專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示裝置和顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置和顯示裝置的制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及使用有機(jī)電致發(fā)光(EL)元件的自發(fā)光型顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，作為替代液晶顯示器的顯示裝置，使用有機(jī)EL元件的有機(jī)EL顯示器正為人所關(guān)注。有機(jī)EL顯示器是這樣的自發(fā)光型顯示器，其中，響應(yīng)于對(duì)有機(jī)材料的電流施加， 該有機(jī)材料自身發(fā)光。有機(jī)EL顯示器具有如下的優(yōu)良特性無(wú)需背光、優(yōu)良的顏色再現(xiàn)性、 高對(duì)比度、適應(yīng)動(dòng)畫(huà)的響應(yīng)性、廣視角等。同時(shí)，有機(jī)EL顯示器會(huì)由于吸濕而使有機(jī)EL元件的有機(jī)層劣化，從而存在例如有機(jī)EL元件的發(fā)光亮度下降、發(fā)光變得不穩(wěn)定等問(wèn)題。對(duì)于有機(jī)EL顯示器，提出了一種有源矩陣系統(tǒng)，其中為每個(gè)像素設(shè)置作為開(kāi)關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)，且控制包括在像素中的有機(jī)EL元件。在此有源矩陣系統(tǒng)的有機(jī)EL顯示器中，具有平坦面的有機(jī)絕緣膜形成為位于TFT 上方的層，且在有機(jī)絕緣膜的平坦面上，多個(gè)有機(jī)EL元件形成為矩陣。該有機(jī)絕緣膜具有透水性。如果水由于該有機(jī)絕緣膜而擴(kuò)散至設(shè)置了有機(jī)EL元件的顯示區(qū)域P，則有機(jī)EL元件會(huì)劣化并發(fā)生顯示失敗等問(wèn)題。已提出了各種防止水?dāng)U散至顯示區(qū)域P的技術(shù)。例如，日本專(zhuān)利公開(kāi)第 2006-0M111號(hào)(后稱(chēng)專(zhuān)利文獻(xiàn)1)提出了一種提供圍繞顯示區(qū)域的分離部的技術(shù)。在該技術(shù)中，通過(guò)分離部可防止殘留在外圍區(qū)域的水進(jìn)入顯示區(qū)域。例如，日本專(zhuān)利公開(kāi)第 2005-266667號(hào)(后稱(chēng)專(zhuān)利文獻(xiàn)幻提出了一種在設(shè)置于外圍區(qū)域的下部電極上設(shè)置達(dá)到第一絕緣膜的孔來(lái)排出包含在絕緣膜中的水等的技術(shù)。在從密封板側(cè)提取光、具有頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL顯示器中，光提取側(cè)的電極 (上部電極)是各有機(jī)EL元件共用的電極，且是用諸如銦錫氧化物(ITO)的透光性導(dǎo)電材料來(lái)形成的。然而，這樣的透光性導(dǎo)電材料的電阻率比普通金屬材料的電阻率高出二或三個(gè)數(shù)量級(jí)。因此，施加在上部電極上的電壓在面內(nèi)不均勻，導(dǎo)致在各有機(jī)EL元件之間產(chǎn)生了不同位置上的發(fā)光亮度差異以及顯示質(zhì)量降低的問(wèn)題。為了解決該問(wèn)題，例如，日本專(zhuān)利公開(kāi)第2004-207217號(hào)(后稱(chēng)為專(zhuān)利文獻(xiàn)3)提出了在與陽(yáng)極相同的層上形成與陰極相連接的電源輔助配線的技術(shù)。在此技術(shù)中，與第一電極在同一層的電源輔助配線連接至顯示區(qū)域外，且陰極和電源輔助配線也在顯示區(qū)域內(nèi)相連接。因此，穩(wěn)定了陰極電壓。
在專(zhuān)利文獻(xiàn)3的技術(shù)中，使用AlNd合金作為陽(yáng)極材料以確保陽(yáng)極的高反射率，而使用透光性的MgiVg合金用于陰極。然而，在AlNd合金的表面很容易生成自然氧化膜。這增加了陰極和由與陽(yáng)極相同的材料構(gòu)成的電源輔助配線之間的接觸電阻，從而出現(xiàn)了陰極與電源輔助配線之間的電連接變得不穩(wěn)定的問(wèn)題。為解決這一問(wèn)題，PCT專(zhuān)利公開(kāi)第W02007/148540號(hào)說(shuō)明書(shū)中(后稱(chēng)專(zhuān)利文獻(xiàn)4) 提出了將陰極與作為第二金屬層(其形成用TFT構(gòu)成的電路的信號(hào)線和電源線)的Ti/Al/ Ti多層膜接觸，且陰極通過(guò)Ti與作為輔助配線的AlNd合金連接的技術(shù)。具體地，在該技術(shù)中，如圖觀所示，由Ti/Al/Ti多層膜形成的接觸墊225電連接至由AlNd合金組成的輔助配線214。此外，由MgAg合金組成的陰極218電連接至接觸墊 225。從而，輔助配線214與陰極218通過(guò)接觸墊225彼此電連接。為了形成該連接結(jié)構(gòu)，在平坦化絕緣膜213上形成了用于將輔助配線214引導(dǎo)至下層的開(kāi)口。在開(kāi)口限定絕緣膜216上形成用于將陰極218引導(dǎo)至下層的開(kāi)口。此外，為了防止沿該開(kāi)口的內(nèi)壁面形成的陰極218因梯級(jí)而破裂，開(kāi)口限定絕緣膜216的開(kāi)口尺寸設(shè)為比平坦化絕緣膜213的開(kāi)口尺寸大。因此，平坦化絕緣膜213的平坦面局部具有未被開(kāi)口限定絕緣膜216覆蓋的暴露面。陰極218沿著此暴露面以及平坦化絕緣膜213的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成。