。通過在圖4A中所示的上述工藝中，改變引線框架片23的每個(gè)器件區(qū)域P的基本圖案，能夠用和上述第一實(shí)施例相似的方法來制備這樣的LED封裝2。即，僅僅通過改變掩膜2 和22b的圖案，在上述第一實(shí)施例中說明的制備方法就能夠制備具有各種布局的LED 封裝。除上述之外，第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第三實(shí)施例。圖11是舉例說明按照該實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖12是舉例說明按照該實(shí)施例的LED封裝的截面圖。如圖11和圖12中所示，除了按照上述第一實(shí)施例的LED封裝1 (參見圖1)的結(jié)構(gòu)之外，按照該實(shí)施例的LED封裝3包括齊納二極管芯片36等。齊納二極管芯片36連接在引線框架11和引線框架12之間。更具體地說，由諸如焊料或銀膏之類的導(dǎo)電材料形成的裝片材料37被粘附到引線框架12的頂面上，齊納二極管芯片36被設(shè)置在裝片材料37 上。從而，借助裝片材料37，齊納二極管芯片36被安裝在引線框架12上。齊納二極管芯片 36的底面端子(未示出)經(jīng)由裝片材料37連接到引線框架12。另外，齊納二極管芯片36 的頂面端子36a通過導(dǎo)線38與引線框架11連接。即，導(dǎo)線38的一端連接到齊納二極管芯片36的頂面端子36a。導(dǎo)線38從頂面端子36a朝著+Z方向被引出，并朝著-Z方向和-X 方向之間的方向彎曲。導(dǎo)線38的另一端被接合到引線框架11的頂面。因此，在該實(shí)施例中，齊納二極管芯片36能夠平行連接到LED芯片14。結(jié)果，改善了抗ESD(靜電放電)性。除上述之外，該實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第四實(shí)施例。圖13是舉例說明按照該實(shí)施例的LED封裝的透視圖。
圖14是舉例說明按照該實(shí)施例的LED封裝的截面圖。如圖13和14中所示，按照第四實(shí)施例的LED封裝4與按照上述第三實(shí)施例的LED 封裝3 (參見圖11)的不同之處在于齊納二極管芯片36安裝在引線框架11上。在這種情況下，齊納二極管芯片36的底面端子經(jīng)裝片材料37連接到弓I線框架11，而頂面端子通過導(dǎo)線38連接到引線框架12。除上述之外，第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第三實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第五實(shí)施例。圖15是舉例說明按照第五實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖16是舉例說明按照第五實(shí)施例的LED封裝的截面圖。如圖15和16中所示，按照第五實(shí)施例的LED封裝5與按照上述第一實(shí)施例的LED 封裝1(參見圖1)的不同之處在于包括垂直導(dǎo)電LED芯片41，而不是具有頂面端子的LED 芯片14。更具體地說，在按照第五實(shí)施例的LED封裝5中，在引線框架11的頂面上形成由諸如焊料或銀膏之類的導(dǎo)電材料構(gòu)成的裝片材料42。借助裝片材料42安裝LED芯片41。 LED芯片41的底面端子(未示出)經(jīng)裝片材料42連接到引線框架11。另一方面，LED芯片41的頂面端子41a通過導(dǎo)線43連接到引線框架12。在第五實(shí)施例中，采用垂直導(dǎo)電LED芯片41，從而使用單個(gè)導(dǎo)線。這能夠可靠地防止導(dǎo)線之間的接觸，從而簡化導(dǎo)線接合工藝。除上述之外，第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第六實(shí)施例。圖17是舉例說明按照第六實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖18是舉例說明按照第六實(shí)施例的LED封裝的截面圖。如圖17和18中所示，按照第六實(shí)施例的LED封裝6與按照上述第一實(shí)施例的LED 封裝1(參見圖1)的不同之處在于包括倒裝型(flip-type) LED芯片46，而不是具有頂面端子的LED芯片14。更具體地說，在按照第六實(shí)施例的LED封裝6中，在LED芯片46的底面設(shè)置兩個(gè)端子。此外，類似于橋地布置LED芯片46，以便跨在引線框架11和引線框架12 之間。LED芯片46的一個(gè)底面端子連接到引線框架11，而另一個(gè)底面端子連接到引線框架 12。在第六實(shí)施例中，采用倒裝型LED芯片46，以消除導(dǎo)線。這能夠增強(qiáng)向上光提取效率，并省略導(dǎo)線接合工藝。此外，還能夠避免歸因于透明樹脂體17的熱應(yīng)力的導(dǎo)線破裂。 除上述之外，第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第七實(shí)施例。圖19是舉例說明按照第七實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖20是舉例說明按照第七實(shí)施例的LED封裝的截面圖。