專利名稱：具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于發(fā)光器件的制造領(lǐng)域，涉及一種具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光器件及 其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著LED光效的不斷提高，在某些領(lǐng)域，如液晶背光、汽車照明光源等，已逐漸顯 露出LED代替熒光燈、白熾燈的趨勢(shì)。在通用照明領(lǐng)域，大功率LED也同樣具有取代傳統(tǒng)光 源的巨大潛力。但是，隨著LED芯片單位面積功率的增大和芯片集成度的提高，散熱問題和 靜電防護(hù)問題逐漸成為影響LED穩(wěn)定性的重要因素。其中，提高靜電防護(hù)能力是提高LED穩(wěn)定性的重要要求。目前，一般采用給LED并 聯(lián)一個(gè)反向二極管或雙向二極管來提高LED的防靜電能力。對(duì)于正裝芯片或垂直結(jié)構(gòu)芯 片，一般采用將一個(gè)防靜電二極管和一個(gè)LED封裝在一起的方法，但該方法增加了生產(chǎn)成 本，且因連接金線的增加而影響了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。倒裝芯片一般采用硅片來作為倒裝基板。硅電路集成工藝成熟，容易通過摻雜等 工藝低成本的在硅內(nèi)部制作防靜電二極管。請(qǐng)參閱圖1A，中國(guó)發(fā)明專利CN100386891C公開 了一種高抗靜電高效發(fā)光二極管，其包含利用一導(dǎo)電型半導(dǎo)體材料制作的基板10及發(fā)光 二極管芯片20，基板10上制作有集成的雙向穩(wěn)壓二極管11，發(fā)光二極管芯片20主要包含 一透明藍(lán)寶石襯底21及在此襯底上的GaN結(jié)構(gòu)層22和P電極23、N電極M，將發(fā)光二極管 芯片20倒裝在該基板10上。由于基板10上集成了抗靜電保護(hù)雙向穩(wěn)壓二極管11，有效增 強(qiáng)了發(fā)光二極管抗靜電放電能力，可實(shí)現(xiàn)大功率輸出，降低成本，提高器件可靠性等作用。 請(qǐng)參閱圖1B，其為圖1所示結(jié)構(gòu)的等效電路圖。該發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)雖然具有較好的ESD保 護(hù)功能，但仍然存在缺陷。請(qǐng)參閱圖1C，其是圖1所示的結(jié)構(gòu)串聯(lián)模組芯片的等效電路圖。 由于n-Si具有較好的導(dǎo)電性，在同一硅片基板上采用這種方法實(shí)現(xiàn)串聯(lián)模組芯片時(shí)，會(huì)存 在所有ESD保護(hù)二極管的η極通過硅基板共地的問題。當(dāng)串聯(lián)芯片多于一定數(shù)量，所需驅(qū) 動(dòng)電壓大于單個(gè)抗靜電二極管的反向擊穿電壓時(shí)，串聯(lián)負(fù)端的抗靜電二極管31可能會(huì)反 向擊穿，并將電壓鉗制在其擊穿電壓，影響了模組芯片的正常驅(qū)動(dòng)。因此這種倒裝結(jié)構(gòu)并不 適合用來制造模組芯片。另外，美國(guó)發(fā)明專利US6M7249B2中公開了在同一藍(lán)寶石襯底上，制作兩個(gè)反向 并聯(lián)LED，兩個(gè)二極管之間就可以相互起到靜電保護(hù)的作用。采用并聯(lián)單個(gè)反向二極管的方 法，增加少量制造成本的前提下，提高了 LED的抗靜電放電能力，但這種結(jié)構(gòu)在樣品測(cè)試上 卻存在一定問題。LED反向漏電流是反映LED性能的一個(gè)重要方面，如果不對(duì)反向漏電測(cè)試 來甄別反向漏電較大的不良品，不良品可能在長(zhǎng)期使用中可靠性出現(xiàn)問題。反向漏電流的 測(cè)試電壓一般比正向開啟電壓要高。如氮化稼基LED，一般在LED兩端施加5V的反向電壓 測(cè)試其反向電流。對(duì)于與LED反向并聯(lián)的二極管，施加的5V電壓則為正向電壓。一般氮化 鎵基LED的工作電壓小于3. 5V，那么測(cè)試時(shí)，反向二極管必定處于正向?qū)顟B(tài)，因此無法 對(duì)LED的反向漏電流進(jìn)行測(cè)試。