專利名稱：半導體裝置、基本單元以及半導體集成電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及對應微細工藝的半導體裝置的結構，特別涉及布線和布線下的連接孔 (通孔)的結構。
背景技術：
以往，周知一種雙鑲嵌(Dual Damascene)方法，其在絕緣膜形成布線槽，在該布線 槽底部形成通孔之后，在布線槽以及通孔中嵌入導電性材料，同時形成布線和觸點部。在該 雙鑲嵌方法中周知所謂的先溝槽(Trench First)方式，該先溝槽方式是先在形成了布線圖 案的硬掩膜上通過光刻技術形成通孔圖案，之后通過蝕刻形成通孔和布線槽(例如，參照 專利文獻1)。利用圖25對根據(jù)以往的先溝槽方式的雙鑲嵌方法中的布線和通孔的結構進行說 明。在圖25中，(a)是表示布線和其下方的通孔的配置位置和形狀的平面圖，(b)是表示布 線單體的形狀的平面圖，(c)是表示半導體裝置制造時通孔掩膜形成中使用的通孔圖案的 形狀的平面圖，(d)是表示通孔單體的形狀的平面圖，(e)是平面圖(a)中的Α1-ΑΓ剖面 圖，(f)是平面圖(a)中的A2-A2’剖面圖。如圖25(a) (d)所示，在與基板垂直的方向從上方俯視半導體基板的情況下，通 孔圖案4與布線1的實質上重疊的部分為所形成的通孔31的平面形狀。此外，在圖25(a) 中，由于在布線1的下方存在通孔31，因此以虛線表示通孔31。利用圖25(e)、(f)對通孔31的剖面圖進行簡單說明。在雙鑲嵌方式中，在下層布 線200上的絕緣膜201上，形成了已形成布線圖案202的布線形成用硬掩膜203之后，在該 布線形成用硬掩膜203上，形成已形成通孔圖案4的通孔形成用抗蝕劑掩膜204。然后，通 過利用通孔形成用抗蝕劑掩膜204對絕緣膜201進行蝕刻，從而在深度方向延長形成通孔 部206，進而除去通孔形成用抗蝕劑掩膜204之后，利用布線形成用抗蝕劑掩膜203對絕緣 膜201進行蝕刻，從而在深度方向延長形成布線部205。通過在該布線部205和通孔部206 中填充一次金屬，從而同時形成布線1和通孔31。此外，在半導體制造工藝中，以往規(guī)定了布線圖案寬度的最小尺寸以及通孔圖案 的最小尺寸。在近年來的微細工藝中，由于制造裝置的技術制約，通孔圖案的分辨率比布線 圖案的分辨率低，而通孔圖案4的最小尺寸比布線圖案202的最小尺寸大。因此，通過基于 雙鑲嵌方法中的自對準(self aligned)的通孔形成，在最小尺寸寬度的布線下形成的通孔 31的完成平面形狀，為圓形的通孔圖案4與具有比通孔圖案4的直徑細的寬度的布線1之 間實質上重疊部分的形狀。另外，在由上網(wǎng)(on-grid)設計的配置布線工具進行的LSI布局設計中，通常使可 傳輸基本單元的輸入信號或者輸出信號的多個端子位于X方向排列的布線網(wǎng)格與Y方向排 列的布線網(wǎng)格之間的交點處(例如，參照專利文獻2)。因此，為了確保配置布線中的布線資 源，常常將通孔配置在X方向排列的布線網(wǎng)格與Y方向排列的布線網(wǎng)格的交點附近。此外， 在此將沿著基本單元的電源布線的方向設定為X方向，將垂直于電源布線的方向設定為Y方向。[專利文獻1]特開2006-294771號公報[專利文獻2]特開2007-43049號公報在以往的半導體裝置中，在具有彎折部的布線下方形成通孔時，多數(shù)情況下在該 彎曲部的下方形成通孔。例如，在圖25(a)中，在“L”字形布線1的彎折部2的下部形成通 孔31。但是在該情況下，通過自對準，通孔31的完成形狀如圖25(d)所示那樣，具有將其周 緣部的一部分切掉的缺口部(大致凹部)5。具有這種缺口部的通孔由于其形狀的畸變，在 對通孔部的金屬填充步驟中有可能使金屬填充率下降。這將成為通孔嵌入不良的原因，進 而引起半導體裝置的制造成品率下降。此外，在圖26 (a)所示的T字形的布線11的彎折部21或者圖26 (b)所示的十字形 布線12的彎折部22的下方形成通孔時，也可能引起同樣的問題。也就是說，由于通孔32、 33相對于圖26 (c)的通孔圖案4與布線11、12之間的重疊部分為同一形狀，因此會具有缺 口部5。因而，與圖25的情況同樣，有可能在對通孔部的金屬填充步驟中使金屬填充率下 降。

發(fā)明內容
本發(fā)明是為了解決上述以往問題而進行的，其目的是在具有布線和其下方的通孔 的半導體裝置中，抑制由于產(chǎn)生畸變的通孔形狀而引起的通孔金屬填充率下降。本發(fā)明的第1方式，作為半導體裝置具有第1布線；第2布線，其配置于所述第1 布線的下層；以及第1通孔，在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以 及第2布線，所述第1布線在俯視下具有彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方 向延伸；以及第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸，所述第 1通孔在俯視下，在所述第1布線區(qū)域以與所述彎折部的區(qū)域不重疊的方式形成，所述第1 方向的長度比所述第2方向的長度長，所述第2方向上的兩端與所述第1布線區(qū)域在所述 第2方向上的兩端重疊。根據(jù)該方式，由于第1通孔以與第1布線的彎折部的區(qū)域不重疊的方式形成，因此 不產(chǎn)生具有缺口部的畸變通孔形狀。因此，能夠抑制由產(chǎn)生具有缺口部的畸變通孔形狀引 起的通孔金屬填充率下降。本發(fā)明的第2方式，作為半導體裝置具有第1布線；第2布線，其配置于所述第1 布線的下層；以及第1通孔，在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以 及第2布線，所述第1布線在俯視下具有彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向 延伸；第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸；以及第1突出 部，以從所述彎折部向所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向突出的方式形成，所述第1通 孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，其在所述第1以及第2布線區(qū)域之間的 方向上的端部，比所述第1突出部的端部更靠近所述彎折部側。根據(jù)該方式，由于第1布線的彎折部的區(qū)域被所述第1突出部擴張，第1通孔的端 部處于第1突出部的內側，因此能夠在彎折部的下方形成沒有缺口的通孔。因此，能夠抑制 由產(chǎn)生具有缺口部的畸變通孔形狀引起的通孔金屬填充率下降。本發(fā)明的第3方式，作為半導體裝置具有第1布線；第2布線，其配置于所述第1