例如，如日本專(zhuān)利公開(kāi)第2002-116715號(hào)(后稱(chēng)為專(zhuān)利文獻(xiàn)5)和日本專(zhuān)利公開(kāi)第 2001-160486號(hào)(后稱(chēng)為專(zhuān)利文獻(xiàn)6)中所述，諸如聚苯并唑或聚酰亞胺的光敏樹(shù)脂被用作開(kāi)口限定絕緣膜216和平坦化絕緣膜213的材料。在涂覆光敏樹(shù)脂后，開(kāi)口形成部被暴露出來(lái)，且暴露部分被去除液去除。從而，形成了開(kāi)口限定絕緣膜216的開(kāi)口和平坦化絕緣膜 213的開(kāi)口。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述的技術(shù)中，水不僅殘留在外圍區(qū)域的有機(jī)絕緣膜中，還殘留在顯示區(qū)域的有機(jī)絕緣膜中。因此，僅僅防止殘留在外圍區(qū)域的有機(jī)絕緣膜中的水進(jìn)入顯示區(qū)域還不夠。因此，專(zhuān)利文獻(xiàn)1中所述的技術(shù)存在因殘留在顯示區(qū)域的有機(jī)絕緣膜中的水而引發(fā)暗點(diǎn)、陰極的變質(zhì)等問(wèn)題，并且無(wú)法獲得長(zhǎng)期可靠性。如果進(jìn)行燒成處理，則專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述的技術(shù)是有效的。然而，在該技術(shù)中，外圍區(qū)域的水無(wú)法充分地去除，并且無(wú)法獲得長(zhǎng)期可靠性。專(zhuān)利文獻(xiàn)4所述的技術(shù)具有平坦化絕緣膜213的開(kāi)口的內(nèi)壁面和平坦化絕緣膜 213的平坦面的暴露面直接與陰極218接觸的結(jié)構(gòu)。因此，由于殘留在平坦化絕緣膜213中的水滲透至陰極218以及從平坦化絕緣膜213的排氣，陰極218發(fā)生劣化，結(jié)果造成顯示特性下降。此外，在專(zhuān)利文獻(xiàn)4所述的技術(shù)中，當(dāng)在形成開(kāi)口限定絕緣膜216的開(kāi)口時(shí)光敏樹(shù)脂的暴露部分被移除時(shí)，與移除部分相對(duì)應(yīng)的位置處的平坦化絕緣膜213的開(kāi)口的內(nèi)壁面受損，從而平坦化絕緣膜213的開(kāi)口的內(nèi)壁面產(chǎn)生了凹凸。在專(zhuān)利文獻(xiàn)4所述的技術(shù)中，陰極218沿著產(chǎn)生凹凸的內(nèi)壁面形成。因此，陰極 218有可能因凹凸的影響而斷路。如果陰極218斷路，則該斷路部分周?chē)囊恍┫袼貢?huì)發(fā)生電壓降，電壓降在視覺(jué)上識(shí)別為陰影。
本發(fā)明需要提供一種可抑制由于殘留在有機(jī)絕緣膜中的水的擴(kuò)散以及從平坦化絕緣膜的排氣而引起的顯示特性的劣化的顯示裝置和該顯示裝置的制造方法。本發(fā)明還需要提供可通過(guò)抑制電極的斷路來(lái)抑制顯示特性的劣化的顯示裝置和該顯示裝置的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，提供了一種顯示裝置，包括基板；電路部，被配置為形成于基板上并包括驅(qū)動(dòng)元件；平坦化絕緣層，被配置為形成于該電路部上。顯示裝置還包括導(dǎo)電層，被配置為形成于平坦化絕緣層上且包括多個(gè)第一電極和輔助配線；以及開(kāi)口限定絕緣層，被配置為使多個(gè)第一電極相互絕緣且具有使第一電極的一部分暴露的開(kāi)口。 顯示裝置還包括多個(gè)發(fā)光元件，被配置為在多個(gè)第一電極的每一個(gè)的暴露部分由第一電極、包括發(fā)光層的有機(jī)層、以及對(duì)于多個(gè)發(fā)光元件共有的第二電極依次堆疊而形成，以及分離部，被配置為通過(guò)在設(shè)置了連接至驅(qū)動(dòng)元件的多個(gè)發(fā)光元件的顯示區(qū)域周?chē)奈恢锰幰瞥教够^緣層而形成。在該顯示裝置中，在分離部?jī)?nèi)的整個(gè)區(qū)域中，導(dǎo)電層和開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)介于平坦化絕緣層和第二電極之間、以及平坦化絕緣層和有機(jī)層之間。一般地，優(yōu)選第一實(shí)施方式的顯示裝置具備如下構(gòu)造。具體地，顯示裝置還包括接觸部，被配置為由與包括在驅(qū)動(dòng)元件中的金屬層相同的層形成且將輔助配線與第二電極電連接。在平坦化絕緣層中，在接觸部上形成了用于將在平坦化絕緣層上形成的輔助配線引導(dǎo)至下層的開(kāi)口。平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線和開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)覆蓋。根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式，提供了一種顯示裝置的制造方法。該方法包括以下步驟在基板上形成包括驅(qū)動(dòng)元件的電路部，在電路部上形成平坦化絕緣層，以及在形成了連接至驅(qū)動(dòng)元件的多個(gè)發(fā)光元件的顯示區(qū)域外的區(qū)域中、通過(guò)在顯示區(qū)域周?chē)奈恢锰幰瞥教够^緣層而形成分離部。此方法還包括以下步驟在平坦化絕緣層上形成包括多個(gè)第一電極和輔助配線的導(dǎo)電層，形成使各第一電極相互絕緣且具有使第一電極的一部分暴露的開(kāi)口的開(kāi)口限定絕緣層，并且通過(guò)在多個(gè)第一電極的每一個(gè)的暴露部分由第一電極、 包括發(fā)光層的有機(jī)層、以及對(duì)于多個(gè)發(fā)光元件共有的第二電極依次堆疊而形成多個(gè)發(fā)光元件。