專利名稱：光電轉(zhuǎn)換器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個或多個實施例的方面涉及光電轉(zhuǎn)換器件。
背景技術(shù)：
將光轉(zhuǎn)換為電能的光電轉(zhuǎn)換器件已得到大量研究。在這種器件之中，太陽能電池 作為一種礦物燃料的替代能源吸引了諸多關(guān)注。各自使用P-N半導(dǎo)體結(jié)的結(jié)晶硅片太陽能電池得到了相對廣泛的使用。然而，由 于結(jié)晶硅片太陽能電池由高純度的半導(dǎo)體材料形成，因此結(jié)晶硅片太陽能電池的制造成本很1 。與硅太陽能電池不同，染料敏化太陽能電池包括接受可見光并產(chǎn)生受激發(fā)的電子 的光敏染料、接收受激發(fā)的電子的半導(dǎo)體材料以及與從外部電路返回的電子發(fā)生反應(yīng)的電 解質(zhì)。由于染料敏化太陽能電池比其它一般的太陽能電池具有高得多的光電轉(zhuǎn)換效率，因 此染料敏化太陽能電池被認(rèn)為是下一代太陽能電池。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個或多個實施例的方面涉及可以有效地防止電解質(zhì)泄漏并具有高耐 用性的光電轉(zhuǎn)換器件。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，一種光電轉(zhuǎn)換器件包括第一基板和與所述第一基板隔開 的第二基板。多個第一電極位于所述第一基板的面對所述第二基板的一側(cè)上，并且從所述 第一基板的密封區(qū)域延伸，所述多個第一電極彼此隔開。第一保護(hù)層位于所述多個第一電 極上，所述第一保護(hù)層的位于所述密封區(qū)域上的末端部分連續(xù)延伸橫跨所述多個第一電極 中的至少兩個。所述第一保護(hù)層的位于所述第一基板的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分可以包括多個隔 開的部分，所述多個隔開的部分各自覆蓋所述多個第一電極中的相應(yīng)一個。所述第一保護(hù)層的位于所述第一基板的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分可以連續(xù)延伸橫 跨所述多個第一電極中的至少兩個。所述光電轉(zhuǎn)換器件可以進(jìn)一步包括第二電極，所述第二電極沿所述第一基板的所 述密封區(qū)域與周邊區(qū)域之間的邊界延伸，并將所述多個第一電極彼此聯(lián)接。所述第一保護(hù)層可以與所述第二電極的至少一部分交疊。所述光電轉(zhuǎn)換器件可以進(jìn)一步包括位于所述第一基板與所述第二基板之間的密 封構(gòu)件，并且所述密封構(gòu)件可以至少部分地與所述第一保護(hù)層的所述末端部分交疊。
所述第一保護(hù)層的所述末端部分可以具有面對所述密封構(gòu)件的基本平整的表面。所述第一保護(hù)層可以包括樹脂基材料。所述第一保護(hù)層的所述末端部分在所述多個第一電極中兩個相鄰第一電極之間 的厚度可以至少等于所述多個第一電極的厚度。所述光電轉(zhuǎn)換器件可以進(jìn)一步包括多個第三電極，位于所述第二基板的面對所述 第一基板的一側(cè)，并且所述多個第三電極可以從所述第二基板的密封區(qū)域延伸，并且彼此 隔開。第二保護(hù)層可以位于所述多個第三電極上，所述第二保護(hù)層的位于所述第二基板的 所述密封區(qū)域上的末端部分可以連續(xù)延伸橫跨所述多個第三電極中的至少兩個。所述第二保護(hù)層的位于所述第二基板的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分可以包括多個隔 開的部分，所述多個隔開的部分各自覆蓋所述多個第三電極中的相應(yīng)一個。所述第二保護(hù)層的位于所述第二基板的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分可以連續(xù)延伸橫 跨所述多個第三電極中的至少兩個。所述光電轉(zhuǎn)換器件可以進(jìn)一步包括第四電極，所述第四電極沿所述第二基板的所 述密封區(qū)域與所述第二基板的周邊區(qū)域之間的邊界延伸，并將所述多個第三電極彼此聯(lián)接。