專利名稱：制造有機發(fā)光顯示設備的方法和有機發(fā)光顯示設備的制作方法
技術領域：
示例實施例涉及一種制造有機發(fā)光設備的方法和一種有機發(fā)光顯示設備。更具體 地講，示例實施例涉及一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，通過所述方法容易形成有機發(fā) 光層。
背景技術：
便攜式薄膜類型平板顯示(FPD)設備已經(jīng)作為了顯示設備的替代。在FPD設備中， 電致發(fā)光顯示設備是具有寬視角、高品質對比度和快的響應時間的自發(fā)光顯示設備。因此， 電致發(fā)光顯示設備作為下一代顯示設備而受到關注。電致發(fā)光顯示設備(例如，有機發(fā)光顯示設備)可包括由例如具有高品質的亮度、 驅動電壓和響應時間的有機材料形成的發(fā)光層。此外，與無機發(fā)光顯示設備相比，有機發(fā)光 顯示設備可呈現(xiàn)多色的特性。傳統(tǒng)的有機發(fā)光顯示設備可包括陰極、陽極和有機發(fā)光層。當電壓施加到陰極和 陽極時，有機發(fā)光層發(fā)射可見光線。有機發(fā)光顯示設備可包括用于實現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)和藍色(B)可見光線的子像 素，以實現(xiàn)自然色屏幕。在R子像素中形成有機發(fā)光層來發(fā)射R可見光線，在G子像素中形 成有機發(fā)光層來發(fā)射G可見光線，在B子像素中形成有機發(fā)光層來發(fā)射B可見光線。

發(fā)明內(nèi)容
實施例涉及一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法以及一種有機發(fā)光顯示設備，它們 基本上解決了由于現(xiàn)有技術的局限性和缺點引起的一種或多種問題。因此，實施例的特征在于提供一種有機發(fā)光顯示設備以及一種通過簡化有機發(fā)光 顯示設備中的有機發(fā)光層的形成工藝的制造有機發(fā)光顯示設備的方法。上述至少一個特征和其他特征可通過提供一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法來 實現(xiàn)，該方法包括如下步驟在基板上形成第一電極；在基板和第一電極上形成像素限定 層(PDL)，所述像素限定層包括暴露第一電極的預定的區(qū)域的開口 ；在PDL上和PDL的開口 的內(nèi)部形成電荷傳輸層；在電荷傳輸層上執(zhí)行疏水加工；在電荷傳輸層上執(zhí)行親水加工， 使得電荷傳輸層的與開口對應的部分制成親水的；在電荷傳輸層上形成有機發(fā)光層；形成 電連接到有機發(fā)光層的第二電極?？稍陔姾蓚鬏攲由闲纬捎袡C發(fā)光層，以分別與開口對應。電荷傳輸層可包括空穴 傳輸層(HIL)和/或空穴注入層(HIL)?？墒褂玫入x子體或紫外線在氟化物氣體的氣氛下 對電荷傳輸層的表面執(zhí)行疏水加工。氟化物氣體可包括CF4。執(zhí)行親水加工的步驟可包括將紫外光輻射到電荷傳輸層的與開口對應的區(qū)域上。 親水加工可包括提供掩模并使用紫外燈將能量輻射到掩模上的步驟，所述掩模包括分別與 開口對應的透射區(qū)域。親水加工可包括使用紫外激光將能量輻射到電荷傳輸層的與開口對 應的表面的區(qū)域上的步驟。可通過掃描聚焦為大小與開口對應的紫外激光束來執(zhí)行親水加工。親水加工可包括使電荷傳輸層的表面的與開口的底表面和側表面對應的暴露區(qū)域是親 水的步驟?？稍诳諝饣虻獨猸h(huán)境中執(zhí)行親水加工。執(zhí)行親水加工的步驟可包括使僅在PDL的開口的內(nèi)部的電荷傳輸層的上表面是 親水的。在親水加工之后，可在圍繞開口的PDL的上表面上限定電荷傳輸層的疏水部分。在 每個開口內(nèi)部的親水電荷傳輸層的部分可完全被疏水電荷傳輸層的部分圍繞?？稍谟H水加 工前執(zhí)行疏水加工?？稍陔姾蓚鬏攲拥恼麄€上表面上執(zhí)行疏水加工，并且可僅在電荷傳輸 層的與開口對應的部分上執(zhí)行親水加工。可使用噴印方法來形成有機發(fā)光層。可通過上述 方法來制造有機發(fā)光顯示設備。


