專利名稱：一種tft探測(cè)基板及其制作方法、x射線探測(cè)器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種TFT探測(cè)基板及其制作方法、X射線探測(cè)ο背景技術(shù)
目前，硅基薄膜晶體管(Si TFT, Si Thin Film Transistor)有源尋址技術(shù)與非晶硅(a-Si)光電二極管這種光敏感元件結(jié)合，發(fā)展出大面積二維傳感器件，例如TFT探測(cè)基板，該探測(cè)基板包括TFT和光電二極管，當(dāng)光信號(hào)照射光電二級(jí)管時(shí)，所感生的光生電荷量將反映光照信息，TFT溝道的關(guān)閉和導(dǎo)通來(lái)控制該光照信息的儲(chǔ)存和讀取。這種二維傳感器件能以近乎100%的光利用率傳遞光信息，其具有高傳感能力、高靈敏度、高灰度級(jí)和快速響應(yīng)的優(yōu)點(diǎn)。能對(duì)大面積、高信息容量的圖像信息進(jìn)行數(shù)據(jù)儲(chǔ)存、分析和按需要進(jìn)行各種處理。該技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于醫(yī)療檢測(cè)、材料探傷、海關(guān)安檢等領(lǐng)域。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種TFT探測(cè)基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，該TFT探測(cè)基板包括基板，基板上設(shè)有柵線層，柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極1， 所述柵線層上設(shè)有柵絕緣層2，柵絕緣層2上設(shè)置有有源層，所述有源層包括非晶硅層3和摻雜非晶硅層4(又稱為歐姆接觸層)，有源層上設(shè)置有數(shù)據(jù)線層，數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線、 TFT漏極5和TFT源極6，TFT漏極5與數(shù)據(jù)線相連接，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有光電二極管7，與TFT源極6相連接，光電二極管7上設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層9，數(shù)據(jù)線層上還設(shè)置有鈍化層8，鈍化層8上設(shè)置有樹(shù)脂層10，樹(shù)脂層10上設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層11，導(dǎo)電金屬層12穿過(guò)第二透明導(dǎo)電層11和鈍化層8與第一透明導(dǎo)電層相連接，另外，導(dǎo)電金屬層12的上方還設(shè)置有第二樹(shù)脂層15。
其中，柵極層由依次沉積的鋁釹(AlNd)層、鉻(Cr)層和氮化鉻(CrNx)層所形成， 數(shù)據(jù)線層由Cr層所形成，這樣來(lái)講，在圖1所示探測(cè)基板的制作過(guò)程中，Cr的使用會(huì)導(dǎo)致含有Cr6+的廢水及廢酸等工藝副產(chǎn)物的排放，而Cr6+是一種對(duì)人體和動(dòng)植物具有很大危害的金屬離子，因此對(duì)生物和環(huán)境具有潛在威脅，而且，含有Cr6+的廢水及廢酸必須經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的后續(xù)處理過(guò)程，成本較高。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種TFT探測(cè)基板及其制作方法、X射線探測(cè)器， 能夠?qū)ι锖铜h(huán)境進(jìn)行有效保護(hù)，且有效降低成本。
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案
一種TFT探測(cè)基板，包括
基板，所述基板上設(shè)有柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT 柵極，所述柵線層的上方設(shè)有數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT漏極和TFT源極， 所述TFT漏極與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有光電二極管，所述TFT源極與光電二極管相連接，其中，
所述柵線層由依次沉積的鋁釹(AlNd)金屬層和鉬(Mo)金屬層所形成；
所述數(shù)據(jù)線層由Mo金屬層所形成。
一種X射線探測(cè)器，包括X射線源和探測(cè)裝置，其中，所述檢測(cè)裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板。
一種TFT探測(cè)基板的制作方法，包括
提供一基板；
在所述基板上依次沉積鋁釹金屬層和Mo金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極；
在形成有柵線層的基板上沉積Mo金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT漏極和TFT源極。
