專利名稱：光電轉(zhuǎn)換器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光電轉(zhuǎn)換器件。
背景技術(shù)：
為了提高由諸如數(shù)字照相機(jī)和數(shù)字視頻照相機(jī)之類的照相機(jī)捕獲的圖像的質(zhì)量，光電轉(zhuǎn)換器件需要使低照度處的光檢測范圍變寬。已經(jīng)公開了一種光電轉(zhuǎn)換器件，該光電轉(zhuǎn)換器件將由光電轉(zhuǎn)換器產(chǎn)生的電流輸入到晶體管的基極，并且從該晶體管的發(fā)射極輸出放大后的電流(參見日本專利公開No. 2000-077644)。根據(jù)每單位時間產(chǎn)生的電流以及后續(xù)級中的信號處理電路能夠檢測信號的范圍來確定在日本專利公開No. 2000-077644中描述的光電轉(zhuǎn)換器件的光檢測范圍。作為使光檢測范圍變寬的方法，減少每單位時間產(chǎn)生的電流的方法是可用的。不幸的是，在該情況下，在使高照度光檢測范圍變寬的同時，低照度光檢測范圍變窄，因為低照度光檢測范圍受到后續(xù)級中的信號處理電路能夠檢測微小信號的范圍的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種在不使低照度光檢測范圍變窄的情況下在使高照度光檢測范圍變寬方面有利的光電轉(zhuǎn)換器件。本發(fā)明的第一方面提供了一種光電轉(zhuǎn)換器件，其包括將光轉(zhuǎn)換成電流的第一光電轉(zhuǎn)換器；將光轉(zhuǎn)換成電流的第二光電轉(zhuǎn)換器；第一雙極晶體管，所述第一雙極晶體管將從第一光電轉(zhuǎn)換器輸入到第一雙極晶體管的基極的電流放大，并且從第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流；第二雙極晶體管，所述第二雙極晶體管將從第二光電轉(zhuǎn)換器輸入到第二雙極晶體管的基極的電流放大，并且從第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流；以及電流相加器，所述電流相加器將來自第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的一個發(fā)射極的電流與來自第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的一個發(fā)射極的電流相加，由此獲得和電流(sum current)。從以下參考附圖的示例性實施例的描述中本發(fā)明更多的特征將變得清晰。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖；圖2是用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光檢測范圍的曲線圖；圖3是用于說明根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光檢測范圍的曲線圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的電路圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖；圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的電路圖；圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖；圖10是示出了在本發(fā)明第五實施例中的對數(shù)壓縮電路的電路圖；以及圖11是示出了在本發(fā)明第五實施例中的信號蓄積電路的電路圖。
具體實施例方式(第一實施例)圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖。光電轉(zhuǎn)換器件包括第一光電轉(zhuǎn)換器1、第二光電轉(zhuǎn)換器2、第一電流放大器(第一雙極晶體管)3、第二電流放大器(第二雙極晶體管)4以及電流相加器9。第一電流放大器3能夠使用其基極與第一光電轉(zhuǎn)換器1連接的第一 npn雙極晶體管。第二電流放大器4能夠使用其基極與第二光電轉(zhuǎn)換器2連接的第二 npn雙極晶體管。第一電流放大器3使用包括多個發(fā)射極5和6的多發(fā)射極。第二電流放大器4也使用包括多個發(fā)射極7和8的多發(fā)射極。