所述第二保護(hù)層可以與所述第四電極的至少一部分交疊。所述第二保護(hù)層的所述末端部分可以具有面對所述第一基板的基本平整的表面。所述第二保護(hù)層的所述末端部分在所述多個第三電極中兩個相鄰第三電極之間 的厚度可以至少等于所述多個第三電極的厚度。根據(jù)本發(fā)明的實施例，保護(hù)層持續(xù)或連續(xù)形成在密封區(qū)域中，以覆蓋以電極柵距 的間隔彼此隔開的板柵圖案，使得通過覆蓋板柵圖案之間的臺階而得到密封構(gòu)件的平坦或 平整的支撐表面，從而提高密封構(gòu)件的密封性能。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的分解透視圖；圖2是沿圖1的線II-II取得的截面圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明一實施例的示出圖1的光電轉(zhuǎn)換器件的密封結(jié)構(gòu)的透視圖；圖4是示出圖1的光電轉(zhuǎn)換器件的密封結(jié)構(gòu)的平面圖；圖5是沿圖4的線V-V取得的截面圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明的比較例的光電轉(zhuǎn)換器件的截面圖。表示附圖元件中的一些元 件的附圖標(biāo)記的解釋110:受光基板111，121 透明導(dǎo)電層113，123:板柵圖案114:光電極115，125:保護(hù)層116:集電體導(dǎo)線圖案116a:集電體導(dǎo)線圖案的端子部分117:半導(dǎo)體層
118，128 功能層120 對置基板122 催化劑層124:對置電極130 密封構(gòu)件150 電解質(zhì)160 導(dǎo)線180 外部電路P:光電轉(zhuǎn)換區(qū)域NP 周邊區(qū)域S 密封區(qū)域T:臺階C:板柵圖案的電極柵距W:板柵圖案的線寬
具體實施例方式現(xiàn)在將參考附圖描述本發(fā)明的示例性實施例。圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的光電 轉(zhuǎn)換器件的分解透視圖。參見圖1，其上形成有功能層118的受光基板(第一基板)110與 其上形成有功能層128的對置基板(第二基板)120彼此面對。密封構(gòu)件130沿受光基板 110和對置基板120的邊緣布置在兩個基板之間，以將二者彼此附接。之后，電解質(zhì)可通過 入口注入到光電轉(zhuǎn)換器件中。密封構(gòu)件130用于密封基板之間的電解質(zhì)，使得電解質(zhì)不會 泄漏到外部，并且密封構(gòu)件130限定了光電轉(zhuǎn)換器件內(nèi)部形成的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域P以及光電 轉(zhuǎn)換器件外部形成的周邊區(qū)域NP。例如，分別形成在受光基板110和對置基板120上的功能層118和128包括用于 產(chǎn)生由光照射激發(fā)的電子的半導(dǎo)體層，和用于匯集和釋放所產(chǎn)生的電子的電極。例如，包括 功能層118和128的電極結(jié)構(gòu)的一部分可以朝周邊區(qū)域NP延伸至密封構(gòu)件130外部，以與 外部電路電接觸。圖2是沿圖1的線II-II取得的截面圖。參見圖2，其上形成有光電極114的受光 基板110和其上形成有對置電極124的對置基板120彼此面對。由光VL激發(fā)的光敏染料 被吸收到在光電極114上形成的半導(dǎo)體層117中。電解質(zhì)150填充在半導(dǎo)體層117與對置 電極124之間。例如，光電極114和半導(dǎo)體層117對應(yīng)于鄰近受光基板110的功能層118， 而對置電極1 對應(yīng)于鄰近對置基板120的功能層128。受光基板110和對置基板120使用密封構(gòu)件130彼此附接，使得在受光基板110 與對置基板120之間形成間隔(例如，預(yù)定間隔)。密封構(gòu)件130被形成為環(huán)繞并密封電解 質(zhì)150，使得電解質(zhì)150不會泄漏到外部。光電極114與對置電極124由導(dǎo)線160通過外部電路180彼此電連接。