通過參照附圖進行的對示例性實施例的詳細描述，上述和其他特征和優(yōu)點將對本 領域技術人員變得更加明顯，其中圖1A、圖IB和圖ID至圖IH示出了根據(jù)實施例的制造有機發(fā)光顯示設備的方法的 步驟的剖視圖；圖IC示出了圖IB的頂視圖；圖2A至圖2E示出了根據(jù)另一實施例的制造有機發(fā)光顯示設備的方法的步驟的剖 視圖。
具體實施例方式于2009年11月30日在韓國知識產(chǎn)權局提交的第10-2009-0117087號名稱為“制 造有機發(fā)光顯示設備的方法和有機發(fā)光顯示設備”(Method of Manufacturing Organic Light Emitting Display Apparatus and Organic Light Emitting Display Apparatus) 的韓國專利申請通過引用整體包含于此。下文將參照附圖更充分地描述示例實施例；然而，示例實施例可以用不同的形式 來實施，且不應該解釋為局限于在這里所提出的實施例。相反，提供這些實施例使得本公開 將是徹底和完整的，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領域技術人員。在附圖中，為了圖示的清晰，會夸大層和區(qū)域的尺寸。還應該理解的是，當層或元 件被稱作“在”另一層或基板“上”時，該層或元件可以直接在另一層或基板上，或者也可以 存在中間層。此外，還應該理解的是，當層被稱作“在”兩層“之間”時，該層可以是這兩層 之間的唯一一層，或者也可以存在一個或多個中間層。此外，相同的標號始終表示相同的元 件?，F(xiàn)在將參照圖IA至圖IH來詳細描述示例實施例的結構和操作。圖IA至圖IH示 出了根據(jù)實施例的制造有機發(fā)光顯示設備的方法的步驟的示圖。參照圖1A，第一電極110可形成在基板101上。在第一電極110形成之前，可在基 板101上形成薄膜晶體管(未示出)。要注意的是可將根據(jù)示例實施例的方法應用到制造 有源(AM)有機發(fā)光顯示設備的方法和/或制造無源(PM)有機發(fā)光顯示設備的方法?；?01可由(例如包括SiO2作為主要成分)的透明玻璃材料形成。然而，基板 101并不局限于此，其可以由透明塑料材料或金屬形成。透明塑料的示例可包括絕緣有機 材料，例如，聚醚砜樹脂(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚苯二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯撐硫(PPS)、聚芳酯、聚酰亞胺、聚碳酸酯(PC)、 三醋酸纖維素(TAC)和醋酸丙酸纖維素(CAP)中的一種或多種。金屬的示例可包括鐵(Fe)、 鉻(Cr)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、不銹鋼(SUS)、因瓦合金(invar alloy)、因柯乃 爾 合金、可伐 合金等中的一種或多種?；?01可按箔形形成?？稍诨?01上形成緩沖層(未示出)以使基板101的上表面平滑并防止雜質滲 透到基板101中。緩沖層可由例如SiO2和/或SiNx等形成?？稍诨?01上形成第一電極110。例如使用光刻可使第一電極110按預定的圖 案形成。例如，第一電極110的圖案可以是條紋線，該條紋線在PM型有機發(fā)光顯示設備中 彼此保持預定的距離。在另一示例中，第一電極110的圖案可具有與AM型有機發(fā)光顯示設 備中的子像素對應的形狀。第一電極110可以是反射電極或透射電極。