第一光電轉(zhuǎn)換器1是例如光電二極管，該光電二極管的陰極與電源電位節(jié)點連接并且該光電二極管的陽極與第一電流放大器3的基極連接。第一電流放大器3的集電極與電源電位節(jié)點連接。第二光電轉(zhuǎn)換器2是例如光電二極管，該光電二極管的陰極與電源電位節(jié)點連接并且該光電二極管的陽極與第二電流放大器4的基極連接。第二電流放大器4的集電極與電源電位節(jié)點連接。光電轉(zhuǎn)換器1和2將光光電轉(zhuǎn)換成電流。第一電流放大器3放大從第一光電轉(zhuǎn)換器1輸入到其基極的電流，并且從多個發(fā)射極5和6中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流。第二電流放大器4放大從第二光電轉(zhuǎn)換器2輸入到其基極的電流，并且從多個發(fā)射極7和8中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流。電流相加器9將來自第一電流放大器3的一個發(fā)射極5的電流與來自第二電流放大器4的一個發(fā)射極7的電流相加，并且輸出所獲得的和電流。第一電流放大器3的另一發(fā)射極6輸出放大后的電流，第二電流放大器4的另一發(fā)射極8輸出放大后的電流，并且同時，電流相加器9輸出所獲得的和電流。圖2是示出了在從一組發(fā)射極5和6或者一組發(fā)射極7和8輸出的電流之間的比為1 1時光量與每單位時間的電流之間的關(guān)系的曲線圖。附圖標(biāo)記20表示描述在日本專利公開No. 2000-077644中的光量與電流之間的關(guān)系的函數(shù)；而附圖標(biāo)記21表示描述光量與從發(fā)射極6或8輸出的電流之間的關(guān)系的函數(shù)。附圖標(biāo)記22表示能夠由后續(xù)級中的信號處理電路檢測的電流的范圍。電流22的上限受到電路電流飽和的限制，并且其電流下限受到電路噪聲的限制。附圖標(biāo)記23表示在日本專利公開No. 2000-077644中的光檢測范圍；而附圖標(biāo)記M表示由通過發(fā)射極6或8獲得的電流限定的光檢測范圍。能夠通過減少每單位時間的電流來使由通過發(fā)射極6或8獲得的電流限定的高照度光檢測范圍變寬。此外，從電流相加器9輸出的和電流等于由函數(shù)20表示的電流。因此，圖1所示出的光電轉(zhuǎn)換器件具有光檢測范圍25，因此能夠在不使低照度光檢測范圍變窄的情況下使高照度光檢測范圍變寬。圖3是示出了在從一組發(fā)射極5和6以及一組發(fā)射極7和8輸出的電流之間的比為1 2時光量與每單位時間的電流之間的關(guān)系的曲線圖。附圖標(biāo)記20、22和23表示與圖2中相同的特征。附圖標(biāo)記25表示描述光量與從發(fā)射極6或8輸出的電流之間的關(guān)系的函數(shù)；并且附圖標(biāo)記27表示與附圖標(biāo)記22所表示的范圍對應(yīng)的光檢測范圍。此外，附圖標(biāo)記沈表示描述光量與從電流相加器9輸出的電流之間的關(guān)系的函數(shù)；并且附圖標(biāo)記28表示與附圖標(biāo)記22所表示的范圍對應(yīng)的光檢測范圍。因此，圖1所示出的光電轉(zhuǎn)換器件具有光檢測范圍29，因此通過改變從一組發(fā)射極5和6或者一組發(fā)射極7和8輸出的電流之間的比能夠使高照度光檢測范圍和低照度光檢測范圍變寬。圖4示出電流相加器9的詳細(xì)電路的示例。參考圖4，附圖標(biāo)記1到8表示與圖1中相同的元件。電流相加器9能夠包括例如npn雙極晶體管101、102、103和104以及pnp雙極晶體管105和106。雙極晶體管101的集電極和基極與發(fā)射極5連接，并且雙極晶體管101的發(fā)射極與基準(zhǔn)電位節(jié)點連接。雙極晶體管102的基極與發(fā)射極5連接，雙極晶體管102的集電極與雙極晶體管104的集電極連接，并且雙極晶體管102的發(fā)射極與基準(zhǔn)電位節(jié)點連接。雙極晶體管103的集電極和基極與發(fā)射極7連接，并且雙極晶體管103的發(fā)射極與基準(zhǔn)電位節(jié)點連接。雙極晶體管104的基極與發(fā)射極7連接。雙極晶體管105的集電極和基極與雙極晶體管104的集電極連接，并且雙極晶體管105的發(fā)射極與基準(zhǔn)電位節(jié)點連接。雙極晶體管106的基極與雙極晶體管105的基極連接。一組雙極晶體管101和102以及一組雙極晶體管103和104中的每一組雙極晶體管均形成電流鏡電路。