7布線的下層；以及第1通孔，在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以 及第2布線，所述第1布線在俯視下具有彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方 向延伸；以及第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸，所述第 1通孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，從所述彎折部在所述第1布線區(qū)域 向所述第1方向突出的長度，比從所述彎折部在所述第2布線區(qū)域向所述第2方向突出的 長度長。根據(jù)該方式，第1通孔以包含彎折部的區(qū)域的方式配置，并且，從彎折部在第1布 線區(qū)域向第1方向突出的長度比從彎折部在第2布線區(qū)域向第2方向突出的長度長。因此， 能夠在彎折部的下方形成尺寸足以減輕金屬填充率下降的影響的通孔。因此能夠抑制由產(chǎn) 生具有缺口部的畸變通孔形狀引起的通孔金屬填充率下降。再有，本發(fā)明包括與上述第1以及第2方式具有同樣特征的基本單元。此外，本發(fā)明包括具備多個基本單元的半導體集成電路裝置，該多個基本單元具 有與上述第1 第3方式同樣的特征。根據(jù)本發(fā)明，由于能夠抑制由產(chǎn)生具有缺口部的畸變通孔形狀引起的通孔金屬填 充率下降，因此能夠抑制由于通孔嵌入不良引起的制造成品率下降。


圖1是表示第1實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)、(e)是布 線和通孔的平面圖，(b)是布線單體的平面圖、(c)、(f)是通孔單體的平面圖，(d)、(g)是 通孔圖案的平面圖。圖2是表示第1實施方式的變形例所涉及的布線和布線下方通孔的結構的平面 圖，(a) (c)是T字形布線和通孔的平面圖，(d)是十字形布線和通孔的平面圖，(e)是通 孔圖案的平面圖。圖3是表示第2實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)是布線和 通孔的平面圖，(b)是布線單體的平面圖，(c)是通孔單體的平面圖，(d)是通孔圖案的平面 圖。圖4是表示的第2實施方式的變形例所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a) 是T字形布線和通孔的平面圖，(b)是十字形布線和通孔的平面圖，(c)是通孔圖案的平面 圖。圖5是表示第3實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)、(e) (g) 是布線和通孔的平面圖，(b)是布線單體的平面圖，(c)是通孔單體的平面圖，(d)是通孔圖 案的平面圖。圖6是表示的第3實施方式的變形例所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a) 是T字形布線和通孔的平面圖，(b)是十字形布線和通孔的平面圖，(c)是通孔單體的平面 圖，(d)是通孔圖案的平面圖。圖7是表示第4實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)是布線和 通孔的平面圖，(b)是布線單體的平面圖，(c)是通孔單體的平面圖，(d)是通孔圖案的平面 圖。圖8是表示的第4實施方式的變形例所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)、(b)是T字形布線和通孔的平面圖，(C)是十字形布線和通孔的平面圖，(d)是通孔單 體的平面圖，(e)是通孔圖案的平面圖。圖9是表示第4實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)是布線和 通孔的平面圖，(b)是布線單體的平面圖，(c)是通孔單體的平面圖，(d)是通孔圖案的平面 圖。圖10是表示第4實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)、(b)是T 字形布線和通孔的平面圖，(c)是十字形布線和通孔的平面圖，(d)是通孔單體的平面圖， (e)是通孔圖案的平面圖。圖11是表示第4實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)是布線和 通孔的平面圖，(b)是布線單體的平面圖，(c)是通孔單體的平面圖，(d)是通孔圖案的平面 圖。圖12是表示基本單元的圖，(a)是電路圖，(b)是平面圖。圖13(a) (c)是圖12(b)的剖面圖。圖14是第5實施方式所涉及的基本單元的平面圖。圖15是表示使用圖12以及圖13的基本單元的、第5實施方式所涉及的半導體集 成電路裝置的結構圖，(a)是平面圖，(b)是剖面圖。圖16是表示基本單元的圖，(a)是平面圖，(b)是剖面圖。圖17是第6實施方式所涉及的基本單元的平面圖。圖18是表示使用圖16的基本單元的、第6實施方式所涉及的半導體集成電路的 結構圖。圖19是表示基本單元的圖，(a)是平面圖，(b)是剖面圖。圖20是第7實施方式所涉及的基本單元的平面圖。圖21是表示使用圖19的基本單元的、第7實施方式所涉及的半導體集成電路裝 置的結構圖。圖22是表示基本單元的圖，(a)是平面圖，(b)是剖面圖。圖23是第8實施方式所涉及的基本單元的平面圖。圖24是使用圖22的基本單元的、第8實施方式所涉及的半導體集成電路裝置的 結構圖。圖25是表示以往的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)是布線和通孔的平面圖，
(b)是布線單體的平面圖，(c)是通孔圖案的平面圖，(d)是通孔單體的平面圖，(e) (f) 是布線和通孔的剖面圖。圖26是表示以往的布線和布線下方通孔的結構圖，(a)、(b)是布線和通孔的平面 圖，(c)是通孔圖案的平面圖。圖中1、11、12、13、14、15-布線Ia-第1布線區(qū)域Ib-第2布線區(qū)域2、21、22-彎折部3、8-通孔
7-第1突出部7a_第1突出部7b_第2突出部7c-第1突出部7d_第2突出部7e_第3突出部7f_第4突出部13a-第1布線區(qū)域13b_第2布線區(qū)域14a_第1布線區(qū)域14b_第2布線區(qū)域14c-第3布線區(qū)域15a_第1布線區(qū)域15b_第2布線區(qū)域15c-第3布線區(qū)域15d-第4布線區(qū)域31、32、33-通孔(第 2 通孔)41、42、43、51、52、53、54、61、62、63、64_ 通孔90、91、92-突出部107-第1輸出信號線(第1布線)108-第2輸出信號線(第2布線)109-通孔112-第1輸入信號線(第1布線)113-第2輸入信號線(第2布線)114-通孔119-第1輸出信號線(第1布線)121-通孔122-第1輸入信號線(第1布線)123、124、125-通孔T121、T221、T321、T421-第 1 輸出信號線T122、T222、T322、T422-第 1 輸入信號線W121、W122、W221、W222、W321、W322、W42UW422-信號布線
