專利名稱：陣列基板及其制造方法和液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)是液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。陣列基板是液晶顯示器的重要部件。陣列基板的制作通過(guò)一組薄膜沉積和光刻工藝形成的圖案來(lái)完成，一次光刻形成一層圖案。一次光刻的過(guò)程具體為先在襯底上沉積一層薄膜，然后在薄膜表面上涂覆一層光敏感材料，通過(guò)光刻形成一層與模板圖案相同的圖案，最后將光敏感材料圖案剝離形成薄膜的圖案。每一層圖案都可以在一定的精確位置準(zhǔn)確地罩在另一層圖案上，每一層圖案的材料可以不同或相同，其厚度可以從幾百納米到幾個(gè)微米?，F(xiàn)有陣列基板普遍采用四次光刻技術(shù)進(jìn)行制造，具體過(guò)程為通過(guò)第一次光刻構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成包括柵線和柵電極的圖案；通過(guò)第二次光刻構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、有源層、源電極和漏電極的圖案，此次可以采用諸如半色調(diào)或者灰色調(diào)掩膜板等雙色調(diào)掩模板；通過(guò)第三次光刻構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層過(guò)孔的鈍化層圖案；通過(guò)第四次光刻構(gòu)圖工藝形成包括像素電極的圖案。圖IA為現(xiàn)有典型陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖，圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖IA和圖IB所示，采用現(xiàn)有四次光刻技術(shù)，形成的陣列基板包括襯底基板1 ；襯底基板1上形成有橫縱交叉的數(shù)據(jù)線5和柵線2 ；數(shù)據(jù)線5和柵線2圍設(shè)形成矩陣形式排列的像素單元；每個(gè)像素單元包括TFT開(kāi)關(guān)和像素電極11 ；TFT開(kāi)關(guān)包括柵電極3、源電極7、漏電極8和有源層6 ；柵電極3連接?xùn)啪€2，源電極7連接數(shù)據(jù)線5，漏電極 8通過(guò)鈍化層過(guò)孔10連接像素電極11，有源層6形成在源電極7和漏電極8與柵電極3之間，柵電極3和有源層6之間為柵絕緣層4，像素電極11與漏電極8之間為鈍化層9。其中， 柵線2、數(shù)據(jù)線5、柵電極3、源電極7、漏電極8和像素電極11等圖案統(tǒng)稱為導(dǎo)電圖案，柵絕緣層4和鈍化層9統(tǒng)稱為絕緣層。采用現(xiàn)有四次光刻工藝制造的TFT-IXD的陣列基板中，源電極和漏電極與柵電極部分重合，形成了寄生電容Cgs，寄生電容的大小與源漏電極與柵電極的重疊面積有關(guān)。由于采用現(xiàn)有光刻工藝形成的柵電極的金屬較厚，一般為3000 ~ 6000A,在同一襯底基板上不同位置形成的柵電極的坡度角大小難以精確地相同，造成不同像素單元的源漏電極和柵電極的重疊面積不均勻，從而使整個(gè)陣列基板上不同像素單元的寄生電容相差較大。此外，寄生電容與跳變電壓Δ Vp的關(guān)系符合以下公式(1)
=(Veh-VJ
gl
gh gl Cgs +Clc +Cs( ι ) 在公式(1)中，Δνρ為跳變電壓，Vgh為高電壓，Vgl為低電壓，Cgs為寄生電容，Cs為存儲(chǔ)電容，C1。為液晶電容。由公式⑴可知，Δ Vp隨寄生電容Cgs變化而變化，導(dǎo)致整個(gè)陣列基板上的Δ Vp不均勻，難以通過(guò)驅(qū)動(dòng)電路進(jìn)行補(bǔ)償。綜上所述，現(xiàn)有整個(gè)陣列基板上不同像素單元的寄生電容相差較大，在驅(qū)動(dòng)陣列基板的電路時(shí)，難以調(diào)節(jié)Δ Vp，容易引起液晶顯示器的顯示畫(huà)面閃爍，造成顯示質(zhì)量差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，以實(shí)現(xiàn)降低不同像素單元的寄生電容的差異，提高液晶顯示器的顯示質(zhì)量。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極， 其中，形成所述柵線、柵電極和像素電極的步驟具體包括在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案。本發(fā)明又提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有橫縱交叉圍設(shè)形成多個(gè)像素單元的數(shù)據(jù)線和柵線，每個(gè)像素單元中包括像素電極、柵電極、源電極、漏電極和有源層，其中所述像素電極、柵電極與柵線鄰接所述襯底基板設(shè)置，所述柵電極采用像素電極材料制成。本發(fā)明還提供一種液晶顯示器，包括液晶面板，其中所述液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和本發(fā)明所提供的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板中夾設(shè)有液晶層。本發(fā)明提供的陣列基板及其制造方法和液晶顯示器，在通過(guò)一次光刻在襯底基板上形成柵線、柵電極和像素電極的過(guò)程中，在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜后，刻蝕透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，并刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案，可以使柵電極與像素電極為相同的透明導(dǎo)電薄膜，柵電極厚度低、與源漏電極的重疊面積小，因此，各個(gè)像素單元的寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，從而提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)重。