從發(fā)射極5和7輸出的信號分別經(jīng)由包括雙極晶體管101和102的電流鏡電路以及包括晶體管103和104的電流鏡電路而通過由雙極晶體管105和106形成的電流鏡電路相加，并且從雙極晶體管106的集電極107輸出和信號。根據(jù)圖1和圖4所示出的第一實施例，來自第一光電轉(zhuǎn)換器1的信號能夠通過發(fā)射極6獲得，來自第二光電轉(zhuǎn)換器2的信號能夠通過發(fā)射極8獲得，并且來自第一光電轉(zhuǎn)換器1的信號與來自第二光電轉(zhuǎn)換器2的信號的和信號能夠通過電流相加器9獲得。此外，能夠同時獲得來自光電轉(zhuǎn)換器1和2的信號以及來自第一光電轉(zhuǎn)換器1的信號與來自第二光電轉(zhuǎn)換器2的信號的和信號。因此，在低照度時使用從電流相加器9輸出的和信號，并且在高照度時使用從發(fā)射極6或8輸出的信號，由此與日本專利公開No. 2000-077644相比，使得可以使光電轉(zhuǎn)換器件的光檢測范圍變寬。(第二實施例)圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖。參考圖5，附圖標(biāo)記1到8表示與圖1中相同的元件。再次參考圖5，電流相加器10具有其中它將從發(fā)射極6和7輸出的電流相加并且輸出獲得的和的模式。電流相加器10還具有其中它直接輸出從發(fā)射極6輸出的電流的模式。電流相加器10的模式能夠由向相加控制器12提供的信號來確定。類似地，電流相加器11與發(fā)射極5和8連接，并且具有其中它使來自發(fā)射極5和8的電流相加并且輸出獲得的和的模式以及其中它直接輸出從發(fā)射極8輸出的電流的模式。電流相加器11的模式能夠由向相加控制器13提供的信號來確定。圖6示出電流相加器10和11的詳細(xì)電路的示例。參考圖6，附圖標(biāo)記1到8表示與圖5中相同的元件。再次參考圖6，電流相加器10包括雙極晶體管201到206，其具有分別與圖4所示出的雙極晶體管101到106相同的布置。一組雙極晶體管201和202以及一組雙極晶體管203和204中的每一組雙極晶體管均形成電流鏡電路。從發(fā)射極6和7輸出的信號分別經(jīng)由包括雙極晶體管201和202的電流鏡電路以及包括晶體管203和204的電流鏡電路而通過由雙極晶體管205和206形成的電流鏡電路相加，并且從雙極晶體管206的集電極209輸出和信號。η型MOS (金屬氧化物半導(dǎo)體)場效應(yīng)晶體管207形成相加控制器12。MOS場效應(yīng)晶體管207的柵極與端子208連接，MOS場效應(yīng)晶體管207的漏極與雙極晶體管202的集電極連接，并且MOS場效應(yīng)晶體管207的源極與雙極晶體管204的集電極連接。在端子208的電壓處于高電平時，來自發(fā)射極6的信號與來自發(fā)射極7的信號的和信號被輸出到集電極209。然而，在端子208的電壓處于低電平時，從發(fā)射極6輸入的信號被直接輸出到集電極209。類似地，電流相加器11包括雙極晶體管301到306，其具有分別與圖4所示出的雙極晶體管101到106相同的布置。η型MOS場效應(yīng)晶體管307形成相加控制器13。MOS場效應(yīng)晶體管307的柵極與端子308連接，MOS場效應(yīng)晶體管307的漏極與雙極晶體管304的集電極連接，并且MOS場效應(yīng)晶體管307的源極與雙極晶體管302的集電極連接。在端子308的電壓處于高電平時，將來自發(fā)射極5的信號與來自發(fā)射極8的信號相加，并且獲得的和被輸出到雙極晶體管306的集電極309。然而，在端子308的電壓處于低電平時，從發(fā)射極8輸入的信號被直接輸出到集電極309。電流相加器10響應(yīng)于經(jīng)由端子208的相加指示而輸出上述和電流，并且響應(yīng)于經(jīng)由端子208的非相加指示而輸出來自第一電流放大器3的一個發(fā)射極6的電流。類似地，電流相加器11響應(yīng)于經(jīng)由端子308的相加指示而輸出上述和電流，并且響應(yīng)于經(jīng)由端子308的非相加指示而輸出來自第二電流放大器4的另一發(fā)射極8的電流。根據(jù)圖5和圖6所示出的第二實施例，通過適當(dāng)?shù)卮_定要向相加控制器12和13提供的信號的組合，能夠輸出來自光電轉(zhuǎn)換器1和2的信號(非和信號)，或者能夠同時輸出非和信號與和信號。因此，在低照度時使用和信號，并且在高照度時使用非和信號，由此與日本專利公開No. 2000-077644相比，使得可以使光電轉(zhuǎn)換器件的光檢測范圍變寬。