專利名稱：金屬柵極及mos晶體管的形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，尤其涉及一種金屬柵極及MOS晶體管的形成方法。
背景技術(shù)：
隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的降低，傳統(tǒng)的柵介質(zhì)層不斷變薄，晶體管漏電量隨之增加，引起半導(dǎo)體器件功耗浪費(fèi)等問題。為解決上述問題，現(xiàn)有技術(shù)提供一種將金屬柵極替代多晶硅柵極的解決方案。其中，“后柵極(gate last)”工藝為形成金屬柵極的一個(gè)主要工藝。專利公開號(hào)為CN101438389A的中國專利申請(qǐng)?zhí)峁┮环N使用“后柵極”工藝形成金屬柵極的方法，包括提供基底，所述基底上形成有替代柵結(jié)構(gòu)、及位于所述基底上覆蓋所述替代柵結(jié)構(gòu)的層間介質(zhì)層；以所述替代柵結(jié)構(gòu)作為停止層，對(duì)所述層間介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光工藝；除去所述替代柵結(jié)構(gòu)后形成溝槽；最后對(duì)所述溝槽填充介質(zhì)和金屬，以形成柵介質(zhì)層和金屬柵電極層。實(shí)際應(yīng)用中發(fā)現(xiàn)，通過上述技術(shù)方案形成的半導(dǎo)體器件的可靠性較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種金屬柵極及MOS晶體管的形成方法，以解決采用現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的可靠性較低的問題。為解決上述問題，本發(fā)明一種金屬柵極的形成方法，包括提供依次帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底；刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部；在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻；以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層；繼續(xù)以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，橫向刻蝕多晶硅層，形成第二柵部，所述第二柵部和第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻；在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的表面與T型結(jié)構(gòu)頂部齊平；以層間介質(zhì)層及第二側(cè)墻為掩膜，去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層和柵介電層，形成T型溝槽；在T型溝槽內(nèi)形成柵介質(zhì)層后，填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。本發(fā)明還提供一種MOS晶體管的形成方法，包括提供依次帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底；刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部；在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻；以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層；繼續(xù)以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，橫向刻蝕多晶硅層，形成第二柵部， 所述第二柵部和第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻；在T型結(jié)構(gòu)和第二側(cè)墻兩側(cè)形成源/漏極；在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的表面與T型結(jié)構(gòu)頂部齊平；以層間介質(zhì)層及第二側(cè)墻為掩膜，去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層，形成T型溝槽；在T型溝槽內(nèi)填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明通過對(duì)多晶硅層進(jìn)行兩步刻蝕，先形成第一柵部，然后在第一柵部被第一側(cè)墻保護(hù)的情況下，對(duì)多晶硅層的剩余部分縱向及橫向刻蝕，形成第二柵部，第一柵部與第二柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)(即第一柵部的寬度大于第二柵部的寬度)；再去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層，形成T型溝槽；在T型溝槽內(nèi)填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。所述T型金屬柵極可避免填充物質(zhì)后金屬柵極產(chǎn)生空隙，提高金屬柵極的質(zhì)量，進(jìn)而避免金屬柵極的電阻值較待形成的目標(biāo)電阻值偏高及偏高的電阻值導(dǎo)致功耗上升問題，提高含有所述金屬柵極的半導(dǎo)體器件的可靠性。


圖1是本發(fā)明形成金屬柵極的具體實(shí)施方式