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)與不足，提供一種具有良好的抗ESD功 能，且能進(jìn)行反向電壓測(cè)試的LED發(fā)光二極管。同時(shí)，本發(fā)明還提供了所述發(fā)光二極管的制造方法。一種具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件，包括發(fā)光二極管芯片和倒裝基 板。該發(fā)光二極管芯片包括一發(fā)光區(qū)和一靜電防護(hù)區(qū)，其中，該發(fā)光區(qū)包括一發(fā)光二極管， 該靜電防護(hù)區(qū)包括至少兩個(gè)靜電防護(hù)二極管，該發(fā)光二極管和靜電防護(hù)二極管通過隔離槽 相互隔離。該倒裝基板包括一表面絕緣的基底，及覆蓋在基底表面上的金屬線層。該發(fā)光 二極管芯片倒裝在該倒裝基板上，通過該倒裝基板上的金屬線層，該靜電防護(hù)二極管串接 然后與該發(fā)光二極管反向并聯(lián)。一種具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件的制造方法，包括步驟步驟Sl 在襯底表面依序沉積η型半導(dǎo)體層、活性層和P型半導(dǎo)體層；步驟S2 在襯底表面形成隔離槽，該依序沉積的η型半導(dǎo)體層、活性層和P型半導(dǎo) 體層通過該隔離槽分為若干個(gè)獨(dú)立單元；步驟S3 蝕刻每個(gè)獨(dú)立單元上的部分區(qū)域的ρ型半導(dǎo)體層和活性層，使得該部分 區(qū)域的η型半導(dǎo)體層外露；步驟S4 在外露的η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層的表面的形成電極層；步驟S5 在基底上依序形成一金屬線層和凸點(diǎn)焊球，從而形成倒裝基板；步驟S6 將發(fā)光二極管芯片倒裝在倒裝基板上，使發(fā)光二極管芯片的電極層與倒 裝基板上的凸點(diǎn)焊球連接。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的發(fā)光二極管器件不僅具有良好的抗靜電能力，可于產(chǎn) 品生產(chǎn)流程及終端應(yīng)用生命周期內(nèi)減少LED受環(huán)境或電路靜電損壞的幾率；可方便的與現(xiàn) 有工藝技術(shù)進(jìn)行集成且不會(huì)增加較多制造成本；還可按照常規(guī)監(jiān)控LED反向漏電情況，篩 選掉有潛在問題的產(chǎn)品，提高產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性。為了能更清晰的理解本發(fā)明，以下將結(jié)合


闡述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。

圖IA是現(xiàn)有技術(shù)發(fā)光二極管器件的結(jié)構(gòu)示意圖。圖IB是圖1所示結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖IC是圖1所示的結(jié)構(gòu)串聯(lián)模組芯片的等效電路圖。圖2是本發(fā)明具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件的實(shí)施例一的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖。圖3是圖2所示發(fā)光二極管芯片100的仰視圖。圖4是圖2所示倒裝基板200的俯視圖。圖5是圖2所示結(jié)構(gòu)的等效電路圖。圖6A-6F是圖2所示的發(fā)光二極管器件的制造方法的各主要步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。圖7是本發(fā)明具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件的實(shí)施例二的剖面結(jié)構(gòu) 示意圖。