采用上述技術(shù)方案后，本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板及其制作方法、X射線探測(cè)器，TFT探測(cè)基板的柵線層由AlNd和Mo金屬形成，數(shù)據(jù)線層由Mo金屬形成，相對(duì)于Cr， Mo是一種溫和金屬，對(duì)人體和動(dòng)植物危害較小，因此，能夠?qū)ι锖铜h(huán)境進(jìn)行有效保護(hù)。另外，采用Mo還可以簡(jiǎn)化制作過(guò)程后續(xù)的副產(chǎn)物的處理過(guò)程，有效降低成本。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種TFT探測(cè)基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板的另一種剖面結(jié)構(gòu)示意圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板的制作方法的工藝流程圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明中的附圖，對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述。
應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
圖2為本發(fā)明提供的TFT探測(cè)基板的一個(gè)實(shí)施例的剖面結(jié)構(gòu)示意圖，需要說(shuō)明的是，圖2只是TFT探測(cè)基板的一部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解TFT探測(cè)基板包括多個(gè)圖2 所示的部分構(gòu)成，本實(shí)施例中只以此部分為例進(jìn)行說(shuō)明。
如圖2所示，本實(shí)施例的TFT探測(cè)基板，包括
基板，基板上設(shè)有柵線層，柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極1，所述柵線層上設(shè)有柵絕緣層2，柵絕緣層2上設(shè)置有有源層，有源層包括非晶硅層3和摻雜非晶硅層4，有源層上設(shè)置有數(shù)據(jù)線層，數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線、TFT漏極5和TFT源極6，TFT 漏極5與數(shù)據(jù)線相連接，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有光電二極管7，與TFT源極6相連接；
其中，所述柵線層由依次沉積的AlNd金屬層和Mo金屬層所形成；具體的，形成所述柵線層的AlNd金屬層的厚度為2000至4000埃，形成所述柵線層的Mo金屬層的厚度為 400至800埃；所述數(shù)據(jù)線層由Mo金屬層所形成；具體的，形成所述數(shù)據(jù)線層的Mo金屬層的厚度為2000至4000埃。
其中，光電二極管7上設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層9，通常為ITO(銦錫氧化物)或 IZO(銦鋅氧化物)，透明導(dǎo)電層9上還設(shè)置有鈍化層8，鈍化層8上設(shè)置有樹(shù)脂層10，樹(shù)脂層10上設(shè)置有第二透明導(dǎo)電層11，第二透明導(dǎo)電層11通常為低溫ITO或IZO透明導(dǎo)電層， 導(dǎo)電金屬層12通過(guò)穿過(guò)第二透明導(dǎo)電層11和鈍化層8的過(guò)孔16與第一透明導(dǎo)電層9相連接。另外，導(dǎo)電金屬層12的上方還設(shè)置有第二樹(shù)脂層15。
本實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板，柵線層由AlNd和Mo金屬形成，數(shù)據(jù)線層由Mo金屬形成，相對(duì)于Cr，Mo是一種溫和金屬，對(duì)人體和動(dòng)植物危害較小，因此，能夠?qū)ι锖铜h(huán)境進(jìn)行有效保護(hù)。另外，采用Mo還可以簡(jiǎn)化制作過(guò)程后續(xù)的副產(chǎn)物的處理過(guò)程，有效降低成本。
本實(shí)施例中，光電二極管7為PIN結(jié)構(gòu)，從上至下分別P型區(qū)、本征區(qū)和N型區(qū)。 在本實(shí)施例的制作過(guò)程中，光電二極管7形成于數(shù)據(jù)線層之后，具體的，需要依次沉積N型區(qū)、本征區(qū)和P型區(qū)，然后通過(guò)干法刻蝕工藝形成光電二極管7的結(jié)構(gòu)，所述干法刻蝕工藝中采用的工藝氣體通常包括氟化硫(SF6)，SF6對(duì)于Mo表面具有腐蝕作用，易導(dǎo)致TFT源極 6的表面損傷，因而易導(dǎo)致電子陷阱的增加而造成漏電流的增加，嚴(yán)重影響通過(guò)探測(cè)面板所獲得的圖像質(zhì)量。