具體實施例方式以下，參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。(第1實施方式)圖1是表示第1實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖。該圖中，(a)是 表示布線1和其下方的通孔3的配置位置和形狀的平面圖，(b)是表示布線1單體的形狀 的平面圖，(c)是表示通孔3單體的形狀的平面圖，(d)是在半導體裝置制造時通孔3的掩
10膜形成中使用的通孔圖案4，(e)是表示布線1和其下方的通孔8的配置位置和形狀的平面 圖，(f)是表示通孔8單體的形狀的平面圖，(g)是在半導體裝置制造時通孔8的掩膜形成 中使用的通孔圖案9。在半導體裝置的布線中，一般在其布線路徑上存在多個彎曲的區(qū)域即彎折部2。例 如圖1(b)所示，作為第1布線的L字形布線1具有彎折部2。此外，在本申請說明書中，所 謂布線的“彎折部”是指成為在X方向(第1方向)延伸的布線區(qū)域與在Y方向(與第1 方向垂直的第2方向)延伸的布線區(qū)域雙方的基端的部分。也就是說，布線區(qū)域從彎折部 2向X方向和Y方向的兩個方向延伸。布線1具有彎曲部2、從彎折部2向X方向延伸的 第1布線區(qū)域la、從彎折部2向Y方向延伸的第2布線區(qū)域lb。并且，在布線1和布線1的下層所配置的第2布線(并未圖示)之間，形成與其電 連接的通孔。設第2布線通過彎折部2的下方。在以往，通常來說布線下方的通孔在配置 布線設計中被設置在彎折部2的下方。再有，在采用雙鑲嵌方法的半導體裝置中，布線下方 的通孔通過自對準與布線連接形成。但是，在本實施方式中，如圖1(a)所示，以俯視時不與彎折部2的區(qū)域重疊的方 式，配置作為布線1下方的第1通孔的通孔3。也就是說，布線1與通孔圖案4的重疊部分 位于彎折部2的區(qū)域外。此外，在本申請說明書中，所謂“俯視”，是指在垂直于基板面的方 向從上方觀察形成了布線和布線下方通孔的半導體基板。另外，之所以由虛線表示通孔3， 是因為通孔3位于布線1的下方。在以后的附圖中也同樣。此外，通孔3的形狀通過自對準由布線1與通孔圖案4之間的重疊部分決定。另 外，在此通孔圖案4的直徑(尺寸χ)比布線1的寬度(尺寸y)長。因此，通孔3在俯視中 其X方向的長度(尺寸χ)比Y方向的長度(尺寸y)長，Y方向上的兩端82、83與布線區(qū) 域Ia的Y方向上的兩端重疊。再有，通孔3在X方向上的兩端80、81的形狀按照通孔圖案4成為向外側鼓起的 圓弧狀。根據(jù)本實施方式，由于在布線1的彎折部2的區(qū)域外配置形成通孔3，因此通孔3 的形狀沒有像以往的圖25(d)的通孔31那樣的缺口部5。因而，能夠抑制由于產(chǎn)生帶有切 口部的畸變通孔形狀而引起的通孔金屬填充率下降。此外，在圖1(a) (d)中，雖然例子中表示通孔圖案4的形狀為圓形，但是通孔圖 案并不限于圓形，只要是具有比布線1的布線寬度大的長度的形狀即可。例如，通過在布線 1的彎折部2的區(qū)域外配置圖1 (g)所示的矩形通孔圖案9，可以形成圖1 (e)、(f)所示的通 孔8。此外，即便是其他的通孔圖案形狀也能夠獲得同樣的效果。(第1實施方式的變形例)圖1中表示的是L字形布線1的例子，但除此以夕卜，對于圖2(a) (c)所示的T字 形的布線11、和圖2(d)所示的十字形的布線12，通過同樣地配置形成通孔也可獲得同樣的 效果。也就是說，在圖2(a) (c)中，通過在布線11的彎折部21的區(qū)域外配置圖2(e)的 通孔圖案4，來形成通孔3 ；在圖2(d)中，通過在布線12的彎折部22的區(qū)域外配置圖2(e) 的通孔圖案4，來形成通孔3。(第2實施方式)圖3是表示第2實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖。在該圖中，(a)是表示布線1和其下方的通孔3、31的配置位置和形狀的平面圖，(b)是表示布線1單體的 形狀的平面圖，(c)是表示通孔3、31單體的形狀的平面圖，(d)是半導體裝置制造時在通孔 3、31的掩膜形成中使用的通孔圖案。圖3的結構與圖1大致相同，對與圖1相同的結構要 素附于與圖1相同的符號。在圖3的結構中，在布線1與配置于布線1下層的第2布線(并未圖示)之間，除 了通孔3以外還形成作為第2通孔的通孔31，使得通孔31包含彎折部2的區(qū)域。通孔31 與以往的通孔同樣具有缺口部5。在上述第1實施方式中，雖然表示僅在布線1的彎折部2 的區(qū)域外配置形成通孔3的例子，但也可以如圖3所示那樣，以與彎折部2的區(qū)域不重疊的 方式配置形成通孔3，并且在彎折部2的下方配置形成通孔31。即，可以說圖3的結構是在 以往的通孔構造中配置形成冗長的通孔3，可獲得與上述第1實施方式同樣的效果。(第2實施方式的變形例)在上述第2實施方式中，雖然以L字形的布線1為例進行了說明，但是除此以外， 對于圖4(a)所示的T字形的布線11、和圖4(b)所示的十字形的布線12，通過同樣地配置 通孔也可獲得同樣的效果。也就是說，在圖4(a)中，通過在布線11的彎折部21的區(qū)域外 與區(qū)域內配置圖4(c)的通孔圖案4，來形成通孔3、32 ；在圖4(b)中，通過在布線12的彎折 部22的區(qū)域外和區(qū)域內配置圖4(c)的通孔圖案4，來形成通孔3、33。通孔32、33與以往 的通孔同樣具有缺口部5。(第3實施方式)圖5是表示第3實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖。在該圖中，(a) 是表示布線13和其下方的通孔41的配置位置和形狀的平面圖，(b)是表示布線13單體的 形狀的平面圖，(c)是表示通孔41單體的形狀的平面圖，(d)是半導體裝置制造時在通孔 41的掩膜形成中使用的通孔圖案4，(e) (g)是表示其他布線形狀的例子的平面圖。在圖5的結構中，在作為第1布線的布線13與配置于布線13的下層的第2布線 (并未圖示)之間，使用圖5(d)所示的比彎折部2大的圓形通孔圖案4來形成作為第1通 孔的通孔41。如圖5(b)所示，布線13具有彎折部2、從彎折部2向X方向延伸的第1布線區(qū) 域13a、從彎折部2向Y方向延伸的第2布線區(qū)域13b。布線13還具有作為第1突出部的 矩形突出部7，該矩形突出部7以從彎折部2向第1以及第2布線區(qū)域13a、13b之間的方 向突出的方式形成。突出部7在俯視下使布線13的端部向著布線13彎曲的狹角側方向擴 張。再有，如圖5(a)所示，以實質上包含彎折部2的區(qū)域的方式配置通孔41。通孔41 的形狀，與第1實施方式同樣，通過自對準根據(jù)布線13與通孔圖案4之間的重疊部分決定。 因此，通孔圖案4之中處于布線13的區(qū)域內的部分成為通孔41。也就是說，在第1以及第 2布線區(qū)域13a、13b內，通孔41的端部實質上與通孔圖案41相同，在彎折部2的上側以及 左側，通孔41的端部實質上與布線13的端部重疊。此外，由于包含突出部7的彎折部2附近的布線13相對于通孔圖案4的尺寸形成 得足夠大，因此在第1以及第2布線區(qū)域13a、13b之間的方向上的通孔41的端部位于突出 部7內，即位于比突出部7的端部更靠彎折部2側。因此，如圖5(c)所示，通孔41成為沒 有缺口部的形狀。
