專利名稱：一種矩形腔固定衰減器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種用于通訊、科研、測試等微波領(lǐng)域的產(chǎn)品，具體地說是一 種定量改變或降低傳輸系統(tǒng)中功率能量的一種矩形腔固定衰減器。
技術(shù)背景目前，隨著通信終端的用戶的增多與科技的進步，對網(wǎng)絡(luò)傳遞數(shù)據(jù)、信號功率 兼容、抗干擾能力提出更高的要求，這就使得微波同軸器件的工作頻段、反射損耗、機 械穩(wěn)定性等性能要求越來越高。而現(xiàn)階段微波同軸器件衰減器工作頻段較低、反射損耗 較大、機械穩(wěn)定性低等，已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)階段的科技發(fā)展的需求。如圖3a、3b所示為傳 統(tǒng)衰減器的衰減腔，圓形基體4中心加工一圓形衰減腔4a，同時在圓形衰減腔的兩邊徑 向各加工一 U型卡槽4b，結(jié)合圖4a、4b、4c,衰減片2為普通氧化鋁方板，通過接觸夾 5將衰減片2卡在卡槽4b內(nèi)，實現(xiàn)其接地。此種工作原理存在以下三大弊端一是工作頻段低由于其衰減腔4a為圓形腔 結(jié)構(gòu)，而衰減片2為方板式結(jié)構(gòu)，沒有嚴格遵守同軸傳輸線理論，當工作頻段上升至一 定階段時，信號就會在衰減腔4a內(nèi)部產(chǎn)生信號紊亂，直接導(dǎo)致工作頻段無法到達或接近 其截至頻率上限值；二是反射損耗大由于該結(jié)構(gòu)的衰減腔4a沒有采取任何阻抗補償?shù)?設(shè)施，根據(jù)同軸傳輸線思想“當信號從一種結(jié)構(gòu)向另一種結(jié)構(gòu)過渡時，應(yīng)當在其過渡處 設(shè)置適當?shù)淖杩寡a償，以平衡突變電容與突變電感”，該衰減腔4a內(nèi)部為懸置微帶線結(jié) 構(gòu)，在其前后都為同軸傳輸線結(jié)構(gòu)，在兩種不同結(jié)構(gòu)過渡處沒有任何的補償設(shè)施；三是 機械穩(wěn)定性差由于該結(jié)構(gòu)的衰減腔4a與衰減片2之間的電性能連接采用接觸夾5的卡 緊方式，接觸夾5為彈性導(dǎo)體材料制成，由于衰減片2在使用時發(fā)熱，會對接觸夾5產(chǎn)生 反復(fù)的熱沖擊，達到一定的次數(shù)后，接觸夾5會產(chǎn)生機械疲勞，失去彈性，從而產(chǎn)生接 觸不良
實用新型內(nèi)容
為克服現(xiàn)有技術(shù)的缺陷，本實用新型的目的在于提供一種使用頻段寬、反射損 耗小、性能穩(wěn)定、體積小、使用方便、指標優(yōu)良的矩形腔固定衰減器。本實用新型解決技術(shù)問題采用如下技術(shù)方案一種矩形腔固定衰減器，包括圓柱形的基體，在所述基體內(nèi)沿軸向開設(shè)貫通基 體的矩形衰減腔，所述矩形衰減腔具有向所述基體內(nèi)徑向延伸的接觸槽。所述基體的兩端面設(shè)有圓形凹槽即所述基體的兩端面為臺階面，所述圓形凹槽 形成衰減器的阻抗補償環(huán)。在所述衰減腔內(nèi)設(shè)有衰減片，所述衰減片的兩側(cè)部嵌插于所述接觸槽內(nèi)，在衰 減片的兩側(cè)微帶上涂抹有銀漿，所述銀漿經(jīng)恒溫定時烘烤后形成U形銀卡以使所述衰減 片與所述衰減腔壁形成穩(wěn)定接觸。與已有技術(shù)相比，本實用新型的有益效果體現(xiàn)在[0010]本實用新型衰減器的基體內(nèi)設(shè)有矩形衰減腔，有效提升衰減器使用頻率范圍， 使衰減器的整體使用頻率接近其截至頻率上限值；阻抗補償環(huán)是綜合同軸線傳輸原理與 懸置微帶線原理推導(dǎo)，再通過三維電磁仿真技術(shù)模擬，并對其進行實際驗證所得到的圓 形凹槽。[0011]在衰減片安裝前，在其兩邊的微帶上涂抹一層銀漿，在衰減片安裝到接觸槽內(nèi) 后，將其整體放入高溫箱內(nèi)進行恒溫定時烘烤，銀漿凝固后在衰減片與接觸槽之間所形 成銀卡，實現(xiàn)在衰減片與衰減腔壁之間電性能的良好接觸，且在震動情況下不會發(fā)生接 觸不良或指標不穩(wěn)定的現(xiàn)象，有效增強了衰減器整機的機械穩(wěn)定性能。[0012]本實用新型衰減器具有工作頻段高、反射損耗小、指標一致性好、可靠性高等 優(yōu)點；經(jīng)過實際驗證，使用本實用新型衰減器所裝配的產(chǎn)品，經(jīng)實際測試指標可以滿足 工作頻率DC-lSGHz，駐波比VseKl.15，且在三維震動平臺上進行機械穩(wěn)定性驗證，產(chǎn) 品一次性合格率達100%，從而證明了該矩形腔固定衰減器方案的可行性。