因此，作為本實(shí)施例的一種改進(jìn)，為避免SF6對(duì)于Mo表面的腐蝕損傷，本實(shí)施例中，所述數(shù)據(jù)線層上設(shè)有刻蝕保護(hù)層13，刻蝕保護(hù)層13上設(shè)置有過(guò)孔14，光電二極管7通過(guò)過(guò)孔14與TFT源極6相連接。以使在光電二極管7的干法刻蝕過(guò)程，對(duì)數(shù)據(jù)線層的Mo金屬層表面進(jìn)行有效保護(hù)，避免其受到SF6的腐蝕損傷。而且，即使SF6使過(guò)孔14處與光電二極管7相連接的TFT源極6的表面產(chǎn)生輕微損傷，這種輕微損傷可以被Mo與光電二極管7 中的N型區(qū)與Mo界面產(chǎn)生的MoxSiy所彌補(bǔ)。具體的，刻蝕保護(hù)層13為氮氧化物層，例如氮氧化硅(SixOyNz)等，刻蝕保護(hù)層的厚度為200至1000埃。
另外，作為本實(shí)施例的一種改進(jìn)，如圖2所示，光電二極管7的橫向?qū)挾却笥谶^(guò)孔 14的寬度，使刻蝕保護(hù)層13深入到光電二極管7的內(nèi)部，這種結(jié)構(gòu)可以有效減小本實(shí)施例的漏電流。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，光電二極管7設(shè)置有第一透明導(dǎo)電層 9，鈍化層8的上方設(shè)置有樹(shù)脂層10，樹(shù)脂層10上設(shè)置有導(dǎo)電金屬層12，樹(shù)脂層8上還設(shè)置有過(guò)孔16，導(dǎo)電金屬層12通過(guò)過(guò)孔16與第一透明導(dǎo)電層9相連接。與圖2所示的實(shí)施例相比，取消了第二透明導(dǎo)電層10，不影響TFT探測(cè)基板的正常工作，且可以簡(jiǎn)化制作工藝過(guò)程，降低制作成本。
本發(fā)明提供TFT探測(cè)基板，可用于醫(yī)療檢測(cè)裝置、材料探傷裝置、安檢裝置中。
相應(yīng)的，本發(fā)明還提供了一種X射線探測(cè)器，包括X射線源、探測(cè)裝置和控制系統(tǒng)， 其中，所述探測(cè)裝置包括本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板。
本發(fā)明提供的X射線探測(cè)器，工作過(guò)程中，X射線源和探測(cè)面板同時(shí)運(yùn)動(dòng)，對(duì)待檢物進(jìn)行X射線掃描，探測(cè)面板用于接收被待測(cè)物吸收后的X射線，并將所接收到的X射線轉(zhuǎn)化為可供記錄的電信號(hào)，控制系統(tǒng)對(duì)所述電信號(hào)進(jìn)行處理形成對(duì)應(yīng)的圖像。
本實(shí)施例提供的X射線探測(cè)器，包括TFT探測(cè)基板，且該探測(cè)基板中，柵線層由 AlNd和Mo金屬形成，數(shù)據(jù)線層由Mo金屬形成，相對(duì)于Cr，Mo是一種溫和金屬，對(duì)人體和動(dòng)植物危害較小，因此，能夠?qū)ι锖铜h(huán)境進(jìn)行有效保護(hù)。另外，采用Mo還可以簡(jiǎn)化X射線探測(cè)器制作過(guò)程后續(xù)的副產(chǎn)物的處理過(guò)程，有效降低成本
相應(yīng)的，本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種上述TFT探測(cè)基板的制作方法，如圖4所示， 包括下列步驟
步驟101，提供一基板。
所述基板可為硅基板。
步驟102，在所述基板上依次沉積AlNd金屬層和Mo金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極；
本發(fā)明實(shí)施例中，構(gòu)圖工藝包括曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。
步驟103，在形成有柵線層的基板上沉積Mo金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT漏極和TFT源極。
本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板的制作方法，柵線層由AlNd和Mo金屬形成，數(shù)據(jù)線層由Mo金屬形成，相對(duì)于Cr，Mo對(duì)人體和動(dòng)植物危害較小，因此，能夠?qū)ι锖铜h(huán)境進(jìn)行有效保護(hù)。另外，采用Mo還可以簡(jiǎn)化制作過(guò)程后續(xù)的副產(chǎn)物的處理過(guò)程，有效降低成本。
下面以圖3所示的TFT探測(cè)基板的制作過(guò)程為例，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例提供的TFT探測(cè)基板的制作方法進(jìn)行詳細(xì)描述，本實(shí)施例包括
步驟201，提供一基板。
步驟202，在所述基板上依次沉積AlNd金屬層和Mo金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極。
其中，AlNd金屬層的厚度為2000 4000埃、Mo金屬層的厚度為400 800埃。
步驟203，在柵線層上沉積柵極絕緣薄膜，以形成柵絕緣層；
其中，柵絕緣層為氮化硅(SiNx)，厚度為3500 5000埃。
步驟204，在柵絕緣層上，沉積非晶硅薄膜和摻雜非晶硅薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成包括非晶硅層和N型摻雜非晶硅層的有源層。
