專(zhuān)利名稱(chēng)：大容量硅晶片承載裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
大容量硅晶片承載裝置
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且 專(zhuān)門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的，或者專(zhuān)門(mén)適用于通過(guò)這樣的輻射進(jìn)行電能控制 的半導(dǎo)體器件；專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或設(shè)備；涉及與液 體接觸的清潔。具體涉及硅晶片生產(chǎn)過(guò)程中的硅晶片清洗工序。
背景技術(shù)：
太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)和應(yīng)用是目前世界上增長(zhǎng)最快的產(chǎn)業(yè)之一。太陽(yáng)能電池中硅晶 電池約占70%左右，是增長(zhǎng)最快的一個(gè)品種。硅晶電池的生產(chǎn)過(guò)程，需要在150°C溫度下用 NaOH、HCI、HF溶液對(duì)硅晶片進(jìn)行清洗。清洗過(guò)程中，需要使用承載裝置盛裝硅晶片。目前大 多數(shù)硅晶片承載裝置構(gòu)造過(guò)于復(fù)雜，本身重量過(guò)重，承載裝置的結(jié)構(gòu)形狀不利于清洗液的 順暢流動(dòng)，并且承載裝置的限位桿強(qiáng)度不夠，長(zhǎng)期在高溫(150°C )下使用，會(huì)出現(xiàn)變形、彎 曲等不良現(xiàn)象，容易造成清洗液滯留在硅晶片上。本公司的專(zhuān)利《一種硅晶承載裝置》(專(zhuān) 利號(hào)200920133787. 3)公開(kāi)了一種硅晶片承載裝置。該硅晶片承載裝置包括相互平行的兩 塊端板(第一端板、第二端板)、相互平行的固定于該兩塊端板上位于該兩塊端板之間并與 該兩塊端板垂直的至少兩根限位桿(第一限位桿、第二限位桿)和固定于兩塊端板上位于 限位桿下方并與所述限位桿平行的至少一根用于支承硅晶片的支撐桿所述限位桿內(nèi)側(cè)面 (相對(duì)之一側(cè))均開(kāi)設(shè)有用以裝卡硅晶片的牙口 所述兩塊端板上部之兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有用于 放置夾持工具以操作和緊固該硅晶片承載裝置的卡勾。該專(zhuān)利的硅晶片承載裝置，由于其結(jié)構(gòu)主要為端板和桿結(jié)構(gòu)組成，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔、 本身重量和尺寸較小和長(zhǎng)期使用不會(huì)變形的特點(diǎn)；但由于太陽(yáng)能電池硅晶片的需求日益增 長(zhǎng)，該硅晶片承栽裝置因容量太小，已不能滿(mǎn)足大批量硅晶片生產(chǎn)的要求。

發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提供一種承載能力大、盛裝硅晶片數(shù)量多、能充分利用硅 晶片生產(chǎn)線(xiàn)和清洗設(shè)備能力，從而可以提高太陽(yáng)能電池硅晶片生產(chǎn)效率的大容量硅晶片承 載裝置。本實(shí)用新型解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是提供一種大容量硅晶片承載裝 置，包括相互平行的兩塊端板(第一端板、第二端板)、相互平行的固定于兩塊端板上位于 兩塊端板之間并與該兩塊端板垂直的至少兩根限位桿(第一限位桿、第二限位桿)以及固 定于兩塊端板上位于所述限位桿下方與所述限位桿平行的至少一根用于支承硅晶片的支 撐桿，所述限位桿內(nèi)側(cè)面(相對(duì)之一側(cè))均開(kāi)設(shè)有用以裝卡硅晶片的牙口 所述兩塊端板上 部之兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有用于放置夾持工具以操作和緊固該硅晶承載裝置的卡勾，其特征在于 所述限位桿和支撐桿均有兩層，外層為保護(hù)層、內(nèi)層為承重層。所述承重層使用承重能力強(qiáng)的材料制成，所述保護(hù)層包裹著承重層，使承重層免 受清洗液的腐蝕。所述承重層可以使用不銹鋼或碳鋼制成，所述保護(hù)層可以使用氟塑料制成。本實(shí)用新型的有益效果是承載數(shù)量是現(xiàn)有技術(shù)承載裝置的2—倍，可達(dá)100片的 大容量，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，利于清洗液流動(dòng)，能充分利用硅晶片生產(chǎn)線(xiàn)和清洗設(shè)備能力，是一 種承載能力大、盛裝硅晶片數(shù)量多的大容量硅晶片承載裝置，可以提高太陽(yáng)能電池硅晶片 的生產(chǎn)效率。
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是圖1的A部局部放大圖。圖中1為第一端板、2為第二端板、3為第一限位桿、4為第二限位桿、5為支撐桿、 6為牙口、7為卡勾、8為同心孔、9為第三限位桿、10為第四限位桿、101為承重層、102為保護(hù)層。