流程示意圖；圖2至圖11為本發(fā)明形成包含金屬柵極的晶體管的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)有技術(shù)形成的半導(dǎo)體器件的可靠性較低。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體器件的可靠性較低是由于金屬柵極的電阻值較目標(biāo)電阻值偏高造成，進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)是因?yàn)樗鼋饘贃艠O的填充物質(zhì)內(nèi)部存在空隙，所述空隙會(huì)提高金屬柵極的電阻值，使其較目標(biāo)電阻值偏高。發(fā)明人進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，所述空隙形成的原因如下現(xiàn)有技術(shù)中，替代柵結(jié)構(gòu)的側(cè)面垂直于基底，所以去除所述替代柵結(jié)構(gòu)形成的溝槽的側(cè)壁也垂直于所述基底，且所述溝槽開口處的拐角近似為直角，所以當(dāng)對(duì)溝槽進(jìn)行填充時(shí)，位于開口附近的沉積速率較高，越靠近底部沉積速率越低，最后將會(huì)在金屬柵極內(nèi)出現(xiàn)空隙。隨著柵極長度的減小，溝槽的尺寸也隨之減小，將對(duì)溝槽填充愈發(fā)變得困難，愈加可能形成空隙。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種金屬柵極的形成方法，如圖1所示，包括執(zhí)行步驟Si，提供依次帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底；執(zhí)行步驟S2，刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部；執(zhí)行步驟S3，在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻；執(zhí)行步驟S4,以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層；執(zhí)行步驟S5，繼續(xù)以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，橫向刻蝕多晶硅層，形成第二柵部，所述第二柵部和第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；執(zhí)行步驟S6，去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T 型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻；執(zhí)行步驟S7，在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的表面與T型結(jié)構(gòu)頂部齊平；執(zhí)行步驟S8，以層間介質(zhì)層及第二側(cè)墻為掩膜，去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層和柵介電層，形成T型溝槽；執(zhí)行步驟S9，在T型溝槽內(nèi)形成柵介質(zhì)層后，填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。本發(fā)明還提供了一種MOS晶體管的形成方法，包括提供依次帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底；刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部；在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻；以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層；繼續(xù)以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，橫向刻蝕多晶硅層，形成第二柵部，所述第二柵部和第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻；在T型結(jié)構(gòu)和第二側(cè)墻兩側(cè)形成源/漏極；在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的表面與T型結(jié)構(gòu)頂部齊平；以層間介質(zhì)層及第二側(cè)墻為掩膜，去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層，形成T型溝槽；在T型溝槽內(nèi)填充滿金屬物質(zhì)， 形成金屬柵極。
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施例做詳細(xì)的說明。圖2至圖10為本發(fā)明一個(gè)形成包含T型金屬柵極的MOS晶體管的實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2所示，提供半導(dǎo)體襯底100 ；所述半導(dǎo)體襯底100內(nèi)形成有隔離區(qū)(未圖示)及位于隔離區(qū)之間的有源區(qū)；在所述半導(dǎo)體襯底100上依次形成柵介電層110、多晶硅層120、硬掩膜層130及光刻膠層140 ；對(duì)光刻膠層140進(jìn)行曝光顯影工藝，以形成柵極圖形。本實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體襯底100可以選自硅基底、絕緣層上的硅(S0I)、或者還可以是其它的材料，例如砷化鎵等III-V族化合物。所述柵介質(zhì)層120為氧化硅、氮氧化硅、