其中，非晶硅層的厚度為1300 2500埃，N型摻雜非晶硅層的厚度為300 1000埃。
步驟205，在有源層上沉積Mo金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT漏極和TFT源極，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成TFT漏極和源極之間的溝道。
其中，Mo金屬層的厚度為2000 4000埃。
步驟206，在數(shù)據(jù)線層上沉積氮化硅薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成氮化硅刻蝕保護(hù)層， 刻蝕保護(hù)層上設(shè)置有與所述TFT源極相連接的過(guò)孔。
其中，氮化硅刻蝕保護(hù)層厚度為200 1000埃。
步驟207.，在氮化硅刻蝕保護(hù)層沉積光電二級(jí)管PIN薄膜。
步驟208，在光電二極管PIN薄膜上，沉積ITO透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成 ITO第一透明導(dǎo)電層。
其中，ITO第一透明導(dǎo)電層為400 1500埃。
步驟209，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光電二極管，所述光電二極管穿過(guò)所述過(guò)孔與所述 TFT源極相連接。步驟210，在ITO第一透明導(dǎo)電層上沉積氮化硅薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成鈍化層。其中，鈍化層的厚度為500 2000埃。步驟211，在鈍化層上沉積樹(shù)脂薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成樹(shù)脂層。其中，樹(shù)脂層的厚度為1. 5 4微米。步驟212，通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述鈍化層上形成與所述透明導(dǎo)電層相連接的電極接觸孔。本步驟中，電極接觸孔可以通過(guò)掩膜版曝光、顯影、濕法刻蝕、剝離等構(gòu)圖工藝形成，還可以以樹(shù)脂層作為掩膜版，進(jìn)行干法刻蝕形成。步驟213，在樹(shù)脂層上依次沉積Mo金屬層和AlNd金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成導(dǎo)電金屬層。
其中，Mo金屬層的厚度為200 600埃，AlNd金屬層的厚度為2000 4000埃。接下來(lái)，還將沉積第二樹(shù)脂層，以完成整個(gè)探測(cè)基板的制作。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實(shí)施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種TFT探測(cè)基板，包括基板，所述基板上設(shè)有柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極，所述柵線層的上方設(shè)有數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT源極和TFT漏極，所述TFT漏極與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有光電二極管，所述TFT漏極與光電二極管相連接，其特征在于，所述柵線層由依次沉積的鋁釹金屬層和鉬金屬層所形成； 所述數(shù)據(jù)線層由鉬金屬層所形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT探測(cè)基板，其特征在于，形成所述柵線層的鋁釹金屬層的厚度為2000至4000埃，形成所述柵線層的鉬金屬層的厚度為400至800埃，形成所述數(shù)據(jù)線層的鉬金屬層的厚度為2000至4000埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT探測(cè)基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線層上設(shè)置有刻蝕保護(hù)層，所述刻蝕保護(hù)層上設(shè)置有過(guò)孔，所述光電二極管通過(guò)所述過(guò)孔與所述TFT源極相連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT探測(cè)基板，其特征在于，所述刻蝕保護(hù)層為氮氧化物層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的TFT探測(cè)基板，其特征在于，所述刻蝕保護(hù)層的厚度為200至 1000 埃。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的TFT探測(cè)基板，所述光電二極管的橫向?qū)挾却笥谒鲞^(guò)孔的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的TFT探測(cè)基板，所述光電二極管上設(shè)置有透明導(dǎo)電層，所述透明導(dǎo)電層的上方設(shè)置有樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層上設(shè)置有導(dǎo)電金屬層，所述樹(shù)脂層上設(shè)置有過(guò)孔，所述導(dǎo)電金屬層通過(guò)所述過(guò)孔與所述透明導(dǎo)電層相連接。