在多個光 電轉(zhuǎn)換器件串聯(lián)或并聯(lián)連接的模塊中，光電轉(zhuǎn)換器件的光電極114與對置電極IM可以彼 此串聯(lián)或并聯(lián)連接，并且連接部分的兩端可以連接至外部電路180的相應(yīng)端。受光基板110可以由例如具有高透光率的材料之類的透明材料形成。例如，受光基板110可以是玻璃基板或樹脂膜基板。由于樹脂膜通常具有柔韌性，因此樹脂膜可以應(yīng) 用于需要柔韌性的器件中。光電極114可以包括透明導(dǎo)電層111和形成在透明導(dǎo)電層111上的板柵圖案(第 一電極)113。透明導(dǎo)電層111可以由具有透明度和導(dǎo)電性的材料形成，例如，由諸如氧化銦 錫(ITO)、氧化氟錫(FTO)或摻銻的氧化錫(ATO)之類的透明導(dǎo)電氧化層(TCO)形成。板柵 圖案113用于減小光電極114的電阻，并且板柵圖案113充當(dāng)匯集由光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生的電子 并提供具有低電阻的電流路徑的導(dǎo)線。例如，板柵圖案113可以由諸如金(Au)、銀(Ag)或 鋁(Al)之類的具有高導(dǎo)電率的金屬材料形成，并且可以被圖案化為網(wǎng)狀圖案。光電極114充當(dāng)光電轉(zhuǎn)換器件的負(fù)極，并且可以具有高開口率。由于通過光電極 114入射的光VL激發(fā)吸收到半導(dǎo)體層117中的光敏染料，因此可以通過增加入射光VL的量 來提高光電轉(zhuǎn)換效率。保護(hù)層115可以進(jìn)一步形成在板柵圖案113的外表面上。保護(hù)層115防止板柵圖 案113被損壞，例如在板柵圖案113與電解質(zhì)150接觸并反應(yīng)時被腐蝕。保護(hù)層115可以 由例如可固化樹脂材料之類的不與電解質(zhì)150反應(yīng)的材料形成。半導(dǎo)體層117可以由合適的半導(dǎo)體材料形成，例如從鎘(Cd)、鋅(Zn)、銦(In)、鉛 (Pb)、鉬(Mo)、鎢(W)、銻(Sb)、鈦(Ti)、銀(Ag)、錳(Mn)、錫(Sn)、鋯(Zr)、鍶(Sr)、鎵(Ga)、 硅(Si)和鉻(Cr)組成的組中選擇的材料。將光敏染料吸收到半導(dǎo)體層117中可以提高光 電轉(zhuǎn)換效率。例如，半導(dǎo)體層117可以通過在其上形成有光電極114的受光基板110上涂 敷具有5nm至IOOOnm粒子直徑的半導(dǎo)體粒子的漿并且對所得的結(jié)構(gòu)加熱和加壓來形成。吸收到半導(dǎo)體層117中的光敏染料吸收穿過受光基板110的光VL，使得光敏染料 的電子從基態(tài)被激發(fā)。受激發(fā)的電子通過光敏染料與半導(dǎo)體層117之間的電接觸被傳送到 半導(dǎo)體層117的導(dǎo)帶，到達(dá)半導(dǎo)體層117，并到達(dá)光電極114，并且受激發(fā)的電子通過光電極 114被釋放到外部，從而形成用于驅(qū)動外部電路180的驅(qū)動電流。例如，吸收到半導(dǎo)體層117中的光敏染料可以吸收光VL并激發(fā)電子，以便允許受 激發(fā)的電子快速移動到半導(dǎo)體層117。光敏染料可以是液態(tài)、半固態(tài)和固態(tài)光敏染料中的任 意一種。例如，吸收到半導(dǎo)體層117中的光敏染料可以是釕基光敏染料。光敏染料可以通 過將其上形成有半導(dǎo)體層117的受光基板110浸到包括光敏染料的溶液中而被吸收到半導(dǎo) 體層117中。電解質(zhì)150可以由包括還原/氧化(R/0)電偶的氧化還原電解質(zhì)形成。電解質(zhì) 150可以由固態(tài)型、凝膠型或液態(tài)型電解質(zhì)中的任意一種形成。面對受光基板110的對置基板120可以是不透明的。然而，為了提高光電轉(zhuǎn)換效 率，對置基板120可以由透明材料形成，以便在光電轉(zhuǎn)換器件的兩側(cè)都接受光VL，并且對置 基板120可以由與受光基板110的材料相同的材料形成。在一個實施例中，當(dāng)光電轉(zhuǎn)換器 件作為光伏建筑一體化系統(tǒng)被安裝在例如窗框之類的結(jié)構(gòu)中時，光電轉(zhuǎn)換器件的兩側(cè)可以 都是透明的，使得光VL不受阻擋，從而可以進(jìn)入光電轉(zhuǎn)換器件。對置電極124可以包括透明導(dǎo)電層121，形成在透明導(dǎo)電層121上的催化劑層 122，以及板柵圖案(第三電極)123。