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根據(jù)本實施方式，能夠在布線13的彎折部2的下方配置形成沒有缺口部的形狀的 通孔41。因此，能夠抑制由于產(chǎn)生具有缺口部的畸變通孔形狀而引起的通孔金屬填充率下 降。再有，由于與以往同樣，能夠在彎折部2的下方配置形成通孔41，因此與在彎折部的區(qū) 域外存在通孔的上述第1以及第2實施方式相比，配置布線設計上的自由度得到提高。此外，在本實施方式中，雖然以矩形突出部7為例進行了說明，但是突出部的形狀 并不限于此。例如，可以設有圖5(e)所示的大致三角形的突出部90，也可以設有圖5(f)所 示的端部向外側鼓起的圓弧狀的突出部91，還可以設有圖5(g)所示的端部向內側鼓起的 突出部92。這些的形狀都可以獲得同樣的效果。此外，在本實施方式中，雖然表示使用了圓形通孔圖案4的例子，但是通孔圖案的 形狀并不限于圓形，實質上包含具有突出部的布線的彎折部的、例如橢圓形、長圓形、矩形 以及沒有180度以往內角的多角形(都未圖示)等，都能夠獲得同樣的效果。(第3實施方式的變形例)雖然圖5中表示L字形布線13的例子，但是除此以外，對于圖6(a)所示的T字形 布線14、和圖6(b)所示的十字形布線15，通過同樣地設有突出部并配置形成通孔，也可獲 得同樣的效果。圖6 (a)所示的T字形布線14的形狀可認為與如下的形狀同樣，即將L字形布線 和使其旋轉90度之后的布線各自的彎折部21彼此重疊之后的形狀。也就是說，從彎折部 21，第1布線區(qū)域14a向X方向右側延伸，第2布線區(qū)域14b向Y方向下側延伸，第3布線 區(qū)域14c向X方向左側延伸。然后，以從彎折部21向第1以及第2布線區(qū)域14a、14b之間 的方向突出的方式形成第1突出部7a，以從彎折部21向第2以及第3布線區(qū)域14b、14c之 間的方向突出的方式形成第2突出部7b。由于設有第1以及第2突出部7a、7b，通過配置 圖6(d)的通孔圖案4使其包含彎折部21的區(qū)域，從而形成圖6(c)所示的沒有缺口部的通 孔42。此外，圖6 (b)所示的十字形布線15的形狀，可認為與如下的形狀同樣，即將T字 形布線和使其旋轉180度之后的布線各自的彎折部22彼此重疊之后的形狀。也就是說，從 彎折部22，第1布線區(qū)域15a向X方向右側延伸，第2布線區(qū)域15b向Y方向下側延伸，第 3布線區(qū)域15c向X方向左側延伸，第4布線區(qū)域15d向Y方向上側延伸。并且，以從彎折 部22向第1以及第2布線區(qū)域15a、15b之間的方向突出的方式形成第1突出部7c，以從彎 折部22向第2以及第3布線區(qū)域15b、15c之間方向突出的方式形成第2突出部7d,以從 彎折部22向第3以及第4布線區(qū)域15c、15d之間的方向突出的方式形成第3突出部7e， 從彎折部22向第4以及第1布線區(qū)域15d、15a之間的方向突出的方式形成突出部7f。由 于設有第1 第4突出部7c 7f，因此通過配置圖6 (d)的通孔圖案4使其包含彎折部22 的區(qū)域，從而形成圖6(c)所示的沒有缺口部的通孔43。(第4實施方式)圖7是表示第4實施方式所涉及的布線和布線下方通孔的結構圖。在該圖中，(a) 是表示布線1和其下方的通孔51的配置位置和形狀的平面圖，(b)是表示布線1單體的形 狀的平面圖，(c)是表示通孔51單體的形狀的平面圖，(d)是半導體裝置制造時在通孔51 的掩膜形成中使用的通孔圖案50。在圖7的結構中，在作為第1布線的布線1與配置于布線1的下層的第2布線(并未圖示)之間，使用圖7(d)所示的比彎折部2大的橢圓形通孔圖案50，來形成作為第1通 孔的通孔51。以實質上包含彎折部2的區(qū)域的方式配置通孔51。通孔51的形狀與第1實 施方式同樣，能夠通過自對準根據(jù)布線1與通孔圖案50之間的重疊決定。因此，通孔圖案 50之中處于布線1的區(qū)域內的部分成為通孔51。也就是說，在第1以及第2布線區(qū)域la、 Ib內通孔51的端部與通孔圖案4實質上相同，在彎折部2的上側以及左側通孔51的端部 與布線1的端部實質上重疊。此外，通孔51中，從彎折部2在布線區(qū)域Ia中向X方向突出的長度，比從彎折部 2在布線區(qū)域Ib中向Y方向突出的長度更長。也就是說，如圖7 (c)所示，通孔51的形狀 在X方向上的最長尺寸(尺寸χ)比在Y方向上的最長尺寸(尺寸y)長。此外，例如優(yōu)選 尺寸χ為尺寸y的1. 5倍左右以上，但也并不限定于該比例。再有，通孔51的在第1布線區(qū)域Ia向X方向突出的端部的形狀成為向外側鼓起 的圓弧狀。此外，通孔51的在第2布線區(qū)域Ib向Y方向突出的端部的形狀成為向外側鼓 起的圓弧狀。另外，通孔51具有缺口部5。根據(jù)本實施方式，雖然在布線1的彎折部2的下方具有畸變形狀的缺口部5，但配 置形成面積比彎折部2充分大的通孔51。因而，由于較大的通孔從而獲得金屬填充率提高 的效果，由此，能夠抑制由于產(chǎn)生具有缺口部的畸變通孔形狀而引起的通孔金屬填充率下 降。(第4實施方式的變形例)雖然在圖7表示L字形布線1的例子，但是除此以外，對于圖8(a) (b)所示的 T字形布線11、圖8(c)所示的十字形布線12，通過同樣地配置形成通孔也可獲得同樣的效^ ο圖8 (a)、(b)所示的T字形布線11的形狀可認為與如下的形狀同樣，即將L字 形布線和將其旋轉90度后的布線各自的彎折部21彼此重疊之后的形狀。并且，通過配置 圖8(e)的通孔圖案50使其包含布線11的彎折部21的區(qū)域，從而形成圖8(d)所示的通孔 52、53。此外，圖8(c)所示的十字形布線12的形狀可認為與如下的形狀同樣，S卩將T字形 布線和將其旋轉180度之后的布線各自的彎折部22彼此重疊之后的形狀。并且，通過配置 圖8(e)的通孔圖案50使其包含布線12的彎折部22的區(qū)域，從而形成圖8 (d)所示的通孔 54。此外，在本實施方式中，雖然表示使用橢圓形通孔圖案50的例子，但是通孔圖案 的形狀并不限定于橢圓形。例如，在圖9中，通過將圖9(d)所示的長圓形通孔圖案60應用 于圖9(b)的布線1，從而形成圖9(a)、(c)所示的通孔61。在圖10中，通過將圖10 (e)所 示長圓形通孔圖案60應用于T字形布線11或十字形布線12，從而形成圖10(a) (d)所 示的通孔62、63、64?；蛘?，在圖11中，通過將圖11(d)所示的矩形通孔圖案70應用于圖 1Kb)的布線1，從而形成圖ll(a)、(c)所示的通孔71。在這些結構中，能夠獲得與上述第 4實施方式同樣的效果。(第5實施方式)在此，為了讓說明容易理解，在基本單元和半導體集成電路裝置的布局中，將實施 方式所涉及的與以往不同的通孔稱為“通孔”，將其他的與以往相同的通孔稱為“觸點”。在 以后的說明中也同樣。
