專利名稱：一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉 及一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
瞬態(tài)電壓抑制器是一種用于保護(hù)器件的半導(dǎo)體器件，當(dāng)瞬態(tài)電壓抑制器的兩極 受到反向瞬態(tài)高能量沖擊時(shí)，它能以10的負(fù)12次方秒量級(jí)的速度，將其兩極間的高阻 抗變?yōu)榈妥杩?，吸收高達(dá)數(shù)千瓦的浪涌功率，使兩極間的電壓箝位于一個(gè)預(yù)定值，有效 地保護(hù)電子線路中的精密元器件，免受各種浪涌脈沖的損壞。由于它具有響應(yīng)時(shí)間快、 瞬態(tài)功率大、漏電流低、擊穿電壓偏差、箝位電壓較易控制、無損壞極限、體積小等優(yōu) 點(diǎn)。目前已廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)、通訊設(shè)備、交/直流電源、汽車、電子鎮(zhèn)流器、家 用電器、儀器儀表(電度表)、RS232/422/423/485、I/O、LAN、ISDN、ADSL、USB、 MP3、PDAS、GPS、CDMA、GSM、數(shù)字照相機(jī)的保護(hù)、共模/差模保護(hù)、RF耦合/IC 驅(qū)動(dòng)接收保護(hù)、電機(jī)電磁波干擾抑制、聲頻/視頻輸入、傳感器/變速器、工控回路、繼 電器、接觸器噪音的抑制等各個(gè)領(lǐng)域?，F(xiàn)有瞬態(tài)電壓抑制器的引線框與晶粒的焊接區(qū)(凸臺(tái)平面邊緣輪廓)為圓形，如 附圖1-2所示，其面積不夠大，導(dǎo)致過壓保護(hù)能力得不到完全發(fā)揮。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，該引線框架提高了 有效焊接面積，大大提高了瞬態(tài)電壓抑制器的過壓保護(hù)能力。為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，包括與二極管晶粒P區(qū)焊接的第 一引線框、與二極管晶粒N區(qū)焊接的第二引線框，所述與二極管晶粒P區(qū)焊接的第一引 線框的支撐區(qū)上設(shè)有凸臺(tái)，此凸臺(tái)形狀為圓角矩形。上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下1、上述方案中，所述第一引線框另一端為引腳區(qū)，此引腳區(qū)與支撐區(qū)之間區(qū)域 設(shè)有溝槽，該溝槽從第一引線框一側(cè)延伸至另一側(cè)。2、上述方案中，所述第一引線框的支撐區(qū)與引腳區(qū)之間區(qū)域設(shè)有通孔。3、上述方案中，所述通孔為圓孔。由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)本實(shí)用新型提供一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，該設(shè)計(jì)方案引線框 與晶粒的焊接區(qū)(凸臺(tái)平面邊緣輪廓)為帶圓角的矩形，該形狀與芯片焊接區(qū)形狀最接 近，保證了最大有效焊接面積，使晶粒的過壓保護(hù)能力得以充分發(fā)揮。通過實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證， 用60-70mil晶粒可取代現(xiàn)有的SOmil晶粒，從而可實(shí)現(xiàn)縮小晶粒尺寸，提高了瞬態(tài)電壓抑 制器的過壓保護(hù)能力，顯著降低晶粒成本的目的。
附圖1為現(xiàn)有引線框架結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為附圖1仰視結(jié)構(gòu)示意圖；附圖3為本實(shí)用性引線框架結(jié)構(gòu)示意圖；附圖4為附圖3仰視結(jié)構(gòu)示意圖。以上附圖中1、二極管晶粒；2、第一引線框；3、凸臺(tái)；4、溝槽；5、通孔。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述實(shí)施例一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，如附圖3-4所示，包括與二極管晶粒IP區(qū)焊接的第一引線框2、與二極管晶 粒IN區(qū)焊接的第二引線框，所述與二極管晶粒IP區(qū)焊接的第一引線框2的支撐區(qū)上設(shè)有 凸臺(tái)3，此凸臺(tái)3形狀為圓角矩形。所述第一引線框2另一端為引腳區(qū)，此引腳區(qū)與支撐區(qū)之間區(qū)域設(shè)有溝槽4，該 溝槽4從第一引線框2 —側(cè)延伸至另一側(cè)。所述第一引線框2的支撐區(qū)與引腳區(qū)之間區(qū)域設(shè)有通孔5。所述通孔5為圓孔。上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技 術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，包括與二極管晶粒(I)P區(qū)焊接的第 一引線框(2)、與二極管晶粒(I)N區(qū)焊接的第二引線框，其特征在于所述與二極管晶 粒(I)P區(qū)焊接的第一引線框(2)的支撐區(qū)上設(shè)有凸臺(tái)(3)，此凸臺(tái)(3)形狀為圓角矩形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于所述第一引線框(2)另一端為引腳 區(qū)，此引腳區(qū)與支撐區(qū)之間區(qū)域設(shè)有溝槽(4)，該溝槽(4)從第一引線框(2) —側(cè)延伸至 另一側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的引線框架，其特征在于所述第一引線框(2)的支撐區(qū)與引 腳區(qū)之間區(qū)域設(shè)有通孔(5)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的引線框架，其特征在于所述通孔(5)為圓孔。
專利摘要一種用于制造瞬態(tài)電壓抑制器的引線框架，包括與二極管晶粒N區(qū)焊接的第一引線框、與二極管晶粒P區(qū)焊接的第二引線框，所述與二極管晶粒P區(qū)焊接的第一引線框的支撐區(qū)上設(shè)有凸臺(tái)，此凸臺(tái)形狀為圓角矩形；所述第一引線框另一端為引腳區(qū)，此引腳區(qū)與支撐區(qū)之間區(qū)域設(shè)有溝槽，該溝槽從第一引線框一側(cè)延伸至另一側(cè)；所述第一引線框的支撐區(qū)與引腳區(qū)之間區(qū)域設(shè)有通孔。本實(shí)用新型引線框架提高了有效焊接面積，大大提高了瞬態(tài)電壓抑制器的過壓保護(hù)能力。
文檔編號(hào)H01L23/495GK201804858SQ20102054490
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者何洪運(yùn), 姜旭波, 張雄杰, 程琳 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司