8.—種X射線探測(cè)器，包括X射線源和探測(cè)裝置，其特征在于，所述檢測(cè)裝置包括權(quán)利要求1至權(quán)利要求7任一項(xiàng)所述的TFT探測(cè)基板。
9.一種TFT探測(cè)基板的制作方法，其特征在于，包括 提供一基板；在所述基板上依次沉積鋁釹金屬層和鉬金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極；在形成有柵線層的基板上沉積鉬金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT漏極和TFT源極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有柵線層的基板上沉積鉬金屬層，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成數(shù)據(jù)線層后，所述方法還包括在形成有數(shù)據(jù)線層的基板上沉積刻蝕保護(hù)薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成刻蝕保護(hù)層，刻蝕保護(hù)層上設(shè)置有與所述TFT源極相連接的過(guò)孔；在形成有刻蝕保護(hù)層的基板上沉積光電二極管薄膜；通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光電二極管，所述光電二極管穿過(guò)所述過(guò)孔與所述TFT源極相連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有刻蝕保護(hù)層的基板上沉積光電二極管薄膜后，所述通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光電二極管前，所述方法還包括在形成有光電二極管薄膜的基板上，沉積透明導(dǎo)電薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成透明導(dǎo)電層；所述通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成光電二極管后，所述方法還包括 在形成有光電二極管的基板上，沉積樹(shù)脂薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成樹(shù)脂層； 在形成有樹(shù)脂層的基板上，沉積導(dǎo)電金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成導(dǎo)電金屬層，所述導(dǎo)電金屬層與所述透明導(dǎo)電層相連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述在形成有光電二極管的基板上，沉積樹(shù)脂薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成樹(shù)脂層后，所述在形成有樹(shù)脂層的基板上，沉積導(dǎo)電金屬薄膜，通過(guò)構(gòu)圖工藝，形成導(dǎo)電金屬層前，所述方法還包括通過(guò)構(gòu)圖工藝，在所述樹(shù)脂層上形成與所述透明導(dǎo)電層相連接的過(guò)孔，所述構(gòu)圖工藝包括干法刻蝕或濕法刻蝕。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種TFT探測(cè)基板及其制作方法、X射線探測(cè)器，涉及光電技術(shù)領(lǐng)域，為能夠?qū)ι锖铜h(huán)境進(jìn)行有效保護(hù)，且有效降低成本而發(fā)明。所述TFT探測(cè)基板包括基板，所述基板上設(shè)有柵線層，所述柵線層中包括柵線和與所述柵線連接的TFT柵極，所述柵線層的上方設(shè)有數(shù)據(jù)線層，所述數(shù)據(jù)線層中包括數(shù)據(jù)線，TFT源極和TFT漏極，所述TFT漏極與所述數(shù)據(jù)線相連接，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線之間限定有像素區(qū)域，所述像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有光電二極管，所述TFT源極與光電二極管相連接，所述柵線層由依次沉積的鋁釹金屬層和鉬金屬層所形成；所述數(shù)據(jù)線層由鉬金屬層所形成。本發(fā)明可用于X射線探測(cè)器中。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102544024SQ20101061251
公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2010年12月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月29日
發(fā)明者孫增輝, 張航, 李禹奉, 王珂, 王路, 郭煒 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司