圖IA為現(xiàn)有典型陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖3Α為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖;3Β為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為圖;3Β中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3D為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成有源層和接觸過(guò)孔圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3Ε為圖3D中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖3F為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3G為圖3F中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖;3H為圖3F涂覆鈍化層并刻蝕接口區(qū)域過(guò)孔后沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖4B為圖;3B涂覆柵絕緣層并刻蝕接觸過(guò)孔后沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。主要附圖標(biāo)記I-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層；5-數(shù)據(jù)線；6-有源層；61-半導(dǎo)體層；62-重?fù)诫s半導(dǎo)體層；7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；11-像素電極；15-溝道；16-接觸過(guò)孔。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖2為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的制造方法的流程圖，該陣列基板的制造方法包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，其中，形成所述柵線、柵電極和像素電極的步驟具體可以包括步驟210、在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；步驟220、采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案。其中，雙色調(diào)掩膜板可以為半色調(diào)掩模版或灰色調(diào)掩模版等。本實(shí)施例中，可以通過(guò)一次光刻在襯底基板上形成柵線、柵電極和像素電極在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜后，刻蝕透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，并刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案，可以采用像素電極的透明導(dǎo)電薄膜同步形成柵電極，例如采用厚度為400 A的納米銦錫氧化物andium Tin Oxides ；簡(jiǎn)稱ΙΤ0)透明導(dǎo)電薄膜，與常規(guī)的柵金屬薄膜，例如2000Α的柵金屬薄膜形成的柵電極相比，采用本實(shí)施例的方法制備出的陣列基板的柵電極的厚度低。因此，即使陣列基板的各個(gè)像素單元中柵電極的坡度角范圍不變，由于柵電極的厚度變小，所以柵電極與源漏電極的重疊面積會(huì)變小，因而寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，降低 AVp變化，從而解決了由于Δ Vp變化大引起的顯示不良的問(wèn)題，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。其中，包括上述制備柵電極步驟的陣列基板的制造方法可以有多種實(shí)現(xiàn)形式，即有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線可以通過(guò)多種制備工藝來(lái)形成。以下通過(guò)實(shí)施例介紹優(yōu)選實(shí)施方式。實(shí)施例二圖3A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖，如圖3A所示，本實(shí)施例的陣列基板的制造方法包括如下步驟步驟310、在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；在襯底基板例如透明玻璃基板或石英上，可以采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積厚度為300 ~ 600 A的透明導(dǎo)電薄膜和厚度為1000 ~ 4000A的柵金屬薄膜。