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，其是本發(fā)明具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件的實(shí)施例 一的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該發(fā)光二極管器件包括一發(fā)光二極管芯片100和倒裝基板200。該 發(fā)光二極管芯片100倒裝在該倒裝基板200上。請(qǐng)同時(shí)參閱圖3，其是圖1所示發(fā)光二極管芯片100的仰視圖。該發(fā)光二極管芯片 100包括一發(fā)光區(qū)A和一靜電防護(hù)區(qū)B，其中，該發(fā)光區(qū)A包括一發(fā)光二極管，該靜電防護(hù)區(qū) B包括三個(gè)靜電防護(hù)二極管，該發(fā)光區(qū)A所占面積大于該發(fā)光二極管芯片總面積的50%。進(jìn)一步，該發(fā)光二極管芯片100包括一襯底101、一 η型半導(dǎo)體層102、一活性層
103、一ρ型半導(dǎo)體層104、一鈍化層105、一電極層106，以及隔離槽107，該電極層106包括 η型電極層106a和ρ型電極層106b。其中，該η型半導(dǎo)體層102覆蓋在該襯底101表面， 并通過隔離槽107隔離劃分為相互獨(dú)立的四個(gè)單元，其中對(duì)應(yīng)包括一發(fā)光二極管單元和三 個(gè)靜電防護(hù)二極管單元。該活性層103覆蓋在發(fā)光二極管單元和靜電防護(hù)二極管單元的η 型半導(dǎo)體層102的部分表面，并使部分η型半導(dǎo)體層102外露。該ρ型半導(dǎo)體層104覆蓋 在該活性層103表面。該鈍化層105覆蓋在部分外露的η型半導(dǎo)體層102和ρ型半導(dǎo)體層 104的表面，使得各η型半導(dǎo)體層102和ρ型半導(dǎo)體層104之間相互絕緣。該η型電極層 106a覆蓋在鈍化層105之間外露的η型半導(dǎo)體層102表面，以及該ρ型電極層106b覆蓋在 鈍化層105之間外露的ρ型半導(dǎo)體層104表面。從而在該襯底101上形成一發(fā)光二極管和 三個(gè)靜電防護(hù)二極管。 請(qǐng)一并參閱圖4，其是倒裝基板200的平面結(jié)構(gòu)示意圖。該倒裝基板200包括一基 底201、一絕緣層202、一金屬線層203和凸點(diǎn)焊球204。該絕緣層202覆蓋在該基底201的 表面，該金屬線層203覆蓋在該絕緣層表面，并形成一導(dǎo)電圖案。該凸點(diǎn)焊球204設(shè)置在金 屬線層203的表面，作為與發(fā)光二極管芯片100的電極層106的連接點(diǎn)。請(qǐng)同時(shí)參閱圖5， 其是圖1所示結(jié)構(gòu)的等效電路圖。該發(fā)光二極管芯片100倒裝在該倒裝基板200上，該發(fā) 光二極管芯片100的發(fā)光二極管和靜電防護(hù)二極管通過該倒裝基板200上的金屬線層203 實(shí)現(xiàn)電連接，具體地，該三個(gè)靜電防護(hù)二極管串接，該發(fā)光二極管的η極與該三個(gè)串接的靜 電防護(hù)二極管P極連接，該發(fā)光二極管的P極與該三個(gè)串接的靜電防護(hù)二極管η極連接，從 而使該發(fā)光二極管與該三個(gè)串接的靜電防護(hù)二極管形成反向并聯(lián)。該襯底101具體為藍(lán)寶石(Al2O3)襯底。該基底201具體為具有良好導(dǎo)熱性材料制成的基板，如硅基板、金屬基板等。該凸點(diǎn)焊球204的材料為鉛、錫、金、銀或銅等單一金屬材料或上述材料的多層材 料或合金。請(qǐng)參閱圖6Α至圖6F，其是本發(fā)明發(fā)光二極管器件的制造方法的各主要步驟的結(jié) 構(gòu)示意圖。該發(fā)光器件的制造方法的步驟具體如下步驟Sl 在襯底101表面依序沉積η型半導(dǎo)體層102、活性層103和ρ型半導(dǎo)體層
