專利名稱：半導(dǎo)體晶體管的制造方法、使用了由該方法制造的半導(dǎo)體晶體管的驅(qū)動電路、包括該驅(qū)動 ...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶體管的制造方法、使用了由該方法制造的半導(dǎo)體晶體管的驅(qū)動電路、包括該驅(qū)動電路和顯示元件的像素電路、該像素電路配置成行列狀的顯示面板、以及具有該顯示面板的顯示裝置。
背景技術(shù)：
以往，作為半導(dǎo)體晶體管公知有薄膜晶體管(以下，也記作“TFT”。)。TFT是場效應(yīng)晶體管的ー種，例如使用于在近年來進(jìn)行研究開發(fā)的EL顯示面板的驅(qū)動電路。
說明通常的薄膜晶體管的構(gòu)造。該晶體管中，在玻璃基板上形成有柵電極，在玻璃基板上覆蓋柵電極形成柵極絕緣層。而且，在柵極絕緣層上，源電極及漏電極(以下，也將這些電極ー并記作“SD電扱”。)形成在相互分離開的位置，以覆蓋SD電極的方式在柵極絕緣層上形成半導(dǎo)體層(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。作為SD電極的材料，例如使用金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鋁(Al)、鑰(Mo)、鎢(W)等。在形成TFT中的SD電極時，有時采用剝離エ藝(lift off process)。在該エ藝中，首先，在柵極絕緣層上形成抗蝕劑層。接著，在抗蝕劑層中的SD電極的形成預(yù)定區(qū)域形成開ロ。其后，對抗蝕劑層上及抗蝕劑層的開ロ的內(nèi)部進(jìn)行由電極材料構(gòu)成的金屬層的成膜，最后除去抗蝕劑層。此時，抗蝕劑層上的金屬層與抗蝕劑層一起被除去，僅殘留抗蝕劑層的開ロ的金屬層。該金屬層成為SD電極。金屬層的成膜使用例如蒸鍍法、濺射法，但是在剝離エ藝中，由于在柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層的形成預(yù)定區(qū)域形成有抗蝕劑層，因此能夠不會對該形成預(yù)定區(qū)域造成濺射引起的損傷而形成金屬層。專利文獻(xiàn)I :日本特開2007-5698號公報

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)采用上述剝離エ藝制造的半導(dǎo)體晶體管，能夠不會對柵極絕緣層上的半導(dǎo)體層的形成預(yù)定區(qū)域造成損傷而形成金屬層。但是，對于半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓的變化，希望進(jìn)ー步改進(jìn)。因此，本發(fā)明的目的在于提供一種減少伴隨對晶體管的通電時間的經(jīng)過的閾值電壓的變化量(AVth)的半導(dǎo)體晶體管的制造方法。為了解決上述課題，本發(fā)明的一方案的半導(dǎo)體晶體管的制造方法，是具有柵電扱、柵極絕緣層、源電極、漏電極及半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體晶體管的制造方法，包括第Iエ序，在包括基板的基底層上形成含有抗蝕劑材料的抗蝕劑層；第2エ序，對所述抗蝕劑層進(jìn)行局部圖案形成，在抗蝕劑層形成多個開ロ ；第3エ序，在所述抗蝕劑層上及所述抗蝕劑層的多個開ロ的內(nèi)部，形成含有構(gòu)成源電極及漏電極的金屬材料的金屬層；第4エ序，對由于所述金屬層的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層，通過使用清洗液進(jìn)行清洗處理而除去；第5エ序，在所述第4エ序之后，使用與所述清洗液不同的溶解液除去所述抗蝕劑層，由此形成由在所述抗蝕劑層的多個開ロ形成的金屬層構(gòu)成的源電極及漏電極；和第6エ序，覆蓋所述源電極及所述漏電極而形成半導(dǎo)體層。在本發(fā)明的一方案的半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，作為通過使用溶解液除去抗蝕劑層從而形成源電極及漏電極的第5エ序的前エ序，設(shè)置對由于金屬層的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層通過使用與溶解液不同的清洗液進(jìn)行清洗處理而除去的第4エ序。在第5エ序之前，預(yù)先除去金屬氧化物層，因此能夠減少在第5エ序中在使用溶解液除去抗蝕劑層時溶解在該溶解液中的金屬氧化物的量。結(jié)果，減少了金屬氧化物殘渣量，因此能夠減少在第5エ序后附著于溝道區(qū)域上的抗蝕劑殘渣量。如上所述，能夠減少在第5エ序后附著于溝道區(qū)域上的抗蝕劑殘渣量，因此能夠減少閾值電壓的變化量。


圖I是抗蝕劑殘渣量(Cls)與閾值電壓(Vth)變化量(AVth)的相關(guān)圖。圖2是表示將抗蝕劑殘渣量(Cls)抑制為lOOOcps以下時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖3(a)是表示應(yīng)カ施加時間⑴、閾值電壓(Vth)、閾值電壓變化量(AVth)的關(guān)系的圖。圖3(b)是表示應(yīng)カ施加時間(t)與閾值電壓變化量(AVth)的關(guān)系的圖。圖4是鑰氧化物的殘渣量(Mo3d)與抗蝕劑殘渣量(Cls)的相關(guān)圖。圖5(a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的顯示裝置100的電結(jié)構(gòu)的框圖。圖5(b)是表示EL顯示面板105所具有的一像素電路的電路結(jié)構(gòu)及與其周邊電路的連接的圖。圖6是表示本實(shí)施方式的驅(qū)動晶體管204的結(jié)構(gòu)的圖。圖7是表示驅(qū)動晶體管204的制造エ序的一例的圖。圖8是表不驅(qū)動晶體管204的制造エ序中的圖7所不エ序的后續(xù)部分的一例的圖。圖9是表不驅(qū)動晶體管204的制造エ序中的圖8所不エ序的后續(xù)部分的一例的圖。圖10是表示驅(qū)動晶體管204的制造エ序的一部的示意圖。圖11是表示根據(jù)有無前清洗，在柵極絕緣層3上的源電極7與漏電極8之間的區(qū)域的抗蝕劑殘渣量(Cls)的變化的圖。