在該方法中，在形成導(dǎo)電層、形成開(kāi)口限定絕緣層、形成發(fā)光元件的過(guò)程中，導(dǎo)電層、開(kāi)口限定絕緣層及多個(gè)發(fā)光元件形成為使得在分離部?jī)?nèi)的整個(gè)區(qū)域中，導(dǎo)電層和開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)介于平坦化絕緣層和第二電極、以及平坦化絕緣層和有機(jī)層之間。—般地，優(yōu)選第二實(shí)施方式的方法具有如下構(gòu)造。具體地說(shuō)，在形成電路部的過(guò)程中，通過(guò)使用與包括在驅(qū)動(dòng)元件中的金屬層相同的層來(lái)形成將輔助配線和第二電極電連接的接觸部。在形成平坦化絕緣層的過(guò)程中，在接觸部上形成用于將形成于平坦化絕緣層之上的輔助配線引導(dǎo)至下層的開(kāi)口。在形成導(dǎo)電層和形成開(kāi)口限定絕緣層的過(guò)程中，輔助配線和開(kāi)口限定絕緣層形成為使得平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線和開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)覆蓋。本發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式具有這樣的構(gòu)造，其中，在分離部?jī)?nèi)的整個(gè)區(qū)域中， 導(dǎo)電層和開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)介于平坦化絕緣層和第二電極之間、以及平坦化絕緣層和有機(jī)層之間。此構(gòu)造能抑制因殘留在平坦化絕緣層的水的擴(kuò)散以及從平坦化絕緣層的排氣而導(dǎo)致的顯示特性的劣化。一般地，在本發(fā)明的第一和第二實(shí)施方式中，采用以下構(gòu)造。具體地說(shuō)，提供由與包括在驅(qū)動(dòng)元件中的金屬層相同的層形成并且將輔助配線與第二電極電連接的接觸部。在平坦化絕緣層中，在接觸部上，形成了用于將形成在平坦化絕緣層之上的輔助配線引導(dǎo)至下層的開(kāi)口。此外，平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線和開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)覆蓋。該構(gòu)造能抑制電極的斷路以及顯示特性的劣化。本發(fā)明的實(shí)施方式能抑制因殘留在平坦化絕緣層的水的擴(kuò)散以及從平坦化絕緣層的排氣而導(dǎo)致的顯示特性的劣化。此外，本發(fā)明的實(shí)施方式能抑制電極的斷路以及顯示特性的劣化。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖2是示出了顯示區(qū)域的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖3A與圖;3B是示出了第一電極、輔助配線等的構(gòu)造的平面圖。圖4是示出了連接接觸狀態(tài)的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖5是示出了顯示區(qū)域的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖6是示出了顯示區(qū)域的構(gòu)造實(shí)例的放大截面圖。圖7是示出了接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖8是示出了接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖9是示出了現(xiàn)有技術(shù)的接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖10是示出了現(xiàn)有技術(shù)的接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖11是示出了現(xiàn)有技術(shù)的接觸設(shè)置部的第二電極的斷路狀態(tài)的截面圖。圖12是示出了顯示區(qū)域及外圍區(qū)域的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖13是示出了分離部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖14A至圖14C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖15A至圖15C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖16A至圖16C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖17A至圖17C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖18是示出了接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖19是示出了接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖20A至圖20C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖21A至圖21C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖22是示出了接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的平面圖。