其中，透明導(dǎo)電薄膜可以為ITO或者納米銦鋅氧化物andium ZincOxides ；簡(jiǎn)稱IZO)，也可以是其它的透明金屬或透明金屬氧化物；柵金屬薄膜可以選用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金，或者選用多層金屬組成的柵金屬薄膜。步驟320、采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案；其中，雙色調(diào)掩膜板可以為半色調(diào)掩模版或灰色調(diào)掩模版等。其中，步驟320具體可以包括步驟321、在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟322、采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度；步驟323、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，形成包括柵線的圖案；步驟324、按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；其中，完全保留區(qū)域的光刻膠仍保留一部分，以保護(hù)其下的金屬膜，完全保留區(qū)域?qū)?yīng)柵線的圖案，其金屬膜在接下來(lái)的刻蝕過(guò)程中不被刻蝕掉。步驟325、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜，形成包括柵電極和像素電極的圖案；步驟326、去除剩余的光刻膠，如圖;3B和3C所示。其中，圖;3B為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法中形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3C為圖;3B中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3B和3C所示，經(jīng)過(guò)步驟320 (例如從步驟321到步驟326)，可以在襯底基板1上形成柵線2、柵電極3和像素電極11圖案。步驟330、在形成柵線2、柵電極3和像素電極11圖案的襯底基板1上形成柵絕緣層和有源層薄膜；其中，在形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板上形成有源層薄膜的具體方法可以為在襯底基板上形成厚度為1000 ~ 3000A的半導(dǎo)體層和厚度為500 ~ IOOOA重?fù)?br> 雜半導(dǎo)體層(也叫做歐姆接觸層)；或者在襯底基板上形成厚度為100 ~ 1500A的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層為金屬氧化物。
具體地，在完成步驟320形成柵線2、柵電極3和像素電極11圖案的襯底基板1上， 可以通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition ； 簡(jiǎn)稱PECVD)沉積厚度可以為3000 ~ 5000 A的柵絕緣層4、厚度為1000 ~ 3000A的半導(dǎo)體層、厚度為500 ~ 1000 A重?fù)诫s半導(dǎo)體層。其中，柵絕緣層可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4, NH3為或SiH2Cl2, NH3, N2 ；半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以是SiH4, H2或SiH2Cl2, H2。重?fù)诫s半導(dǎo)體層的反應(yīng)氣體可為SiH4, PH3, H2或SiH2Cl2, PH3, H20此外，有源層薄膜也可以僅包括采用高遷移率的金屬氧化物例如a-IGZ0作為有源層薄膜沉積的一層半導(dǎo)體層。由于金屬氧化物與源漏金屬的功函數(shù)相差很小，所以金屬氧化物與源、漏金屬接觸電阻小，可以不增加重?fù)诫s半導(dǎo)體層來(lái)減小半導(dǎo)體層與源、漏金屬的接觸電阻，而是采用金屬氧化物的半導(dǎo)體層直接與接觸源、漏金屬。不僅可以省略掉重?fù)诫s半導(dǎo)體層的制作工藝，還可以大幅度提高TFT的性能。步驟340、采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述有源層薄膜和柵絕緣層形成包括接觸過(guò)孔的圖案，并刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層的圖案；其中，步驟340具體可以包括步驟341、在所述有源層薄膜上涂覆光刻膠；步驟342、采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度；步驟343、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述有源層薄膜和柵絕緣層，形成包括接觸過(guò)孔的圖案；步驟344、按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；步驟345、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述有源層薄膜，形成包括有源層的圖案；步驟346、去除剩余的光刻膠，如圖3D和3E所示。其中，圖3D為本發(fā)明實(shí)施例二中形成有源層和接觸過(guò)孔圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3E為圖3D中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3D和3E所示，經(jīng)過(guò)步驟340，可以在形成柵線2、柵電極3和像素電極11圖案的襯底基板1上，形成包括有源層6和接觸過(guò)孔16的圖案，其中，有源層6可以包括半導(dǎo)體層61和重?fù)诫s半導(dǎo)體層62。