如果第一電極110是反射電極，則反射 層可以由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或它們的化合物中一種或多種形成， 并且可在第一電極110的反射層上沉積具有高逸出功的附加層，該附加層例如是ΙΤ0、ΙΖ0、 ZnO和In2O3中的一種或多種。如果第一電極110是透射電極，則第一電極110可由具有高 逸出功的材料形成，該材料例如是ΙΤΟ、ΙΖ0、ZnO和h203等中的一種或多種。參照圖1B，可在第一電極110上形成像素限定層(PDL) 120。PDL 120可包括開口 120a，開口 120a暴露第一電極110。PDL 120可由絕緣材料形成。圖IC示出了圖IB的從“X”方向看的頂視圖。如圖IC所示，PDL 120可在基板101 上具有預定的圖案，所以開口 120a可暴露第一電極110的上表面。例如，PDL 120可以被 成形為柵格，所以開口 120a可具有按矩陣圖案布置的矩形形狀。然而，示例實施例并不局 限于此，開口 120a可具有例如多邊形或曲線形的任意適合的形狀。參照圖1D，可在基板101上形成電荷傳輸層131，例如，在PDL 120上和通過開口 120a暴露的第一電極110上形成電荷傳輸層131。也就是說，可在PDL 120的整個表面和 通過開口 120a暴露的第一電極110的區(qū)域上共形地(conformally)形成電荷傳輸層131， 即，可在沒有額外的圖案化工藝的情況下形成電荷傳輸層131。電荷傳輸層131可包括空穴傳輸層(HTL)和/或空穴注入層(HIL)。電荷傳輸層 131可僅包括HTL和HIL中的一種，或者同時包括HTL和HIL。如果電荷傳輸層131同時包 括HTL和HIL，可將HIL設置為比HTL更靠近第一電極110。參照圖1E，電荷傳輸層131的表面可以使用疏水轉化加工單元150而制成是疏水 的。例如，可使疏水轉化加工單元150定位為加工電荷傳輸層131的整個上表面131a(即， 與基板101背對的表面)，所以電荷傳輸層131的整個上表面131a可以制成為疏水的。詳細來講，疏水轉化加工單元150可以是等離子體設備或者紫外燈。疏水轉化加 工單元150可采用例如氟化物基反應氣體的反應氣體。例如，疏水轉化加工單元150可采 用CF4作為反應氣體。當疏水轉化加工單元150在CF4的氣氛下產(chǎn)生等離子體或紫外線時， CF4分解來產(chǎn)生氟離子，氟離子反過來被吸附到電荷傳輸層131的上表面131a上。當電荷 傳輸層131的上表面131a與吸附的氟離子結合時，電荷傳輸層131的上表面131a的表面 能被降低而成為疏水表面。參照圖1F，可將電荷傳輸層131的上表面131a的預定的區(qū)域制成為親水的。詳 細來講，可選擇地將電荷傳輸層131的疏水上表面131a的一些部分處理為變成親水的。進
6一步詳細來講，可使用掩模，所以電荷傳輸層131的與PDL 120的開口 120a對應(例如疊 置)的上表面131a的部分可制成為親水的。也就是說，可將掩模170設置在電荷傳輸層131上方，可將紫外燈160設置在掩模 170上方以通過掩模向電荷傳輸層131的上表面131a的預定區(qū)域輻射紫外線。掩模170可 具有透射區(qū)域171和非透射區(qū)域172，透射區(qū)域171即向電荷傳輸層131透射紫外燈160產(chǎn) 生的紫外線的區(qū)域，非透射區(qū)域172即掩模170的不透射紫外線的區(qū)域?？梢允寡谀?70 定位為使得透射區(qū)域171可與開口 120a的頂部對應(例如，疊置)，并且使得非透射區(qū)域 172可與PDL120對應(例如，疊置)。例如，掩模170的透射區(qū)域172均可與整個對應的開 口 120a疊置，從而可使用紫外光對開口 120a的底部和側壁(例如，開口 120a的內(nèi)部的電 荷傳輸層131的部分)上的電荷傳輸層131的部分(即，圖IF中的區(qū)域I)進行輻射。相 似地，掩模170的非透射區(qū)域172均可與PDL 120的整個上表面120b ( S卩，與基板101平行 并背對基板101的表面)疊置，以阻擋PDL 120的上表面120b上的電荷傳輸層131的部分 (即，圖IF中的區(qū)域Ni)上的紫外光輻射。