如圖19和20中所示，按照第七實(shí)施例的LED封裝7與按照上述第一實(shí)施例的LED 封裝1 (參見圖1)的不同之處在于除了 LED封裝1的結(jié)構(gòu)之外，在引線框架11的頂面Ilh 中形成凹槽51。凹槽51沿著Y方向延伸，并在引線框架11的頂面Ilh中形成于安裝LED 芯片14的區(qū)域和接合導(dǎo)線15的區(qū)域之間。即，當(dāng)從凹槽51觀看時(shí)，LED芯片14位于+X方向側(cè)，導(dǎo)線15位于-X方向側(cè)。凹槽51既不到達(dá)引線框架11的任意一個(gè)Y方向端部，又不沿著厚度方向穿透引線框架11。例如能夠通過在圖4A和4B中所示的上述工藝中，從頂面?zhèn)劝胛g刻導(dǎo)電片21來形成凹槽51。或者，可利用諸如模壓或磨削之類的機(jī)械方法來形成凹槽51。按照第七實(shí)施例，在引線框架11的頂面中形成凹槽51。因此，在圖4C中所示的上述工藝中，當(dāng)把糊狀裝片材料13附著到引線框架11的頂面上時(shí)，即使裝片材料13的供給量和供給位置存在任何變化，也能夠防止裝片材料13流出進(jìn)入導(dǎo)線15的接合區(qū)域。這防止了導(dǎo)線15的接合區(qū)域被裝片材料13污染。因此，能夠可靠地把導(dǎo)線15接合到引線框架 11上。除上述之外，第七實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明第七實(shí)施例的第一變形例。圖21是舉例說明按照所述第一變形例的LED封裝的透視圖。如圖21中所示，按照所述第一變形例的LED封裝7a與按照上述第七實(shí)施例的LED 封裝7(參見圖19)的不同之處在于形成通透凹槽52，而不是凹槽51。通透凹槽52沿著厚度方向穿透引線框架11。除上述之外，所述第一變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第七實(shí)施例的相似。下面說明第七實(shí)施例的第二變形例。圖22是舉例說明按照所述第二變形例的LED封裝的透視圖。如圖22中所示，按照所述第二變形例的LED封裝7b與按照上述第三實(shí)施例的LED 封裝3(參見圖11)的不同之處在于除了 LED封裝3的結(jié)構(gòu)之外，在引線框架11的頂面 Ilh中形成凹槽51和53，在引線框架12的頂面12h中形成凹槽Μ。凹槽51的結(jié)構(gòu)與上述第一變形例中的凹槽51類似。凹槽53沿著X方向延伸，其-X方向端部與凹槽51的+Y 方向端部交接。因此，凹槽51和53形成一個(gè)L形凹槽。凹槽53在引線框架11的頂面Ilh 中形成于安裝LED芯片14的區(qū)域和接合導(dǎo)線38的區(qū)域之間。另一方面，凹槽53既不到達(dá)引線框架11的任意一個(gè)X方向端部，又不沿著厚度方向穿透引線框架11。凹槽M沿著X 方向延伸，在引線框架12的頂面12h中形成于安裝齊納二極管芯片36的區(qū)域和接合導(dǎo)線 16的區(qū)域之間。凹槽M既不到達(dá)引線框架12的任意一個(gè)X方向端部，又不沿著厚度方向穿透引線框架12。按照所述第二變形例，在引線框架11的頂面中形成凹槽51。從而，當(dāng)把裝片材料 13附著到引線框架11的頂面上時(shí)，即使裝片材料13的供給量和供給位置存在任何變化， 也能夠防止裝片材料13流出進(jìn)入導(dǎo)線15的接合區(qū)域。此外，形成凹槽53。從而，能夠防止裝片材料13流出進(jìn)入導(dǎo)線38的形成區(qū)域。此外，在引線框架12的頂面中形成凹槽M。 從而，能夠防止裝片材料37流出進(jìn)入導(dǎo)線16的形成區(qū)域。從而，導(dǎo)線15和38能夠被可靠地接合到引線框架11上，導(dǎo)線16能夠被可靠地接合到引線框架12上。除上述之外，所述第二變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第三實(shí)施例的相似。下面說明第七實(shí)施例的第三變形例。圖23是舉例說明按照所述第三變形例的LED封裝的透視圖。如圖23中所示，按照所述第三變形例的LED封裝7c與按照第七實(shí)施例的上述第二變化例的LED封裝7b (參見圖22)的不同之處在于形成通透凹槽52、55、56，而不是凹槽 51、53、54。通透凹槽52和55沿著厚度方向穿透引線框架11，通透凹槽56沿著厚度方向穿透引線框架12。除上述之外，所述第三變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與第七實(shí)施例的上述第二變形例的相似。
