專利名稱：一種雙晶粒的整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種雙晶粒的整流器技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種雙晶粒的整流器，屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域。
技術(shù)背景[0002]整流器是利用二極管的單向?qū)щ娞匦詫?duì)交流電進(jìn)行整流，故被廣泛應(yīng)用于交流 電轉(zhuǎn)換成直流電的電路中。如附圖1所示，現(xiàn)有雙晶粒二極管產(chǎn)品設(shè)計(jì)多為兩顆晶粒并 排布置，須用連接片實(shí)現(xiàn)電路結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)復(fù)雜，且由于產(chǎn)品內(nèi)部空間沒有充分得到有效 利用，因此晶粒放置區(qū)域及最終產(chǎn)品外形尺寸較大。[0003]因此，如何研發(fā)一種雙晶粒的整流器，解決現(xiàn)有整流器產(chǎn)品內(nèi)部空間不能有效 利用和結(jié)構(gòu)復(fù)雜問題，便成為本領(lǐng)域技術(shù)人員努力的方向。發(fā)明內(nèi)容[0004]本實(shí)用新型提供一種雙晶粒的整流器，該整流器充分利用了產(chǎn)品內(nèi)部空間，體 積小且結(jié)構(gòu)簡單。[0005]為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是[0006]一種雙晶粒的整流器，包括第一二極管晶粒、第二二極管晶粒、第一引線 框、第二引線框，所述第一二極管晶粒的一端與第二二極管晶粒的一端焊接，所述第 一、二引線框的支撐區(qū)上均設(shè)有凸臺(tái)，此第一、二引線框的支撐區(qū)和引腳區(qū)之間均設(shè)有 折彎區(qū)，所述第一二極管晶粒的另一端與第一引線框的凸臺(tái)焊接，所述第二二極管晶粒 的另一端與第二引線框的凸臺(tái)焊接。[0007]上述技術(shù)方案中的有關(guān)內(nèi)容解釋如下[0008]上述方案中，所述第一引線框引腳區(qū)與第二引線框引腳區(qū)位于同一水平面。[0009]由于上述技術(shù)方案運(yùn)用，本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點(diǎn)[0010]本實(shí)用新型提供一種雙晶粒的整流器，該雙晶粒的整流器為疊晶粒的結(jié)構(gòu)設(shè) 計(jì)，充分利用了產(chǎn)品內(nèi)部空間，體積小，省略了獨(dú)立的連接片，電路實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單；其 次，折彎區(qū)高度和凸臺(tái)高度的配合設(shè)計(jì)，不僅在小尺寸產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)了雙晶粒結(jié)構(gòu)，而且 上下引線框統(tǒng)一為一種結(jié)構(gòu)，為原材料管理提供了便利，原材料成本也有所降低；再 次，設(shè)置了凸臺(tái)可防止焊錫溢出到晶粒P面非焊接區(qū)，同時(shí)保證有足夠的焊接面積。


[0011]附圖1為現(xiàn)有雙晶粒的整流器結(jié)構(gòu)示意圖；[0012]附圖2為本實(shí)用新型雙晶粒的整流器結(jié)構(gòu)主視圖；[0013]附圖3為附圖2的俯視圖示意圖。[0014]以上附圖中1、第一二極管晶粒；2、第二二極管晶粒；3、第一引線框；4、 第二引線框；5、凸臺(tái)；6、支撐區(qū)；7、引腳區(qū)；8、折彎區(qū)；9、連接片。
具體實(shí)施方式
[0015]
以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述[0016]實(shí)施例一種雙晶粒的整流器，[0017]如附圖1-2所示，包括第一二極管晶粒1、第二二極管晶粒2、第一引線框 3、第二引線框4，所述第一二極管晶粒1的一端與第二二極管晶粒2的一端焊接，所述 第一、二引線框3、4的支撐區(qū)6上均設(shè)有凸臺(tái)5，此第一、二引線框3、4的支撐區(qū)6和 引腳區(qū)7之間均設(shè)有折彎區(qū)8，所述第一二極管晶粒1的另一端與第一引線框3的凸臺(tái)焊 接，所述第二二極管晶粒2的另一端與第二引線框4的凸臺(tái)5焊接。[0018]所述第一引線框3引腳區(qū)7與第二引線框4引腳區(qū)7位于同一水平面。[0019]上述實(shí)施例只為說明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn)，其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技 術(shù)的人士能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施，并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范 圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型精神實(shí)質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù) 范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種雙晶粒的整流器，包括第一二極管晶粒(1)、第二二極管晶粒O)、第一引 線框(3)、第二引線框0)，其特征在于所述第一二極管晶粒(1)的一端與第二二極管 晶粒O)的一端焊接，所述第一、二引線框(3、4)的支撐區(qū)(6)上均設(shè)有凸臺(tái)(5)，此第 一、二引線框(3、4)的支撐區(qū)(6)和引腳區(qū)(7)之間均設(shè)有折彎區(qū)(8)，所述第一二極管 晶粒(1)的另一端與第一引線框(3)的凸臺(tái)焊接，所述第二二極管晶粒(2)的另一端與第 二引線框(4)的凸臺(tái)(5)焊接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的整流器，其特征在于所述第一引線框(3)引腳區(qū)(7)與第 二引線框(4)引腳區(qū)(7)位于同一水平面。
專利摘要一種雙晶粒的整流器，包括第一二極管晶粒、第二二極管晶粒、第一引線框、第二引線框，所述第一二極管晶粒的一端與第二二極管晶粒的一端焊接，所述第一、二引線框的支撐區(qū)上均設(shè)有凸臺(tái)，此第一、二引線框的支撐區(qū)和引腳區(qū)之間均設(shè)有折彎區(qū)，所述第一二極管晶粒的另一端與第一引線框的凸臺(tái)焊接，所述第二二極管晶粒的另一端與第二引線框的凸臺(tái)焊接。本實(shí)用新型整流器充分利用了產(chǎn)品內(nèi)部空間，體積小且結(jié)構(gòu)簡單。
文檔編號(hào)H01L23/495GK201813319SQ20102054490
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月28日
發(fā)明者何洪運(yùn), 姜旭波, 張雄杰, 程琳 申請(qǐng)人:蘇州固锝電子股份有限公司