由紫外燈160產(chǎn)生的紫外線透射通過透射區(qū)域171，然后到達電荷傳輸層131。換 言之，紫外線到達與開口 120a對應的電荷傳輸層131的表面的區(qū)域，S卩，區(qū)域I中。到達電 荷傳輸層131的紫外線將氟離子與區(qū)域I中的電荷傳輸層131的上表面131a分開。在空氣和/或氮氣環(huán)境中執(zhí)行親水加工。由紫外燈160產(chǎn)生的紫外線將空氣或氮 氣離子化，并且空氣和氮氣的離子被吸附到電荷傳輸層131的上表面131a上，S卩，開口 120a 內(nèi)部。吸附有空氣或氮氣的離子的電荷傳輸層131的上表面131a的部分表現(xiàn)出增加的表 面能并變成親水表面。因此，暴露第一電極110的開口 120a的底表面和開口 120a的側表面上的電荷傳 輸層131的上表面131a的區(qū)域被制成為親水的，以具有親水特性。形成在PDL 120的上表 面120b上的電荷傳輸層131的上表面131a被制成為疏水的，以具有疏水特性。例如，參照 圖IC和圖1F，每個開口 120a的內(nèi)部表面(即，底表面和側表面)可以是親水的，同時圍繞 開口 120a的上表面120b區(qū)域(即，與圖3中示出的PDL 120對應的區(qū)域)可以是疏水的。參照圖1G，可在開口 120a內(nèi)部將有機發(fā)光層132形成在電荷傳輸層131上。例 如，可使用噴印方法形成有機發(fā)光層132。例如，有機發(fā)光層132可包括發(fā)出紅色(R)、綠色 (G)和藍色(B)可見光線的有機發(fā)光層。如前所述，電荷傳輸層131的與開口 120a的底表面和側表面對應的上表面131a 的區(qū)域是親水的，同時電荷傳輸層131的上表面131a的其他區(qū)域制成為疏水的。因此，有 機發(fā)光層132可在開口 120a內(nèi)部形成在電荷傳輸層131上，例如，僅在開口 120a內(nèi)部形成 在電荷傳輸層131上。換言之，如果有機發(fā)光層是親水的且沉積在開口 120a的具有親水表 面的內(nèi)部，則有機發(fā)光層132可容易地僅布置在開口 120a中而不延伸到圍繞開口 120a的 疏水表面。也就是說，由于親水有機發(fā)光層132和疏水上表面120b之間的排斥，有機發(fā)光 層132可不延伸到與PDL 120的上表面120b對應的區(qū)域或超出相鄰的開口 120a。如此， 可容易地形成有機發(fā)光層132并可防止顏色的混合，從而提高有機發(fā)光顯示設備的畫面質 量。相反，當根據(jù)傳統(tǒng)方法形成有機發(fā)光層時，即，在不設置疏水/親水表面的情況下 形成有機發(fā)光層時，相鄰的子像素的有機發(fā)光層(例如，不同顏色的有機發(fā)光層)會彼此混合，從而降低顯示設備的顏色純度和畫面質量。具體來講，當使用噴印方法(即，通過經(jīng)由 噴嘴來沉積溶液的有機發(fā)光層的形成)時，會發(fā)生相鄰子像素中不同層的混合，從而限制 了有機發(fā)光顯示設備的畫面質量的提高。如果有機發(fā)光層132發(fā)射R可見光線，有機發(fā)光層132可包括例如紅熒烯、 Ir (piq) 3、Ir (btp) 2 (acac)、Eu (dbm) 3 (phen)、Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)、DCMl，DCM2、Eu (TTA) 3、 丁基-6-(l，l，7，7-四甲基久洛尼定-9-烯基)-4氫吡喃(DCJTB)的紅光發(fā)射材料，或者 例如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等的聚合物有機發(fā)光材料。如果有機發(fā)光層132發(fā)射G可 見光線，則有機發(fā)光層132可包括例如香豆素6、C545T、DMQA、Ir(ppy)3的綠光發(fā)射材料， 或者例如聚芴聚合物、聚乙烯聚合物等的聚合物有機發(fā)光材料。