圖23是示出了接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖24A至圖24C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖25A至圖25C是說(shuō)明顯示裝置的制造方法的截面圖。圖沈是說(shuō)明分離部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。圖27是通過(guò)總結(jié)試驗(yàn)例的結(jié)果而得到的圖。圖觀是示出了現(xiàn)有的接觸設(shè)置部的構(gòu)造實(shí)例的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下將參照附圖來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。下述的實(shí)施方式是本發(fā)明的具體實(shí)例，并都被給予各種技術(shù)上優(yōu)選的限制。然而，只要在下文中沒(méi)有特殊說(shuō)明來(lái)限制本發(fā)明， 本發(fā)明的范圍不限于這些實(shí)施方式。說(shuō)明的順序如下。在實(shí)施方式的所有圖中，相同或相應(yīng)的部分都以相同的符號(hào)或數(shù)字標(biāo)記。1.第一實(shí)施方式(顯示裝置的第一例)2.第二實(shí)施方式(顯示裝置的第二例)3.第三實(shí)施方式(顯示裝置的第三例)4.第四實(shí)施方式(顯示裝置的第四例)5.其他實(shí)施方式(修改例)1.第一實(shí)施方式<顯示裝置的構(gòu)造>以下說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)造。圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置的構(gòu)造的平面圖。此顯示裝置是有源矩陣顯示裝置，其中作為開(kāi)關(guān)元件的TFT與配置為矩陣的有機(jī)EL元件的每一個(gè)相連接，且每個(gè)有機(jī)EL元件的發(fā)光由TFT來(lái)控制。圖1中，被雙點(diǎn)劃線圍繞的顯示區(qū)域P是將發(fā)出紅(R)、綠(G)和藍(lán)⑶光的有機(jī) EL元件配置成矩陣的區(qū)域。一個(gè)有機(jī)EL元件形成一個(gè)子像素。發(fā)出R光的有機(jī)EL元件形成R子像素。發(fā)出G光的有機(jī)EL元件形成G子像素。發(fā)出B光的有機(jī)EL元件形成B子像素。R子像素、G子像素和B子像素形成一個(gè)像素。圍繞顯示區(qū)域P的外圍區(qū)域Q是設(shè)置例如發(fā)送掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)至有機(jī)EL元件的驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域。在外圍區(qū)域Q的內(nèi)部或端部以圍繞顯示區(qū)域P的方式設(shè)置用來(lái)分隔設(shè)置在TFT上的平坦化絕緣膜的分離部91。通過(guò)此分離部91，平坦化絕緣膜被分隔成在分離部91內(nèi)部的區(qū)域中的平坦化絕緣膜13與在分離部91外部的區(qū)域的平坦化絕緣膜。此分離部91能抑制分離部91外部的區(qū)域中的平坦化絕緣膜上的水通過(guò)平坦化絕緣膜進(jìn)入顯示區(qū)域P?！达@示區(qū)域〉下面說(shuō)明顯示區(qū)域P的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。圖2是在圖1中被虛線圍繞的作為顯示區(qū)域P 的一部分的區(qū)域90的放大平面圖。圖3A是示出了第一電極1 與輔助配線14b的構(gòu)造的平面圖。圖:3B是示出了包括TFT的電路構(gòu)造的平面圖。圖2中所示的開(kāi)口 31是形成于平坦化絕緣膜上的開(kāi)口限定絕緣膜中的開(kāi)口。通過(guò)在由該開(kāi)口 31暴露的第一電極Ha上堆疊有機(jī)層17與第二電極18來(lái)形成有機(jī)EL元件 21。在顯示區(qū)域P內(nèi)，發(fā)出R光的有機(jī)EL元件21R、發(fā)出G光的有機(jī)EL元件21G和發(fā)出B 光的有機(jī)EL元件2IB被并置在一起。如圖3A所示，輔助配線14b形成于與第一電極Ha相同的金屬層中，且以圍繞包括在有機(jī)EL元件21中的第一電極14a的點(diǎn)陣形式進(jìn)行設(shè)置。以點(diǎn)陣形式設(shè)置的輔助配線 14b在顯示區(qū)域P中相互連接且在整個(gè)顯示區(qū)域中均勻地形成。第一電極Ha與輔助配線 14b被開(kāi)口限定絕緣膜分隔從而彼此電絕緣。輔助配線14b與設(shè)置在圖2所示的接觸設(shè)置部50中的接觸墊相連接，且輔助配線14b與第二電極通過(guò)接觸墊彼此電連接。輔助配線14b在整個(gè)顯示區(qū)域中均勻地形成，且輔助配線14b與第二電極18間的電連接使其可以抑制第二電極18的平面內(nèi)的電位變化。接觸設(shè)置部50的詳細(xì)結(jié)構(gòu)將在后面介紹。如圖;3B所示，構(gòu)成了包括TFT的電路。該電路通過(guò)由TFT形成的驅(qū)動(dòng)晶體管41a 與寫(xiě)晶體管41b、積蓄電容四、掃描線25a、信號(hào)線25b、電源控制線25c等構(gòu)成。通過(guò)連接觸點(diǎn)48a至48f，形成驅(qū)動(dòng)晶體管41a與寫(xiě)晶體管41b等的柵電極的第一金屬層23'電連接至形成掃描線25a、信號(hào)線25b、電源控制線25c等的第二金屬層25。