圖12是表示不進(jìn)行前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖13是表示進(jìn)行了前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖14(a)是表不不進(jìn)行前清洗時的應(yīng)力施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖14(b)是表示進(jìn)行了前清洗時的應(yīng)力施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖14(c)是表示應(yīng)カ施加時間與閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖15是表示根據(jù)有無前清洗，在柵極絕緣層3上的源電極7與漏電極8之間的區(qū)域的抗蝕劑殘渣量(Cls)的變化的圖
圖16是表示不進(jìn)行前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖17是表示進(jìn)行了前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。
圖18(a)是表示不進(jìn)行前清洗時的應(yīng)力施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖18(b)是表示進(jìn)行了前清洗時的應(yīng)力施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖18(c)是表示應(yīng)カ施加時間與閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖19是示意表示實(shí)施方式I的EL顯示面板105的要部的局部剖面圖。圖20是表示顯示裝置100的外觀的圖。
具體實(shí)施例方式[得到本發(fā)明的一方案的原委]以下，在具體說明本發(fā)明的方案之前，說明得到本發(fā)明的方案的原委。本發(fā)明人為了調(diào)查形成源電極及漏電極時的抗蝕劑殘渣量與伴隨對晶體管的通電時間的經(jīng)過的閾值電壓的變化量的關(guān)系而進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn)。首先，使用卟啉作為有機(jī)半導(dǎo)體材料，作為SD電極的電極材料，使用對卟啉具有良好的電荷注入特性的金(Au)，通過剝離エ藝在柵極絕緣層上形成SD電極。然后，用X射線光電子分光裝置(XPS X-ray photoelectron spectroscopy,X射線光電子譜)測定柵極絕緣層上的源電極與漏電極之間的區(qū)域的抗蝕劑殘洛量。以Cls的cps (counts per second,姆秒鐘計數(shù))量評價抗蝕劑殘洛量。其后，以覆蓋SD電極的方式在柵極絕緣層上形成有機(jī)半導(dǎo)體層后，對半導(dǎo)體晶體管施加應(yīng)カ電壓(stress voltage)(以下,也簡稱為“應(yīng)力”)(柵極電壓(Vgs)為-40V,漏極-漏極之間的電壓(Vds)為-40V) 20000s,測定閾值電壓的變化量。而且改變清洗時間，進(jìn)行2次與上述同樣的實(shí)驗(yàn)。將其結(jié)果示于圖I。圖I是抗蝕劑殘渣量(Cls)與閾值電壓(Vth)變化量(AVth)的相關(guān)圖。橫軸表示Cls的cps量，縱軸表示閾值電壓(Vth)變化量(AVth)。本發(fā)明人確認(rèn)到如圖I所示，抗蝕劑殘渣量越多則閾值電壓的變化量越大。圖2是表示在使用金(Au)作為SD電極的電極材料時、將抗蝕劑殘渣量抑制為lOOOcps以下時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖2中，橫軸表示柵極電壓(Vgs)，縱軸表示漏極電流(Id)，示出每個應(yīng)力施加時間(0s、100s、200s、1000s、2000s、10000s)的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性。其中，關(guān)于應(yīng)カ電壓，柵極電壓(Vgs)為-40V，源扱-漏極電壓(Vds)為-40V。本發(fā)明人確認(rèn)到如圖2所示，隨著應(yīng)力施加時間變長，閾值電壓向負(fù)側(cè)變化，但其變化量小。在此，閾值電壓是指使柵極電壓從OV變化為負(fù)側(cè)時，開始流動預(yù)定電流-Ith的電壓。另外，具體的計算方法是在縱軸為^ Id、橫軸為Vg
的曲線圖中，將從^Id的斜率最大的點(diǎn)引出的切線與橫軸Vg的交點(diǎn)設(shè)定為閾值電壓Vth。圖2中，例示了應(yīng)カ施加時間為OsUOOOOs的閾值電壓(Vth0、Vthl0000)，應(yīng)カ施加時間從0到10000s的閾值電壓的變化量是IV左右。使用圖3進(jìn)ー步詳細(xì)說明閾值電壓的變化量。圖3(a)是表示應(yīng)カ施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。使應(yīng)カ施加中的某時間點(diǎn)(0s、100s、200s、1000s、2000sU0000s)的閾值電壓與自O(shè)s時間點(diǎn)起的閾值電壓的變化量對應(yīng)地表示。圖3 (b)是表示應(yīng)カ施加時間與閾值電壓變化量的關(guān)系的圖，用對數(shù)顯示圖3(a)所示的應(yīng)カ施加時間與閾值電壓的變化量。橫軸表不應(yīng)カ施加時間，縱軸表不閾值電壓的變化量。如圖3(b)所示，隨著應(yīng)力施加時間變長，閾值電壓的變化量變大。應(yīng)カ施加時間為例如4000小時(以下，記作“4kh”)時的閾值電壓的變化量是3V。如上所述，本發(fā)明人通過上述實(shí)驗(yàn)確認(rèn)到通過使抗蝕劑殘渣量為lOOOcps以下，將應(yīng)カ施加時間為4kh時的閾值電壓的變化量減少至3V。公知在使用非晶硅(以下，記作“a-Si”。)