如果有機發(fā)光層132發(fā)射 B可見光線，則有機發(fā)光層132可包括例如噁二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP)、螺環(huán)化合物 (Spiro-DPVBi，Spiro-6P)、三苯胺化合物、二 (苯乙烯)胺(DPVBi，DSA)、BCzVBi、茈、TPBe、 BCzVB, DPAVBi、DPAVB、BDAVBi、FIrPic的綠光發(fā)射材料，或者例如聚芴聚合物、聚乙烯聚合 物等的聚合物有機發(fā)光材料。參照圖1H，可在有機發(fā)光層132上形成第二電極140，以完成有機發(fā)光顯示設備 100的制造。盡管未在圖IH中示出，但是還可以在有機發(fā)光層132和第二電極140之間形 成電子傳輸層(ETL)或電子注入層(EIL)。第二電極140可具有條紋形狀，以與PM型有機 發(fā)光顯示設備中的第一電極110的圖案垂直，但是可在AM型有機發(fā)光顯示設備中將要實現(xiàn) 圖像的整個有源區(qū)域形成。第二電極140可以是透射電極或反射電極。如果第二電極140是透射電極，則可沉 積具有低逸出功的金屬，并且由所述金屬上的透明導電材料形成輔助電極層或總線電極， 以形成第二電極140，所述金屬例如是48、1%、41、？扒？(^11、慰、而、11~、0、1^、〇&或者Ag、 Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li和Ca的化合物，所述透明導電材料例如是ΙΤΟ、ΙΖ0、 ZnO和/或In2O3。如果第二電極140是反射電極，則第二電極140可由具有例如是Ag、Mg、 Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca等具有低逸出功的金屬形成。在示例實施例中，第一 電極110可以是陽極，第二電極140可以是陰極?？蛇x擇地，第一電極110可以是陰極，第 二電極140可以是陽極。盡管未在圖IH中示出，可將密封構件設置為面對基板101的表面。密封構件使有 機發(fā)光層132免受外界潮濕、氧氣等，并且可由透明材料形成。密封構件可由玻璃、塑料形 成，或者是多種有機材料和無機材料的疊置結構，以保護有機發(fā)光層132。在示例實施例的方法中，可在基板101的整個表面上形成電荷傳輸層131，并且可 將電荷傳輸層131的整個上表面制成疏水的。接下來，將其上將要形成有機發(fā)光層132的 電荷傳輸層131的上表面的預定的區(qū)域制成親水的。因此，可在預定的區(qū)域中容易地形成 有機發(fā)光層132。換言之，可防止有機發(fā)光層132混合到相鄰的子像素中，從而提高有機發(fā) 光顯示設備100的畫面質量。對電荷傳輸層131的與有機發(fā)光層132直接接觸的上表面的區(qū)域進行加工，即，用 紫外燈進行處理來形成親水表面，以在所述區(qū)域中有效地形成有機發(fā)光層132。防止在對電 荷傳輸層131的上表面加工的步驟中損壞第一電極110。結果，提高了有機發(fā)光顯示設備 100的畫面質量。圖2A至圖2E示出了根據(jù)另一實施例的制造有機發(fā)光顯示設備的方法的步驟的剖視圖。為方便起見，將不再重復對相同元件的描述。參照圖2A，可在基板201上形成第一電極210、PDL 220和電荷傳輸層231。更詳 細地講，在基板201上形成第一電極210，并在第一電極210上形成PDL 220。PDL 220可具 有開口 220a，開口 220a暴露第一電極210?？尚纬呻姾蓚鬏攲?31?？稍赑DL 220的整個表面上以及通過開口 220a暴露的第 一電極210的區(qū)域上形成電荷傳輸層231。換言之，可在沒有額外的圖案化工藝的情況下形 成電荷傳輸層231。電荷傳輸層231可包括HTL和/或HIL。