104。請(qǐng)參閱圖6Α，具體地，通過外延工藝依次在襯底101表面沉積η型半導(dǎo)體層102、活性 層103、ρ型半導(dǎo)體層104。η型半導(dǎo)體層依序包括低溫氮化稼緩沖層、未摻雜氮化稼層、η 型氮化稼層(圖未示)。活性層203是多層量子阱層(MQW)。P型半導(dǎo)體層204依序包括ρ型氮化鋁稼層和P型氮化稼層(圖未示)。步驟S2 形成隔離槽107。請(qǐng)參閱圖6B，具體地，在襯底101上方提供一采用二氧 化硅或金屬薄膜制作的第一掩膜(圖未示)，該掩膜具有隙縫。然后采用干法蝕刻或濕法蝕 刻，在掩膜的隙縫處對(duì)襯底101上的P型半導(dǎo)體層102、活性層103和η型半導(dǎo)體層104進(jìn) 行蝕刻直至襯底101外露，從而形成隔離槽107。并通過隔離槽107將該襯底隔離劃分為相 互獨(dú)立的四個(gè)單元，其中對(duì)應(yīng)包括一發(fā)光二極管單元和三個(gè)靜電防護(hù)二極管單元。步驟S3 蝕刻部分ρ型半導(dǎo)體層104和活性層103，使得部分η型半導(dǎo)體層102外 露。請(qǐng)參閱圖6C，具體地，在襯底101上方提供一第二掩膜(圖未示)，該掩膜使發(fā)光二極 管單元和三個(gè)靜電防護(hù)二極管單元的部分P型半導(dǎo)體層104外露。然后采用干法蝕刻或濕 法蝕刻，在掩膜未覆蓋處對(duì)襯底101上的ρ型半導(dǎo)體層104和活性層103進(jìn)行蝕刻直至η 型半導(dǎo)體層102外露。步驟S4 形成鈍化層105。請(qǐng)參閱圖6D，在該ρ型半導(dǎo)體層104和外露的η型半 導(dǎo)體層102表面形成一鈍化層105。該鈍化層105的材料為二氧化硅或三氧化鋁或氮化硅 或聚合物薄膜等。然后再采用干法蝕刻或濕法蝕刻在發(fā)光二極管單元和三個(gè)靜電防護(hù)二極 管單元的鈍化層105上蝕刻出η極窗口和ρ極窗口，該η型半導(dǎo)體層102和ρ型半導(dǎo)體層 104分別在η極窗口和ρ極窗口部分外露。步驟S5 形成電極層106。請(qǐng)參閱圖6Ε，具體地，分別采用薄膜沉積法依次在η極 窗口和P極窗口上分別形成η型電極層106a和ρ型電極層106b。該電極層106的材料為 鉛、錫、金、銀或銅等單一金屬材料或上述材料的多層材料或合金。步驟S6 在基底201上依序形成一絕緣層202、一金屬線層203和凸點(diǎn)焊球204， 從而形成倒裝基板200。步驟S7 將發(fā)光二極管芯片100倒裝在倒裝基板200上。請(qǐng)參閱圖6F，將發(fā)光二 極管芯片100倒裝在倒裝基板200上，使發(fā)光二極管芯片100的電極層106與倒裝基板200 上的凸點(diǎn)焊球204連接。實(shí)施例二請(qǐng)參閱圖7，其是本發(fā)明具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件的實(shí)施例二的 剖面結(jié)構(gòu)示意圖。該發(fā)光二極管器件包括一發(fā)光二極管芯片100和倒裝基板200。該發(fā)光 二極管芯片100倒裝在該倒裝基板200上。進(jìn)一步，該發(fā)光二極管芯片100包括一襯底101、一 η型半導(dǎo)體層102、一活性層 103、一 ρ型半導(dǎo)體層104、一電極層106，以及隔離槽107，該電極層106包括η型電極層 106a和ρ型電極層106b。其中，該η型半導(dǎo)體層102覆蓋在該襯底101表面，并通過隔離 槽107隔離劃分為相互獨(dú)立的四個(gè)單元，其中對(duì)應(yīng)包括一發(fā)光二極管單元和三個(gè)靜電防護(hù) 二極管單元。該活性層103覆蓋在發(fā)光二極管單元和靜電防護(hù)二極管單元的η型半導(dǎo)體層 102的部分表面，并使部分η型半導(dǎo)體層102外露。該ρ型半導(dǎo)體層104覆蓋在該活性層 103表面。該η型電極層106a覆蓋在外露的η型半導(dǎo)體層102的部分表面，以及該ρ型電 極層106b覆蓋ρ型半導(dǎo)體層104的部分表面。從而在該襯底101上形成一發(fā)光二極管和 三個(gè)靜電防護(hù)二極管。倒裝基板200包括一基底201、一金屬線層203和凸點(diǎn)焊球204。該基底201具體 為具有良好導(dǎo)熱性的絕緣材料制成的基板，如陶瓷基板等，因此基底表面無需覆蓋絕緣層來實(shí)現(xiàn)絕緣。本實(shí)施例與實(shí)施例一的區(qū)別在于n型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層之間沒有形成鈍 化層，η型電極層和ρ型電極層僅通過隔離槽107來實(shí)現(xiàn)絕緣隔離。因此可省略實(shí)施例一 中制造方法的步驟S4。以及倒裝基板200的基底201采用絕緣材料制成，省略了在基底表 面形成絕緣層的制造步驟。