透明導(dǎo)電層121可以由具有透明度和導(dǎo)電性的材料形 成，例如由諸如ITO、FTO或ATO之類的透明導(dǎo)電氧化物形成。催化劑層122可以由用于給 電解質(zhì)150提供電子的還原催化材料形成，例如由諸如鉬(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)或鋁(Al)之類的金屬，諸如氧化錫之類的金屬氧化物，或者諸如石墨之類的碳基材料形成。 板柵圖案123形成在催化層122上。對置電極IM充當(dāng)光電轉(zhuǎn)換器件的正極，并且還充當(dāng)用于向電解質(zhì)150提供電子 的還原催化劑。吸收到半導(dǎo)體層117中的光敏染料吸收光VL以激發(fā)電子，并且受激發(fā)的電 子通過光電極114被釋放到光電轉(zhuǎn)換器件的外部。通過光電極114失去電子的光敏染料接 收由將再被還原的電解質(zhì)150的氧化生成的電子，并且氧化后的電解質(zhì)150由穿過外部電 路180并到達(dá)對置電極124的電子再被還原，從而完成光電轉(zhuǎn)換器件的操作。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的密封結(jié)構(gòu)的透視圖。為了方便 描述，保護(hù)層在圖3中放大示出。圖4是示出光電轉(zhuǎn)換器件的密封結(jié)構(gòu)的平面圖。參見圖 3和圖4，透明導(dǎo)電層111、板柵圖案113和集電體導(dǎo)線圖案(第二電極)116形成在受光基 板110上。板柵圖案113形成在透明導(dǎo)電層111上，并沿方向zl平行延伸。集電體導(dǎo)線圖 案116沿與方向zl交叉的方向z2延伸，并將板柵圖案113彼此聯(lián)接。附圖標(biāo)記C和W分 別表示相鄰電極(即相鄰板柵圖案113)之間的距離和板柵圖案113的線寬。板柵圖案113的主要部分布置在光電轉(zhuǎn)換區(qū)域P中，而集電體導(dǎo)線圖案116布置 在周邊區(qū)域NP中。密封區(qū)域S將光電轉(zhuǎn)換區(qū)域P與周邊區(qū)域NP隔開。為了增加光電轉(zhuǎn)換 區(qū)域P的開口率，不透明的集電體導(dǎo)線圖案116可以形成在周邊區(qū)域NP中。密封構(gòu)件130 形成在密封區(qū)域S中。板柵圖案113由保護(hù)層115覆蓋。覆蓋板柵圖案113的保護(hù)層115可以在集電體 導(dǎo)線圖案116上延伸，以部分地覆蓋集電體導(dǎo)線圖案116。集電體導(dǎo)線圖案116的端子部分 (或末端部分)116a可以被暴露并且不被保護(hù)層115覆蓋，以接觸外部電路。保護(hù)層115的一部分在密封區(qū)域S中不中斷的持續(xù)形成(或連續(xù)延伸)。也就是 說，保護(hù)層115的該部分橫跨由距離C彼此隔開的板柵圖案113而形成，以覆蓋板柵圖案 113之間的臺階T。保護(hù)層115的位于密封區(qū)域S中的該部分通過覆蓋板柵圖案113之間 的臺階T來為密封構(gòu)件130提供平坦的(或平整的)支撐表面，并保護(hù)板柵圖案113。在一 個示例中，保護(hù)層115的位于密封區(qū)域S中的末端部分可以連續(xù)延伸橫跨板柵圖案113中 的至少兩個。圖5是沿圖4的線V-V取得的截面圖。為了方便描述，保護(hù)層在圖5中放大示出。 參見圖5，板柵圖案113形成在透明導(dǎo)電層111上，并且由距離C彼此隔開。保護(hù)層115橫 跨板柵圖案113而形成，并在板柵圖案113之間覆蓋透明導(dǎo)電層111。由于板柵圖案113具有與透明導(dǎo)電層111上的電極的厚度相對應(yīng)的高度H，因此在 板柵圖案113與透明導(dǎo)電層111之間形成臺階T(例如，預(yù)定臺階)。保護(hù)層115在密封區(qū) 域S中持續(xù)(或連續(xù))形成，使得保護(hù)層115覆蓋臺階T，從而提供平坦的上表面。換句話 說，保護(hù)層115在兩個相鄰板柵圖案113之間的厚度至少等于板柵圖案113的厚度。密封 構(gòu)件130布置在保護(hù)層115的確保穩(wěn)定支撐表面的部分的平坦表面上，從而提高密封的可 靠性和耐用性。