的半導(dǎo)體晶體管中，在應(yīng)カ施加時間為4kh時發(fā)生約45V的閾值電壓的變化，在本次的實(shí)驗(yàn)中，成功得到了比使用a-Si的半導(dǎo)體晶體管高的穩(wěn)定性。但是，金(Au)較昂貴，未必適于量產(chǎn)化，因此本發(fā)明人使用比金(Au)價格低廉且適于量產(chǎn)化的鑰(Mo)作為電極材料，重新進(jìn)行上述實(shí)驗(yàn)。結(jié)果，確認(rèn)到與使用金(Au)作為電極材料的情況相比，抗蝕劑殘渣量極度增加。在剝離エ藝中，在柵極絕緣層與半導(dǎo)體層的界面(溝道區(qū)域)形成抗蝕劑層，因此對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言推定為エ藝殘渣的就是抗 蝕劑殘渣。但是，為了探尋抗蝕劑殘渣量的増加原因而詳細(xì)研究基板，在柵極絕緣層上發(fā)現(xiàn)了使用金(Au)作為電極材料時不存在的金屬(鑰)氧化物的殘渣。本發(fā)明人考察了鑰氧化物殘渣量與抗蝕劑殘渣量的關(guān)系，結(jié)果進(jìn)行了關(guān)于鑰氧化物殘渣量與抗蝕劑殘渣量的新實(shí)驗(yàn)。其結(jié)果示于圖4。圖4是鑰氧化物的殘渣量與抗蝕劑殘渣量的相關(guān)圖。橫軸表示來源于鑰氧化物的Mo3d的cps量，縱軸表示來源于抗蝕劑材料的Cls的cps量。本發(fā)明人查明了 如圖4所示，鑰氧化物殘渣量與抗蝕劑殘渣量存在相關(guān)(比例關(guān)系)，抗蝕劑殘渣量的増加原因在于鑰氧化物殘渣。如上所述，由于柵極絕緣層與半導(dǎo)體層的界面基本上被抗蝕劑層覆蓋，因此即使存在殘渣也是抗蝕劑殘渣，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員的一般的技術(shù)知識。但是，本發(fā)明人得到抗蝕劑殘渣量的増加原因在于金屬氧化物殘渣這一新知識，結(jié)果，作為使用溶解液來除去抗蝕劑層從而形成SD電極的エ序的前處理，實(shí)施使用溶解金屬氧化物的清洗液的清洗處理。如此，在除去抗蝕劑層之前作為其前處理進(jìn)行使金屬氧化物溶解的清洗處理，是通過得到上述知識而能想到的技術(shù)事項，僅基于上述以往的技術(shù)知識是難以得到的。結(jié)果，能夠減少附著于溝道區(qū)域的抗蝕劑殘渣量，通過抗蝕劑殘渣量的減少能夠使閾值電壓的變化量減少?；谏鲜龅男轮R、實(shí)驗(yàn)、考察，本發(fā)明人能夠得出作為本發(fā)明的一方案的半導(dǎo)體晶體管的制造方法。[實(shí)施方式]本發(fā)明的一方案的半導(dǎo)體晶體管的制造方法，是具有柵電極、柵極絕緣層、源電極、漏電極及半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體晶體管的制造方法，包括 第Iエ序，在包括基板的基底層上形成含有抗蝕劑材料的抗蝕劑層；第2エ序，對所述抗蝕劑層進(jìn)行局部圖案形成，在抗蝕劑層形成多個開ロ ；第3エ序，在所述抗蝕劑層上及所述抗蝕劑層的多個開ロ的內(nèi)部，形成含有構(gòu)成源電極及漏電極的金屬材料的金屬層；第4エ序，對由于所述金屬層的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層，通過使用清洗液進(jìn)行清洗處理而除去；第5エ序，在所述第4エ序之后，使用與所述清洗液不同的溶解液除去所述抗蝕劑層，由此形成由在所述抗蝕劑層的多個開ロ形成的金屬層構(gòu)成的源電極及漏電極；和第6エ序，覆蓋所述源電極及所述漏電極而形成半導(dǎo)體層。在本發(fā)明的一方案的半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，作為通過使用溶解液除去抗蝕劑層從而形成源電極及漏電極的第5エ序的前エ序，設(shè)置對由于金屬層的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層通過使用與溶解液不同的清洗液進(jìn)行清洗處理而除去的第4エ序。在第5エ序之前，預(yù)先除去金屬氧化物層，因此能夠減少在第5エ序中在使用溶解液除去抗蝕劑層時溶解在該溶解液中的金屬氧化物的量。結(jié)果，減少了金屬氧化物殘渣量，因此能夠減少在第5エ序后附著于溝道區(qū)域上的抗蝕劑殘渣量。如上所述，能夠減少在第5エ序后附著于溝道區(qū)域上的抗蝕劑殘渣量，因此能夠減少閾值電壓的變化量。在此，作為本發(fā)明的其他方案可以是，在所述第4エ序，使用所述清洗液不除去所述抗蝕劑層而除去在所述金屬層的表面部分形成的金屬氧化物層。在此，作為本發(fā)明的其他方案，在所述第4エ序，作為所述清洗液可以使用堿溶液，在所述第5エ序，作為所述溶解液可以使用有機(jī)系剝離液。
在此，作為本發(fā)明的其他方案，在所述第3エ序，作為構(gòu)成所述源電極及漏電極的金屬材料，可以使用鎢、鑰、由鑰鎢構(gòu)成的合金中的任ー種。本方案的半導(dǎo)體晶體管的制造方法中，作為構(gòu)成源電極及漏電極的金屬材料，使用鎢、鑰、由鑰鎢構(gòu)成的合金的任ー種，因此從量產(chǎn)方面考慮是有效的。在此，作為本發(fā)明的其他方案，所述基底層可以包括所述基板、形成在所述基板上的柵電極、和覆蓋所述柵電極形成的柵極絕緣層。在此，作為本發(fā)明的一方案的驅(qū)動電路設(shè)為使用了由上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管的驅(qū)動電路。本方案的驅(qū)動電路通過使用由作為上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管而得到，因此減少了附著于溝道區(qū)域的抗蝕劑殘渣量。由此，在本方案的驅(qū)動電路中，能夠使半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓的變化量減少。在此，作為本發(fā)明的一方案的像素電路包括顯示元件和對所述顯示元件供給驅(qū)動電流的驅(qū)動電路，所述驅(qū)動電路使用由上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管。