基板201、第一電極210、PDL 220和電荷傳輸層231的結構和材料可與參照圖IA 至圖IH在前面描述的在前實施例的基板101、第一電極110、PDL210和電荷傳輸層131分 別相同。因此，將不再重復對它們的詳細描述。參照圖2B，可使用疏水轉化加工單元250將電荷傳輸層231制成疏水的。在此，可 將電荷傳輸層231的整個表面制成疏水的。疏水轉化加工單元250可以是等離子體設備或者紫外燈。疏水加工需要反應氣 體，因此使用氟化物作為反應氣體。更詳細地講，將CF4用作反應氣體。當疏水轉化加工單 元250在CF4的環(huán)境下產(chǎn)生等離子體或紫外線時，諸如CF4的反應氣體被分解來產(chǎn)生氟離 子，并且氟離子被吸附到電荷傳輸層231的表面上。其上吸附有氟離子的電荷傳輸層的表 面與氟離子結合并由此具有低表面能并變?yōu)槭杷砻?。要注意的是，疏水轉化加工單元250 與參照圖IE在前描述的疏水轉化加工單元150相同。參照圖2C，可將電荷傳輸層231的上表面的預定的區(qū)域制成親水的。更詳細地講， 將電荷傳輸層231的與PDL 220的開口 220a對應的表面區(qū)域制成親水的。可使用紫外激光束260在不用額外的掩模的情況下執(zhí)行親水加工。換言之，紫外 激光束260可僅聚焦并輻射在電荷傳輸層231的大小與開口 220a對應(例如，疊置)的上 表面的區(qū)域上，以執(zhí)行親水加工。在此，如果使用單一的紫外激光源，則可掃描單一的紫外 激光源來將紫外激光束260分別輻射到開口 220a中。然而，示例實施例并不局限于此，例 如，可使用多個紫外激光源來輻射紫外激光束260。到達電荷傳輸層231的紫外激光束260 將電荷傳輸層231的表面與氟離子的結合分開?？稍诳諝饣虻獨獾臍夥罩袌?zhí)行親水加工。紫外激光束260將空氣或氮氣離子化， 并且空氣或氮氣的離子被吸附到電荷傳輸層231的上表面上，S卩，被吸附到氟離子與上表 面分離的區(qū)域中。因此，其上吸附有空氣/氮氣離子的電荷傳輸層231的上表面具有增加 的表面能并變?yōu)橛H水表面。結果，可將與暴露第一電極210的開口 220a的底表面以及開口 220a的側表面對 應(例如，疊置)的電荷傳輸層231的上表面的區(qū)域制成為具有親水特性。可將與PDL 220 的上表面對應(例如，疊置)的電荷傳輸層的上表面的區(qū)域制成為具有疏水特性。參照圖2D，可將有機發(fā)光層232形成在電荷傳輸層231上。在此，可使用噴印方法 形成有機發(fā)光層232。如上所述，可將與開口 220a的底表面和側表面對應的電荷傳輸層231的表面的 區(qū)域制成親水的，并可將電荷傳輸層231的表面的其他區(qū)域制成疏水的，從而在多個開口 220a中分別形成有機發(fā)光層232。換言之，可在不超出PDL 220的上表面而到達相鄰的開 口 220a的情況下容易地分別在開口 220a中布置有機發(fā)光層232，即，對應子像素來布置有
9機發(fā)光層232。因此，可容易地按照期望的圖案形成有機發(fā)光層232，從而提高有機發(fā)光顯 示設備的畫面質量。參照圖2E，可在有機發(fā)光層232上形成第二電極M0，以完成有機發(fā)光顯示設備 200的制造。盡管未在圖2E中示出，但是還可在有機發(fā)光層232和第二電極240之間形成 ETL 或 EIL?？蓪⒚芊鈽嫾?未示出)設置為面對基板201的表面。密封構件可保護有機發(fā)光 層232免受外界潮濕或氧氣，并且可由透明材料制成。密封構件可由玻璃、塑料形成，或者 可以是多種有機材料和無機材料的堆疊結構，以保護有機發(fā)光層232。如上所述，在根據(jù)示例實施例的制造有機發(fā)光顯示設備的方法中，可容易地在期 望的子像素中形成有機發(fā)光層而不與相鄰的子像素混合。因此，可提高有機發(fā)光顯示器的 畫面質量。在此公開了示例性實施例，盡管使用了特定的術語，但是這些術語僅僅以上位的 和描述性的含義而被使用和解釋，而非出于限制的目的。因此，本領域的普通技術人員應該 理解，在不脫離由權利要求書描述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出各種形式和 細節(jié)上的改變。