步驟350、在形成有源層6和接觸過(guò)孔16圖案的襯底基板1上形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜；在經(jīng)過(guò)步驟340形成的有源層6和接觸過(guò)孔16圖案的襯底基板上，通過(guò)濺射或熱蒸發(fā)的方法沉積上厚度約為2000 ~ 3000 A的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，數(shù)據(jù)線金屬薄膜可以選用 Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金屬和合金，可以是單層也可以是多層。步驟360、采用單色調(diào)掩膜板即普通掩模板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案，并刻蝕所述有源層6形成溝道圖案，所述漏電極8通過(guò)接觸過(guò)孔16與像素電極11連通，如圖3F和3G所示；其中，圖3F為本發(fā)明實(shí)施例二中形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖3G為圖3F中沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3F和3G所示，采用單色調(diào)掩膜板曝光顯影后，刻蝕掉完全去除區(qū)域的數(shù)據(jù)線金屬薄膜和重?fù)诫s半導(dǎo)體層 62 (如果有重?fù)诫s半導(dǎo)體層則刻蝕掉，沒(méi)有則重?fù)诫s半導(dǎo)體層可以只刻蝕掉數(shù)據(jù)線金屬薄膜)，形成數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8以及TFT的溝道15。步驟370、在形成數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8圖案的襯底基板1上形成鈍化層 9 ；在經(jīng)過(guò)步驟360形成的數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的襯底基板1上，通過(guò)PECVD 方法沉積厚度約為1500 ~ 3500 A的鈍化層9。鈍化層可以選用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對(duì)應(yīng)的反應(yīng)氣體可以為SiH4、NH3> N2,或SiH2Cl2、NH3> N2。步驟380、采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述鈍化層9形成包括接口區(qū)域過(guò)孔的圖案。由于鈍化層為透明膜層，經(jīng)過(guò)步驟370和步驟380后形成的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以參見(jiàn)圖3F，其中，接口區(qū)域過(guò)孔在圖3F中未示，可以在陣列基板的像素單元外圍。幾個(gè)像素單元的柵線或數(shù)據(jù)線可以集合為一個(gè)接口。如圖3H所示，為圖3F涂覆鈍化層并刻蝕接口區(qū)域過(guò)孔后沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，采用單色調(diào)掩膜板曝光顯影后，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕形成包括接口區(qū)域過(guò)孔例如柵線接口區(qū)域過(guò)孔和數(shù)據(jù)線接口區(qū)域過(guò)孔的圖案。其中，從步驟330到步驟380是形成陣列基板的有源層6、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5和絕緣層的步驟。本實(shí)施例中，在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜后，刻蝕透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，并刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案，通過(guò)一次光刻在襯底基板上形成柵線、柵電極和像素電極，采用像素電極的透明導(dǎo)電薄膜同步形成柵電極，與常規(guī)的柵金屬薄膜形成的柵電極相比，采用本實(shí)施例的方法制備出的陣列基板的柵電極的厚度低。因此，即使陣列基板的各個(gè)像素單元中柵電極的坡度角范圍不變，由于柵電極的厚度變小，所以柵電極與源漏電極的重疊面積會(huì)變小，因而寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，降低Δν/變化，從而解決了由于AV/變化大引起的顯示不良的問(wèn)題，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。此外，可以利用一次光刻工藝形成包括接觸過(guò)孔的有源層圖案，通過(guò)接觸過(guò)孔連接像素電極。其中，有源層與源漏電極分為兩次光刻形成，有源層的圖案可以超出源電極和漏電極的端部范圍，曝光顯影后光刻膠的厚度均勻，因此該層可以涂覆較厚的光刻膠，防止出現(xiàn)溝道過(guò)刻蝕(channel open)；并且在光刻膠灰化之后，通過(guò)單色調(diào)掩模板直接進(jìn)行有源層的刻蝕，然后對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離，防止出現(xiàn)因殘留光刻膠造成源電極和漏電極的短路， 可以從根本上解決光刻過(guò)程中出現(xiàn)的GT Brige(TFT溝道內(nèi)源電極和漏電極短路)和溝道過(guò)刻不良，提高了產(chǎn)品的良品率。