圖12 (a)是表示由ρ溝道晶體管101和η溝道晶體管102構成的CMOS變換器100 的電路圖。對P溝道晶體管101以及η溝道晶體管102的各柵極共同輸入輸入信號Vin，從 共同連接的P溝道晶體管101的漏極以及η溝道晶體管102的漏極取出輸出信號Vout。圖12(b)是表示實現(xiàn)圖12(a)所示的CMOS變換器100的基本單元的平面構造的 布局圖。在圖12(b)中，提供電源電壓VDD的電源布線103經(jīng)由第1觸點104連接于ρ溝 道MOS晶體管101的源極，并且提供接地電源VSS的接地布線105經(jīng)由第2觸點106連接 于η溝道MOS晶體管102的源極。從CMOS變換100將輸出信號Vout輸出的第1輸出信號線107，是可傳輸輸出信號 Vout的端子，經(jīng)由第1通孔109連接于第2輸出信號線108。第2輸出信號線108經(jīng)由第 3觸點110連接于ρ溝道MOS晶體管101的漏極，并且經(jīng)由第4觸點111連接于η溝道MOS 晶體管102的漏極。對CMOS變換100將輸入信號Vin輸入的第1輸入信號線112是可傳 輸輸入信號Vin的端子，經(jīng)由第2通孔114連接于第2輸入信號線113。第2輸入信號線 113經(jīng)由第5觸點116連接于ρ溝道MOS晶體管101和η溝道MOS晶體管102共同的柵極 電極115。在圖12(b)中，Xl x3是配置布線中使用的在X方向排列的布線網(wǎng)格，yl y8 是在Y方向排列的布線網(wǎng)格，第1通孔109配置于從第1輸出信號線107下方的布線網(wǎng)格 x3、y6的交點向X方向左側偏離的位置，第2通孔114配置于從第1輸入信號線112下方 的布線網(wǎng)格x2、y5的交點向X方向左側偏離的位置。在此，在使用該基本單元100的實際半導體裝置中，圖12(b)的第1以及第2通孔 109、114具有與第1實施方式所示的圖1以及圖2的通孔3相同的形狀。圖13是表示圖12(b)的基本單元的剖面構造圖，在該圖中，(a)是線Β1-ΒΓ處剖 面圖，(b)是線B2-B2’處的剖面圖，(c)是線B3-B3’處的剖面圖。圖14是本實施方式所涉及的基本單元的平面構造圖的布局圖。圖14的布局與圖 12(b)大致相同。其中，第1輸出信號線107與第1輸入信號線112都具有彎折部。在作為 具有彎折部的第1布線的第1輸出信號線107與作為第2布線的第2輸出信號線108之間 形成第1通孔109。在作為具有彎折部的第1布線的第1輸入信號線112與作為第2布線 的第2輸入信號線113之間形成第2通孔114。也就是說，在具有彎折部的布線下方形成本 實施方式所涉及的通孔。圖15(a)是使用圖12(b)的基本單元100實施配置布線的實施方式所涉及的半導 體集成電路裝置的布局圖，圖15(b)是圖15(a)的布局圖的線C-C’的剖面圖。在圖15(a)中，Cl 1、C12、C13是基本單元，Tl 11、T121、T131分別是可傳輸基本單元 Cll、C12、C13的輸出信號Vout的端子即第1輸出信號線，Τ112、Τ122、Τ132分別是可傳輸 基本單元C11、C12、C13的輸入信號Vin的端子即第1輸入信號線。此外，W111、W121、W131 與第1輸出信號線Till、T121、T131處于同層，分別是連接于第1輸出信號線Till、T121、 T131的信號布線，W112、W122、W132與第1輸入信號線T112、T122、Τ132處于同層，分別是 連接于第1輸入信號線Τ112、Τ122、Τ132的信號布線。在圖15(a)中，在左側的基本單元Cl 1中，連接于第1輸出信號線Till的信號布 線Will以及連接于第1輸入信號布線T112的信號布線W112從單元的X方向(圖面橫方 向)左側連接布線。同樣，在右側的基本單元C13中，連接于第1輸出信號線T131的信號布線W131以及連接于第1輸入信號線T132的信號布線W132從單元的X方向右側連接布線。但是，在中央的基本單元C12中，為了不與信號布線W111、W112、W131、W132重疊地 進行布線，連接于第1輸出信號線T121的信號布線W121以及連接于第1輸入信號線T122 的信號布線W122不能從X方向的左右的任何一側連接布線。因此，信號布線W121從Y方 向上側連接于第1輸出信號線T121，信號布線W122從Y方向下側連接于第1輸入信號線 T122。這樣進行布線連接的情況下，在第1輸出信號線T121的與信號布線W121的連接部、 以及在第1輸出信號線T122的與信號布線W122的連接部形成彎折部21。在此，就算信號布線W121從Y方向下側連接于第1輸出信號線T121，信號布線 W122從Y方向上側連接于第1輸入信號線T122也同樣，在第1輸出信號線T121與信號布 線W121的連接部、以及在第1輸入信號線T122與信號布線W122的連接部形成彎折部。但是，基本單元C12的第1通孔109和第2通孔114的配置位置相對于彎折部21 受到第1實施方式所示的配置位置的制約。也就是說，第1通孔109在具有彎折部21的布 線T121、W121的下方具有與圖1至圖3的通孔3相同的配置位置，第2通孔114在具有彎 折部21的布線T122、W122的下方具有與圖1 圖3的通孔3相同的配置位置。根據(jù)以上的實施方式，在使用基本單元實施配置布線的情況下，由于在布線的連 接部的彎折部21下方?jīng)]有配置形成通孔，因此能夠形成通孔109、104，使其不具有圖25 (d) 所示的以往通孔31那樣的缺口部5。由此，能夠抑制由畸變的通孔形狀引起的通孔金屬填 充率下降。(第6實施方式)圖16是表示實現(xiàn)圖12(a)所示的CMOS變換器100的基本單元120的結構的圖， (a)是表示平面構造的布局圖，(b)是(a)中線D-D’處的剖面圖。圖16的結構雖然與圖12 以及圖13相同，但是其不同點在于除了第1以及第2通孔109、114以外，配置了第3通孔 117以及第4通孔118。