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的發(fā)光二極管器件不僅具有良好的抗靜電能力，可于產(chǎn) 品生產(chǎn)流程及終端應(yīng)用生命周期內(nèi)減少LED受環(huán)境或電路靜電損壞的幾率；可方便的與現(xiàn) 有工藝技術(shù)進(jìn)行集成且不會(huì)增加較多制造成本；還可按照常規(guī)監(jiān)控LED反向漏電情況，篩 選掉有潛在問題的產(chǎn)品，提高產(chǎn)品的質(zhì)量可靠性。本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，如果對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變形不脫離本發(fā)明 的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變形屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā) 明也意圖包含這些改動(dòng)和變形。
權(quán)利要求
1.一種具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件，其特征在于包括發(fā)光二極管芯片，其包括一發(fā)光區(qū)和一靜電防護(hù)區(qū)，其中，該發(fā)光區(qū)包括一發(fā)光二極 管，該靜電防護(hù)區(qū)包括至少兩個(gè)靜電防護(hù)二極管，該發(fā)光二極管和靜電防護(hù)二極管通過隔 離槽相互隔離；倒裝基板，其包括一表面絕緣的基底，及覆蓋在基底表面上的金屬線層；該發(fā)光二極管芯片倒裝在該倒裝基板上，通過該倒裝基板上的金屬線層，該靜電防護(hù) 二極管串接然后與該發(fā)光二極管反向并聯(lián)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于該發(fā)光區(qū)所占面積大于該發(fā) 光二極管芯片總面積的50%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于該發(fā)光二極管芯片上具有三 個(gè)靜電防護(hù)二極管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于該倒裝基板的基底為陶瓷基 板、表面覆蓋有絕緣層的硅基板或表面覆蓋有絕緣層的金屬基板。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于該發(fā)光二極管和靜電防護(hù)二 極管包括η型半導(dǎo)體層、活性層和ρ型半導(dǎo)體層；其中該η型半導(dǎo)體層覆蓋在該發(fā)光二極管 芯片的襯底表面，該活性層覆蓋在η型半導(dǎo)體層的部分表面，并使部分η型半導(dǎo)體層外露， 該P(yáng)型半導(dǎo)體層覆蓋在該活性層表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于該發(fā)光二極管和靜電防護(hù)二 極管進(jìn)一步包括鈍化層和電極層，該鈍化層覆蓋在部分外露的η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體 層的表面，使得η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層之間相互絕緣；該電極層覆蓋在鈍化層之間外 露的η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層表面。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管器件，其特征在于該倒裝基板包括設(shè)置在金屬 線層上的凸點(diǎn)焊球，該發(fā)光二極管芯片倒裝在該倒裝基板上使電極層與凸點(diǎn)焊球連接。