進(jìn)一步地，形成漏電極的數(shù)據(jù)線金屬薄膜通過(guò)接觸過(guò)孔與像素電極線連接，與現(xiàn)有工藝中通過(guò)形成像素電極的ITO與通過(guò)鈍化層的接觸過(guò)孔與漏電極連接相比，數(shù)據(jù)線金屬薄膜比ITO厚，在像素電極與漏電極端差大時(shí)，數(shù)據(jù)線金屬薄膜不易發(fā)生斷線不良，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的良品率。實(shí)施例三圖4A為本發(fā)明實(shí)施例三提供的陣列基板的制造方法的流程圖，如圖4A所示，本實(shí)施例的陣列基板的制造方法包括如下步驟
步驟410、在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；其中，步驟410中在襯底基板例如透明玻璃基板或石英上，依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜的具體方法和材料可以參照實(shí)施例二中的步驟310的相關(guān)描述。步驟420、采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線2的圖案，且刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜形成包括柵電極3和像素電極11的圖案，如圖:3B和圖3C所示；其中，步驟420的具體方法可以參照實(shí)施例二中的步驟321到步驟326的相關(guān)描述，經(jīng)過(guò)步驟420，可以在襯底基板1上形成柵線2、柵電極3和像素電極11圖案，具體可以參見(jiàn)圖3B和圖3C。步驟430、在形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板上形成柵絕緣層；步驟440、采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述柵絕緣層形成包括接觸過(guò)孔的圖案，如圖4B所示；由于柵絕緣層一般為透明絕緣材料，因此，本發(fā)明實(shí)施例三中形成接觸過(guò)孔圖案的襯底基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖可以參見(jiàn)圖3B ；圖4B為圖;3B涂覆柵絕緣層并刻蝕接觸過(guò)孔后沿B-B線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4B所示，經(jīng)過(guò)步驟440，可以在形成柵線2、柵電極3和像素電極11圖案的襯底基板1上，形成包括接觸過(guò)孔16的圖案。步驟450、在形成接觸過(guò)孔16圖案的襯底基板1上形成有源層薄膜；其中，在形成接觸過(guò)孔圖案的襯底基板上形成有源層薄膜的具體方法可以為在襯底基板上形成厚度為1000 ~ 3000A的半導(dǎo)體層和厚度為500 ~ IOOOA重?fù)诫s半導(dǎo)體層；或者在襯底基板上形成厚度為100 ~ 1500A的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層為金屬氧化物。具體地，在襯底基板上形成有源層薄膜的具體方法和材料可以參見(jiàn)實(shí)施例二中的步驟330及其相關(guān)描述。步驟460、采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層 6的圖案；經(jīng)過(guò)步驟440，可以在形成接觸過(guò)孔16圖案的襯底基板1上，形成包括有源層6的圖案，其中，有源層6可以包括半導(dǎo)體層61和重?fù)诫s半導(dǎo)體層62，具體可以參見(jiàn)圖3D和圖 3E。步驟470、在形成有源層6和接觸過(guò)孔16圖案的襯底基板1上形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜；在襯底基板上形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜的具體方法和材料可以參見(jiàn)實(shí)施例二中的步驟350 及其相關(guān)描述。步驟480、采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案，并刻蝕所述有源層6形成溝道15圖案，所述漏電極8 通過(guò)接觸過(guò)孔16與像素電極11連通；其中，經(jīng)過(guò)步驟470和步驟480，在襯底基板1上形成數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極 8的具體方法和材料可以參見(jiàn)實(shí)施例二中的步驟350和步驟360及其相關(guān)描述，以及圖3F 和圖3G。步驟490、在形成數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8圖案的襯底基板1上形成鈍化層9 ；在襯底基板上形成鈍化層的具體方法和材料可以參見(jiàn)實(shí)施例二中的步驟370及其相關(guān)描述。步驟400、采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述鈍化層9形成包括接口區(qū)域過(guò)孔的圖案。其中，經(jīng)過(guò)步驟490和步驟400，在襯底基板1上形成鈍化層9和接口區(qū)域過(guò)孔的具體方法和材料可以參見(jiàn)實(shí)施例二中的步驟370和步驟380及其相關(guān)描述，以及圖3H。