專利名稱：用于單面制絨的太陽能電池硅片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及晶體硅太陽能電池，尤其是一種用于單面制絨的太陽能電池硅 片。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的太陽能電池的制備工藝流程中第一步為清洗制絨，然后再進行后續(xù)的工 藝，制絨的目的是降低電池表面對光的反射率，從而提高光的吸收率。其傳統(tǒng)的制絨方法包 括堿制絨、酸制絨，堿制絨和酸制絨方法為兩面同時制絨，除此之外還有其他高效電池的特 殊制絨方法，例如RIE制絨，光刻制絨等，這些方法可以形成一面制絨，但成本相對較高。堿制絨、酸制絨、RIE制絨，光刻制絨原理如下堿制絨根據(jù)Si各個晶面腐蝕的速度不同，用堿溶液將硅片表面腐蝕出金字塔， 硅片正反兩面都形成金字塔，對光的發(fā)射率低；酸制絨用硝酸、氫氟酸按照一定的配比配成的溶液來腐蝕硅片表面，形成的絨面 為不規(guī)則的凹坑，硅片兩面同時形成這樣的絨面，正面和反面的對光的反射率低；RIE制絨在硅片的受光面用反應(yīng)離子體刻蝕，形成反射率低的絨面，這種方法可 以一面制絨，但成本高，后續(xù)去損傷層難度較大；光刻制絨先在硅片表面生長一層厚度約為lum左右的氧化膜，再使用光刻的方 法制絨，反射率低，成本高。

實用新型內(nèi)容本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種硅片用于太陽能電池的單面制絨生產(chǎn)。本實用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是一種用于單面制絨的太陽能電 池硅片，具有硅片，硅片的上表面為制絨層，硅片的下表面具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜。氮化硅膜的厚度為5nm-200nm。本實用新型的有益效果是，使通過傳統(tǒng)酸、堿制絨方法進行太陽能電池硅片的單 面制絨成為可能，相對于RIE制絨和光刻制絨，節(jié)約了成本。
以下結(jié)合附圖和實施例對本實用新型進一步說明。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖中1.硅片，2.制絨層，3.氮化硅膜。
具體實施方式
如圖1所示的用于單面制絨的太陽能電池硅片，具有硅片1，硅片1的上表面為制絨層2，硅片1的下表面具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜3，氮化硅膜3的厚度為 5nm-200nmo將硅片1放入堿制溶液中，根據(jù)硅各個晶面腐蝕的速度不同，堿制溶液對硅片的 表面進行腐蝕，硅片1的上表面腐蝕出金字塔形，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3作 為阻擋層，所以就形成了單面制絨的硅片。將硅片1放入酸制溶液中，用硝酸、氫氟酸按照一定的配比配成溶液對硅片1的表 面進行腐蝕，在硅片1的上表面形成不規(guī)則的凹坑，由于在硅片1的下表面具有氮化硅膜3 作為阻擋層，所以就形成了單面制絨的硅片。單面制絨后的硅片再經(jīng)過常規(guī)擴散、去磷硅玻璃及刻邊、印刷電極、燒結(jié)和電性能 測試等步驟就可以形成成品。
權(quán)利要求一種用于單面制絨的太陽能電池硅片，具有硅片(1)，其特征在于所述的硅片(1)的上表面為制絨層(2)，硅片(1)的下表面具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于單面制絨的太陽能電池硅片，其特征在于所述的氮化 硅膜(3)的厚度為5nm-200nm。
專利摘要本實用新型涉及一種用于單面制絨的太陽能電池硅片，具有硅片，硅片的上表面為制絨層，硅片的下表面具有一層作為制絨阻擋層的氮化硅膜。本實用新型使通過傳統(tǒng)酸、堿制絨方法進行太陽能電池硅片的單面制絨成為可能，相對于RIE制絨和光刻制絨，節(jié)約了成本。
文檔編號H01L31/18GK201717272SQ20102022324
公開日2011年1月19日 申請日期2010年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月10日
發(fā)明者劉亞鋒, 鄧偉偉 申請人:常州天合光能有限公司