專利名稱:一種磁敏vdmos器件的制作方法
技術領域:
本實用新型涉及一種磁敏VDM0S器件。
背景技術:
在現(xiàn)有技術中,針對VDM0S芯片導通功率(電流)控制的方法一般是加取樣電阻 等方式,在大電流時消耗大量熱量,因而造成發(fā)熱及電能浪費。同時,現(xiàn)有的VDM0S芯片無 智能傳感功能。
發(fā)明內容本實用新型的目的是提供一種磁敏VDM0S器件。本實用新型采用的技術方案是一種磁敏VDM0S器件,包括VDM0S芯片和磁敏電阻,所述VDM0S芯片上設有絕緣介 質,所述絕緣介質上設有磁敏電阻。所述絕緣介質厚度為100-10000微米。所述磁敏電阻為GMR或TMR。所述磁敏電阻電阻率為1-10000歐姆厘米,厚度為10-10000微米,阻值介于 1-100000歐姆之間,在VDM0S芯片電流產生磁場或外界磁場作用下,其阻值的相對變化量 介于-99%之間。本實用新型的優(yōu)點是既可用外加磁場來控制VDM0S芯片的通斷,也可以利用 VDM0S芯片導通時產生的磁場來控制VDM0S芯片的導通功率(電流),去除了外界干擾信號 的影響及可高速驅動,不產生任何額外的電能消耗,節(jié)約了能源。當溫度變化時,此磁敏電 阻的阻值也發(fā)生變化,因而也可以作為功率VDM0芯片S的溫度采樣。
以下結合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細描述。
圖1為本實用新型的結構示意圖。圖2為本實用新型的應用圖。其中1、VDM0S芯片,2、絕緣介質,3、磁敏電阻。
具體實施方式
實施例1如圖1至圖2所示,本實用新型一種磁敏VDM0S器件,包括VDM0S芯片1和磁敏電 阻3,VDM0S芯片上設有絕緣介質2,絕緣介質2上設有磁敏電阻3 ;絕緣介質2厚度為100 微米;磁敏電阻3為GMR或TMR,磁敏電阻3電阻率為1歐姆厘米,厚度為10微米,阻值為1 歐姆,在VDM0S芯片電流產生磁場或外界磁場作用下,其阻值的相對變化量為1 %。下面對本實用新型的工作原理做進一步說明
3[0017]如圖3所示,當VDM0S芯片1中電流增大時,因為磁敏電阻3緊貼在VDM0S芯片表 面,因而對其由于電流變化而引起的磁場變化非常敏感;磁敏電阻3在VDM0S電流增大時阻 值減少,而Rext阻值基本不變,因此運放正輸入端的電壓降低,當?shù)陀赩ref時,運放輸出低 電平,關斷VDM0S芯片,從而起到了電流(功率)限制的目的。實施例2如圖1至圖2所示,本實用新型一種磁敏VDM0S器件,包括VDM0S芯片1和磁敏電 阻3,VDM0S芯片上設有絕緣介質2,絕緣介質2上設有磁敏電阻3 ;絕緣介質2厚度為10000 微米;磁敏電阻3為GMR或TMR,磁敏電阻3電阻率為10000歐姆厘米,厚度為10000微米, 阻值為100000歐姆,在VDM0S芯片電流產生磁場或外界磁場作用下,其阻值的相對變化量 為 99%。下面對本實用新型的工作原理做進一步說明如圖3所示,當VDM0S芯片1中電流增大時,因為磁敏電阻3緊貼在VDM0S芯片表 面,因而對其由于電流變化而引起的磁場變化非常敏感;磁敏電阻3在VDM0S電流增大時阻 值減少,而Rext阻值基本不變,因此運放正輸入端的電壓降低,當?shù)陀赩ref時,運放輸出低 電平,關斷VDM0S芯片,從而起到了電流(功率)限制的目的。
權利要求一種磁敏VDMOS器件,包括VDMOS芯片和磁敏電阻,其特征在于,所述VDMOS芯片上設有絕緣介質,所述絕緣介質上設有磁敏電阻。
2.根據權利要求1所述的一種磁敏VDM0S器件,其特征在于,所述絕緣介質厚度為 100-10000 微米。
3.根據權利要求1所述的一種磁敏VDM0S器件,其特征在于,所述磁敏電阻為GMR或TMR。
4.根據權利要求1所述的一種磁敏VDM0S器件,其特征在于,所述磁敏電阻電阻率為 1-10000歐姆厘米,厚度為10-10000微米,阻值介于1-100000歐姆之間,在VDM0S芯片電流 產生磁場或外界磁場作用下,其阻值的相對變化量介于-99%之間。
專利摘要本實用新型涉及一種磁敏VDMOS器件,包括VDMOS芯片和磁敏電阻,所述VDMOS芯片上設有絕緣介質,所述絕緣介質上設有磁敏電阻。本實用新型既可用外加磁場來控制VDMOS的通斷,也可以利用VDMOS導通時產生的磁場來控制VDMOS的導通功率(電流),去除了外界干擾信號的影響及可高速驅動,不產生任何額外的電能消耗,節(jié)約了能源。當溫度變化時,此磁敏電阻的阻值也發(fā)生變化,因而也可以作為功率VDMOS的溫度采樣。
文檔編號H01L27/22GK201732789SQ20102024605
公開日2011年2月2日 申請日期2010年7月1日 優(yōu)先權日2010年7月1日
發(fā)明者王開 申請人:王開