在此，圖16中圖示的是第3以及第4通孔117、118為以正方形簡略化之后的通孔 形狀，但是在使用該基本單元120的實際半導體裝置中，具有與第2實施方式所示的圖4的 通孔32同樣的缺口部5的形狀。圖17是表示本實施方式所涉及的基本單元的平面構造的布局圖。圖17的布局與 圖16(a)大致相同。其中，第1通孔109上方的第1輸出信號線107具有彎折部，此外，第2 通孔114上方的第1輸入信號線112具有彎折部。也就是說，在具有彎折部的布線下方形 成實施方式所涉及的通孔。圖18是使用圖16的基本單元120來實施配置布線的、實施方式所涉及的半導體 集成電路裝置的布局圖。在圖18中，C21、C22、C23是基本單元，T211、T221、T231分別是可 傳輸基本單元C21、C22、C23的輸出信號Vout的端子即第1輸出信號線，Τ212、Τ222、Τ232 分別是可傳輸基本單元C21、C22、C23的輸入信號Vin的端子即第1輸入信號線。此外， W21UW22UW231與第1輸出信號線Τ211、Τ221、Τ231處于同層，分別是連接于第1輸出信 號線 Τ211、Τ221、Τ231 的信號布線，W212、W222、W232 與第 1 輸入信號線 Τ212、Τ222、Τ232 處于同層，分別是連接于第1輸入信號線Τ212、Τ222、Τ232的信號布線。圖18中與圖15(a)同樣，信號布線W221從Y方向上側連接于第1輸出信號線T221，信號布線W222從Y方向下方連接于第1輸入信號線T222。這樣進行布線連接的情況 下，在第1輸出信號線T221的與信號布線W221的連接部、以及在第1輸入信號線T222的 與信號布線W222的連接部形成彎折部21。并且，在該彎折部21下方形成第3以及第4通 孔 117、118。以上根據(jù)本實施方式，在使用基本單元實施配置布線的情況下，在布線的連接部 的彎折部21下方配置形成具有缺口部的畸變形狀的第3以及第4通孔117、118，并且配置 形成不具有缺口部的冗長的第1以及第2通孔109、114。由此，能夠抑制由畸變形狀引起的 通孔金屬填充率下降。(第7實施方式)圖19是表示實現(xiàn)圖12 (a)所示的CMOS變換器100的基本單元130的結構圖，(a) 是表示平面構造的布局圖，(b)是(a)中的線E-E’處的剖面圖。雖然圖19的結構與圖12 以及圖13相同，但是其不同之處在于代替第1輸出信號線107以及第1輸入信號線112 具有第1輸出信號線119以及第1輸入信號線122，并且代替第1以及第2通孔109、114具 有第3實施方式所示形狀的第1以及第2通孔121、123。在此，圖19中雖然圖示的是第1以及第2通孔121、123以正方形簡略化之后的通 孔形狀，但是在使用該基本單元130的實際的半導體裝置中，具有與第3實施方式所示的圖 6的通孔42相同的沒有缺口部的形狀。圖20是表示本實施方式所涉及基本單元的平面構造的布局圖。圖20的布局與圖 19(a)大致相同。其中，第1輸出信號線119與第1輸入信號線122都具有彎折部。在作為 具有彎折部的第1布線的第1輸出信號線119與作為第2布線的第2輸出信號線108之間 形成第1通孔121。在作為具有彎折部的第1布線的第1輸入信號線122與作為第2布線 的第2輸入信號線113之間形成第2通孔123。也就是說，在具有彎折部的布線下方形成本 實施方式所涉及的通孔。并且，第1輸出信號線119以及第1輸入信號線122具有第3實 施方式所示的突出部。圖21是使用圖19的基本單元130實施配置布線的本實施方式所涉及的半導體集 成電路裝置的布局圖。在圖21中，C31、C32、C33是基本單元，T311、T321、T331分別是可傳 輸基本單元C31、C32、C33的輸出信號Vout的端子即第1輸出信號線，T312、T322、T332分 別是可傳輸基本單元C31、C32、C33的輸入信號Vin的端子即第1輸入信號線。此外，W311、 W32U W331與第1輸出信號線T311、T321、T331處于同層，分別是連接于第1輸出信號線 T311、T321、T331 的信號布線，W312、W322、W332 與第 1 輸入信號線 T312、T322、T332 處于 同層，分別是連接于第1輸入信號線T312、T1322、T332的信號布線。圖21中與圖15(a)同樣，信號布線W321從Y方向上側連接于第1輸出信號線 Τ321，信號布線W322從Y方向下側連接于第1輸入信號線Τ322。這樣進行布線連接的情況 下，在第1輸出信號線Τ321的與信號布線W321的連接部、以及在第1輸入信號線Τ322的 與信號布線W322的連接部形成彎折部21。并且，在該彎折部21下方形成第1以及第2通 孔121、123。再有，由第1輸出信號線Τ321與信號布線W321構成的布線、以及由第1輸入 信號線Τ322與信號布線W322構成的布線分別具有第3實施方式所示的突出部。以上根據(jù)的本實施方式，在使用基本單元實施配置布線的情況下，在布線的連接 部的彎折部21下方配置形成沒有缺口部的第1以及第2通孔121、123。由此，能夠抑制由畸變的通孔形狀引起的通孔金屬填充率下降。(第8實施方式)圖22是表示實現(xiàn)圖12 (a)所示的CMOS變換器100的基本單元140的結構圖，(a) 是表示平面構造的布局圖，(b)是(a)中的線F-F’處的剖面圖。圖22的結構雖然與圖12 以及圖13相同，但是其不同點在于代替第1以及第2通孔109、114具有第4實施方式所示 形狀的第1以及第2通孔124、125。在此，雖然圖22中圖示的是第1以及第2通孔124、125以長方形簡略化之后的通 孔形狀，但是在使用該基本單元140的實際半導體裝置中，具有與第4實施方式所示的圖7 的通孔51同樣的、具有缺口部但X方向的長度比Y方向的長度長的形狀。圖23是表示本實施方式所涉及基本單元的平面構造的布局圖。圖23的布局與圖 22(a)大致相同。其中，第1輸出信號線107與第1輸入信號線112都具有彎折部。在作為 具有彎折部的第1布線的第1輸出信號線107與作為第2布線的第2輸出信號線108之間 形成第1通孔124。在作為具有彎折部的第1布線的第1輸入信號線112與作為第2布線 的第2輸入信號線113之間形成第2通孔125。也就是說，在具有彎折部的布線下方形成本 實施方式所涉及的通孔。圖24是使用圖22的基本單元140實施配置布線的本實施方式所涉及的半導體集 成電路裝置的布局圖。在圖24中，C41、C42、C43是基本單元，T411、T421、T431分別是可傳 輸基本單元C41、C42、C43的輸出信號Vout的端子即第1輸出信號線，T412、T422、T432分 別是可傳輸基本單元C41、C42、C43的輸入信號Vin的端子即第1輸入信號線。