本方案的像素電路的驅(qū)動電路通過使用由作為上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管而得到，因此減少了附著于溝道區(qū)域的抗蝕劑殘渣量。由此，在本方案的像素電路中，能夠使驅(qū)動電路的半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓的變化量減少。在此，作為本發(fā)明的一方案的顯示面板，行列狀配置有包括顯示元件和對所述顯示元件供給驅(qū)動電流的驅(qū)動電路而成的像素電路，所述驅(qū)動電路使用由上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管。本方案的顯示面板的各驅(qū)動電路通過使用由作為上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管而得到，因此減少了附著于溝道區(qū)域的抗蝕劑殘渣量。由此，在本方案的顯示面板中，能夠使各驅(qū)動電路的半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓的變化量減少。在此，作為本發(fā)明的一方案的顯示裝置設(shè)為具有上述本發(fā)明的一方案的顯示面板的顯示裝置。本方案的顯示裝置的各驅(qū)動電路通過使用由作為上述本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管而得到，因此減少了附著于溝道區(qū)域的抗蝕劑殘渣量。由此，在本方案的顯示裝置中，能夠使各驅(qū)動電路的半導(dǎo)體晶體管的閾值電壓的變化量減少。
[實(shí)施方式I]<顯示裝置100的結(jié)構(gòu)>使用圖5(a)說明本實(shí)施方式的顯示裝置100的整體結(jié)構(gòu)。圖5 (a)是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的顯示裝置100的電結(jié)構(gòu)的框圖。該圖的顯示裝置100包括控制電路101、存儲器102、掃描線驅(qū)動電路103、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104、和像素電路配置成行列狀的EL顯示面板105。圖5(b)是表示EL顯示面板105所具有的一像素電路的電路結(jié)構(gòu)及與其周邊電路的連接的圖。該圖的像素電路208包括掃描線200、數(shù)據(jù)線201、電源線202、開關(guān)晶體管203、驅(qū)動晶體管204、EL元件205、保持電容206、和共用電極207。開關(guān)晶體管203及驅(qū)動晶體管204是有機(jī)薄膜晶體管(OTFT)，是由作為本發(fā)明的一方案的制造方法制造出的。關(guān)于這些晶體管的結(jié)構(gòu)及制造方法的詳細(xì)情況將后述。周邊電路包括掃描線驅(qū)動電路103和數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104。由開關(guān)晶體管203、驅(qū)動晶體管204及保持電容206構(gòu)成驅(qū)動電路209。 從數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路104供給的信號電壓經(jīng)由開關(guān)晶體管203被施加于驅(qū)動晶體管204的柵電極。驅(qū)動晶體管204使與所施加的電壓相應(yīng)的電流在源電扱-漏電極之間流動。通過該電流流向EL元件205,從而EL元件205以與該電流相應(yīng)的發(fā)光輝度(brightness)而發(fā)光。以下，作為有機(jī)薄膜晶體管以驅(qū)動晶體管204為例說明其結(jié)構(gòu)。開關(guān)晶體管203與驅(qū)動晶體管204是同樣結(jié)構(gòu)，所以省略說明。<驅(qū)動晶體管204的結(jié)構(gòu)〉圖6是表示本實(shí)施方式的驅(qū)動晶體管204的結(jié)構(gòu)的圖。如圖6所示，本實(shí)施方式的驅(qū)動晶體管204在基板I上設(shè)有柵電極2，在設(shè)有該柵電極2的基板I上設(shè)有柵極絕緣層
3。在柵極絕緣層3上隔開間隔而設(shè)置源電極7及漏電極8，以覆蓋這些源電極7及漏電極8的方式設(shè)置半導(dǎo)體層9。柵電極2通過柵極絕緣層3與源電極7及漏電極8絕緣。在這樣結(jié)構(gòu)的驅(qū)動晶體管204中，通過調(diào)整施加于柵電極2的電壓的電壓值，控制在源電極7與漏電極8之間流動的電流。<各部結(jié)構(gòu)>基板I由例如無堿玻璃、鈉玻璃、無熒光玻璃、磷酸系玻璃、硼酸系玻璃、石英、丙烯酸系樹脂、苯こ烯系樹脂、聚碳酸酯系樹脂、環(huán)氧系樹脂、聚こ烯、聚酯、硅氧烷系樹脂或氧化鋁等絕緣性材料構(gòu)成。基板I也可以是有機(jī)樹脂膜。柵電極2由公知的電極材料形成。作為公知的電極材料，例如舉出銀、鈀和銅的合金、銀、銣和金的合金、鑰和鉻的合金(MoCr)、鎳和鉻的合金(NiCr)、鋁(Al)、鋁合金、氧化銦錫(ITO)，氧化銦鋅(IZO)等。柵極絕緣層3由公知的柵極絕緣體材料(例如氧化硅)形成。作為公知的柵極絕緣體材料，有機(jī)材料及無機(jī)材料都可以使用。源電極7及漏電極8由鎢(W)、鑰(Mo)、鑰鎢(MoW)的任一方形成。半導(dǎo)體層9由有機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成。具體而言，作為有機(jī)半導(dǎo)體材料可舉出涂敷型低分子材料(并苯系衍生物、葉啉、酞菁衍生物)低聚物高分子材料(噻吩系、芴系等)等。另外，半導(dǎo)體層9也可以由無機(jī)半導(dǎo)體材料構(gòu)成，例如作為無機(jī)半導(dǎo)體材料舉出氧化物半導(dǎo)體等。此外，除了公知的并苯系、噻吩系、芴系、酞菁系、葉啉系的有機(jī)物半導(dǎo)體之外，也可使用涂敷型氧化物等無機(jī)半導(dǎo)體。<驅(qū)動晶體管204的制造方法>接著,例示本實(shí)施方式的驅(qū)動晶體管204的制造エ序。圖7、8、9是表示驅(qū)動晶體管204的制造エ序的一例的圖。首先，準(zhǔn)備基板1，在基板I上形成柵電極2 (圖7(a))。