專利名稱：一種帶多級聯衰減電路的片狀電阻的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及一種電磁波功率電平吸收器件，具體地說是一種帶多級聯衰減電 路的片狀電阻，屬于用在通訊、科研、測試等微波領域的產品。
技術背景目前，隨著通信終端的用戶的增多與科技的進步，對網絡傳遞數據、信號功率兼 容、抗干擾的能力提出更高的要求，這就使得微波同軸器件的工作頻段、功率容量、反射損 耗、三階互調、機械穩(wěn)定性等性能要求越來越高。而現階段微波同軸器件三階互調指標較 差、反射損耗較大、機械穩(wěn)定性低等。如圖2所示為普通單級電路負載，電阻7集中印刷于 載體6上，載體6為普通氧化鈹方板，電阻7為采用厚膜印刷技術制作的石墨電阻，接地微 帶4為與電阻7 —端相連接的接地線，中心導帶3將電阻7與焊盤電極8a連接，接地微帶 4、連接帶5a、接地極5b三者連接實現接地。此種工作原理存在以下四大弊端一是由于當信號功率經外界引線與腔體直接傳 輸到電阻7上，即整機傳輸路線為同軸結構到微帶線結構，最終才到電阻7，導致其工作頻 帶窄，反射損耗大；二是信號功率所有的能量一次性的被電阻7全部吸收，導致電阻7在短 時間內急劇升溫，極易使電阻7產生打火，導致整機的報廢，嚴重影響整個系統(tǒng)的使用壽命 與使用質量；三是電阻7與接地微帶4和中心導帶3相連接的部位為直角過度，未經過拋物 線漸變處理，導致信號功率在此處所產生的三階交調雜物增多，進而對整機的三階互調性 能產生較大的負面影響；四是無論外界的引線還是腔體與該電阻相連接器是都必須采用焊 接的方式進行，而焊點大小、形狀、焊接時間的長短等都會對產品的性能、指標產生一定的 負面影響，導致整機的性能指標一致性極差
實用新型內容
為克服現有技術的缺陷，本實用新型的目的在于提供一種使用頻段寬、反射損耗 小、三階互調值低、性能穩(wěn)定、體積小、承載功率大、使用方便、非焊接連接方式的帶多級聯 衰減電路的片狀電阻，從而實現整機優(yōu)越的性能。本實用新型解決技術問題采用如下技術方案一種帶多級聯衰減電路的片狀電阻，在長方形基板上沿其長度方向自輸入端向終 端間隔設置衰減度依次增大的衰減電阻，在各所述衰減電阻之間以設于基板上的中心導帶 連接，所述基板的兩側部設有接地微帶，在基板的兩端部設有與所述中心導帶連通的端面 電極。本實用新型的結構特點也在于所述各衰減電阻為采用氧化釕材質制作的衰減電阻，其中最靠近基板終端的衰減 電阻為能夠對剩余信號功率完全吸收的匹配終端。所述接地微帶、中心導帶與各衰減電阻之間以弧形的互調角過渡連接。與已有技術相比，本實用新型的有益效果體現在[0011]本實用新型多級聯衰減電路的片狀電阻采用薄膜真空濺射技術制作，基板為具 有高品因子特性的高純度氧化鈹方板；基板上自輸入端向終端，設置有衰減度依次增大的 采用真空濺射技術制作的氧化釕材質的衰減電阻，為雙T型衰減網絡，對輸入信號功率實 現逐級衰減與分段吸收，避免集中吸收功率產生的局部熱沖擊。具有工作頻段高、反射損 耗小、指標一致性好、可靠性高、承載功率大等優(yōu)點；經過實際驗證，使用本實用新型多級 聯衰減電路片狀電阻所裝配的產品，經實際測試指標可以滿足工作頻率DC-18GHZ，駐波比 Vser ^ 1. 15，三階交調值 IM3 ^ _130dbc@2X+43dbm。本實用新型是應用雙T型衰減電路與懸置微帶線思想，將多級聯衰減電路電阻置 入到整機中，如圖3所示負載內腔為一開槽的圓腔，彈簧夾為使用鈹青銅材料成型后進行 時效處理的具有彈性的U型夾，使用時將該實用新型的多級聯衰減電路電阻按照圖示3所 示的方式裝入到負載內腔中便可。