下面說明第七實(shí)施例的第四變形例。圖M是舉例說明按照所述第四變形例的LED封裝的透視圖。如圖M中所示，按照所述第四變形例的LED封裝7d與按照上述第一實(shí)施例的LED 封裝1 (參見圖1)的不同之處在于除了 LED封裝1的結(jié)構(gòu)之外，還在引線框架11的頂面 Ilh中形成凹進(jìn)部分57。當(dāng)從+Z方向觀看時(shí)，凹進(jìn)部分57的形狀為矩形。裝片材料13和 LED芯片14位于凹進(jìn)部分57內(nèi)。導(dǎo)線15接合到凹進(jìn)部分57之外。例如通過在圖4A和 4B中所示的上述工藝中，從頂面?zhèn)劝胛g刻導(dǎo)電片21，可形成凹進(jìn)部分57?；蛘撸衫弥T如模壓或磨削之類的機(jī)械方法來形成凹進(jìn)部分57。按照所述第四變形例，裝片材料13被供應(yīng)到凹進(jìn)部分57中。從而，裝片材料不會從凹進(jìn)部分57漏出。因此，即使裝片材料13的供給量和供給位置存在任何變化，裝片材料 13也不會流出進(jìn)入導(dǎo)線15的接合區(qū)域，也不會從引線框架11的邊緣滴下。除上述之外，所述第四變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明本發(fā)明的第八實(shí)施例。圖25A是舉例說明按照第八實(shí)施例的LED封裝的平面圖，圖25B是該LED封裝的截面圖。如圖25A和25B中所示，按照第八實(shí)施例的LED封裝8與按照上述第一實(shí)施例的 LED封裝1(參見圖1)的不同之處在于包括多個(gè)(例如8個(gè))LED芯片14。這8個(gè)LED芯片14發(fā)出相同顏色的光，并且滿足相同的規(guī)范。所述8個(gè)LED芯片14都安裝在引線框架11上。每個(gè)LED芯片14的端子14a(參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線15連接到引線框架11。每個(gè)LED芯片14的端子14b (參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線16 連接到引線框架12。從而，8個(gè)LED芯片14相互平行地連接在引線框架11和引線框架12 之間。此外，所述8個(gè)LED芯片14(沿著X方向的2個(gè)芯片，和沿著Y方向的4個(gè)芯片)不是按矩陣排列的，而是交錯(cuò)排列的。即，相對于由位于-X方向側(cè)并沿著Y方向排列的4個(gè) LED芯片14構(gòu)成的一列的排列相位，由位于+X方向側(cè)并沿著Y方向排列的4個(gè)LED芯片 14構(gòu)成的一列的排列相位被偏移半個(gè)節(jié)距。按照第八實(shí)施例，通過在一個(gè)LED封裝8上安裝多個(gè)LED芯片14，能夠獲得大量的光。此外，通過交錯(cuò)地排列LED芯片14，在使LED芯片14之間的最小距離保持等于或大于某個(gè)值的同時(shí)，能夠減小LED封裝8的尺寸。使LED芯片14之間的最小距離保持等于或大于某個(gè)值可增大從一個(gè)LED芯片14發(fā)出的光在到達(dá)相鄰LED芯片14之前被熒光體吸收的可能性，從而提高光提取效率。此外，從一個(gè)LED芯片14放出的熱量不太可能被相鄰LED 芯片14吸收。這能夠抑制因LED芯片14的溫度升高而引起的發(fā)光效率的降低。除上述之夕卜，第八實(shí)施例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第一實(shí)施例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第一變形例。圖沈是舉例說明按照本變形例的LED封裝的透視圖。圖27A是舉例說明按照本變形例的LED封裝的引線框架、LED芯片和導(dǎo)線的平面圖。圖27B是舉例說明該LED封裝的底視圖。圖27C是舉例說明該LED封裝的截面圖。圖26中未示出導(dǎo)線。如圖沈和圖27A-27C中所示，本變形例是結(jié)合上述第二實(shí)施例和第八實(shí)施例的例子。更具體地說，按照本變形例的LED封裝8a包括相互隔開的三個(gè)引線框架61、62和63。在引線框架61中，從縱向指向Y方向的條狀基板部分61a，懸置引腳61b朝著+Y方向伸出， 懸置引腳61c朝著-Y方向伸出，兩個(gè)懸置引腳61d和61e朝著-X方向伸出。在引線框架 62中，從縱向指向Y向的條狀基板部分62a，兩個(gè)懸置引腳62b和62c朝著+Y方向伸出，兩個(gè)懸置引腳62d和6 朝著-Y方向伸出。引線框架63的形狀實(shí)際上是通過沿著X方向顛倒引線框架61而獲得的形狀。然而，懸置引腳63d和63e比懸置引腳61d和61e窄。LED封裝8a包括多個(gè)(例如8個(gè))LED芯片14。本變形例中的LED芯片14的排列與上述第八實(shí)施例的排列相似。更具體地說，LED芯片14被設(shè)置成兩列，每一列包括沿著Y方向排列的4個(gè)芯片。相對于在-X方向側(cè)的一列，在+X方向側(cè)的一列的排列相位被偏移半個(gè)節(jié)距，所述兩列是交錯(cuò)的。每個(gè)LED芯片14借助裝片材料(未示出)被安裝在引線框架62上。端子14a(參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線65連接到引線框架61，端子14b(參見圖1)經(jīng)導(dǎo)線66連接到引線框架63。此外，引線框架61,62和63的突起61g、62g和63g的底面分別在透明樹脂體17的底面露出。相反，引線框架61、62和63的薄板部分61t、62t和63t 的底面分別被透明樹脂體17覆蓋。在圖27A中，引線框架61、62和63中的較薄部分，即， 薄板部分和懸置引腳用虛線陰影表示。同樣在本變形例中，和上述第八實(shí)施例中一樣，通過設(shè)置8個(gè)LED芯片14，能夠獲得大量的光。此外，和上述第二實(shí)施例一樣，通過設(shè)置三個(gè)引線框架，實(shí)現(xiàn)電氣上獨(dú)立的散熱器，并且能夠抑制Manhattan現(xiàn)象。此外，通過交錯(cuò)地排列LED芯片14，在確保光發(fā)射效率和提取效率的同時(shí)，能夠減小LED封裝8a的尺寸。下面參考具體的數(shù)值例子，說明該效果。例如，LED芯片14的X方向長度為