氮化硅之一或組合。本實(shí)施例中，所述柵介電層110的材料可以是氧化硅或氧化硅-氮化硅-氧化硅， 形成柵介電層202的方法為熱氧化法或化學(xué)氣相沉積法；隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的降低，為了得到足夠薄的柵介電層110，通常采用熱氧化法氧化半導(dǎo)體襯底100來形成。本實(shí)施例中，所述多晶硅層120的情形下厚度為300埃 1000埃，形成方法為化學(xué)氣相沉積法。本實(shí)施例中，所述硬掩膜層130的材料為氧化硅或氮化硅，其作用為用以在刻蝕過程中保護(hù)其下方的膜層不被腐蝕；其厚度可根據(jù)工藝節(jié)點(diǎn)及工藝條件的不同進(jìn)行選擇。參考圖3，以光刻膠層140為掩膜，沿柵極圖形刻蝕硬掩膜層130和預(yù)定厚度的多晶硅層120，形成第一柵部120a。本實(shí)施例中，所述預(yù)定厚度為100埃 500埃。所采用的刻蝕方法為干法刻蝕方法，采用的氣體為CF4和SF6的混合氣體。繼續(xù)參考圖3，用灰化法去除光刻膠層140，然后再用濕法刻蝕法去除殘留的光刻膠層140。如圖4所示，在第一柵部120a兩側(cè)的多晶硅層120上形成第一側(cè)墻142。本實(shí)施例中，所述第一側(cè)墻142的材料為氧化硅或氮化硅；具體形成工藝如下用化學(xué)氣相沉積法在多晶硅層120上形成包圍第一柵部120a的第一側(cè)墻層；然后采用回蝕法刻蝕氧化硅層，去除多晶硅層120及硬掩膜層130上的第一側(cè)墻層，保留第一柵部120a兩側(cè)的第一側(cè)墻層。繼續(xù)參考圖4，以硬掩膜層130及第一側(cè)墻142為掩膜，刻蝕剩余厚度的多晶硅層 120至露出柵介電層110。由于柵介電層110與硬掩膜層130及第一側(cè)墻140的材料相同或接近一致，因此刻蝕多晶硅層120時(shí)，不會(huì)影響柵介電層110。本實(shí)施例中，刻蝕剩余厚度的多晶硅層120采用的方法為干法刻蝕法，采用的氣體為CF4和SF6的混合氣體。如圖5所示，以柵介電層110、硬掩膜層130及第一側(cè)墻142為掩膜用濕法刻蝕法橫向刻蝕多晶硅層120，形成第二柵部120b。所述第二柵部120b和第一柵部120a構(gòu)成T 型結(jié)構(gòu)(即第一柵部的寬度大于第二柵部的寬度)。本實(shí)施例中，所述濕法刻蝕法采用的溶液為氨水，刻蝕多晶硅層120 —側(cè)的寬度為 0. 5nm 5nm。
如圖6所示，用濕法刻蝕法去除硬掩膜層130和第一側(cè)墻142。本實(shí)施例中，如硬掩膜層130和第一側(cè)墻142為氧化硅，所述濕法刻蝕溶液為氫氟酸；如硬掩膜層130和第一側(cè)墻142為氮化硅，所述濕法刻蝕溶液為磷酸。作為一個(gè)優(yōu)選的實(shí)例，繼續(xù)參考圖6，以T型結(jié)構(gòu)為掩膜，在T型結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100內(nèi)進(jìn)行離子注入，形成源/漏極延伸區(qū)150。然后，進(jìn)行退火工藝，使注入的離子擴(kuò)散均勻。有些工藝可以不形成源/漏極延伸區(qū)150，而直接形成源/漏極。本實(shí)施例中，在形成PMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底100內(nèi)注入的是ρ型離子，所述P型離子可以是硼離子。本實(shí)施例中，在形成NMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底100內(nèi)注入的是η型離子，所述η型離子可以是磷離子或砷離子。所述退火工藝可以退火采用快速熱退火、脈沖退火或者激光退火。此步驟的退火工藝可與制作源/漏極完后的退火工藝一起進(jìn)行。如圖7所示，在T型結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底100上形成第二側(cè)墻160，所述第二側(cè)墻的材料可以為氧化硅、氮化硅、氮氧化硅中一種或者它們組合構(gòu)成。作為本實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)化實(shí)施方式，所述側(cè)墻為氧化硅-氮化硅-氧化硅共同組成，具體工藝為在半導(dǎo)體襯底100上以及T型結(jié)構(gòu)周圍用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法依次形成第一氧化硅層、 氮化硅層以及第二氧化硅層；然后，采用干法蝕刻的回蝕(etch-back)方法蝕刻第二氧化硅層、氮化硅層以及第一氧化硅層至露出半導(dǎo)體襯底100及T型結(jié)構(gòu)頂部。如圖8所示，以T型結(jié)構(gòu)及第二側(cè)墻160為掩模，在T型結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底 100中進(jìn)行離子注入，形成源/漏極170。最后，進(jìn)行退火處理，使注入的離子擴(kuò)散均勻。本實(shí)施例中，在形成PMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底100中注入的是ρ型離子，如硼離子等。本實(shí)施例中，在形成NMOS晶體管區(qū)域，向半導(dǎo)體襯底100中注入的是η型離子，如磷離子或砷離子等。如圖9所示，在所述半導(dǎo)體襯底100上沉積層間介質(zhì)層180，所述層間介質(zhì)層180 覆蓋所述T型結(jié)構(gòu)；采用化學(xué)機(jī)械研磨法平坦化層間介質(zhì)層180至露出T型結(jié)構(gòu)頂部。本實(shí)施例中，所述層間介質(zhì)層180的材料為氧化硅或氮氧化硅或正硅酸乙酯等。如圖10所示，以層間介質(zhì)層180為掩膜，用干法刻蝕法或濕法刻蝕法刻蝕去除T 型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層和柵介電層110，形成T型溝槽190。本實(shí)施例的另一實(shí)例中，所述柵介電層110可以不被刻蝕去除，保留于T型溝槽 190內(nèi)的半導(dǎo)體襯底100上。如圖11所示，在所述T型溝槽190內(nèi)的半導(dǎo)體襯底上形成柵介質(zhì)層200 ；然后，向所述T型溝槽190內(nèi)填充金屬物質(zhì)，并進(jìn)行平坦化，形成金屬柵極210，所述柵介質(zhì)層200與金屬柵極構(gòu)成金屬柵極結(jié)構(gòu)。其中，所述金屬柵極200的材料可以為Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN, TaN, Ta、 TaC, TaSiN, W, WN, WSi 的一種或多種。本實(shí)施例中，所述柵介質(zhì)層200為金屬柵極結(jié)構(gòu)的柵介質(zhì)層，作為其他實(shí)施例，還可以采用高K介質(zhì)作為金屬柵極的柵介質(zhì)層，所述高K介質(zhì)可以是二氧化鉿、氧化鉿硅、氧化鑭、氧化鑭鋁、氧化鋯、氧化鋯硅、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋇鍶鈦、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化釔、氧化鋁、氧化鉛鈧鉭或鈮酸鉛鋅等一種。