圖1為本實用新型片狀電阻的結構示意圖；圖IA為圖1的I部放大圖；圖IB為圖 1的左/右視圖；圖2為現有單級電路電阻的結構示意圖；圖2A為圖2的A向視圖；圖2B 為圖2A的B向視圖；圖3為本實用新型片狀電阻裝配于負載內的結構示意圖；圖3A為圖3 的A-A剖視圖；圖3B圖3A的I部放大圖。圖中標號1基板，2、2a、2b、2c、2d、2e衰減方阻，2f互調角，3中心導帶，3a端面電 極，4接地微帶，5a連接帶，5b接地極，6載體，7電阻，8a電極，9彈簧夾，10負載。以下通過具體實施方式
，并結合附圖對本實用新型作進一步說明。
具體實施方式
實施例本實施例帶多級聯衰減電路的片狀電阻，在長方形基板1上沿其長度方 向自輸入端向終端間隔設置衰減度依次增大的衰減電阻2、2a、2b、2C、2d、2e，其中最靠近基 板終端的衰減電阻2e為能夠對剩余信號功率完全吸收的匹配終端。在各所述衰減電阻之 間以設于基板上的中心導帶3連接，基板1的兩側部設有接地微帶4，在基板的兩端部設有 與所述中心導帶連通的端面電極3a。結合圖1A，接地微帶4、中心導帶3與各衰減電阻之間以弧形的互調角2f過渡連 接。本實用新型多級聯衰減電路片狀電阻的原理特點是基板上自輸入端向終端設有衰減 度逐漸增大的采用真空濺射技術制作的氧釕材質的衰減方阻，為雙T型衰減網絡，其中衰 減方阻2、2a、2b、2c、2d用于實現信號功率的逐級衰減、分段吸收，將輸入信號功率的能量 在每一個方阻2、2a、2b、2c、2d上進行平均分配、吸收，避免集中吸收功率產生的局部熱沖 擊，從而實現大功率化；當信號功率在傳輸過程中會發(fā)生一定的反射，反射后的信號功率在 反向傳輸個過程中又會被方阻2、2a、2b、2c、2d吸收，從而實現反射損耗?。磺曳阶?e為匹 配終端，能實現對剩余信號功率的完全吸收。具體實施中，相應的結構形式也包括在所述基板1的兩端印刷有端面電極3a，一端實現與連接器中心導體的連接，另 一端用于接地，實現匹配負載作用。所述互調角2f為衰減方阻2、2a、2b、2c、2d、2e與中心導帶3和接地微帶4三者之間過渡連接所需，用于實現該多級聯衰減電路電阻裝配于負載后的整機的低互調指標。 使用中，將該多級聯衰減電路電阻置入到負載中，如圖3-3B所示負載10具有一 開槽的圓腔，彈簧夾9為使用鈹青銅材料成型后進行時效處理的具有彈性的U型夾，使用時 將該多級聯衰減電路電阻按照圖示3、3A所示的方式裝入到負載10內腔中便可，整體產品 的裝配結構如圖3所示。
權利要求一種帶多級聯衰減電路的片狀電阻，其特征是在長方形基板上沿其長度方向自輸入端向終端間隔設置衰減度依次增大的衰減電阻，在各所述衰減電阻之間以設于基板上的中心導帶連接，所述基板的兩側部設有接地微帶，在基板的兩端部設有與所述中心導帶連通的端面電極。
2.根據權利要求1所述的一種帶多級聯衰減電路的片狀電阻，其特征是所述各衰減電 阻為采用氧化釕材質制作的衰減電阻，其中最靠近基板終端的衰減電阻為能夠對剩余信號 功率完全吸收的匹配終端。
3.根據權利要求1所述的一種帶多級聯衰減電路的片狀電阻，其特征是所述接地微 帶、中心導帶與各衰減電阻之間以弧形的互調角過渡連接。
專利摘要本實用新型公開了一種帶多級聯衰減電路的片狀電阻，在長方形基板上沿其長度方向自輸入端向終端間隔設置衰減度依次增大的衰減電阻，在各所述衰減電阻之間以設于基板上的中心導帶連接，所述基板的兩側部設有接地微帶，在基板的兩端部設有與所述中心導帶連通的端面電極。經過實際驗證，使用本實用新型多級聯衰減電路片狀電阻所裝配的產品，經實際測試指標可以滿足工作頻率DC-18GHz，駐波比Vser≤1.15，三階交調值IM3≤-130dbc@2X+43dbm。
文檔編號H01P1/22GK201749925SQ20102028357
公開日2011年2月16日 申請日期2010年7月30日 優(yōu)先權日2010年7月30日
發(fā)明者張祝松, 齊磊 申請人:合肥佰特微波技術有限公司