此外，W411、 W42U W431與第1輸出信號線T411、T421、T431處于同層，分別是連接于第1輸出信號線 T411、T421、T431 的信號布線，W412、W422、W432 與第 1 輸入信號線 T412、T422、T432 處于 同層，分別是連接于第1輸入信號線T412、T1422、T432的信號布線。圖24中與圖15(a)同樣，信號布線W421從Y方向上側連接于第1輸出信號線 Τ421，信號布線W422從Y方向下側連接于第1輸入信號線Τ422。這樣進行布線連接的情況 下，在第1輸出信號線Τ421的與信號布線W421的連接部、以及在第1輸入信號線Τ422的 與信號布線W422的連接部形成彎折部21。并且，在該彎折部21下方形成第1以及第2通 孔 124,125ο以上根據(jù)本實施方式，在使用基本單元實施配置布線的情況下，在布線的連接部 的彎折部21下方，配置形成第1以及第2通孔124、125，該第1以及第2通孔124、125雖然 是具有缺口部的畸變形狀，但其面積比彎折部21大。由此，由于大的通孔而獲得金屬填充 率提高的效果，因此能夠抑制由畸變的通孔形狀引起的通孔金屬填充率下降。此外，本實施方式中使用的通孔圖案的形狀如第4實施方式所示，可以是橢圓形， 或者也可以是長圓形或矩形。另外，上述各實施方式中，在布線的微細化升級，布線俯視的寬度比深度更小的器 件中，將獲得更好的效果。此外，在上述第5 第8的各實施方式中，雖然各自使用含有一種通孔形狀的基本 單元，但是在實際的半導體集成電路裝置中，可以任意組合使用各實施方式所示的基本單 元。在這種結構中，也能夠同樣地獲得各實施方式中的作用效果。也就是說，在半導體集成 電路裝置中，第1 第4實施方式所示的通孔之中的多種通孔可以混合存在。例如，在半導體集成電路裝置中，第1實施方式所涉及的通孔與第3實施方式所涉及的通孔可以混合存 在，第1實施方式所涉及的通孔與第4實施方式所涉及的通孔可以混合存在，第3實施方式 所涉及的通孔與第4實施方式所涉及的通孔可以混合存在。此外，在上述第5 第8的各實施方式中，具有彎折部的布線形狀并不限定于圖示 的情況，可以是T字形、L字形、十字形以外的形狀。再有，在上述第5 8的各實施方式中，雖然作為基本單元的一例使用標準單元 即CMOS變換器單元進行了說明，但是基本單元并不限定于CMOS變換。基本單元中例如有 AND電路OR電路等的組合電路、觸發(fā)器等的時序電路、模擬功能模塊等，在使用這些基本單 元的情況下，也能夠獲得與上述各實施方式同樣的作用效果。此外，在上述第5 第8的各實施方式中，雖然僅對基本單元內的布線和通孔進行 了說明，但是對于基本單元以外的布線和通孔也能夠應用本發(fā)明。此外，在上述各實施方式中，即使使用圖1(g)的通孔圖案9或圖11(d)的通孔圖 案70所示的長方形通孔圖案，在制造實際產(chǎn)品時，由于通孔的角度為圓形，因此也未必如 通孔圖案那樣來完成的。(產(chǎn)業(yè)上的利用可能性)本發(fā)明中，由于在半導體裝置、和使用基本單元的半導體集成電路裝置中，能夠抑 制由于通孔嵌入不良而引起的制造成品率下降，因此對于LSI的成本降低是有效的。
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權利要求
一種半導體裝置，其特征在于，具有第1布線；第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以及第2布線，所述第1布線在俯視下具有彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；以及第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸，所述第1通孔在俯視下，其在所述第1布線區(qū)域以與所述彎折部的區(qū)域不重疊的方式形成，所述第1方向的長度比所述第2方向的長度長，所述第2方向上的兩端與所述第1布線區(qū)域在所述第2方向上的兩端重疊。
2.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第2布線通過所述彎折部的下方。
3.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，在俯視下，所述第1通孔在所述第1方向上的兩端的形狀是向外側鼓起的圓弧狀。
4.根據(jù)權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，該半導體裝置還具有第2通孔，所述第2通孔在所述第1布線與所述第2布線之間形 成，電連接所述第1以及第2布線，配置所述第2通孔，使其在俯視下包含所述彎折部的區(qū)域。
5.一種半導體裝置，其特征在于， 具有第1布線；第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以及第2布線， 所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸；以及 第1突出部，以從所述彎折部向所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向突出的方式形成，所述第1通孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，其在所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向上的端部，比所述第1突出部的端部更靠 近所述彎折部側。
6.根據(jù)權利要求5所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第1布線在俯視下具有第3布線區(qū)域，從所述彎折部在所述第1方向上向與所述第1布線區(qū)域相反側延伸；以及第2突出部，以從所述彎折部向所述第2以及第3布線區(qū)域之間的方向突出的方式形成，所述第1通孔在俯視下，其在所述第2以及第3布線區(qū)域之間的方向上的端部，比所述第2突出部的端部更靠 近所述彎折部側。
7.根據(jù)權利要求6所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第1布線在俯視下具有第4布線區(qū)域，從所述彎折部在所述第2方向上向與所述第2布線區(qū)域相反側延伸； 第3突出部，以從所述彎折部向所述第3以及第4布線區(qū)域之間的方向突出的方式形 成；以及第4突出部，以從所述彎折部向所述第1以及第4布線區(qū)域之間的方向突出的方式形成，所述第1通孔在俯視下，其在所述第3以及第4布線區(qū)域之間的方向上的端部，比所述第3突出部的端部更靠 近所述彎折部側，其在所述第1以及第4布線區(qū)域之間的方向上的端部，比所述第4突出部的端部更靠 近所述彎折部側。