柵電極2的形成，例如通過使用蒸鍍法、濺射等公知的薄膜形成方法而形成由上述電極材料構(gòu)成的薄膜，使用公知的光刻法、剝離法對該薄膜進(jìn)行圖案形成而進(jìn)行。接著，如圖7(b)所示，在基板I上覆蓋柵電極2形成作為硅氧化膜的柵極絕緣層3，如圖7(c)所示，通過在柵極絕緣層3上均勻地涂敷光致抗蝕劑而形成抗蝕劑層4。另外，作為柵極絕緣膜使用了硅氧化膜，但不限于硅氧化膜，例如可使用有機(jī)聚合物材料形成柵 極絕緣膜。其后，在抗蝕劑層4之上重疊具有預(yù)定形狀的開ロ部的掩模，從掩模上方使其感光，用顯影液(例如TMAH(Tetra methyl ammonium hydroxide,四甲基氫氧化銨)水溶液)洗掉多余的光致抗蝕劑(濕式エ藝)。由此抗蝕劑層4的圖案形成完成(圖7(d))。接著，如圖7(e)所示，在抗蝕劑層4上及通過圖案形成而形成的抗蝕劑層4的開ロ的內(nèi)部，通過例如濺射法形成由W、Mo、MoW的任一方構(gòu)成的薄膜金屬層5。但是，如圖8 (a)所不，成膜的金屬層5的表面部分被自然氧化,該氧化的部分成為金屬氧化物層6。因此，在除去抗蝕劑層4、形成源電極7及漏電極8之前，使用清洗液進(jìn)行清洗處理(圖8(b))，由此除去在金屬層5的表面部分形成的金屬氧化物層6 (以下，將使用清洗液的清洗處理稱為“前清洗”。)(圖8(c))。作為清洗液,可使用例如堿溶液。尤其優(yōu)選有機(jī)堿性水溶液，本實(shí)施例中，使用四甲基氫氧化銨TMAH(Tetra methyl ammonium hydroxide),但不限于此，例如可使用四こ基氫氧化銨、三甲基(2-羥こ基)氫氧化銨(膽堿)、甲基三羥こ基氫氧化銨、ニ甲基ニ羥こ基氫氧化銨等其他材料。除去金屬氧化物層6之后，通過使用與清洗液不同的溶解液除去抗蝕劑層4，從而形成源電極7及漏電極8(以下，將使用溶解液除去抗蝕劑層的處理稱為“抗蝕劑除去處理”。)(圖8 (d)，圖9 (a))，然后如圖9 (b)所示，覆蓋源電極7及柵電極8在柵極絕緣層3上形成半導(dǎo)體層9。作為溶解液,例如可使用有機(jī)系剝離液。本實(shí)施例中，作為溶解液使用ニ甲基甲酸胺DMF (N, N-dimethyIformamide),但不限于此，也可使用ニ甲亞諷DMSO (dimethylsulfoxide)、丙酮等其他材料。由此完成了本實(shí)施方式的驅(qū)動晶體管204。在此，對于如何實(shí)施前清洗エ序和抗蝕劑除去處理工序，簡單說明其一例。圖10是表示驅(qū)動晶體管204的制造エ序的一部分的示意圖。前清洗是通過在裝入例如容器a中的清洗液浸入進(jìn)行到圖8(a)所示エ序的狀態(tài)的元件300而進(jìn)行(圖10(1))?？刮g劑除去處理工序是通過接著前清洗之后在裝入其它的容器b中的溶解液浸入上述元件300而進(jìn)行(圖10 (2))。在前清洗之后，在從容器a取出的元件300的金屬層5表面殘留有清洗液，成為金屬層5表面被清洗液覆蓋的狀態(tài)。因此，在前清洗后，不另外進(jìn)行水清洗等而接著放入其它容器b，由此能夠防止在前清洗后金屬層5表面再次自然氧化。如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式的制造方法，作為通過使用溶解液除去抗蝕劑層4來形成源電極7及漏電極8的エ序的前エ序，設(shè)置對由于金屬層5的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層6，通過使用與溶解液不同的清洗液進(jìn)行清洗處理而將其除去的エ序。
在形成源電極7及漏電極8的エ序之前，預(yù)先除去金屬氧化物層6，因此能夠減少在使用溶解液除去抗蝕劑層時溶解于該溶解液中的金屬氧化物的量。結(jié)果，減少了金屬氧化物殘渣量，因此能夠減少在抗蝕劑除去處理工序后附著于溝道區(qū)域上的抗蝕劑殘渣量。由于能夠減少附著于溝道區(qū)域上的抗蝕劑殘渣量，因此能夠減少閾值電壓的變化量。<SD電極使用W時的抗蝕劑殘渣量與閾值電壓>對于用鎢形成源電極7及漏電極8時的抗蝕劑殘渣量與閾值電壓的關(guān)系，使用圖11 14進(jìn)行說明。圖11 14中，示出了用鎢形成源電極7及漏電極8的情況。圖11是表示根據(jù)有無前清洗，柵極絕緣層3上的源電極7與漏電極8之間的區(qū)域的抗蝕劑殘渣量的變化的圖。具體而言，圖11表示對于在不進(jìn)行前清洗時的抗蝕劑殘渣量、在用堿性水溶液進(jìn)行前清洗時的抗蝕劑殘渣量、在用堿性水溶液進(jìn)行前清洗且進(jìn)行用于洗掉堿性水溶液 的水清洗時的抗蝕劑殘渣量進(jìn)行比較。在此，用X射線光電子分光裝置測定在柵極絕緣層3上的源電極7與漏電極8之間的區(qū)域的抗蝕劑殘渣量。使用的X射線是1486. 6eV、探針(probe)直徑是lOOiim、測定能量范圍是275-295eV(即Cls的范圍)。此外，圖中的橫軸表示結(jié)合能，縱軸表示cps量。如圖11所示，在不進(jìn)行前清洗的通常的剝離エ藝中，Cls的cps量是1200cps左右，而在進(jìn)行前清洗的本實(shí)施方式的剝離エ藝(僅是前清洗而無水清洗)中，能夠?qū)ls的cps量減少至900cps左右。此外，在用堿性水溶液進(jìn)行前清洗，且進(jìn)行用于洗掉堿性水溶液的水清洗時，Cls的cps量為1000 llOOcps之間的值，與不進(jìn)行水清洗時相比，效果變小，但與通常的剝離エ藝相比，能夠減少Cls的cps量。從以上可知，與不進(jìn)行前清洗時相比，在進(jìn)行前清洗時能夠減少Cls的cps量，而且在進(jìn)行前清洗時，與在前清洗后進(jìn)行水清洗時相比，不進(jìn)行水清洗時能夠進(jìn)ー步減少Cls的cps量，效果顯著。另外，通過進(jìn)行前清洗來減少抗蝕劑殘渣量的原因及機(jī)理尚不十分明了，但推測如下。首先，根據(jù)圖4所示的鑰氧化物的殘渣量與抗蝕劑殘渣量的相關(guān)關(guān)系，認(rèn)為在抗蝕劑除去處理工序中，溶解的金屬氧化物與抗蝕劑發(fā)生物理附著或化學(xué)結(jié)合。因此，在抗蝕劑除去處理工序之前實(shí)施前清洗エ序，減少在抗蝕劑除去處理工序中溶解的金屬氧化物的量，由此在該エ序中與金屬氧化物物理或化學(xué)結(jié)合的抗蝕劑減少。