0.60mm, Y方向長度為0. 24mm。在8個(gè)LED芯片14在TL平面上的投影中，LED芯片14之間的X方向距離為0. 20mm，在H平面的投影中，LED芯片14之間的Y方向距離為0. 10mm。 從而，如果LED芯片14是交錯(cuò)地排列的，那么8個(gè)LED芯片14能夠被放置在X方向長度為
1.6mm、Y方向長度為3. Omm的矩形基板部分4 上。在這種情況下，LED芯片14之間的最
短距離為·7(0.102 +0.202) 0.22mw。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上
述第二和第八實(shí)施例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第二變形例。圖28是舉例說明按照本變形例的LED封裝的透視圖。如圖28中所示，按照本變形例的LED封裝8b和按照第八實(shí)施例的上述第一變形例的LED封裝8a(參見圖沈)的不同之處在于屬于+X方向側(cè)的一列的每個(gè)LED芯片14 的端子14a經(jīng)對應(yīng)導(dǎo)線67連接到屬于-X方向側(cè)的一列的對應(yīng)LED芯片14的端子14b。因此，均包括串聯(lián)連接的兩個(gè)LED芯片14的四個(gè)電路被并聯(lián)連接在引線框架11和引線框架 12之間。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與第八實(shí)施例的上述第一變形例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第三變形例。圖29A是舉例說明按照本變形例的LED封裝的平面圖，圖29B是該LED封裝的截面圖。如圖29A和^B中所示，除了按照上述第八實(shí)施例的LED封裝8 (參見圖25A和 25B)的結(jié)構(gòu)之外，本變形例還包括一個(gè)齊納二極管芯片36。齊納二極管芯片36經(jīng)導(dǎo)電的裝片材料37安裝在引線框架11上。齊納二極管芯片36的底面端子(未示出)經(jīng)裝片材料37連接到引線框架11，頂面端子經(jīng)導(dǎo)線38連接到引線框架12。因此，在引線框架11和引線框架12之間，齊納二極管芯片36被并聯(lián)連接到所述8個(gè)LED芯片14。按照本變形例， 通過設(shè)置齊納二極管芯片36，能夠提高抗ESD性。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第八實(shí)施例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第四變形例。圖30A是舉例說明按照本變形例的LED封裝的平面圖，圖30B是該LED封裝的截面圖。如圖30A和30B中所示，按照本變形例的LED封裝8d和按照第八實(shí)施例的上述第三變形例的LED封裝8c (參見圖29A和^B)的不同之處在于齊納二極管芯片36安裝在引線框架12上。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與第八實(shí)施例的上述第三變形例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第五變形例。圖31A是舉例說明按照本變形例的LED封裝的平面圖，圖31B是該LED封裝的截面圖。如圖31A和31B中所示，本變形例是上述第五實(shí)施例和第八實(shí)施例的結(jié)合。更具體地說，按照本變形例的LED封裝Se和按照上述第八實(shí)施例的LED封裝8 (參見圖25A和 25B)的不同之處在于包括8個(gè)垂直導(dǎo)電的LED芯片41，而不是8個(gè)具有頂面端子的LED芯片14。此外，和第五實(shí)施例中一樣，每個(gè)LED芯片41的底面端子(未示出)經(jīng)導(dǎo)電的裝片材料42連接到引線框架11。此外，每個(gè)LED芯片41的頂面端子41a經(jīng)導(dǎo)線16連接到引線框架12。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第五和第八實(shí)施例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第六變形例。圖32A是舉例說明按照本變形例的LED封裝的平面圖，圖32B是該LED封裝的截面圖。如圖32A和32B中所示，本變形例是上述第六實(shí)施例和第八實(shí)施例的結(jié)合。更具體地說，按照本變形例的LED封裝8f和按照上述第八實(shí)施例的LED封裝8 (參見圖25A和 25B)的不同之處在于包括5個(gè)倒裝型LED芯片46，而不是8個(gè)具有頂面端子的LED芯片14。 此外，和第六實(shí)施例中一樣，每個(gè)LED芯片46被布置成橋，以便跨在引線框架11和引線框架12之間，同時(shí)一個(gè)底面端子連接到引線框架11，另一個(gè)底面端子連接到引線框架12。