其中，接口區(qū)域過(guò)孔可以包括柵線接口區(qū)域過(guò)孔和數(shù)據(jù)線接口區(qū)域過(guò)孔。其中，從步驟430到步驟400是形成陣列基板的有源層6、源電極7、漏電極8、數(shù)據(jù)線5和絕緣層的步驟。本實(shí)施例中，在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜后，刻蝕透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，并刻蝕透明導(dǎo)電薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案，通過(guò)一次光刻在襯底基板上形成柵線、柵電極和像素電極，可以使柵電極與像素電極的為相同的透明導(dǎo)電薄膜透明導(dǎo)電薄膜，與常規(guī)的柵金屬薄膜形成的柵電極相比，采用本實(shí)施例的方法制備出的陣列基板的柵電極的厚度低，與源漏電極的重疊面積小，因此， 陣列基板的各個(gè)像素單元的寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，降低Δ Vp變化，從而解決了由于Δ Vp變化大引起的顯示不良的問(wèn)題，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍， 提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。此外，有源層與源漏電極分為兩次光刻形成，有源層的圖案可以超出所述源電極和漏電極的端部范圍，曝光顯影后光刻膠的厚度均勻，因此該層可以涂覆較厚的光刻膠，防止出現(xiàn)溝道過(guò)刻(channel open)；并且在光刻膠灰化之后，通過(guò)單色調(diào)掩模板直接進(jìn)行有源層的刻蝕，然后對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離，防止出現(xiàn)因殘留光刻膠造成源電極和漏電極的短路， 可以從根本上解決光刻過(guò)程中出現(xiàn)的GT Brige和溝道過(guò)刻不良，提高了產(chǎn)品的良品率。進(jìn)一步地，形成漏電極的數(shù)據(jù)線金屬薄膜通過(guò)接觸過(guò)孔與像素電極線連接，與現(xiàn)有工藝中通過(guò)形成像素電極的ITO與通過(guò)鈍化層的接觸過(guò)孔與漏電極連接相比，數(shù)據(jù)線金屬薄膜比 ITO厚，在像素電極與漏電極端差大時(shí)，數(shù)據(jù)線金屬薄膜不易發(fā)生斷線不良，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的良品率。具體應(yīng)用中，形成陣列基板的有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和絕緣層的步驟并不限于上述實(shí)現(xiàn)方式，可以根據(jù)具體的工藝進(jìn)行改變。實(shí)施例四參見(jiàn)附圖3F，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有橫縱交叉圍設(shè)形成多個(gè)像素單元的數(shù)據(jù)線5和柵線2，每個(gè)像素單元中包括像素電極11、柵電極3、源電極7、漏電極8和有源層6 ；像素電極11、柵電極3與柵線2鄰接襯底基板1設(shè)置，柵電極3采用像素電極11 材料制成。本實(shí)施例中，像素電極、柵電極與柵線鄰接襯底基板設(shè)置，且柵電極采用像素電極材料與像素電極同步制成，柵電極為較薄的透明導(dǎo)電薄膜，其厚度優(yōu)選為300 ~ 600A。與常規(guī)的柵金屬薄膜形成的柵電極相比，本實(shí)施例的陣列基板的柵電極的厚度低。因此，即使陣列基板的各個(gè)像素單元中柵電極的坡度角范圍不變，由于柵電極的厚度變小，所以柵電極與源漏電極的重疊面積會(huì)變小，因而寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，降低AVp變化，從而解決了由于Δ Vp變化大引起的顯示不良的問(wèn)題，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。實(shí)施例五本發(fā)明實(shí)施例五提供的陣列基板，其結(jié)構(gòu)可參見(jiàn)前述的附圖3F和3Η，該陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有橫縱交叉圍設(shè)形成多個(gè)像素單元的數(shù)據(jù)線5和柵線 2，每個(gè)像素單元中包括像素電極11、柵電極3、源電極7、漏電極8和有源層6 ；像素電極11、 柵電極3與柵線2鄰接襯底基板1設(shè)置，柵電極3采用像素電極11材料制成；其中，柵電極3與像素電極11同步制成，柵線2下方形成有像素電極材料薄膜例如透明導(dǎo)電薄膜ITO或ΙΖ0。像素電極、柵電極與柵線的具體制備方法和材料可以參見(jiàn)前述的實(shí)施例一的步驟301和步驟302的相關(guān)描述。再進(jìn)一步地，像素電極11、柵電極3與柵線2上覆蓋有柵絕緣層4，柵絕緣層4中形成有接觸過(guò)孔16 ；柵絕緣層4上形成有有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5，其中，漏電極8通過(guò)接觸過(guò)孔16與像素電極11連通；有源層6、源電極7、漏電極8和數(shù)據(jù)線5上覆蓋有鈍化層。再進(jìn)一步地，源電極7和漏電極8的端部位于有源層6上，且有源層6的圖案超出源電極7和漏電極8的端部范圍。 