結(jié)果，在抗蝕劑除去處理工序后附著于溝道區(qū)域的抗蝕劑殘渣減少。接著，圖12是表示不進(jìn)行前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖，圖13是表示進(jìn)行了前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖12、13的各自中，橫軸表示柵極電壓(Vgs)，縱軸表示漏極電流(Id)，示出了按每個應(yīng)カ施加時間(Os、100s、200s、1000s、2000s、10000s)的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性。此外，例示了應(yīng)力施加時間為OsUOOOOs的閾值電壓(VthO、VthlOOOO)。比較圖12、13可知，圖13(即進(jìn)行了前清洗吋)中隨著應(yīng)力施加時間的經(jīng)過的閾值電壓的變化量小。例如，在應(yīng)カ施加時從Os到10000s中，圖12中閾值電壓的變化量為
5.76V(參照后述的圖14(a))，而圖13中為0. 85V(參照后述的圖14(b))，圖13的變化量明顯小。
使用圖14進(jìn)ー步詳細(xì)說明閾值電壓的變化量。圖14(a)是表示不進(jìn)行前清洗時的應(yīng)カ施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖14(b)是表示進(jìn)行了前清洗時(但無水清洗)的應(yīng)カ施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖14(a)、圖14(d)的各自中，使應(yīng)カ施加中的某時間點(diǎn)(0s、100s、200s、1000s、2000s、10000s)的閾值電壓與自O(shè)s時間點(diǎn)起的閾值電壓的變化量對應(yīng)地表示。圖14(c)是表示在不進(jìn)行前清洗時以及進(jìn)行了前清洗時的應(yīng)力施加時間與閾值電壓變化量的關(guān)系的圖，用對數(shù)顯示圖14(a)、圖14(b)所示的應(yīng)カ施加時間與閾值電壓的變化量。橫軸表示應(yīng)カ施加時間，縱軸表示閾值電壓的變化量。如圖14(c)所示，與不進(jìn)行前清洗時相比，進(jìn)行了前清洗吋，閾值電壓的變化量小。在進(jìn)行了前清洗時，例如應(yīng)カ施加時間為4kh時的閾值電壓Vth的變化量是4V。如上所述，在使用a-Si的半導(dǎo)體晶體管中，在應(yīng)カ施加時間為4kh時出現(xiàn)約45V 的閾值電壓的變化。因此，即使在作為半導(dǎo)體層9使用有機(jī)半導(dǎo)體材料、并且SD電極不使用金而使用W時，通過進(jìn)行前清洗，也能夠得到比使用a-Si的半導(dǎo)體晶體管高的穩(wěn)定性。<SD電極使用Mo時的抗蝕劑殘渣量與閾值電壓>對于用鑰形成源電極7及漏電極8時的抗蝕劑殘渣量與閾值電壓的關(guān)系，使用圖15 18進(jìn)行說明。圖15 18中，示出了用鑰形成源電極7及漏電極8的情況。圖15是表示根據(jù)有無前清洗，柵極絕緣層3上的源電極7與漏電極8之間的區(qū)域的抗蝕劑殘渣量的變化的圖?？刮g劑殘渣量的測定條件如圖11中說明所示。如圖15所示，在不進(jìn)行前清洗的通常的剝離エ藝中，Cls的cps量為2500 3000cps之間的值，而進(jìn)行前清洗的本實(shí)施方式的剝離エ藝(但無水清洗)中，在使用堿作為清洗液時，能夠?qū)ls的cps量減少至lOOOcps 左右。接著，圖16是表示不進(jìn)行前清洗時的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖，圖17是表示進(jìn)行了前清洗時(但無水清洗)的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性的圖。圖16、17的各自中，橫軸表示柵極電壓(Vgs)，縱軸表示漏極電流(Id)，示出了按每個應(yīng)カ施加時間(0s、100s、200s、1000s、2000s、10000s)的漏極電流(Id)-柵極電壓(Vgs)特性。此夕卜，例示了應(yīng)カ施加時間為OsUOOOOs的閾值電壓(VthO、VthlOOOO)。比較圖16、17可知，圖17(即進(jìn)行了前清洗吋)中隨著應(yīng)力施加時間的經(jīng)過的閾值電壓的變化量小。例如，在應(yīng)カ施加時間從Os到10000s中，圖16中閾值電壓的變化量為8. OlV(參照后述的圖18(a))，而圖17中為0. 68V(參照后述的圖18(b))，圖17的變化量明顯小。使用圖18進(jìn)ー步詳細(xì)說明閾值電壓的變化量。圖18(a)是表示不進(jìn)行前清洗時的應(yīng)カ施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖18(b)是表示進(jìn)行了前清洗時的應(yīng)カ施加時間、閾值電壓、閾值電壓變化量的關(guān)系的圖。圖18(a)、圖18(b)的各自中，使應(yīng)カ施加中的某時間點(diǎn)(0s、100s、200s、1000s、2000s、10000s)的閾值電壓與自O(shè)s時間點(diǎn)起的閾值電壓的變化量對應(yīng)地表示。圖18(c)是表示不進(jìn)行前清洗時以及進(jìn)行了前清洗時(但無水清洗)的應(yīng)カ施加時間與閾值電壓變化量的關(guān)系的圖，用對數(shù)顯示圖18(a)、圖18(b)所示的應(yīng)カ施加時間與閾值電壓的變化量。橫軸表不應(yīng)カ施加時間，縱軸表不閾值電壓的變化量。如圖18(c)所示，與不進(jìn)行前清洗的情況相比，進(jìn)行了前清洗吋，閾值電壓的變化量小。在進(jìn)行了前清洗時，例如應(yīng)カ施加時間為4kh時的閾值電壓Vth的變化量是5V。因此，即使在作為半導(dǎo)體層9使用有機(jī)半導(dǎo)體材料、并且SD電極不使用金而使用Mo時，通過進(jìn)行前清洗，也能夠得到比使用a-Si的半導(dǎo)體晶體管高的穩(wěn)定性。<SD電極使用MoW時的抗蝕劑殘渣量與閾值電壓>接著，對用鑰鎢形成源電極7及漏電極8時的抗蝕劑殘渣量與閾值電壓的關(guān)系進(jìn)行說明。即使在用鑰鎢形成源電極7及漏電極8時，與不進(jìn)行前清洗的通常的剝離エ藝相比，使用堿作為清洗液來進(jìn)行前清洗的本實(shí)施方式的剝離エ藝也能夠減少Cls的cps量。這是因?yàn)榧词棺鳛榻饘賹?的MoW層的表面部分被自然氧化，該氧化的部分成為金屬氧化物層6，與金屬層5為Mo或W的情況同樣，通過進(jìn)行前清洗，也能夠除去在MoW層