此外，在第一實施例中輸出三個系統(tǒng)的信號，而在第二實施例中輸出兩個系統(tǒng)的信號，因此與第一實施例中相比，在第二實施例中在后續(xù)級中的信號處理電路的數(shù)量能夠更小，因此允許降低成本。(第三實施例)圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖。參考圖7，附圖標(biāo)記3到9表示與圖1中相同的元件。再次參考圖7，附圖標(biāo)記400表示光電轉(zhuǎn)換器1和2的截面。η型阱402被形成在ρ型半導(dǎo)體襯底401上。η型阱402與電源電位節(jié)點連接。η型區(qū)403和404被形成在η型阱402中，以便具有與η型阱402不同的濃度。ρ型區(qū)405和406被分別布置在η型區(qū)403和404中，由此形成用作光電轉(zhuǎn)換器1和2的ρη結(jié)光電二極管。P型區(qū)405與第一電流放大器3連接，并且ρ型區(qū)406與第二電流放大器4連接。注意，η型區(qū)403和404被形成為具有不同的尺寸。因此，η型區(qū)403和404通過光電轉(zhuǎn)換產(chǎn)生不同的電流，因此用作具有不同靈敏度的光電轉(zhuǎn)換器1和2。第一光電轉(zhuǎn)換器1的光接收部分的面積和第二光電轉(zhuǎn)換器2的光接收部分的面積彼此不同，因此它們以不同的靈敏度將光轉(zhuǎn)換成電流。如上所述，從發(fā)射極6輸出由η型區(qū)403產(chǎn)生的信號，從發(fā)射極8輸出由η型區(qū)404產(chǎn)生的信號，并且同時，從電流相加器9輸出由η型區(qū)403產(chǎn)生的信號和由η型區(qū)404產(chǎn)生的信號的和信號。與第一和第二實施例相比，這使得可以使光電轉(zhuǎn)換器件的光檢測范圍進(jìn)一步變寬。(第四實施例)圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖。參考圖8，附圖標(biāo)記3到9表示與圖1中相同的元件。再次參考圖8，附圖標(biāo)記500表示光電轉(zhuǎn)換器1和2的截面。η型阱502被形成在ρ型半導(dǎo)體襯底501上。ρ型區(qū)503被布置在η型阱502中，由此形成用作第二光電轉(zhuǎn)換器2的ρη結(jié)光電二極管。ρ型區(qū)503經(jīng)由ρ+型區(qū)域504和505與第二電流放大器4連接。η型區(qū)506被布置在ρ型區(qū)503上。ρ型區(qū)507被布置在η型區(qū)506上，并且η型區(qū)510被布置在ρ型區(qū)507上，由此形成用作第一光電轉(zhuǎn)換器1的ρη結(jié)光電二極管。ρ型區(qū)507經(jīng)由ρ+型區(qū)域508和509與第一電流放大器3連接。η型阱502和η型區(qū)510與電源電位節(jié)點連接。注意，ρ型區(qū)503和507被形成在ρ型半導(dǎo)體襯底501中的不同深度處，并且因此能夠針對不同波長帶中的光束來獲得信號。第一光電轉(zhuǎn)換器1和第二光電轉(zhuǎn)換器2被設(shè)置在ρ型半導(dǎo)體襯底501中的不同深度處，并且因此以不同的靈敏度將光轉(zhuǎn)換成電流。如上所述，能夠分別由發(fā)射極8和6以及電流相加器9來獲得由深區(qū)域中的第二光電轉(zhuǎn)換器2產(chǎn)生的信號、由淺區(qū)域中的第一光電轉(zhuǎn)換器1產(chǎn)生的信號以及由兩個光電轉(zhuǎn)換器1和2產(chǎn)生的信號的和信號。與第一到第三實施例相比，這使得可以使光電轉(zhuǎn)換器件的光檢測范圍進(jìn)一步變寬。在本實施例中，檢測來自具有不同深度的區(qū)域的信號。因此，在高照度時，能夠利用不同顏色信號作為白平衡信息。(第五實施例)圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明第五實施例的光電轉(zhuǎn)換器件的示意性電路圖。參考圖9，附圖標(biāo)記1到9表示與圖1中相同的元件。第五實施例中的光電轉(zhuǎn)換器件包括對數(shù)轉(zhuǎn)換器14和信號蓄積器15。對數(shù)轉(zhuǎn)換器14包括對數(shù)轉(zhuǎn)換電路14a、14b和14c。信號蓄積器15包括信號蓄積電路15a、Mb和15c。對數(shù)轉(zhuǎn)換電路Ha對來自發(fā)射極6的電流進(jìn)行對數(shù)轉(zhuǎn)換，并且將對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號輸出到信號蓄積電路15a。