本實(shí)施例中，像素電極、柵電極與柵線鄰接襯底基板設(shè)置，且柵電極采用像素電極材料與像素電極同步制成，柵電極為較薄的透明導(dǎo)電薄膜，其厚度優(yōu)選為300 ~ 600Α。與常規(guī)的柵金屬薄膜形成的柵電極相比，本實(shí)施例的陣列基板的柵電極的厚度低。因此，即使陣列基板的各個(gè)像素單元中柵電極的坡度角范圍不變，由于柵電極的厚度變小，所以柵電極與源漏電極的重疊面積會(huì)變小，因而寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，降低 AVp變化，從而解決了由于Δ Vp變化大引起的顯示不良的問(wèn)題，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。此外，有源層可以包括厚度為1000 ~ 3000Α的半導(dǎo)體層和厚度為500 -1000 A
重?fù)诫s半導(dǎo)體層；或者有源層可以為100 ~ 1500Α的半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層為金屬氧化物。 有源層的圖案超出所述源電極和漏電極的端部范圍，曝光顯影后光刻膠的厚度均勻，因此該層可以涂覆較厚的光刻膠，防止出現(xiàn)溝道過(guò)刻(channel open)；并且在光刻膠灰化之后， 通過(guò)單色調(diào)掩模板直接進(jìn)行有源層的刻蝕，然后對(duì)光刻膠進(jìn)行剝離，防止出現(xiàn)因殘留光刻膠造成源電極和漏電極的短路，可以從根本上解決光刻過(guò)程中出現(xiàn)的GT Brige和溝道過(guò)刻不良，提高了產(chǎn)品的良品率。進(jìn)一步地，形成漏電極的數(shù)據(jù)線金屬薄膜通過(guò)接觸過(guò)孔與像素電極線連接，與現(xiàn)有工藝中通過(guò)形成像素電極的ITO與通過(guò)鈍化層的接觸過(guò)孔與漏電極連接相比，數(shù)據(jù)線金屬薄膜比ITO厚，在像素電極與漏電極端差大時(shí)，數(shù)據(jù)線金屬薄膜不易發(fā)生斷線不良，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的良品率。本實(shí)施例的陣列基板可以采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法來(lái)制備，形成相應(yīng)的圖案結(jié)構(gòu)。本發(fā)明實(shí)施例提供液晶顯示器，包括液晶面板，其中，液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和本發(fā)明任意實(shí)施例所提供的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板中夾設(shè)有液晶層。
本實(shí)施例液晶顯示器中液晶面板包括的陣列基板可以采用本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板的制造方法來(lái)制備，形成相應(yīng)的圖案結(jié)構(gòu)。本實(shí)施例液晶顯示器中液晶面板包括的陣列基板中，像素電極、柵電極與柵線鄰接襯底基板設(shè)置，且柵電極采用像素電極材料與像素電極同步制成，柵電極為較薄的透明導(dǎo)電薄膜，其厚度優(yōu)選為300 ~ 600人。與常規(guī)的柵金屬薄膜形成的柵電極相比，本實(shí)施例中的陣列基板的柵電極的厚度低。因此，即使陣列基板的各個(gè)像素單元中柵電極的坡度角范圍不變，由于柵電極的厚度變小，所以柵電極與源漏電極的重疊面積會(huì)變小，因而寄生電容小，不同像素單元的寄生電容均勻，降低Δν/變化，從而解決了由于Δν/變化大引起的顯示不良的問(wèn)題，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。最后應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，其特征在于， 形成所述柵線、柵電極和像素電極的步驟具體包括在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用雙色調(diào)掩膜板， 通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案，包括在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，形成包括柵線的圖案；按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜，形成包括柵電極和像素電極的圖案；去除剩余的光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，形成所述有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和絕緣層的步驟包括在形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板上形成柵絕緣層和有源層薄膜；采用雙色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述有源層薄膜和柵絕緣層形成包括接觸過(guò)孔的圖案，并刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層的圖案；在形成有源層和接觸過(guò)孔圖案的襯底基板上形成數(shù)據(jù)線金屬薄膜；采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案，并刻蝕所述有源層形成溝道圖案，所述漏電極通過(guò)接觸過(guò)孔與像素電極連通；在形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極圖案的襯底基板上形成鈍化層；采用單色調(diào)掩膜板，通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述鈍化層形成包括接口區(qū)域過(guò)孔的圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述采用雙色調(diào)掩膜板， 