所述金屬柵電極層材料可以為Al、Cu、Ag、Au、 Pt、Ni、Ti、TiN, TaN, Ta、TaC, TaSiN, W、WN、WSi 的一種或多種。 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬柵極的形成方法，其特征在于，包括提供依次帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底； 刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部； 在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻； 以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層； 繼續(xù)以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，橫向刻蝕多晶硅層，形成第二柵部，所述第二柵部和第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻； 在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的表面與T型結(jié)構(gòu)頂部齊平； 以層間介質(zhì)層及第二側(cè)墻為掩膜，去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層和柵介電層，形成T型溝槽；在T型溝槽內(nèi)形成柵介質(zhì)層后，填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層采用的是干法刻蝕法。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕采用的氣體為CF4和SF6的混合氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述預(yù)定厚度多晶硅層的厚度為100埃 500埃。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層采用的是干法刻蝕法。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述干法刻蝕采用的氣體為CF4和SF6的混合氣體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，橫向刻蝕多晶硅層采用的是濕法刻蝕法。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，所述濕法刻蝕采用的溶液為氨水。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，橫向刻蝕一側(cè)多晶硅層的寬度為0. 5nm 5nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的金屬柵極的形成方法，其特征在于，在T型溝槽內(nèi)填充的滿金屬物質(zhì)為 Al、Cu、Ag、Au、Pt、Ni、Ti、TiN, TaN, Ta、TaC, TaSiN, W、WN、WSi。
11.一種MOS晶體管的形成方法，其特征在于，包括提供依次帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底； 刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部； 在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻； 以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層； 繼續(xù)以硬掩膜層和第一側(cè)墻為掩膜，橫向刻蝕多晶硅層，形成第二柵部，所述第二柵部和第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻； 在T型結(jié)構(gòu)和第二側(cè)墻兩側(cè)形成源/漏極；在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層的表面與T型結(jié)構(gòu)頂部齊平； 以層間介質(zhì)層及第二側(cè)墻為掩膜，去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層，形成T型溝槽； 在T型溝槽內(nèi)填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。
全文摘要
一種金屬柵極及MOS晶體管的形成方法。其中金屬柵極的形成方法，包括提供帶有柵介電層、多晶硅層和硬掩膜層的半導(dǎo)體襯底；刻蝕硬掩膜層和預(yù)定厚度多晶硅層，形成第一柵部；在第一柵部?jī)蓚?cè)的多晶硅層上形成第一側(cè)墻；刻蝕剩余多晶硅層至露出柵介電層；橫向刻蝕剩余多晶硅層，形成第二柵部，與第一柵部構(gòu)成T型結(jié)構(gòu)；去除第一側(cè)墻和硬掩膜層后，在T型結(jié)構(gòu)和刻蝕后的柵介電層兩側(cè)形成第二側(cè)墻；在半導(dǎo)體襯底上形成層間介質(zhì)層；去除T型結(jié)構(gòu)內(nèi)的多晶硅層和柵介電層，形成T型溝槽；在T型溝槽內(nèi)填充滿金屬物質(zhì)，形成金屬柵極。本發(fā)明避免金屬柵極的電阻值較待形成的目標(biāo)電阻值偏高及偏高的電阻值導(dǎo)致功耗上升問題。
文檔編號(hào)H01L21/3213GK102479691SQ20101056824
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2010年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月30日
發(fā)明者李鳳蓮 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司