8.一種具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件的制造方法，其特征在于包括步驟 步驟Sl 在襯底表面依序沉積η型半導(dǎo)體層、活性層和ρ型半導(dǎo)體層；步驟S2 在襯底表面形成隔離槽，該依序沉積的η型半導(dǎo)體層、活性層和P型半導(dǎo)體層 通過該隔離槽分為若干個(gè)獨(dú)立單元；步驟S3 蝕刻每個(gè)獨(dú)立單元上的部分區(qū)域的ρ型半導(dǎo)體層和活性層，使得該部分區(qū)域 的η型半導(dǎo)體層外露；步驟S4 在外露的η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層的表面的形成電極層；步驟S5 在基底上依序形成一金屬線層和凸點(diǎn)焊球，從而形成倒裝基板；步驟S6 將發(fā)光二極管芯片倒裝在倒裝基板上，使發(fā)光二極管芯片的電極層與倒裝基 板上的凸點(diǎn)焊球連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于在步驟S3之后還包括步驟S31形成 鈍化層，該鈍化層覆蓋在部分外露的η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層的表面，使得各η型半導(dǎo) 體層和P型半導(dǎo)體層之間相互絕緣；步驟S4為在鈍化層之間外露η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo) 體層的表面的形成電極層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于步驟S5還包括在基底上形成絕緣 層，然后在絕緣層表面依序形成金屬線層和凸點(diǎn)焊球，從而形成倒裝基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于步驟S2具體為在襯底上方提供一 采用二氧化硅或金屬薄膜制作的第一掩膜，該掩膜具有隙縫；然后采用干法蝕刻或濕法蝕 刻，在掩膜的隙縫處對(duì)襯底上的P型半導(dǎo)體層、活性層和η型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻直至襯底外 露，從而形成隔離槽。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于步驟S3具體為在襯底上方提供一 第二掩膜，該掩膜使發(fā)光二極管單元和三個(gè)靜電防護(hù)二極管單元的部分P型半導(dǎo)體層外 露，然后采用干法蝕刻或濕法蝕刻，在掩膜的隙縫處對(duì)襯底上的P型半導(dǎo)體層和活性層進(jìn) 行蝕刻直至η型半導(dǎo)體層外露。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于步驟S31具體為在該ρ型半導(dǎo)體層 和外露的η型半導(dǎo)體層表面形成一鈍化層，然后再采用干法蝕刻或濕法蝕刻在各獨(dú)立單元 的鈍化層上蝕刻出η極窗口和ρ極窗口，該η型半導(dǎo)體層和ρ型半導(dǎo)體層分別在η極窗口 和P極窗口部分外露，步驟S4的電極層設(shè)置在該η極窗口和ρ極窗口中外露的η型半導(dǎo)體 層和P型半導(dǎo)體層表面。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有靜電損傷保護(hù)功能的發(fā)光二極管器件，包括發(fā)光二極管芯片和倒裝基板。該發(fā)光二極管芯片包括一發(fā)光區(qū)和一靜電防護(hù)區(qū)。其中，該發(fā)光區(qū)包括一發(fā)光二極管，該靜電防護(hù)區(qū)包括至少兩個(gè)靜電防護(hù)二極管，該發(fā)光二極管和靜電防護(hù)二極管通過隔離槽相互隔離。該倒裝基板包括一表面絕緣的基底，及覆蓋在基底表面上的金屬線層。該發(fā)光二極管芯片倒裝在該倒裝基板上，通過該倒裝基板上的金屬線層，該靜電防護(hù)二極管串接然后與該發(fā)光二極管反向并聯(lián)。本發(fā)明的發(fā)光二極管器件具有良好的抗ESD性能，且能進(jìn)行反向漏電流測(cè)試，以甄別不良品防止長(zhǎng)期可靠性出現(xiàn)問題。
文檔編號(hào)H01L33/00GK102130287SQ20101060068
公開日2011年7月20日 申請(qǐng)日期2010年12月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月22日
發(fā)明者周玉剛, 姜志榮, 李永德, 肖國(guó)偉, 許朝軍, 賴燃興 申請(qǐng)人:晶科電子(廣州)有限公司