通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述有源層薄膜和柵絕緣層形成包括接觸過(guò)孔的圖案，并刻蝕所述有源層薄膜形成包括有源層的圖案，包括在所述有源層薄膜上涂覆光刻膠；采用雙色調(diào)掩膜板對(duì)光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述有源層薄膜和柵絕緣層，形成包括接觸過(guò)孔的圖案；按照所述部分保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述有源層薄膜，形成包括有源層的圖案；去除剩余的光刻膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜具體包括在襯底基板上沉積厚度為300 ~ 600A的透明導(dǎo)電薄膜，并沉積厚度為1000 ~ 4000A 的柵金屬薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成柵線、柵電極和像素電極圖案的襯底基板上形成有源層薄膜具體包括在襯底基板上形成厚度為1000 ~ 3000A的半導(dǎo)體層和厚度為500 ~ 1OOOA重?fù)诫s半導(dǎo)體層；或者在襯底基板上形成厚度為100 ~ 1500A的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層為金屬氧化物。
7.—種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有橫縱交叉圍設(shè)形成多個(gè)像素單元的數(shù)據(jù)線和柵線，每個(gè)像素單元中包括像素電極、柵電極、源電極、漏電極和有源層，其特征在于所述像素電極、柵電極與柵線鄰接所述襯底基板設(shè)置，所述柵電極采用像素電極材料制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于所述柵電極與所述像素電極同步制成，所述柵線下方形成有像素電極材料薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于所述柵電極的厚度為300~ 600A。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于所述有源層包括厚度為1000 ~ 3000A的半導(dǎo)體層和厚度為500 ~ 1000 A重?fù)诫s半導(dǎo)體層；或者所述有源層為100 ~ 1500A的半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層為金屬氧化物。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8或9或10所述的陣列基板，其特征在于所述像素電極、柵電極與柵線上覆蓋有柵絕緣層，所述柵絕緣層中形成有接觸過(guò)孔；所述柵絕緣層上形成有有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線，所述漏電極通過(guò)接觸過(guò)孔與所述像素電極連通；所述有源層、源電極、漏電極和數(shù)據(jù)線上覆蓋有鈍化層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板，其特征在于所述源電極和漏電極的端部位于所述有源層上，且所述有源層的圖案超出所述源電極和漏電極的端部范圍。
13.一種液晶顯示器，包括液晶面板，其特征在于所述液晶面板包括對(duì)盒設(shè)置的彩膜基板和權(quán)利要7-12任一所述的陣列基板，所述彩膜基板和陣列基板中夾設(shè)有液晶層。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制造方法和液晶顯示器。其中，陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上形成導(dǎo)電圖案和絕緣層的步驟，所述導(dǎo)電圖案至少包括柵線、柵電極、有源層、源電極、漏電極、數(shù)據(jù)線和像素電極，其中，形成所述柵線、柵電極和像素電極的步驟具體包括在襯底基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜；通過(guò)構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜和所述柵金屬薄膜形成包括柵線的圖案，且刻蝕所述柵金屬薄膜形成包括柵電極和像素電極的圖案。本發(fā)明柵電極與像素電極的為相同的透明導(dǎo)電薄膜，柵電極厚度低、與源漏電極的重疊面積小，不同像素單元的寄生電容均勻，液晶顯示器的顯示畫(huà)面不易出現(xiàn)閃爍，提高了液晶顯示器的顯示質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L27/12GK102569185SQ20101060191
公開(kāi)日2012年7月11日 申請(qǐng)日期2010年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者劉翔, 薛建設(shè) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司