專利名稱：單相整流橋的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說涉及一種單相整流橋。
技術(shù)背景在電力半導(dǎo)體模塊的發(fā)展中，隨著集成度的提高，體積減小，使得單位散熱面積上 的功耗增加，散熱成為模塊制造中的一個關(guān)鍵問題，而傳統(tǒng)的模塊結(jié)構(gòu)如焊接式、或壓接 式，已無法成功地解決散熱問題。因此對處于散熱底板和芯片之間的導(dǎo)熱絕緣材料提出了 新要求。實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)不足之處而提供一種散熱性能好的、性能穩(wěn)定 的、壽命長耐用的單相整流橋。本實(shí)用新型的目的是通過以下措施來實(shí)現(xiàn)一種單相整流橋，包括有殼體、一組由 玻璃鈍化的高壓芯片組成的橋式整流器，其特征在于還有由銅基板、陶瓷基片、銅墊板依 次層疊連接的基礎(chǔ)件；所述橋式整流器下底面與基礎(chǔ)件的銅墊板焊接連接，橋式整流器及 基礎(chǔ)件由環(huán)氧樹脂灌封在殼體中，橋式整流器接線端子外伸出殼體。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于采用了本實(shí)用新型的單相整流橋，具有以下優(yōu)點(diǎn)1)采用由銅墊板、陶瓷基片組成的覆銅陶瓷基板材料，具有高導(dǎo)熱率，加之高純厚 銅基板的高熱容量和高熱擴(kuò)散能力，與同類產(chǎn)品相比具有強(qiáng)的散熱性能各絕緣性能，產(chǎn)品 耐壓達(dá)到2. 5KV以上；2)所選銅墊板、陶瓷基片及銅基板與硅芯片的熱膨脹率相近，故熱膨 脹內(nèi)應(yīng)力小、性能穩(wěn)定、使用壽命長。


圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1實(shí)施例整流橋電路原理圖。
具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對具體實(shí)施方式
作詳細(xì)說明圖1 圖2中，一種單相整流橋，包括有殼體8、一組由玻璃鈍化的高壓芯片組成的 橋式整流器9，所述殼體8底面由下至上依次層疊有銅基板1，陶瓷基片2，銅墊板3，所述橋 式整流器9由連橋4，二極管芯片6，交、直流接線端子5組成，橋式整流器9下底面與銅墊 板3焊接連接，橋式整流器9由環(huán)氧樹脂7灌封在殼體8中，橋式整流器接線端子外伸出殼 體。本實(shí)用新型采用由銅墊板、陶瓷基片組成的覆銅陶瓷基板材料，銅墊板能夠有效 與二極管芯片焊接，起到良好的過渡連接作用，陶瓷基片具有絕緣性能好，能有效降低焊接 時的機(jī)械應(yīng)力，傳導(dǎo)熱性能佳的特有性能。位于最底部的銅基板具有高熱容量和高熱擴(kuò)散3能力，二極管芯片采用本公司經(jīng)玻璃鈍化的高壓芯片，通過特有的氮化硅制程工藝，采用了 背面切割工藝，避免了正面切割可能起的玻璃裂紋、硅裂、背崩等可靠性問題，保證了組成 的橋式整流器具有耐高溫、耐高壓特性及高可靠性，本產(chǎn)品耐壓能達(dá)到2. 5KV以上。 上述實(shí)施例并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的限制，凡采用等同替換或等效變換的形式所 獲得的技術(shù)方案，均落在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1. 一種單相整流橋，包括有殼體、一組由玻璃鈍化的高壓芯片組成的橋式整流器，其特 征在于還有由銅基板、陶瓷基片、銅墊板依次層疊連接的基礎(chǔ)件；所述橋式整流器下底面 與基礎(chǔ)件的銅墊板焊接連接，橋式整流器及基礎(chǔ)件由環(huán)氧樹脂灌封在殼體中，橋式整流器 接線端子外伸出殼體。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種單相整流橋。包括有殼體、橋式整流器、基礎(chǔ)件。所述基礎(chǔ)件由銅基板、陶瓷基片、銅墊板依次層疊連接組成；所述橋式整流器下底面與基礎(chǔ)件的銅墊板焊接連接，橋式整流器及基礎(chǔ)件由環(huán)氧樹脂灌封在殼體中，橋式整流器接線端子外伸出殼體。本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)1)采用由銅墊板、陶瓷基片組成的覆銅陶瓷基板材料，具有高導(dǎo)熱率，加之高純厚銅基板的高熱容量和高熱擴(kuò)散能力，與同類產(chǎn)品相比具有強(qiáng)的散熱性能各絕緣性能，產(chǎn)品耐壓達(dá)到2.5KV以上；2)所選銅墊板、陶瓷基片及銅基板與硅芯片的熱膨脹率相近，故熱膨脹內(nèi)應(yīng)力小、性能穩(wěn)定、使用壽命長。
文檔編號H01L23/28GK201838587SQ20102053049
公開日2011年5月18日 申請日期2010年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月15日
發(fā)明者臧凱晉, 蔣陸金 申請人:上海美高森美半導(dǎo)體有限公司