也就是說，密封構(gòu)件130與保護(hù)層115可以通過減小應(yīng)當(dāng)由密封構(gòu)件130 吸收或填充的臺階-覆蓋(即臺階T)而彼此緊密附接，從而有效地防止電解質(zhì)150泄漏。圖6是根據(jù)本發(fā)明的比較例的光電轉(zhuǎn)換器件的截面圖。參見圖6，多個板柵圖案13 布置在透明導(dǎo)電層11上，并且多個保護(hù)層15各自布置在板柵圖案13中的相應(yīng)一個上。保 護(hù)層15不連續(xù)地形成以覆蓋板柵圖案13中的每一個。也就是說，形成在板柵圖案13之間的透明導(dǎo)電層11沒有被保護(hù)層15覆蓋，因而暴露于外部。密封構(gòu)件30穿透到透明導(dǎo)電層 11在保護(hù)層15之間的暴露表面，即穿透臺階深度D，以完全覆蓋保護(hù)層15之間的臺階T’， 從而密封其中的電解質(zhì)150(圖2中所示)。因此，密封構(gòu)件30需要高的臺階-覆蓋，這可 能將密封構(gòu)件30限制為特定的材料和處理方法。尤其是，如果密封構(gòu)件30的密封性能下 降，密封構(gòu)件30可能與透明導(dǎo)電層11分離，從而允許電解質(zhì)150泄漏到外部。在圖3和圖5所示的結(jié)構(gòu)中，板柵圖案113之間的臺階T可以通過在延伸橫跨板 柵圖案113的密封區(qū)域S中持續(xù)形成保護(hù)層115的一部分而被覆蓋，從而可以為密封構(gòu)件 130提供平坦的支撐表面。進(jìn)一步地，參照圖3至圖4描述的技術(shù)細(xì)節(jié)可以基本相同地用于 其上形成有對置電極1 的對置基板120。在一個實施例中，保護(hù)層125的一部分橫跨板柵 圖案123持續(xù)形成，以為密封構(gòu)件130提供平坦的支撐表面，從而提高密封構(gòu)件130的密封 性能。盡管附圖中沒有示出，但集電體導(dǎo)線圖案(第四電極)被形成在對置基板120上，并 且沿密封區(qū)域S與周邊區(qū)域NP之間的邊界延伸，以便將板柵圖案123彼此聯(lián)接。在一個實施例中，保護(hù)層115在受光基板110的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域P上的部分包括多 個隔開的部分，每個都覆蓋板柵圖案113中相應(yīng)的一個。在另一實施例中，保護(hù)層115在受光基板110的光電轉(zhuǎn)換區(qū)域P上的部分橫跨板 柵圖案113中的至少兩個而連續(xù)延伸。盡管已經(jīng)具體示出并參照本發(fā)明的示例性實施例描述了本發(fā)明的方面，但是本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在不超出所附權(quán)利要求及其等同物所限定的本發(fā)明的精神 和范圍的情況下進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換器件，包括第一基板和與所述第一基板隔開的第二基板；多個第一電極，位于所述第一基板的面對所述第二基板的一側(cè)上，并且從所述第一基 板的密封區(qū)域延伸，所述多個第一電極彼此隔開；以及第一保護(hù)層，位于所述多個第一電極上，所述第一保護(hù)層的位于所述密封區(qū)域上的末 端部分連續(xù)延伸橫跨所述多個第一電極中的至少兩個。
2.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第一保護(hù)層的位于所述第一基板的光 電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分包括多個隔開的部分，所述多個隔開的部分各自覆蓋所述多個第一電 極中的相應(yīng)一個。
3.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第一保護(hù)層的位于所述第一基板的光 電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分連續(xù)延伸橫跨所述多個第一電極中的至少兩個。
4.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，進(jìn)一步包括第二電極，所述第二電極沿所述第 一基板的所述密封區(qū)域與所述第一基板的周邊區(qū)域之間的邊界延伸，并將所述多個第一電 極彼此聯(lián)接。