從而，5個(gè)LED芯片46彼此并聯(lián)地連接在引線框架11和引線框架12之間。除上述之外，本變形例的結(jié)構(gòu)、制造方法和功效與上述第六和第八實(shí)施例的相似。下面說明第八實(shí)施例的第七變形例。本變形例是上述第八實(shí)施例及其變形例的制造方法的例子。圖33A-33E是舉例說明在本變形例中使用的引線框架片的器件區(qū)域的平面圖。圖 33A表示在一個(gè)LED封裝上安裝一個(gè)LED芯片的情況。圖3 表示安裝2個(gè)LED芯片的情況。圖33C表示安裝4個(gè)LED芯片的情況。圖33D表示安裝6個(gè)LED芯片的情況。圖33E 表示安裝8個(gè)LED芯片的情況。這里，圖33A-33E是按相同比例繪制的。此外，在每個(gè)圖中只示出了一個(gè)器件區(qū)域 P，然而實(shí)際上，眾多的器件區(qū)域P被排列成矩陣。此外，未示出劃片區(qū)域D。如圖33A-33E中所示，隨著安裝在一個(gè)LED封裝上的LED芯片的數(shù)目變得越大，一個(gè)器件區(qū)域P的面積增大，并且包括在一個(gè)方塊B中的器件區(qū)域P的數(shù)目減小。然而，即使 LED芯片的數(shù)目變化，引線框架片23的基本結(jié)構(gòu)，比如引線框架片23的尺寸、方塊B的排列等仍相同。此外，引線框架片23的形成方法也相同。此外，利用引線框架片23的LED封裝的制造方法也相同。唯一的變化是方塊B中的布局。因此，按照本變形例，僅僅通過改變引線框架片23中的每個(gè)方塊B中的布局，就能夠有選擇地形成按照上述第八實(shí)施例及其變形例的LED封裝。這里，安裝在一個(gè)LED封裝上的LED芯片的數(shù)目是任意的，例如可以是7個(gè)或者9個(gè)或更多。下面說明本發(fā)明的第九實(shí)施例。圖34A是舉例說明按照第九實(shí)施例的LED封裝的透視圖。圖34B-34E是圖解說明按照第九實(shí)施例的LED封裝的側(cè)視圖。如圖34A-34E中所示，按照本實(shí)施例的LED封裝9的結(jié)構(gòu)與上述第一實(shí)施例的相似。然而，本實(shí)施例規(guī)定了在透明樹脂體17的側(cè)面17a-17d露出的引線框架的各個(gè)區(qū)域的長度的總和E與在XY平面中這些側(cè)面的整個(gè)周長L的比值(E/LX100)%的范圍。下面，該比值(E/LX100) %被稱為“總懸置引腳寬度比”。更具體地說，如圖34A中所示，透明樹脂體17的X方向長度用Lx表示，Y方向長度用Ly表示。從而，透明樹脂體17的側(cè)面17a-17d的整個(gè)周長L用L = 2(Lx+Ly)給出。 另一方面，懸置引腳Ilb-Ile和12b-12e的末端面的X方向和Y方向長度分別用Enb-Elle和 E12b-Em表示。從而，在透明樹脂體17的側(cè)面露出的引線框架11和12的各個(gè)區(qū)域的X方向和Y方向長度的總和E用下述給出E — Ellb+Ellc+Elld+Elle+E12b+E12c+E12d+E12e下面，所述總和E被稱為“露出長度”。在第九實(shí)施例中，總懸置引腳寬度比，即， (E/LX 100) %的值的范圍為21-91 %，更優(yōu)選為30-88%。通常，為了增大如第九實(shí)施例中那樣構(gòu)成的LED封裝的光提取效率，最好使引線框架的面積達(dá)到最大，以增大引線框架反射的光。隨著引線框架的面積的增大，上述露出長度相應(yīng)增大。另一方面，為了提高把導(dǎo)線接合到引線框架片和安裝在引線框架片上的LED 芯片的接合性能，需要在接合時(shí)牢固地支持引線框架。這是因?yàn)槿绻雍喜糠植环€(wěn)定，那么為接合而施加的超聲波不能有效起作用。為了牢固地支持引線框架，最好加大引線框架片 23的橋2 和23c (參見圖7B)的寬度，以及增大橋的數(shù)目。加大橋的寬度和增大橋的數(shù)目不可避免會使露出長度加長。然而，如果露出長度被加長并且總懸置引腳寬度比被增大，那么在透明樹脂體的側(cè)面的引線框架的露出區(qū)域中，引線框架變得可能從透明樹脂體剝落。如果引線框架從透明樹脂體剝落從而形成開口，那么LED封裝的特性惡化。例如，在引線框架和透明樹脂體之間形成的空氣層會降低光反射效率。通過開口滲入的水分加速引線框架的腐蝕。此外，通過開口滲入的水分到達(dá)導(dǎo)線，從而腐蝕導(dǎo)線。例如，如果引線框架的鍍銀層被通過開口滲入的氧氣和水分氧化或硫化，那么引線框架的光反射率降低。因此，如果總懸置引腳寬度比過高，那么LED封裝的特性會惡化。相反，如果總懸置引腳寬度比過低，那么導(dǎo)線接合性能惡化，從而降低光反射效率。因此，存在總懸置引腳寬度比的優(yōu)選范圍。在第九實(shí)施例中，總懸置引腳寬度比(E/LX 100)%的范圍被設(shè)定為21-91%。這能夠抑制引線框架和透明樹脂體之間的剝離，提高導(dǎo)線接合性能，并確保光反射效率。