通過(guò)連接觸點(diǎn)觀，第二金屬層25電連接至形成第一電極1 和輔助配線14b的第三金屬層。具體地說(shuō)，如圖4所示(沿圖2中b-b'線的截面圖)，形成于柵絕緣膜22上的第二金屬層25局部具有未被鈍化膜26和平坦化絕緣膜13覆蓋的暴露面。此暴露面通過(guò)形成在平坦化絕緣膜13上的開(kāi)口連接至形成于平坦化絕緣膜13上的第一電極1 (第三金屬層)。圖5示出了沿圖2(平面圖)中a-a'線的截面圖。如圖5所示，基板11上存在形成有包括TFT的電路的電路形成層12，且平坦化絕緣膜13形成于該電路形成層12上。在平坦化絕緣膜13上形成了配置成矩陣的第一電極14a以及設(shè)置在第一電極Ha周?chē)妮o助配線14b。第一電極1 上的開(kāi)口限定絕緣膜16具有與配置成矩陣的第一電極1 相匹配的開(kāi)口 31。通過(guò)在由開(kāi)口 31暴露的第一電極14a上堆疊有機(jī)層17和第二電極18來(lái)形成有機(jī)EL元件21。在顯示區(qū)域P中，除了保護(hù)層19與密封基板20，平坦化絕緣膜13上的層具有第一電極14a/有機(jī)層17/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，這些層還具有輔助配線14b/開(kāi)口限定絕緣膜16/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)，以及輔助配線14b/開(kāi)口限定絕緣膜16/有機(jī)層 17/第二電極18(未示出)的堆疊結(jié)構(gòu)。另外，這些層還具有開(kāi)口限定絕緣膜16/第二電極 18(未示出)的堆疊結(jié)構(gòu)以及開(kāi)口限定絕緣膜16/有機(jī)層17/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，顯示區(qū)域P包括第一電極14a或開(kāi)口限定絕緣膜16介于有機(jī)層17與平坦化絕緣膜13之間的結(jié)構(gòu)。此外，顯示區(qū)域P包括第一電極1 與堆疊在第一電極Ha 上的有機(jī)層17介于第二電極18與平坦化絕緣膜13之間的結(jié)構(gòu)。另外，顯示區(qū)域P包括輔助配線14b與堆疊在輔助配線14b上的開(kāi)口限定絕緣膜16介于第二電極18與平坦化絕緣膜13之間的結(jié)構(gòu)。而且，顯示區(qū)域P包括輔助配線14b和堆疊在輔助配線14b上的開(kāi)口限定絕緣膜16以及堆疊在開(kāi)口限定絕緣膜16上的有機(jī)層17介于第二電極18與平坦化絕緣膜13之間的結(jié)構(gòu)。此外，顯示區(qū)域P具有開(kāi)口限定絕緣膜16介于第二電極18與平坦化絕緣膜13之間的結(jié)構(gòu)。另外，顯示區(qū)域P具有開(kāi)口限定絕緣膜16與堆疊在開(kāi)口限定絕緣膜 16上的有機(jī)層17介于第二電極18與平坦化絕緣膜13之間的結(jié)構(gòu)。通過(guò)這些結(jié)構(gòu)，可抑制包含在平坦化絕緣膜13中的水?dāng)U散至有機(jī)層17與第二電極18，且可抑制有機(jī)層17和第二電極18的劣化。此外，還可抑制有機(jī)層17與第二電極18因從平坦化絕緣膜13的排氣而劣化。圖6是圖5中區(qū)域S的放大截面圖。如圖6所示，第一電極Ha形成于平坦化絕緣膜13上。如上所述，第一電極1 形成為矩陣。以具有與第一電極14a的位置相匹配的開(kāi)口 31的方式形成開(kāi)口限定絕緣膜16。在開(kāi)口 31中，在由開(kāi)口限定絕緣膜16暴露的第一電極Ha上依次堆疊有機(jī)層17和第二電極18，從而形成有機(jī)EL元件21。[第一電極]
第一電極1 是向包括在有機(jī)層17中的發(fā)光層(未示出)注入空穴的電極(陽(yáng)極)，且被圖樣化為平坦化絕緣膜13上的矩陣。第一電極Ha用作反射來(lái)自發(fā)光層的光并將其引到上側(cè)的反射電極。作為第一電極Ha的材料，可使用具有高反射率的材料，具體地說(shuō)，例如Al或主要由Al組成的合金，諸如AlNd合金或AlCe。這樣的第一電極的材料具有表面易被氧化的特性(表面氧化特性)。[有機(jī)層]盡管未在圖中示出，有機(jī)層17具有例如通過(guò)從第一電極Ha側(cè)起依次堆疊空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層所獲得的結(jié)構(gòu)。空穴注入層是被設(shè)置為順利地從第一電極Ha接收空穴的層?？昭▊鬏攲邮潜辉O(shè)置為將空穴順利地轉(zhuǎn)移至發(fā)光層的層。電子傳輸層是從第二電極18接收電子并將電子傳輸至發(fā)光層的層。作為有機(jī)層17各層的材料， 可隨意使用適合各層功能的有機(jī)材料。在有機(jī)EL元件21中，響應(yīng)于在第一電極Ha與第二電極18間必要的電壓-電流的施加，來(lái)自第一電極14a的空穴與來(lái)自第二電極18的電子被注入發(fā)光層，空穴與電子在發(fā)光層中再結(jié)合，從而發(fā)出光。在有機(jī)EL元件21的發(fā)光過(guò)程中，發(fā)出與有機(jī)層17的材料相對(duì)應(yīng)的顏色的光。[第二電極]第二電極18是向發(fā)光層注入電子的電極(陰極)。多個(gè)有機(jī)EL元件21的第二電極18彼此連接并作為各有機(jī)EL元件21的共有電極。第二電極18允許來(lái)自發(fā)光層的光從其通過(guò)并將光輸出至上側(cè)。因此，它是透明或半透明的電極。作為第二電極18的材料，使用透明或半透明的材料。這種材料的實(shí)例包括諸如ITO和IZO的透明材料以及諸如MgAg 合金、Cu、Ag、Mg和Al的半透明材料。[平坦化絕緣膜]平坦化絕緣膜13是用于將層結(jié)構(gòu)平坦化并在其上形成有機(jī)EL元件21的薄膜。