權利要求
1.一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，所述方法包括如下步驟在基板上形成第一電極；在基板和第一電極上形成像素限定層，所述像素限定層包括暴露第一電極的預定的區(qū) 域的開口 ；在像素限定層上和像素限定層的開口的內(nèi)部形成電荷傳輸層；在電荷傳輸層上執(zhí)行疏水加工；在電荷傳輸層上執(zhí)行親水加工，使得電荷傳輸層的與開口對應的部分制成親水的；在電荷傳輸層上形成有機發(fā)光層；形成電連接到有機發(fā)光層的第二電極。
2.如權利要求1所述的方法，其中，將有機發(fā)光層形成在所述開口內(nèi)部。
3.如權利要求1所述的方法，其中，電荷傳輸層包括空穴傳輸層和空穴注入層中的至 少一種。
4.如權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行疏水加工的步驟包括在氟基氣體的氣氛下使 用等離子體或紫外燈。
5.如權利要求4所述的方法，其中，氟化物基氣體是CF4。
6.如權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的步驟包括將紫外光輻射到電荷傳 輸層的與開口對應的區(qū)域上。
7.如權利要求6所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的步驟還包括在空氣或氮氣的氣氛 中使用紫外光。
8.如權利要求7所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的工藝還包括提供掩模，所述掩模具有分別與開口對應的透射區(qū)域；使用紫外燈通過掩模輻射紫外光。
9.如權利要求7所述的方法，其中，將紫外光輻射到電荷傳輸層的與開口對應的區(qū)域 的步驟包括使用紫外激光。
10.如權利要求9所述的方法，其中，通過掃描聚焦為大小與開口對應的紫外激光束來 執(zhí)行親水加工。
11.如權利要求1所述的方法，其中，親水加工包括使所述開口的底表面和側表面上的 電荷傳輸層的部分是親水的的步驟。
12.如權利要求1所述的方法，其中，執(zhí)行親水加工的步驟包括僅使在像素限定層的開 口的內(nèi)部的電荷傳輸層的上表面是親水的。
13.如權利要求12所述的方法，其中，在親水加工之后，在圍繞開口的像素限定層的上 表面上限定電荷傳輸層的疏水部分。
14.如權利要求13所述的方法，其中，在每個開口內(nèi)部的親水的電荷傳輸層的部分完 全被疏水的電荷傳輸層的部分圍繞。
15.如權利要求1所述的方法，其中，在親水加工之前執(zhí)行疏水加工。
16.如權利要求15所述的方法，其中，在電荷傳輸層的整個上表面上執(zhí)行疏水加工，僅在電荷傳輸層的與開口對應的部分上執(zhí)行親水加工。
17.如權利要求1所述的方法，其中，使用噴印方法來形成有機發(fā)光層。
18. 一種按照權利要求1的方法制造的有機發(fā)光顯示設備。
全文摘要
一種制造有機發(fā)光顯示設備的方法，該方法包括如下步驟在基板形成第一電極；在基板和第一電極上形成像素限定層(PDL)，所述PDL包括暴露第一電極的預定的區(qū)域的開口；在PDL上和PDL的開口的內(nèi)部形成電荷傳輸層；在電荷傳輸層上執(zhí)行疏水加工；在電荷傳輸層上執(zhí)行親水加工，使得電荷傳輸層的與開口對應的部分制成親水的；在電荷傳輸層上形成有機發(fā)光層；形成電連接到有機發(fā)光層的第二電極。
文檔編號H01L51/56GK102110788SQ201010574350
公開日2011年6月29日 申請日期2010年11月29日 優(yōu)先權日2009年11月30日
發(fā)明者金元容 申請人:三星移動顯示器株式會社