下面，參考具體數(shù)據(jù)說明這種效果。首先，說明總懸置引腳寬度比對LED封裝的特性退化的影響。圖35是舉例說明總懸置引腳寬度比對LED封裝的特性退化的影響的示圖。水平軸代表總懸置引腳寬度比，垂直軸代表特性退化率。用在上述第一實(shí)施例中說明的方法，來制備總懸置引腳寬度比不同的LED封裝。 這里，對于每個(gè)水平的總懸置引腳寬度比，制備多個(gè)LED封裝。隨后，對這些LED封裝進(jìn)行 168小時(shí)的通電測試。在通電測試開始時(shí)，所有LED封裝照亮。隨著通電時(shí)間的過去，LED 封裝不斷退化，從而在一些LED封裝中，亮度降低?！疤匦酝嘶省北欢x為經(jīng)歷所述通電測試的具有相同數(shù)值的總懸置引腳寬度比的所有LED封裝之中，在結(jié)束168小時(shí)通電測試時(shí)， 各個(gè)LED封裝的亮度降低比率之和。例如，如果10個(gè)LED封裝中的一個(gè)變得完全不亮，而 9個(gè)LED封裝的亮度沒有變化，那么特性退化率為10%。如圖35中所示，對于一些總懸置引腳寬度比為97%的LED封裝，在168小時(shí)通電測試期間，亮度降低。在變暗的LED封裝中，從引線框架的露出區(qū)域，觀察到引線框架和導(dǎo)線的腐蝕。相反，對于總懸置引腳寬度比為91%或更小的任意LED封裝，在168小時(shí)通電測試之后，不存在亮度的降低。根據(jù)該測試的結(jié)果，認(rèn)為可取的是總懸置引腳寬度比為91 %或更小。接下來，說明總懸置引腳寬度比對導(dǎo)線接合性能的影響。圖36是舉例說明總懸置引腳寬度比對導(dǎo)線接合性能的影響的示圖。水平軸代表總懸置引腳寬度比，垂直軸代表接合測試中的良品率。利用在上述第一實(shí)施例中說明的方法，制備橋的數(shù)目和橋的寬度不同的多種引線框架片。圖36的水平軸代表假定用這些引線框架片制造的LED封裝的總懸置引腳寬度比的數(shù)值。之后，把導(dǎo)線接合到這些引線框架片。導(dǎo)線接合是利用超聲波焊接進(jìn)行的。更具體地說，通過對引線框架片和導(dǎo)線之間的接觸部分施加熱、重量和超聲波，導(dǎo)線的末端被熔化，從而接合到引線框架上。在每個(gè)引線框架片上形成20個(gè)這樣的接合部分。隨后，對這些接合部分進(jìn)行剝離測試。更具體地說，用鑷子拖拉所述導(dǎo)線，從而從引線框架片剝離。利用顯微鏡從上方觀察剝離的痕跡。當(dāng)以1/3或更多的面積比在縫合部分中留有熔化的導(dǎo)線材料時(shí)，該接合部分被確定為“無缺陷”。當(dāng)面積比小于1/3時(shí)，接合部分被確定為“有缺陷”。這里，如果導(dǎo)線被足夠牢固地接合到引線框架片，那么當(dāng)被拖拉時(shí)，導(dǎo)線部分?jǐn)嗔?，大部分?dǎo)線材料殘留在接合部分中。如圖36中所示，在總懸置引腳寬度比為14%的引線框架片中，20個(gè)接合部分中的 5個(gè)有缺陷。即，良品率為75%。相反，在總懸置引腳寬度比為21%或更多的引線框架片中，所有的接合部分都無缺陷。即，良品率為100%。根據(jù)該測試的結(jié)果，認(rèn)為可取的是總懸置引腳寬度比為21%或更多。在表1中總結(jié)了圖35中所示的測試結(jié)果和圖36中所示的測試結(jié)果。這里，表1 中所示的“_”表示無對應(yīng)數(shù)據(jù)。如表1中所示，從特性退化率的觀點(diǎn)來看，總懸置引腳寬度比優(yōu)選為91%或更小，從接合性能的觀點(diǎn)來看，總懸置引腳寬度比優(yōu)選為21%或更大。因此，總懸置引腳寬度比優(yōu)選為21-91%。如果考慮到處理?xiàng)l件的變化而留有一定余量，那么總懸置引腳寬度比更優(yōu)選的為30-88%。[表1]
權(quán)利要求
1.一種LED封裝，包括置于同一個(gè)平面上并彼此隔開的第一和第二引線框架；設(shè)置在第一和第二引線框架上的LED芯片，LED芯片的一個(gè)端子連接到第一引線框架， 另一個(gè)端子連接到第二引線框架；以及樹脂體，所述樹脂體覆蓋所述LED芯片，覆蓋所述第一和第二引線框架的每一個(gè)的頂面、部分底面和部分端面，并露出底面的剩余部分和端面的剩余部分。
2.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中，在第一引線框架的底面和第二引線框架的底面中形成突起，并且， 所述突起的底面在所述樹脂體的底面露出，并且所述突起的側(cè)面被所述樹脂體覆蓋。
3.按照權(quán)利要求2所述的LED封裝，其中，在與第一和第二引線框架的彼此相對的邊緣隔開的區(qū)域中形成所述突起。
4.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中， 第一引線框架和第二引線框架中的至少一個(gè)包括 基板部分；和從基板部分沿著相互不同的方向伸出的三個(gè)懸置引腳，所述三個(gè)懸置引腳的每一個(gè)的底面被所述樹脂體覆蓋，所述三個(gè)懸置引腳的每一個(gè)的末端面在所述樹脂體的側(cè)面露出， 并且，所述基板部分的端面被所述樹脂體覆蓋。
5.按照權(quán)利要求4所述的LED封裝，其中， 當(dāng)從上方觀察時(shí)，所述基板部分的形狀為矩形，所述三個(gè)懸置引腳被置于同一個(gè)平面上，并且分別從基板部分的三個(gè)不同側(cè)面伸出。
6.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中，當(dāng)從上方觀察時(shí)，所述樹脂體的形狀為矩形，以及第一引線框架和第二引線框架中的至少一個(gè)包括 端面被所述樹脂體覆蓋的基板部分；從基板部分伸出的多個(gè)懸置引腳，所述多個(gè)懸置引腳的底面被所述樹脂體覆蓋，所述多個(gè)懸置引腳的末端面分別在所述樹脂體的三個(gè)不同側(cè)面露出。