的表面部分形成的金屬氧化物層6。此外，如圖14(c)及圖18(c)所示，通過將Cls的cps量減少至lOOOcps左右，能夠?qū)㈤撝惦妷旱淖兓繙p少至4V或5V。因此，與SD電極使用MoW的情況同樣，通過進(jìn)行前清洗，將Cls的cps量減少至lOOOcps左右，能夠減少閾值電壓的變化量。<EL顯示面板105的結(jié)構(gòu)>(EL顯示面板105的概略結(jié)構(gòu))詳細(xì)說明EL顯示面板105的結(jié)構(gòu)。圖19是示意表示實(shí)施方式I的EL顯示面板105的要部的局部剖面圖。如圖19所示，實(shí)施方式I的EL顯示面板105中，在TFT基板301上形成有層間絕緣膜302，在該層間絕緣膜302上，陽極303a以子像素為單位圖案形成為行列狀。此外，通過在X軸方向相鄰的3個子像素的組合而構(gòu)成I個像素，在層間絕緣膜302上與各像素對應(yīng)地以線狀形成輔助電極303b。在陽極303a之間、以及陽極303a與輔助電極303b之間形成有堤304，在由堤304規(guī)定的區(qū)域內(nèi)，在陽極303a上層疊預(yù)定顏色的有機(jī)發(fā)光層305。而且，在有機(jī)發(fā)光層305上，以超過由堤304規(guī)定的區(qū)域、與相鄰的有機(jī)發(fā)光層305及輔助電極303b上的陰極、封止層連續(xù)的方式分別形成陰極306及封止層307。以下，詳細(xì)說明EL顯示面板105的各部分的材料等?！锤鞑拷Y(jié)構(gòu)〉TFT基板301是在基板I上形成有TFT、布線部件及覆蓋所述TFT的鈍化膜等的結(jié)構(gòu)。層間絕緣膜302是為了將TFT基板301的表面高低差調(diào)整為平坦而設(shè)置的，由聚酰亞胺系樹脂或丙烯酸系樹脂等絕緣材料構(gòu)成。陽極303a及輔助電極303b由Al (鋁)或鋁合金形成。另外，陽極303a也可以由例如Ag(銀)、銀、鈀和銅的合金、銀、銣和金的合金、MoCr (鑰和鉻的合金)、NiCr (鎳和鉻的合金)等形成。本實(shí)施方式I的EL顯示面板105是頂部發(fā)光型，因此陽極303a優(yōu)選由光反射性的材料形成。堤304由樹脂等有機(jī)材料形成，具有絕緣性。作為有機(jī)材料的例子，可舉出丙烯酸系樹脂、聚酰亞胺系樹脂、酚醛清漆型酚醛樹脂等。堤304優(yōu)選具有有機(jī)溶劑耐受性。而且，堤304有時被施加蝕刻處理、烘烤處理等，因此優(yōu)選由對于這些處理不會過度變形、變質(zhì)等的耐受性高的材料形成。
有機(jī)發(fā)光層305優(yōu)選例如由日本特開平5-163488號公報所記載的類喔星(oxinoid)化合物、茈化合物、香豆素化合物、氮雜香豆素化合物、噁唑化合物、噁ニ唑化合物、紫環(huán)酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、熒蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、暈苯化合物、喹諾酮化合物及氮雜喹諾酮化合物、吡唑啉衍生物及批唑啉酮衍生物、若丹明化合物、舊(chrysene)化合物、菲化合物、環(huán)戍ニ烯化合
物、芪化合物、ニ苯基苯醌化合物、苯こ烯基化合物、丁ニ烯化合物、雙氰亞甲基吡喃化合物、雙氰亞甲基噻喃化合物、熒光素化合物、吡喃鎗化合物、噻喃鎗化合物、硒吡喃鎗化合物、碲吡喃鎗化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亞苯基化合物、噻噸化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羥基喹啉化合物的金屬配合物、2-聯(lián)吡啶化合物的金屬配合物、席夫鹽與III族金屬的配合物、8-羥基喹啉(喔星)金屬配合物、稀土類配合物等熒光物質(zhì)形成。陰極306例如由ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)等形成。由于EL顯示面板105是頂部發(fā)光型，因此陰極306優(yōu)選由光透過性的材料形成。封止層307具有抑制有機(jī)發(fā)光層305等暴露于水分、或暴露于空氣的功能，例如 由SiO (氧化硅)、SiN(氮化硅)、SiON (氮氧化硅)、SiC (碳化硅)，SiOC (含碳氧化硅)、AlN(氮化鋁)、Al2O3(氧化鋁)等材料形成。由于EL顯示面板105是頂部發(fā)光型，因此封止層307優(yōu)選由光透過性的材料形成。(補(bǔ)充)以上，基于實(shí)施方式說明了本發(fā)明的半導(dǎo)體晶體管的制造方法，當(dāng)然，本發(fā)明不限于上述實(shí)施方式。(I)作為半導(dǎo)體晶體管，采用了所謂的底柵構(gòu)造，但除此之外也可采用所謂的頂柵構(gòu)造。另外，在底柵構(gòu)造中，在基板上依次層疊形成柵極絕緣層、柵電極，而在頂柵構(gòu)造中，在半導(dǎo)體層上依次層疊形成柵極絕緣層及柵電極，在這一點(diǎn)上不同，其他構(gòu)造及制法相同。(2)作為清洗液使用了堿溶液，但也可使用剝離液(胺系)、顯影液(TMAH系)。(3)未顯示顯示裝置100的外觀，但可以具有例如圖20所示的外觀。(4)在SD電極形成后形成半導(dǎo)體層，但也可以作為SD電極形成后的后處理，進(jìn)行如下的處理(第Iエ序 第3エ序)。首先，用清洗液(例如氫氟酸清洗液)除去位于源電極與漏電極之間的柵極絕緣層中的包括其表面的一部分(第Iエ序)。接著，使用表面處理劑(例如HMDS (六甲基ニ硅氮烷))進(jìn)行用于使表面被除去了的狀態(tài)的柵極絕緣層為化學(xué)非活性狀態(tài)的表面處理(第2エ序)。然后，使用極性溶劑(例如IPA(異丙醇))對表面處理后的柵極絕緣層進(jìn)行清洗處理(第3エ序)。