具體實(shí)施方式參見(jiàn)附圖，本實(shí)用新型包括相互平行的兩塊端板(第一端板1、第二端板2)、相互 平行的固定于兩塊端板上位于兩塊端板之間并與該兩塊端板垂直的至少兩根限位桿(第 一限位桿3、第二限位桿4)以及固定于兩塊端板上位于所述限位桿下方與所述限位桿平行 的至少一根用于支承硅晶片的支撐桿5，所述限位桿內(nèi)側(cè)面(相對(duì)之一側(cè))均開(kāi)設(shè)有用以裝 卡硅晶片的牙口 6 ；所述兩塊端板上部之兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有夾卡本裝置的卡勾7，其特征在于 所述限位桿和支撐桿均有兩層，外層為保護(hù)層102、內(nèi)層為承重層101。在本實(shí)用新型的實(shí)施例中所述承重層101使用不銹鋼制成，所述保護(hù)層102使用 氟塑料制成。所述裝卡硅晶片的牙口 6采用橢圓設(shè)計(jì)，平滑過(guò)渡，相應(yīng)兩個(gè)牙口的距離等于所 承載的硅晶片的標(biāo)稱(chēng)寬度+0. 5mm。使得方形硅晶片在硅晶片承載裝置內(nèi)可以隨意插入、取 出，硅晶片在進(jìn)出承載器方向并不完全垂直時(shí)，可以自動(dòng)調(diào)整至正確位置，順利進(jìn)出，沒(méi)有 阻礙，也不至于損壞硅晶片。在第一端板1、第二端板2的下端均開(kāi)設(shè)有同心孔8。第一端板1同心孔周邊有3 個(gè)小孔均布，有利于辨別硅晶片的正反面；由于方形硅晶片底部平直，而且適用于自動(dòng)設(shè)備 生產(chǎn)，此同心孔8是用于設(shè)備上下對(duì)同心，以確保硅晶片能平直放入，而且同心孔8也利于 生產(chǎn)人員提取時(shí)用手指固定。為了在清洗時(shí)，更好的固定硅晶片，在第一限位桿3、第二限位桿4與支撐桿5之間 有與所述第一限位桿3和第二限位桿4平行的且分別位于第一限位桿3、第二限位桿4的正 下方的第三限位桿9和第四限位桿10。
權(quán)利要求1.一種大容量硅晶片承載裝置，包括相互平行的兩塊端板、相互平行的固定于兩塊端 板上位于兩塊端板之間并與該兩塊端板垂直的至少兩根限位桿以及固定于兩塊端板上位 于所述限位桿下方與所述限位桿平行的至少一根用于支承硅晶片的支撐桿，所述限位桿 內(nèi)側(cè)面均開(kāi)設(shè)有用以裝卡硅晶片的牙口；所述兩塊端板上部之兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有夾卡本裝置 的卡勾，其特征在于所述限位桿和支撐桿均有兩層，外層為保護(hù)層(102)、內(nèi)層為承重層 (101)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的大容量硅晶片承載裝置，其特征在于在所述兩塊端板的下端均 開(kāi)設(shè)有同心孔(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的大容量硅晶片承載裝置，其特征在于所述兩塊端板是第一端板 ⑴和第二端板(2)，在第一端板⑴同心孔⑶周邊有3個(gè)小孔均布。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的大容量硅晶片承載裝置，其特征在于所述裝卡硅晶片的牙口(6) 采用橢圓設(shè)計(jì)，平滑過(guò)渡，相應(yīng)兩個(gè)牙口的距離等于所承載的硅晶片的標(biāo)稱(chēng)寬度+0. 5mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的大容量硅晶片承載裝置，其特征在于所述至少兩根限位桿是第 一限位桿(3)、第二限位桿(4)，在第一限位桿(3)、第二限位桿(4)與支撐桿(5)之間有與 所述第一限位桿(3)和第二限位桿(4)平行的且分別位于第一限位桿(3)、第二限位桿(4) 的正下方的第三限位桿(9)和第四限位桿(10)。
專(zhuān)利摘要一種大容量硅晶片承載裝置，包括相互平行的兩塊端板、相互平行的固定于兩塊端板上位于兩塊端板之間并與該兩塊端板垂直的至少兩根限位桿以及固定于兩塊端板上位于所述限位桿下方與所述限位桿平行的至少一根用于支承硅晶片的支撐桿，所述限位桿內(nèi)側(cè)面均開(kāi)設(shè)有用以裝卡硅晶片的牙口所述兩塊端板上部之兩側(cè)均開(kāi)設(shè)有用于放置夾持工具以操作和緊固該硅晶片承載裝置的卡勾，其特征在于所述限位桿和支撐桿均有兩層，外層為保護(hù)層、內(nèi)層為承重層。承載數(shù)量是現(xiàn)有技術(shù)承載裝置的2--4倍，可達(dá)100片的大容量，而且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)潔，利于清洗液流動(dòng)，是一種承載能力大、盛裝硅晶片數(shù)量多的大容量硅晶片承載裝置，可以提高太陽(yáng)能電池硅晶片的生產(chǎn)效率。
文檔編號(hào)H01L31/18GK201780983SQ20102028546
公開(kāi)日2011年3月30日 申請(qǐng)日期2010年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月9日
發(fā)明者劉嘉, 成鵬 申請(qǐng)人:深圳市明鑫高分子技術(shù)有限公司