專利名稱：驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種驅(qū)動功率較大的芯片版圖結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著人們對芯片的要求越來越高，在芯片的應(yīng)用過程中，人們希望芯片不僅功能正確無誤，有良好的性能，對芯片的面積要求也越來越高，所以對版圖的要求也會提高。 一般情況下芯片的驅(qū)動版圖的結(jié)構(gòu)如圖1所示，這種多晶柵晶體管是由一系列源極接觸 (Source contact)和漏極接觸(Draincontact)相互交叉排列形成的漏源叉指組成。盡管這樣的排布非常簡單，但晶體管的結(jié)構(gòu)不夠緊湊，因此占有用的芯片的面積較大，進(jìn)而增加了生產(chǎn)成本。尤其對于大功率的芯片來說，由于芯片的工作電壓基本不變，因此通過芯片的電流較大，容易使芯片發(fā)熱，進(jìn)而影響芯片的性能。

實用新型內(nèi)容本實用新型的目的在于提出一種驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其采用曲柵狀晶體管的版圖排列方式，以減小芯片的面積，提高芯片的性能及功能，進(jìn)而改善器件在極限條件下的穩(wěn)定性。為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提出如下技術(shù)方案該版圖結(jié)構(gòu)的晶體管采用曲柵狀的排列方式，即晶體管的柵極是采用平緩的大角度的彎曲方式延伸，柵極的兩側(cè)分別相間形成源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸。所述晶體管的柵極采用135度的彎曲方式；所述晶體管相接的柵極進(jìn)行兩次135度彎折后平行延伸；所述源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸呈對角狀分布；所述版圖結(jié)構(gòu)的兩側(cè)易植入分布式背柵接觸孔以對芯片上的晶體管進(jìn)行擴展。與背景技術(shù)相比，本實用新型所揭示的驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，由于是采用曲柵狀排列的晶體管結(jié)構(gòu)，即晶體管的柵極采用較為平緩的135度的彎曲方式延伸，增加了柵極的寬度，使得柵極條的排布更為緊密，其較背景技術(shù)中版圖結(jié)構(gòu)減少了一半的芯片面積，降低了生產(chǎn)成本。同時，由于源極區(qū)接觸孔和漏極區(qū)接觸孔呈對角放置，增加了源/漏限流作用，改善了電子器件在極限條件下的穩(wěn)定性。

圖1為現(xiàn)有的驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2為本實用新型驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)的示意圖；圖3為本實用新型驅(qū)動芯片植入背柵接觸孔后的版圖結(jié)構(gòu)的示意具體實施方式
[0013]如圖2所示，為本實用新型大功率驅(qū)動的芯片結(jié)構(gòu)的一種最佳實施方式，其晶體管是采用曲柵狀的排列方式，即多晶硅的柵極(poly)并非采用圖1中的90度的彎曲布置，而是采用較為平緩的135度的對稱的彎曲方式(采用135度彎曲的方式為最優(yōu)的彎曲方式)，即相接的柵極是經(jīng)過兩次135度的彎折后平行延伸，形成如圖2所示的分布形式，在彎曲區(qū)域相間的兩側(cè)分別形成源極區(qū)接觸(Source contact)和漏極區(qū)接觸(Drain contact)，且源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸呈對角狀排布。這樣的彎曲排布的曲柵增加了柵極的寬度，使得晶體管的源極極接觸和漏極極接觸，以及柵極條的排列更加緊密，從而減少了芯片的面積(這種方式排列的版圖較背景技術(shù)中版圖能減小一般芯片的面積)，同時，由于柵極的彎曲采用的是較為平緩的135度彎曲，因此也不容易發(fā)生局部雪崩擊穿。此外，由于源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸孔呈對角放置，因此源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸之間的氧化層的面積增加，亦即等效于源極和漏極之間的電阻增大，這樣進(jìn)一步增加了源/漏限流作用，從而改善電子器件在極限條件下的穩(wěn)定性，例如在進(jìn)行 ESD (Electrostatic Discharge，靜電放電)測試中可能遇到的情況，提高了電子器件的整體性能。更進(jìn)一步，如圖3示，在不犧牲更多的芯片面積的同時，這種版圖結(jié)構(gòu)的芯片根據(jù)實際需要，很容易實現(xiàn)在芯片的兩側(cè)進(jìn)行同樣排列方式的晶體管的擴展，即在芯片的兩側(cè)植入大范圍的分布式背柵接觸孔網(wǎng)絡(luò)，使得這種器件適用于經(jīng)常發(fā)生瞬態(tài)過載的情況。本實用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特征已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實用新型的教示及揭示而作種種不背離本實用新型精神的替換及修飾，因此，本實用新型保護范圍應(yīng)不限于實施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實用新型的替換及修飾，并為本專利申請權(quán)利要求所涵蓋。
權(quán)利要求1.一種驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于該版圖結(jié)構(gòu)的晶體管采用曲柵狀的排列方式，即晶體管的柵極是采用平緩的大角度的彎曲方式延伸，柵極的兩側(cè)分別相間形成源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶體管的柵極采用135 度的彎曲方式。
3.如權(quán)利要求2所述的驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于所述晶體管相接的柵極進(jìn)行兩次135度彎折后平行延伸。
4.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于所述源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸呈對角狀分布。
5.如權(quán)利要求1所述的驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，其特征在于所述版圖結(jié)構(gòu)的兩側(cè)易植入分布式背柵接觸孔。
專利摘要本實用新型揭示了一種驅(qū)動芯片的版圖結(jié)構(gòu)，該版圖結(jié)構(gòu)的晶體管采用曲柵狀的排列方式，即晶體管的柵極是采用較為平緩的135度的彎曲方式延伸，即相接的柵極進(jìn)行兩次135度彎折后平行延伸，而柵極的兩側(cè)分別相間形成對角狀分布的源極區(qū)接觸和漏極區(qū)接觸。如此排列的版圖結(jié)構(gòu)，增加了柵極的寬度，使得柵極條的排布更加緊密，減少了芯片的面積；同時，由于源極區(qū)接觸孔和漏極區(qū)接觸孔呈對角放置，增加了源/漏限流作用，改善了電子器件在極限條件下的穩(wěn)定性。
文檔編號H01L29/08GK202058739SQ20102068816
公開日2011年11月30日 申請日期2010年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月30日
發(fā)明者張禎, 彭秋平, 杭曉偉 申請人:蘇州華芯微電子股份有限公司