[0013]圖Ia為本實用新型衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖Ib為圖Ia的A-A剖視圖；圖& 為本實用新型衰減器的裝配結(jié)構(gòu)示意圖；圖沈為圖&的A-A剖視圖；圖北為圖&的 I部放大圖；圖3a為現(xiàn)有衰減器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3b為圖3a的A-A剖視圖；圖如為 現(xiàn)有衰減器的裝配結(jié)構(gòu)示意圖；圖4b為圖如的A-A剖視圖；圖如為圖如的II部放大 圖；圖5為本實用新型衰減器應(yīng)用于整機的裝配結(jié)構(gòu)示意圖。[0014]圖中標號1基體、Ia阻抗補償環(huán)、Ib矩形衰減腔、Ic接觸槽、2衰減片、3銀 卡、4圓形基體、如衰減腔、4b卡槽、5接觸夾、6內(nèi)導(dǎo)體、7外導(dǎo)體。[0015]以下通過具體實施方式
，并結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
具體實施方式
[0016]實施例結(jié)合la，本實施例矩形腔固定衰減器，包括圓柱形的基體1，在基體1 內(nèi)沿軸向開設(shè)貫通基體的矩形衰減腔lb，在矩形衰減腔設(shè)有向所述基體內(nèi)徑向延伸的接 觸槽lc。圖Ib所示，基體1的兩端面設(shè)有圓形凹槽即所述基體的兩端面為臺階面，所述 圓形凹槽形成衰減器的阻抗補償環(huán)la。[0017]所述衰減片的兩側(cè)部嵌插于所述接觸槽內(nèi)，在衰減片的兩側(cè)微帶上涂抹有銀 漿，所述銀漿經(jīng)恒溫定時烘烤后形成U形銀卡以使所述衰減片與所述衰減腔壁形成穩(wěn)定 接觸。[0018]使用中，如所示，在衰減片2安裝前，在其兩邊的微帶上涂抹一層銀漿， 然后把衰減片2安裝到接觸槽Ic內(nèi)后，將其整體放入高溫箱內(nèi)進行恒溫定時烘烤，待銀 漿凝固后，在衰減片2與接觸槽Ic之間所形成的一 U型銀卡3，實現(xiàn)在衰減片2與矩形 衰減腔壁電性能的良好接觸；將基體1按照圖5所示裝配到衰減器的整機中，內(nèi)導(dǎo)體6通 過衰減片相互聯(lián)通實現(xiàn)電磁傳輸，外導(dǎo)體7與基體1相互聯(lián)通實現(xiàn)接地，整體產(chǎn)品的裝配 結(jié)構(gòu)如圖5所示。[0019]具體加工中，矩形衰減腔Ib為使用數(shù)控線切割設(shè)備在基體1上加工的矩形腔， 有效提升衰減器使用頻率范圍，使衰減器的整體使用頻率接近其截至頻率上限值；所述接觸槽Ic為在矩形衰減腔Ib內(nèi)采用數(shù)控技術(shù)加工的一矩形槽，用于安裝衰減片2，實現(xiàn) 其接地。
權(quán)利要求1.一種矩形腔固定衰減器，包括圓柱形的基體(1)，其特征是在所述基體內(nèi)沿軸向 開設(shè)貫通基體的矩形衰減腔(Ib)，所述矩形衰減腔具有向所述基體內(nèi)徑向延伸的接觸槽 (Ic)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種矩形腔固定衰減器，其特征是所述基體(1)的兩端 面設(shè)有圓形凹槽即所述基體的兩端面為臺階面，所述圓形凹槽形成衰減器的阻抗補償環(huán) (Ia)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種矩形腔固定衰減器，其特征是在所述衰減腔(Ib)內(nèi)設(shè) 有衰減片(2)，所述衰減片的兩側(cè)部嵌插于所述接觸槽(Ic)內(nèi)，在衰減片(2)的兩側(cè)微帶 上涂抹有銀漿，所述銀漿經(jīng)恒溫定時烘烤后形成U形銀卡(3)以使所述衰減片與所述衰減 腔壁形成穩(wěn)定接觸。
專利摘要本實用新型公開了一種矩形腔固定衰減器，包括圓柱形的基體，在所述基體內(nèi)沿軸向開設(shè)貫通基體的矩形衰減腔，所述矩形衰減腔具有向所述基體內(nèi)徑向延伸的接觸槽。所述基體的兩端面設(shè)有圓形凹槽即所述基體的兩端面為臺階面，所述圓形凹槽形成衰減器的阻抗補償環(huán)。本實用新型衰減器的基體內(nèi)設(shè)有矩形衰減腔，有效提升衰減器使用頻率范圍，使衰減器的整體使用頻率接近其截至頻率上限值；阻抗補償環(huán)是綜合同軸線傳輸原理與懸置微帶線原理推導(dǎo)，再通過三維電磁仿真技術(shù)模擬，并對其進行實際驗證所得到的圓形凹槽。
文檔編號H01P1/22GK201804989SQ20102028358
公開日2011年4月20日 申請日期2010年7月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月30日
發(fā)明者張祝松, 齊磊 申請人:合肥佰特微波技術(shù)有限公司