7.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中，所述一個(gè)端子和另一個(gè)端子都設(shè)置在LED芯片的頂面上，所述LED封裝進(jìn)一步包括把所述一個(gè)端子連接到第一引線框架的第一導(dǎo)線； 把所述另一個(gè)端子連接到第二引線框架的第二導(dǎo)線；和位于第一引線框架和第二引線框架之間的第三引線框架，所述第三引線框架的部分底面和部分端面從所述樹脂體露出，所述LED芯片被安裝在所述第三引線框架上。
8.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中， 所述LED芯片安裝在第一引線框架上，所述一個(gè)端子和另一個(gè)端子都被設(shè)置在所述LED芯片的頂面上， 所述LED封裝進(jìn)一步包括把所述一個(gè)端子連接到第一引線框架的第一導(dǎo)線；和把所述另一個(gè)端子連接到第二引線框架的第二導(dǎo)線。
9.按照權(quán)利要求8所述的LED封裝，進(jìn)一步包括 把所述LED芯片固定到第一引線框架的裝片材料，在安裝LED芯片的區(qū)域和接合第一導(dǎo)線的區(qū)域之間，在第一引線框架的頂面中形成的凹槽。
10.按照權(quán)利要求8所述的LED封裝，進(jìn)一步包括 把所述LED芯片固定到第一引線框架的裝片材料，在第一引線框架的頂面中形成的凹進(jìn)部分，所述LED芯片位于所述凹進(jìn)部分內(nèi)，以及接合第一導(dǎo)線的區(qū)域位于所述凹進(jìn)部分之外。
11.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中， 所述LED芯片安裝在第一引線框架上，以及所述一個(gè)端子設(shè)置在所述LED芯片的底面上，以及所述另一個(gè)端子設(shè)置在所述LED芯片的頂面上，所述LED封裝進(jìn)一步包括用導(dǎo)電材料制成的裝片材料，所述裝片材料把LED芯片固定到第一引線框架上，并把所述一個(gè)端子連接到第一引線框架；和把所述另一個(gè)端子連接到第二引線框架的導(dǎo)線。
12.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，進(jìn)一步包括連接在第一引線框架和第二引線框架之間的齊納二極管芯片； 把所述齊納二極管芯片的頂面端子連接到第一引線框架的導(dǎo)線；和附著在第二引線框架的頂面上并把齊納二極管芯片的底面端子連接到第二引線框架的裝片材料，所述齊納二極管芯片借助所述裝片材料被安裝在第二引線框架上。
13.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，進(jìn)一步包括連接在第一引線框架和第二引線框架之間的齊納二極管芯片； 把所述齊納二極管芯片的頂面端子連接到第二引線框架的導(dǎo)線；和附著在第一引線框架的頂面上并把所述齊納二極管芯片的底面端子連接到第一引線框架的裝片材料，所述齊納二極管芯片借助所述裝片材料被安裝在第一引線框架上。
14.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中，所述一個(gè)端子和另一個(gè)端子都被設(shè)置在所述LED芯片的頂面上，所述LED封裝進(jìn)一步包括附著在第一引線框架的頂面上并把所述LED芯片安裝在第一引線框架上的裝片材料， 把所述一個(gè)端子連接到第一引線框架的第一導(dǎo)線； 把所述另一個(gè)端子連接到第二引線框架的第二導(dǎo)線； 附著在第二引線框架的頂面上的另一個(gè)裝片材料；底面端子借助所述另一個(gè)裝片材料被連接到第二引線框架的齊納二極管芯片；以及把齊納二極管芯片的頂面端子連接到第一引線框架的第三導(dǎo)線， 在安裝LED芯片的區(qū)域和接合第一導(dǎo)線的區(qū)域之間，以及在安裝LED芯片的區(qū)域和接合第三導(dǎo)線的區(qū)域之間，在第一引線框架的頂面中形成的凹槽，在安裝齊納二極管芯片的區(qū)域和接合第二導(dǎo)線的區(qū)域之間，在第二引線框架的頂面中形成的凹槽。
15.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中，設(shè)置并且以交錯(cuò)圖案排列多個(gè)所述LED芯片。
16.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，其中，在樹脂體的側(cè)面露出的引線框架的各個(gè)區(qū)域的總長度與樹脂體的側(cè)面的總周長之比為21-91%。
17.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，進(jìn)一步包括 設(shè)置在樹脂體上的透鏡。
18.按照權(quán)利要求1所述的LED封裝，進(jìn)一步包括 位于透明樹脂體中的熒光體，所述LED芯片發(fā)出藍(lán)光，以及所述熒光體包括吸收藍(lán)光并發(fā)出綠光的熒光體和吸收藍(lán)光并發(fā)出紅光的熒光體。