信號蓄積電路1 蓄積由對數(shù)轉(zhuǎn)換電路Ha對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號。對數(shù)轉(zhuǎn)換電路14b對從電流相加器9輸出的電流進(jìn)行對數(shù)轉(zhuǎn)換，并且將對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號輸出到信號蓄積電路15b。信號蓄積電路1 蓄積由對數(shù)轉(zhuǎn)換電路14b對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號。對數(shù)轉(zhuǎn)換電路Hc對來自發(fā)射極8的電流進(jìn)行對數(shù)轉(zhuǎn)換，并且將對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號輸出到信號蓄積電路15c。信號蓄積電路15c蓄積由對數(shù)轉(zhuǎn)換電路14c對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號。圖10示出對數(shù)轉(zhuǎn)換電路14a、14b和Hc中的每一個的詳細(xì)電路的示例。對數(shù)轉(zhuǎn)換電路600與對數(shù)轉(zhuǎn)換電路14a、14b和14c中的每一個對應(yīng)，并且包括晶體管601、602和603以及恒流源604。經(jīng)由輸入線605輸入來自電流放大器3或4或者電流相加器9的信號，并且經(jīng)由輸出線606輸出對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號。對數(shù)轉(zhuǎn)換電路600對來自輸入線605的信號進(jìn)行對數(shù)轉(zhuǎn)換，并且將對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號輸出到輸出線606。圖11示出信號蓄積電路15a、15b和15c中的每一個的詳細(xì)電路的示例。信號蓄積電路700與信號蓄積電路15a、1 和15c中的每一個對應(yīng)，并且包括晶體管702和703以及蓄積電容701。在通過控制端子705的電壓而使晶體管702保持導(dǎo)通時，在蓄積電容701中蓄積從對數(shù)轉(zhuǎn)換電路600輸出的信號704。因此，基于由光電轉(zhuǎn)換器1或2產(chǎn)生的電流的光的時間蓄積信號被保持在蓄積電容701中，并且能夠在通過控制端子706的電壓來使晶體管703導(dǎo)通時作為電壓信號707而被提取。該實施例能夠提供能夠通過對數(shù)轉(zhuǎn)換來有效地獲得寬的光檢測范圍的光電轉(zhuǎn)換器件。根據(jù)第一到第五實施例，在低照度時使用由電流相加器9到11中的一個獲得的和電流，并且在高照度時使用來自第一電流放大器3和/或第二電流放大器4中的每一個的發(fā)射極的電流，由此使得可以使光檢測范圍變寬。
雖然在上述第一到第五實施例中已經(jīng)以其中來自兩個光電轉(zhuǎn)換器1和2的信號由電流相加器9、10和11中的一個相加的情況為例，但是本發(fā)明不限于此。在例如來自三個或更多個光電轉(zhuǎn)換器的信號由電流相加器相加時，也能夠獲得相同的效果。此外，雖然在上述實施例中已經(jīng)以其中電流放大器3和4中的每一個包括兩個發(fā)射極的情況為例，但是本發(fā)明不限于此。在例如每個電流放大器包括三個或更多個發(fā)射極并且改變要用于相加的光電轉(zhuǎn)換器的組合時，也能夠獲得相同的效果。此外，雖然在上述實施例中已經(jīng)以其中電流相加器9 11使用雙極晶體管的情況為例，但是在它們使用MOS場效應(yīng)晶體管時也能夠獲得相同的效果。注意，所有上述實施例僅僅給出了實際上實踐本發(fā)明的示例，并且不能被解釋為限制本發(fā)明的技術(shù)范圍。也就是說，在不脫離本發(fā)明的主要特征或技術(shù)概念的情況下能夠以各種形式實踐本發(fā)明。能夠?qū)⒌谝坏降谖鍖嵤├M合成各種形式。雖然已經(jīng)參考示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限于所公開的示例性實施例。以下權(quán)利要求的范圍將被給予最寬的解釋從而包括所有這樣的修改、等同的結(jié)構(gòu)與功能。