8.一種半導體裝置，其特征在于，具有 第1布線；第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以及第2布線， 所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；以及第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸，所述第1通孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，從所述彎折部在所述第1布線區(qū)域向所述第1方向突出的長度，比從所述彎折部在所 述第2布線區(qū)域向所述第2方向突出的長度長。
9.根據(jù)權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，在俯視下，所述第1通孔在所述第1布線區(qū)域向所述第1方向突出的端部的形狀是向 外側鼓起的圓弧狀。
10.根據(jù)權利要求8所述的半導體裝置，其特征在于，在俯視下，所述第1通孔在所述第2布線區(qū)域向所述第2方向突出的端部的形狀是向 外側鼓起的圓弧狀。
11.根據(jù)權利要求1、5、或者8所述的半導體裝置，其特征在于， 所述第1布線在俯視下的寬度比深度小。
12.—種基本單元，形成半導體集成電路裝置，其特征在于，具有 第1布線，其作為能傳輸輸入信號或者輸出信號的端子；第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以及第2布線， 所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；以及 第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸， 所述第1通孔在俯視下，在所述第1布線區(qū)域以與所述彎折部的區(qū)域不重疊的方式配置， 所述第1方向的長度比所述第2方向的長度長，在所述第2方向上的兩端與所述第1布線區(qū)域在所述第2方向上的兩端重疊。
13.—種基本單元，形成半導體集成電路裝置，其特征在于，具有 第1布線，其作為能傳輸輸入信號或者輸出信號的端子；第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1以及第2布線， 所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸；以及 第1突出部，以從所述彎折部向所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向突出的方式形成，所述第1通孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，在所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向上的端部，比所述第1突出部的端部更靠近 所述彎折部側。
14.一種半導體集成電路裝置，具備多個基本單元，所述多個基本單元分別具有能傳輸 輸入信號或者輸出信號的端子，該半導體集成電路裝置的特征在于，所述多個基本單元之中的至少一個具有第1布線，其連接作為所述端子的布線和從該基本單元的外部延伸的信號布線； 第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1布線以及第2 布線，所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；以及 第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸， 所述第1通孔在俯視下，在所述第1布線區(qū)域以與所述彎折部的區(qū)域不重疊的方式配置， 所述第1方向的長度比所述第2方向的長度長，在所述第2方向上的兩端與所述第1布線區(qū)域在所述第2方向上的兩端重疊。
15.一種半導體集成電路裝置，具備多個基本單元，所述多個基本單元分別具有能傳輸輸入信號或者輸出信號的端子，該半導體集成電路裝置的特征在于， 所述多個基本單元之中的至少一個具有第1布線，其連接作為所述端子的布線和從該基本單元的外部延伸的信號布線； 第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1布線以及第2 布線，所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸；以及 第1突出部，以從所述彎折部向所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向突出的方式形成，所述第1通孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，在所述第1以及第2布線區(qū)域之間的方向上的端部，比所述第1突出部的端部更靠近 所述彎折部側。
16. 一種半導體集成電路裝置，具備多個基本單元，所述多個基本單元分別具有能傳輸 輸入信號或者輸出信號的端子，該半導體集成電路裝置的特征在于， 所述多個基本單元之中的至少一個具有第1布線，其連接作為所述端子的布線和從該基本單元的外部延伸的信號布線； 第2布線，其配置于所述第1布線的下層；以及第1通孔，其在所述第1布線與所述第2布線之間形成，電連接所述第1布線以及第2 布線，所述第1布線在俯視下具有 彎折部；第1布線區(qū)域，從所述彎折部向第1方向延伸；以及第2布線區(qū)域，從所述彎折部向與所述第1方向垂直的第2方向延伸，所述第1通孔在俯視下，以包含所述彎折部的區(qū)域的方式配置，從所述彎折部在所述第1布線區(qū)域向所述第1方向突出的長度，比從所述彎折部在所 述第2布線區(qū)域向所述第2方向突出的長度長。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導體裝置，其中，布線(1)具有彎折部(2)、從彎折部(2)向X方向延伸的第1布線區(qū)域(1a)、從彎折部(2)向Y方向延伸的第2布線區(qū)域(1b)。在布線(1)的下方形成通孔(3)。在第1布線區(qū)域(1a)中，以不與彎折部(2)的區(qū)域重疊的方式形成通孔(3)，其X方向的長度(x)比Y方向的長度(y)長，Y方向上的兩端與第1布線區(qū)域(1a)的Y方向上的兩端重疊。
文檔編號H01L21/822GK101960583SQ20108000113
公開日2011年1月26日 申請日期2010年1月14日 優(yōu)先權日2009年2月17日
發(fā)明者一柳美和, 上原裕之, 西村英敏 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社