技術(shù)編號：6976562
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實用新型涉及一種半導(dǎo)體器件，更具體地說涉及一種高壓硅堆。技術(shù)背景市場中使用的大部分為常規(guī)二極管產(chǎn)品，均采用單一二極管芯片進(jìn)行封裝，其缺 點是單一二極管芯片電壓能力有限，隨著電子行業(yè)技術(shù)水平的不斷提高，常規(guī)二極管產(chǎn)品 已經(jīng)不能滿足于特殊領(lǐng)域的高要求實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)不足之處而提供一種耐壓高、耐沖擊、可靠性 高的高壓硅堆。本實用新型的目的是通過以下措施來實現(xiàn)一種高壓硅堆，具有若干個串聯(lián)的玻 璃鈍化的高壓二極管芯片，電極引線，環(huán)氧封灌層...
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