權(quán)利要求
1.一種光電轉(zhuǎn)換器件，包括將光轉(zhuǎn)換成電流的第一光電轉(zhuǎn)換器；將光轉(zhuǎn)換成電流的第二光電轉(zhuǎn)換器；第一雙極晶體管，所述第一雙極晶體管將從第一光電轉(zhuǎn)換器輸入到第一雙極晶體管的基極的電流放大，并且從第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流；第二雙極晶體管，所述第二雙極晶體管將從第二光電轉(zhuǎn)換器輸入到第二雙極晶體管的基極的電流放大，并且從第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流；以及電流相加器，所述電流相加器將來自第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的一個發(fā)射極的電流與來自第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的一個發(fā)射極的電流相加，由此獲得和電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的另一發(fā)射極輸出放大后的電流，第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的另一發(fā)射極輸出放大后的電流，并且所述電流相加器輸出所述和電流。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中所述電流相加器響應(yīng)于相加指示而輸出所述和電流，并且響應(yīng)于非相加指示而輸出來自第一雙極晶體管和第二雙極晶體管中的一個的多個發(fā)射極中的所述一個發(fā)射極的電流。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中第一光電轉(zhuǎn)換器和第二光電轉(zhuǎn)換器以不同的靈敏度將光轉(zhuǎn)換成電流。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中第一光電轉(zhuǎn)換器的光接收部分的面積和第二光電轉(zhuǎn)換器的光接收部分的面積彼此不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的光電轉(zhuǎn)換器件，其中第一光電轉(zhuǎn)換器和第二光電轉(zhuǎn)換器被設(shè)置在半導(dǎo)體襯底中的不同深度處。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電轉(zhuǎn)換器件，還包括對數(shù)轉(zhuǎn)換器，所述對數(shù)轉(zhuǎn)換器對來自第一雙極晶體管的所述另一發(fā)射極的電流、來自第二雙極晶體管的所述另一發(fā)射極的電流和從所述電流相加器輸出的電流進(jìn)行對數(shù)轉(zhuǎn)換；以及信號蓄積器，所述信號蓄積器蓄積由所述對數(shù)轉(zhuǎn)換器對數(shù)轉(zhuǎn)換后的信號。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光電轉(zhuǎn)換器件，其具有將光轉(zhuǎn)換成電流的第一光電轉(zhuǎn)換器；將光轉(zhuǎn)換成電流的第二光電轉(zhuǎn)換器；第一雙極晶體管，所述第一雙極晶體管將從第一光電轉(zhuǎn)換器輸入到第一雙極晶體管的基極的電流放大，并且從第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流；第二雙極晶體管，所述第二雙極晶體管將從第二光電轉(zhuǎn)換器輸入到第二雙極晶體管的基極的電流放大，并且從第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的每一個發(fā)射極輸出放大后的電流；以及電流相加器，所述電流相加器將來自第一雙極晶體管的多個發(fā)射極中的一個發(fā)射極的電流與來自第二雙極晶體管的多個發(fā)射極中的一個發(fā)射極的電流相加，由此獲得和電流。
文檔編號H04N5/369GK102572310SQ20111031063
公開日2012年7月11日 申請日期2011年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年10月14日
發(fā)明者黑田享裕 申請人:佳能株式會社