平坦化絕緣膜13例如由諸如聚酰亞胺樹(shù)脂、聚苯并唑樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚羥基苯乙烯或丙烯酸樹(shù)脂的光敏性絕緣材料組成。[開(kāi)口限定絕緣膜]與平坦化絕緣膜13相同，開(kāi)口限定絕緣膜16例如由諸如聚酰亞胺樹(shù)脂、聚苯并唑樹(shù)脂、酚醛樹(shù)脂、聚羥基苯乙烯或丙烯酸樹(shù)脂的光敏性絕緣材料組成。設(shè)置該開(kāi)口限定絕緣膜16來(lái)確保第一電極和第二電極間的絕緣并限定形成有機(jī)EL元件的區(qū)域。開(kāi)口限定絕緣膜16和平坦化絕緣膜13可用相同或不同的材料組成。在制造步驟等方面，將水、氣體等從開(kāi)口限定絕緣膜16充分地去除，而不從平坦化絕緣膜13上充分去除水、氣體等。因此，即使開(kāi)口限定絕緣膜16同因水、氣體等而劣化的第二電極18和有機(jī)層17接觸也不會(huì)出問(wèn)題。然而，應(yīng)該避免平坦化絕緣膜13同第二電極和有機(jī)層的接觸。[輔助配線]如上所述，輔助配線14b形成于第一電極1 周?chē)⒂糜谝种朴懈唠娮?、透射性的第二電極18的電極電壓的面內(nèi)不均勻性。形成輔助配線14b使其電阻低于第二電極18(例如通過(guò)使用低電阻率的材料)。通過(guò)使用與第一電極Ha相同的金屬層形成輔助配線14b。[電路形成層]在電路形成層12中，形成了作為驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL元件21發(fā)光的驅(qū)動(dòng)元件的TFT。例如，TFT 41可通過(guò)重復(fù)采用CVD與濺射法的膜沉積與采用光刻法的圖樣形成來(lái)形成。TFT 41形成驅(qū)動(dòng)晶體管41a與寫(xiě)晶體管41b。TFT 41通過(guò)由鉬等構(gòu)成的柵電極 23、柵絕緣膜22、由μ c-Si膜36與n+_Si膜37等構(gòu)成的半導(dǎo)體層38、蝕刻塞M、第二金屬層25以及鈍化膜沈構(gòu)成。(第二金屬層)第二金屬層25形成TFT 41的源極和漏極并還用作諸如信號(hào)線25b的配線。該第二金屬層25由與設(shè)置在接觸設(shè)置部50的接觸墊相同的材料組成。具體地說(shuō)，第二金屬層 25例如由具有的表面難以氧化且與第二電極18有良好連接(優(yōu)選歐姆連接)的導(dǎo)電材料構(gòu)成。此外，優(yōu)選第二金屬層25由相對(duì)于第一電極1 和輔助配線14b的材料具有高蝕刻選擇率的材料組成。這是為了防止在蝕刻第一電極Ha和輔助配線14b的過(guò)程中接觸墊也一起被蝕刻。這些材料的更具體的實(shí)例包括Ti、氮化鈦、鎢、鉻、金、鉬、銅、ΙΤ0、ΙΖ0、銀以及主要由任意的這些材料組成的合金?？蛇x地，第二金屬層25可由包括Ti層作為最上層的多層膜形成，諸如 Ti/Al (鋁)、Ti/Al/Ti、Ti/(AlSi 合金)、Ti/(AlSiCu 合金)或 Ti/(AlCe (鈰) 合金)。第二金屬層25的材料根據(jù)第一電極1 和輔助配線14b的材料、蝕刻方法等來(lái)合理地選擇。(鈍化膜)鈍化膜沈用于保護(hù)TFT 41，并通過(guò)使用例如由Si02、SiN及SiON中的至少一種構(gòu)成的絕緣材料來(lái)形成。[保護(hù)層]保護(hù)層19通過(guò)使用由透明電介質(zhì)構(gòu)成的鈍化膜來(lái)形成。Si02、SiN等可用作保護(hù)層19的材料。[密封基板]密封基板20結(jié)合至形成在保護(hù)層19上的粘合層(未示出)上并密封有機(jī)EL元件21。密封基板20由諸如玻璃的透明材料組成?！唇佑|設(shè)置部〉以下說(shuō)明接觸設(shè)置部50。圖7是從上表面?zhèn)扔^察接觸設(shè)置部50所獲得的平面圖。圖7中，被虛線61圍繞的區(qū)域(介于內(nèi)虛線與外虛線之間的區(qū)域)表示形成輔助配線14b的區(qū)域。被線62圍繞的區(qū)域表示鈍化膜沈的去除部分。被線63圍繞的區(qū)域表示平坦化絕緣膜13的去除部分。被線64圍繞的區(qū)域表示開(kāi)口限定絕緣膜16的去除部分。 被粗線65圍繞的區(qū)域表示形成接觸墊51的區(qū)域。圖8是沿圖7中II-IΓ線的截面圖。如圖8所示，柵絕緣膜22堆疊在基板11上， 并且與第二金屬層25在同一層的接觸墊51形成在柵絕緣膜22的部分區(qū)域上。接觸墊51 例如用與第二金屬層25相同的材料、以與第二金屬層25同樣的厚度形成。接觸墊51的形成區(qū)域?qū)?yīng)于圖7中所示的被粗線65圍繞的區(qū)域。在鈍化膜沈中，形成使接觸墊51的一部分暴露的開(kāi)口。此開(kāi)口的形成區(qū)域?qū)?yīng)于圖7中被線62圍繞的區(qū)域。平坦化絕緣膜13中，形成用于將形成于平坦化絕緣膜13上的輔助配線14b連接至接觸墊51的開(kāi)口。此開(kāi)口對(duì)應(yīng)于圖7中被線63圍繞的區(qū)域。輔助配線14b沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的一部分形成至接觸墊51的上表面上。