5.如權(quán)利要求4所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第一保護(hù)層與所述第二電極的至少一 部分交疊。
6.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，進(jìn)一步包括位于所述第一基板與所述第二基板 之間的密封構(gòu)件，所述密封構(gòu)件至少部分地與所述第一保護(hù)層的所述末端部分交疊。
7.如權(quán)利要求6所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第一保護(hù)層的所述末端部分具有面對 所述密封構(gòu)件的平整的表面。
8.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第一保護(hù)層包括樹脂基材料。
9.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第一保護(hù)層的所述末端部分在所述多 個第一電極中兩個相鄰第一電極之間的厚度至少等于所述多個第一電極的厚度。
10.如權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，進(jìn)一步包括多個第三電極，位于所述第二基板的面對所述第一基板的一側(cè)，并且從所述第二基板 的密封區(qū)域延伸，所述多個第三電極彼此隔開；以及第二保護(hù)層，位于所述多個第三電極上，所述第二保護(hù)層的位于所述第二基板的所述 密封區(qū)域上的末端部分連續(xù)延伸橫跨所述多個第三電極中的至少兩個。
11.如權(quán)利要求10所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第二保護(hù)層的位于所述第二基板的 光電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分包括多個隔開的部分，所述多個隔開的部分各自覆蓋所述多個第三 電極中的相應(yīng)一個。
12.如權(quán)利要求10所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第二保護(hù)層的位于所述第二基板的 光電轉(zhuǎn)換區(qū)域上的部分連續(xù)延伸橫跨所述多個第三電極中的至少兩個。
13.如權(quán)利要求10所述的光電轉(zhuǎn)換器件，進(jìn)一步包括第四電極，所述第四電極沿所述 第二基板的所述密封區(qū)域與所述第二基板的周邊區(qū)域之間的邊界延伸，并將所述多個第三 電極彼此聯(lián)接。
14.如權(quán)利要求13所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第二保護(hù)層與所述第四電極的至少 一部分交疊。
15.如權(quán)利要求10所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第二保護(hù)層的所述末端部分具有面對所述第一基板的平整的表面。
16.如權(quán)利要求10所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述第二保護(hù)層的所述末端部分在所述 多個第三電極中兩個相鄰第三電極之間的厚度至少等于所述多個第三電極的厚度。
全文摘要
一種光電轉(zhuǎn)換器件，可以有效地防止電解質(zhì)泄漏，并且具有高耐用性。該光電轉(zhuǎn)換器件包括第一基板和與所述第一基板隔開的第二基板。多個第一電極位于所述第一基板的面對所述第二基板的一側(cè)上，并且從所述第一基板的密封區(qū)域延伸，并且所述多個第一電極彼此隔開。第一保護(hù)層位于所述多個第一電極上，并且所述第一保護(hù)層的位于所述密封區(qū)域上的末端部分連續(xù)延伸橫跨所述多個第一電極中的至少兩個。
文檔編號H01G9/08GK102054589SQ20101053025
公開日2011年5月11日 申請日期2010年10月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月5日
發(fā)明者李鐘基, 楊南喆, 許相烈 申請人:三星Sdi株式會社