專利名稱：高壓硅堆的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說(shuō)涉及一種高壓硅堆。
技術(shù)背景市場(chǎng)中使用的大部分為常規(guī)二極管產(chǎn)品，均采用單一二極管芯片進(jìn)行封裝，其缺 點(diǎn)是單一二極管芯片電壓能力有限，隨著電子行業(yè)技術(shù)水平的不斷提高，常規(guī)二極管產(chǎn)品 已經(jīng)不能滿足于特殊領(lǐng)域的高要求
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)不足之處而提供一種耐壓高、耐沖擊、可靠性 高的高壓硅堆。本實(shí)用新型的目的是通過以下措施來(lái)實(shí)現(xiàn)一種高壓硅堆，具有若干個(gè)串聯(lián)的玻 璃鈍化的高壓二極管芯片，電極引線，環(huán)氧封灌層，其特征在于，所述各二極管芯片串聯(lián)連 接面之間、兩端二極管芯片與電極引線連接面之間均設(shè)有粘接片，所述串聯(lián)連接的二極管 芯片及兩端電極引線端部包裹有一層PI保護(hù)膠，PI保護(hù)膠的外層為環(huán)氧灌封層，電極引線 伸出環(huán)氧灌封層。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于采用了本實(shí)用新型的高壓硅堆，具有以下優(yōu)點(diǎn)將多個(gè)玻 璃鈍化的高壓二極管芯片疊加后的硅堆，理論上能將幾個(gè)芯片的耐壓累加而得到較高的耐 壓，可達(dá)4000伏及以上，另外，經(jīng)過保護(hù)膠和特殊的封裝工藝后能用于高溫環(huán)境，適于在汽 車點(diǎn)火等系統(tǒng)中運(yùn)用。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖對(duì)具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說(shuō)明圖1給出了本實(shí)用新型實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中，一種高壓硅堆，具有若干個(gè)串 聯(lián)的玻璃鈍化的高壓二極管芯片1，電極引線5，環(huán)氧封灌層4 ；各二極管芯片1串聯(lián)連接面 之間、兩端二極管芯片1與電極引線5連接面之間均設(shè)有粘接片2，所述串聯(lián)連接的二極管 芯片及兩端電極引線端部包裹有一層PI保護(hù)膠3，PI保護(hù)膠3的外層為環(huán)氧封灌層4，電 極引線5伸出環(huán)氧封灌層。本實(shí)用新型采用的芯片1為本公司生產(chǎn)的經(jīng)玻璃鈍化的高壓芯片，通過特有的氮 化硅制程工藝，采用了背面切割工藝，避免了正面切割可能引起的玻璃裂紋、硅裂、背崩等 可靠性問題。粘接片2的采用有利于芯片間的連接，提高產(chǎn)品的反向電壓。PI保護(hù)膠3可 起到應(yīng)力緩沖保護(hù)芯片的作用，避免因封裝應(yīng)力過大，對(duì)芯片產(chǎn)生損傷引起的產(chǎn)品失效。電 極引線5為特殊的青銅(CuSne)材料，具有優(yōu)良的機(jī)械性能，良好的抗彎性能，高耐腐蝕性等特點(diǎn)。 上述實(shí)施例并不構(gòu)成對(duì)本實(shí)用新型的限制，凡采用等同替換或等效變換的形式所 獲得的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種高壓硅堆，具有若干個(gè)串聯(lián)的玻璃鈍化的高壓二極管芯片，電極引線，環(huán)氧封灌 層，其特征在于，各二極管芯片串聯(lián)連接面之間、兩端二極管芯片與電極引線連接面之間均 設(shè)有粘接片，所述串聯(lián)連接的二極管芯片及兩端電極引線端部包裹有一層PI保護(hù)膠，PI保 護(hù)膠的外層為環(huán)氧灌封層，電極引線伸出環(huán)氧灌封層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種高壓硅堆。包括有由若干個(gè)串聯(lián)的玻璃鈍化的高壓二極管芯片、電極引線、環(huán)氧封灌層；所述各二極管芯片串聯(lián)連接面之間、兩端二極管芯片與電極引線連接面之間均設(shè)有粘接片，所述串聯(lián)連接的二極管芯片及兩端電極引線端部包裹有一層PI保護(hù)膠，PI保護(hù)膠的外層為環(huán)氧灌封層，電極引線伸出環(huán)氧灌封層。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)將多個(gè)玻璃鈍化的高壓二極管芯片疊加后的硅堆，理論上能將幾個(gè)芯片的耐壓累加而得到較高的耐壓，可達(dá)4000伏及以上，另外，經(jīng)過保護(hù)膠和特殊的封裝工藝后能用于高溫環(huán)境，適于在汽車點(diǎn)火等系統(tǒng)中運(yùn)用。
文檔編號(hào)H01L23/498GK201877425SQ20102053050
公開日2011年6月22日 申請(qǐng)日期2010年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月15日
發(fā)明者臧凱晉, 蔣陸金 申請(qǐng)人:上海美高森美半導(dǎo)體有限公司