開(kāi)口限定絕緣膜16沿著輔助配線14b或沿著沒(méi)有形成輔助配線14b的平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成至接觸墊51的上表面上。于是，開(kāi)口限定絕緣膜16形成用于將形成在開(kāi)口限定絕緣膜16上的第二電極18連接至接觸墊51的開(kāi)口。第二電極18均勻地形成在形成此開(kāi)口的表面以及接觸墊51的上表面上。在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b電連接至接觸墊51。此外，第二電極18電連接至接觸墊51。此外，此輔助配線14b通過(guò)接觸墊51電連接至第二電極18。因而，輔助配線 14b通過(guò)接觸墊51電連接至第二電極18，這實(shí)現(xiàn)了與第二電極18的良好連接(優(yōu)選歐姆連接)。因此，即使由易氧化的材料構(gòu)成的輔助配線14b的表面被氧化，也可避免第二電極 18與輔助配線14b之間的接觸電阻增加。在接觸設(shè)置部50中，沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成了依次堆疊輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16所獲得的結(jié)構(gòu)，或沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成了開(kāi)口限定絕緣膜16。也就是說(shuō)，平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層或開(kāi)口限定絕緣膜16這一層覆蓋。這可以避免平坦化絕緣膜13 和第二電極的直接接觸，且能抑制第二電極18和有機(jī)層17因包含在平坦化絕緣膜13內(nèi)的水以及從平坦化絕緣膜13的排氣而產(chǎn)生的劣化。此外，在該接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)中，即使在平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成凹凸，輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層或開(kāi)口限定絕緣膜16這一層也介于此內(nèi)壁面與第二電極18之間。這能減小平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的凹凸的影響，因而可以抑制第二電極18的斷路。也就是說(shuō)，如下所述的現(xiàn)有的接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)存在的問(wèn)題可得以解決。 為了使本發(fā)明更容易理解，接下來(lái)，將說(shuō)明接觸設(shè)置部50的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)及問(wèn)題。[接觸設(shè)置部的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)及問(wèn)題]以下說(shuō)明接觸設(shè)置部50的現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)。圖9是從上表面?zhèn)扔^察接觸設(shè)置部 50所獲得的平面圖。圖9中，被虛線71圍繞的區(qū)域(介于內(nèi)虛線與外虛線之間的區(qū)域)表示輔助配線 14b形成的區(qū)域。被線72圍繞的區(qū)域表示鈍化膜沈的去除部分。被線73圍繞的區(qū)域表示平坦化絕緣膜13的去除部分。被線74圍繞的區(qū)域表示開(kāi)口限定絕緣膜16的去除部分。 被粗線75圍繞的區(qū)域表示形成接觸墊51的區(qū)域。如圖10所示，在開(kāi)口限定絕緣膜16中，形成了用于將設(shè)置在開(kāi)口限定絕緣膜16 的上層上的第二電極18連接至設(shè)置為下層的接觸墊51的開(kāi)口。開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口的尺寸(與圖9中被線74圍繞的區(qū)域相等)設(shè)置為比平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的尺寸(與圖9中被線73圍繞的區(qū)域相等)大。因而，平坦化絕緣膜13的平坦面部分地具有未被開(kāi)口限定絕緣膜16覆蓋的暴露面。輔助配線14b沿著暴露面的一部分與平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的一部分形成至接觸墊51的上表面的一部分上。通過(guò)開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口的內(nèi)壁面、輔助配線14b、平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面、平坦化絕緣膜13的平坦面的暴露面，形成用于將設(shè)置在平坦化絕緣膜13上的第二電極18連接至接觸墊51的開(kāi)口。第二電極18均勻地形成在形成該開(kāi)口的表面與接觸墊51的上表面上。由于這種結(jié)構(gòu)，在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b電連接至接觸墊51。第二電極18電連接至接觸墊51。此外，輔助配線14b通過(guò)接觸墊51電連接至第二電極18。在現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)中，平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面被損壞且在形成開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口的步驟中產(chǎn)生了凹凸。具體地說(shuō)，在用作開(kāi)口限定絕緣膜16的光敏樹(shù)脂被涂覆在平坦化絕緣膜13上后，當(dāng)與開(kāi)口相對(duì)應(yīng)的暴露部分被去除時(shí)，平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面中在與去除部分相對(duì)應(yīng)的位置處因去除液的影響而產(chǎn)生凹凸。