其后，在柵極絕緣層上通過涂敷形成半導(dǎo)體層。通過實(shí)施第Iエ序，能夠更切實(shí)地除去在柵極絕緣層的表面附著的エ藝殘渣。但是，另ー方面，由于柵極絕緣層的表面被除去，因此在柵極絕緣層內(nèi)部存在的例如羥基(0H基)的一部分露出。因此，在該狀態(tài)下層疊半導(dǎo)體層時，所述羥基與半導(dǎo)體材料化學(xué)結(jié)合，會產(chǎn)生閾值電壓變化這一新不良情況。關(guān)于該點(diǎn)，通過實(shí)施第2エ序，即使羥基露出，也能使羥基與表面處理劑化學(xué)結(jié)合，防止其與半導(dǎo)體材料結(jié)合于未然，從而能夠防止閾值電壓的變化。而且，通過實(shí)施第3エ序，能夠除去不要的表面處理劑、來源于該表面處理劑的化合物，因此能夠防止在形成半導(dǎo)體層時表面處理劑等成為新的殘渣成分而引起晶體管的特性降低于未然。(5)在EL顯示面板105中，可以根據(jù)需要在陽極303a與有機(jī)發(fā)光層305之間插入空穴注入層、空穴輸送層或空穴注入兼輸送層，也可以根據(jù)需要在陰極306與有機(jī)發(fā)光層305之間插入電子注入層、電子輸送層或電子注入兼輸送層。本發(fā)明的制造方法可利用于例如家庭用、公共設(shè)施或業(yè)務(wù)用的各種顯示裝置、電視裝置、便攜式電子設(shè)備用顯示等所使用的薄膜晶體管。附圖標(biāo)記說明I、基板,2、柵電極,3、絕緣層,4、抗蝕劑層,5、金屬層,6、金屬氧化物層,7、源電極，
8、漏電極，9、半導(dǎo)體層，100、顯示裝置，101、控制電路，102、存儲器，103、掃描線驅(qū)動電路，104、數(shù)據(jù)線驅(qū)動電路，105,EL顯示面板，200、掃描線，201、數(shù)據(jù)線，202、電源線，203、開關(guān)晶體管，204、驅(qū)動晶體管，205、EL元件，206、保持電容，207、共用電極，208、像素電路，209、驅(qū)動電路，301、TFT基板，302、層間絕緣膜，303a、陽極，303b、輔助電極，304、堤，305、有機(jī)發(fā)光 層，306、陰極，307、封止層。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，所述半導(dǎo)體晶體管具有柵電極、柵極絕緣層、源電極、漏電極及半導(dǎo)體層，所述制造方法包括 第Iエ序，在包括基板的基底層上形成含有抗蝕劑材料的抗蝕劑層； 第2エ序，對所述抗蝕劑層進(jìn)行局部圖案形成，在抗蝕劑層形成多個開ロ ； 第3エ序，在所述抗蝕劑層上及所述抗蝕劑層的多個開ロ的內(nèi)部，形成含有構(gòu)成源電極及漏電極的金屬材料的金屬層； 第4エ序，對由于所述金屬層的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層，通過使用清洗液進(jìn)行清洗處理而除去； 第5エ序，在所述第4エ序之后，使用與所述清洗液不同的溶解液除去所述抗蝕劑層，由此形成由在所述抗蝕劑層的多個開ロ形成的金屬層構(gòu)成的源電極及漏電極；和 第6エ序，覆蓋所述源電極及所述漏電極形成半導(dǎo)體層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 在所述第4エ序，使用所述清洗液不除去所述抗蝕劑層而除去在所述金屬層的表面部分形成的金屬氧化物層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 在所述第4エ序，作為所述清洗液使用堿溶液，在所述第5エ序，作為所述溶解液使用有機(jī)系剝離液。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 在所述第3エ序，作為構(gòu)成所述源電極及漏電極的金屬材料，使用鎢、鑰、由鑰鎢構(gòu)成的合金中的任ー種。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體晶體管的制造方法， 所述基底層包括所述基板、形成在所述基板上的柵電極和覆蓋所述柵電極形成的柵極絕緣層。
6.ー種驅(qū)動電路，使用了由權(quán)利要求I 5中的任一項所述的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管。
7.ー種像素電路，包括顯示元件、和對所述顯示元件供給驅(qū)動電流的驅(qū)動電路， 所述驅(qū)動電路使用由權(quán)利要求I 5中的任一項所述的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管。
8.—種顯示面板，行列狀配置有包括顯示元件和對所述顯示元件供給驅(qū)動電流的驅(qū)動電路的像素電路， 所述驅(qū)動電路使用由權(quán)利要求I 5中的任一項所述的制造方法制造出的半導(dǎo)體晶體管。
9.一種顯示裝置，具有權(quán)利要求8所述的顯示面板。
全文摘要
一種半導(dǎo)體晶體管的制造方法，包括第1工序，在包括基板的基底層上形成含有抗蝕劑材料的抗蝕劑層(4)；第2工序，對抗蝕劑層(4)進(jìn)行局部圖案形成，在抗蝕劑層(4)形成多個開口；第3工序，在抗蝕劑層(4)上及抗蝕劑層(4)的多個開口的內(nèi)部形成含有構(gòu)成源電極及漏電極的金屬材料的金屬層(5)；第4工序，對由于金屬層(5)的表面部分被氧化而形成的金屬氧化物層(6)，使用清洗液進(jìn)行清洗處理由此將其除去；第5工序，在第4工序之后，使用與所述清洗液不同的溶解液除去抗蝕劑層(4)，由此形成由在抗蝕劑層(4)的多個開口形成的金屬層構(gòu)成的源電極(7)及漏電極(8)；和第6工序，覆蓋源電極(7)及漏電極(8)地形成半導(dǎo)體層(9)。
文檔編號H01L21/336GK102656671SQ20108002080
公開日2012年9月5日 申請日期2010年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月24日
發(fā)明者有子 奧本, 明人 宮本 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社