19.一種LED封裝，包括具有包括第一和第二凹槽的頂面的第一引線框架； 布置成與第一引線框架隔開的第二引線框架；安裝在第一引線框架上并以交錯(cuò)圖案排列在第一凹槽和第二凹槽之間的區(qū)域中的第一到第四LED芯片，在第一到第四LED芯片的每一個(gè)的頂面上設(shè)置一對端子；安裝在第二引線框架上的齊納二極管芯片，所述齊納二極管芯片的底面端子接合到第二引線框架；第一導(dǎo)線，第一導(dǎo)線的一端被接合到第一引線框架的頂面上的一個(gè)區(qū)域，當(dāng)從第一凹槽觀察時(shí)，該區(qū)域在與安裝第一到第四LED芯片的區(qū)域的相對側(cè)，第一導(dǎo)線的另一端被接合到第一 LED芯片的端子之一；第二導(dǎo)線，第二導(dǎo)線的一端被接合到第一 LED芯片的另一個(gè)端子，第二導(dǎo)線的另一端被接合到第二 LED芯片的端子之一；第三導(dǎo)線，第三導(dǎo)線的一端被接合到第二 LED芯片的另一個(gè)端子，第三導(dǎo)線的另一端被接合到第三LED芯片的端子之一；第四導(dǎo)線，第四導(dǎo)線的一端被接合到第三LED芯片的另一個(gè)端子，第四導(dǎo)線的另一端被接合到第四LED芯片的端子之一；第五導(dǎo)線，第五導(dǎo)線的一端被接合到第四LED芯片的另一個(gè)端子，第五導(dǎo)線的另一端被接合互第二引線框架；第六導(dǎo)線，第六導(dǎo)線的一端被接合到第一引線框架的頂面上的一個(gè)區(qū)域，當(dāng)從第二凹槽觀察時(shí)，該區(qū)域在與安裝第一到第四LED芯片的區(qū)域的相對側(cè)，第六導(dǎo)線的另一端被接合到齊納二極管芯片的頂面端子；以及樹脂體，所述樹脂體覆蓋所述第一到第四LED芯片、所述齊納二極管芯片、以及所述第一到第六導(dǎo)線，覆蓋第一和第二引線框架的每一個(gè)的頂面、部分底面和部分端面，并且露出底面的剩余部分和端面的剩余部分。
20.一種制造LED封裝的方法，包括通過有選擇地從用導(dǎo)電材料制成的導(dǎo)電片除去導(dǎo)電材料，把多個(gè)器件區(qū)域排列成矩陣，在每個(gè)器件區(qū)域中形成包括彼此隔開的第一和第二引線框架的基本圖案，以及在器件區(qū)域之間的劃片區(qū)域中形成引線框架片，引線框架片包括剩余的連接在相鄰器件區(qū)域之間的導(dǎo)電材料；在引線框架片上的每個(gè)器件區(qū)域上安裝LED芯片，把LED芯片的一個(gè)端子連接到第一引線框架，并把另一個(gè)端子連接到第二引線框架；在引線框架片上形成樹脂板，以覆蓋引線框架片的器件區(qū)域的頂面和部分底面和填埋 LED芯片；以及除去位于引線框架片和樹脂板的劃片區(qū)域中的部分。
21.按照權(quán)利要求20所述的制造LED封裝的方法，其中，在形成引線框架片時(shí)，通過從頂面?zhèn)群偷酌鎮(zhèn)扔羞x擇地蝕刻導(dǎo)電片并在穿透導(dǎo)電片之前至少停止從底面?zhèn)鹊奈g刻，在第一引線框架的底面中和在第二引線框架的底面中形成突起，以及在形成樹脂板時(shí)，在樹脂板的底面露出突起的底面。
22.按照權(quán)利要求20所述的制造LED封裝的方法，其中，在形成引線框架片時(shí)，使貫穿劃片區(qū)域并且連接到相鄰器件區(qū)域的導(dǎo)電材料的至少三個(gè)剩余部分從第一引線框架和第二引線框架中的至少一個(gè)朝著不同方向伸出。
23.按照權(quán)利要求20所述的制造LED封裝的方法，其中，在形成引線框架片時(shí)，在第一引線框架的頂面中形成凹槽，以及所述連接包括把裝片材料附著到第一引線框架的頂面上所述凹槽的一側(cè)； 把LED芯片接合到所述裝片材料； 把導(dǎo)線的一端接合到所述一個(gè)端子；和把導(dǎo)線的另一端接合到第一引線框架的頂面上所述凹槽的另一側(cè)。
24.按照權(quán)利要求20所述的制造LED封裝的方法，其中，在形成引線框架片時(shí)，在第一引線框架的頂面中形成凹進(jìn)部分，以及所述連接包括把裝片材料附著到第一引線框架的頂面上所述凹進(jìn)部分內(nèi)；把LED芯片接合到所述裝片材料；把導(dǎo)線的一端接合到所述一個(gè)端子；以及把導(dǎo)線的另一端接合到第一引線框架的頂面上所述凹進(jìn)部分之外。
25.按照權(quán)利要求20所述的制造LED封裝的方法，其中， 樹脂板的形成包括把液體或半液體樹脂供給到模具的凹進(jìn)部分內(nèi)；和在把引線框架片的頂面壓向樹脂的狀態(tài)下，固化樹脂。
26.按照權(quán)利要求20所述的制造LED封裝的方法，其中，在除去位于引線框架片和樹脂板的劃片區(qū)域中的部分時(shí)，從引線框架片的底面?zhèn)冗M(jìn)行劃片。
全文摘要
公開的LED封裝包括置于同一個(gè)平面上并且彼此隔開的第一和第二引線框架；設(shè)置在第一和第二引線框架上的LED芯片，LED芯片的一個(gè)端子連接到第一引線框架，另一個(gè)端子連接到第二引線框架；以及樹脂體。所述樹脂體覆蓋LED芯片，覆蓋第一和第二引線框架的每一個(gè)的頂面、部分底面和部分端面，并露出底面的剩余部分和端面的剩余部分。
文檔編號H01L33/62GK102473827SQ201080029279
公開日2012年5月23日 申請日期2010年4月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年1月29日
發(fā)明者井上一裕, 刀禰館達(dá)郎, 小松哲郎, 巖下和久, 押尾博明, 清水聰, 渡元, 牛山直矢, 竹內(nèi)輝雄 申請人:株式會社東芝