如果平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面上產(chǎn)生凹凸，則由于凹凸的影響，如圖11的箭頭所示的部分那樣， 在產(chǎn)生了凹凸的開(kāi)口的內(nèi)壁面上形成的第二電極被斷路。相反，在上述的本發(fā)明的實(shí)施方式的接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)中，平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16覆蓋或被開(kāi)口限定絕緣膜16覆蓋。因而，輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層或開(kāi)口限定絕緣膜這一層介于平坦化絕緣膜 13的開(kāi)口的內(nèi)壁面與第二電極18之間。因而可抑制因平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的凹凸的影響而造成的第二電極的斷路。〈外圍區(qū)域〉以下說(shuō)明外圍區(qū)域Q的構(gòu)造。圖12是沿圖1中III-III'線的截面圖。設(shè)置在顯示區(qū)域P與外圍區(qū)域Q之間的分離部91將平坦化絕緣膜13分隔成顯示區(qū)域P側(cè)的平坦化絕緣膜13與外圍區(qū)域Q側(cè)的平坦化絕緣膜13。因而，外圍區(qū)域Q的平坦化絕緣膜13與在顯示區(qū)域P側(cè)的平坦化絕緣膜13隔離開(kāi)。這能阻止外圍區(qū)域Q中的水通過(guò)平坦化絕緣膜 13進(jìn)入顯示區(qū)域P。在外圍區(qū)域Q中，在電路形成層12中形成了用于向有機(jī)EL元件21發(fā)送掃描信號(hào)與數(shù)據(jù)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路。此外，形成了外圍像素區(qū)域b等。外圍像素區(qū)域b具有與有機(jī)EL 元件21相同的結(jié)構(gòu)，即通過(guò)依次堆疊第一電極14a、有機(jī)層17與第二電極18獲得的結(jié)構(gòu)。 盡管外圍像素區(qū)域b具有與有機(jī)EL元件21相同的結(jié)構(gòu)，實(shí)際上它并不發(fā)光。該外圍像素區(qū)域b可形成于分離部91內(nèi)的外圍區(qū)域Q中。在顯示區(qū)域P外且分離部91內(nèi)、被雙點(diǎn)劃線圍繞的區(qū)域T(該區(qū)域?qū)⒈贿m當(dāng)?shù)胤Q(chēng)作分離部91內(nèi)的外圍區(qū)域Τ)中，在電路形成層12上形成平坦化絕緣膜13。此外，在平坦化絕緣膜13上形成輔助配線14b。此外，在輔助配線14b上形成第二電極18。而且，在平坦化絕緣膜13未形成輔助配線14b的表面上形成開(kāi)口限定絕緣膜16。第二電極18形成在開(kāi)口限定絕緣膜16上。也就是說(shuō)，區(qū)域T包括輔助配線14b這一層介于平坦化絕緣膜13和第二電極18 之間的結(jié)構(gòu)，以及開(kāi)口限定絕緣膜16這一層介于平坦化絕緣膜13和第二電極18之間的結(jié)構(gòu)。此外，區(qū)域T包括輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層介于平坦化絕緣膜13和第二電極18之間的結(jié)構(gòu)。因而，第二電極18并不與平坦化絕緣膜13直接接觸。這能抑制第二電極因包含在平坦化絕緣膜13中的水以及從平坦化絕緣膜13的排氣而產(chǎn)生的劣化。在分離部91內(nèi)的外圍區(qū)域T中，如下地設(shè)置開(kāi)口限定絕緣膜16的面積。具體地說(shuō)，由以下的表達(dá)式1定義的開(kāi)口限定絕緣膜16的覆蓋率設(shè)置成在30%至100%的范圍中的值。(表達(dá)式1)開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率=(分離部?jī)?nèi)的外圍區(qū)域T中開(kāi)口限定絕緣膜的面積/ 分離部?jī)?nèi)的外圍區(qū)域T的面積)X 100%
這是因?yàn)?，若不將開(kāi)口限定絕緣膜16設(shè)計(jì)成滿足上述的條件，就不可能充分抑制因殘留在平坦化絕緣膜13的水的進(jìn)入和從平坦化絕緣膜13的排氣而導(dǎo)致的顯示區(qū)域P中的有機(jī)層17的有機(jī)材料的劣化與第二電極18的材料的變質(zhì)?！捶蛛x部〉下面詳細(xì)說(shuō)明分離部的構(gòu)造。圖13是圖12所示的區(qū)域ρ的放大截面圖。如圖13 所示，在分離部91中，與第二金屬層25在同一層的接觸墊52部分地具有未被平坦化絕緣膜13與鈍化膜沈覆蓋的暴露面。輔助配線14b形成于整個(gè)暴露面上以及形成了分離部91 的平坦化絕緣膜13的表面上。此外，在此輔助配線14b上形成了第二電極18。通過(guò)該分離部91，顯示區(qū)域P中的平坦化絕緣膜13與分離部91外的平坦化絕緣膜13相隔離。這能抑制殘留在分離部91外的外圍區(qū)域Q的平坦化絕緣膜13中的水進(jìn)入顯示區(qū)域P。〈顯示裝置的制造方法〉以下說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法。參考示出形成有機(jī) EL元件21的區(qū)域的形成過(guò)程的圖14和圖16，以及示出接觸設(shè)置部50的形成過(guò)程的圖15 和圖17來(lái)說(shuō)明顯示裝置的制造方法。首先，如圖14A所示，通過(guò)重復(fù)采用CVD法與濺射法的膜沉積以及采用光刻法的圖樣形成在基板11上形成柵電極23、蝕刻塞24、半導(dǎo)體層38及第二金屬層25。在接觸設(shè)置部50中，如圖15A所示，在柵絕緣膜22上形成與第二金屬層25在同一層的接觸墊51。接下來(lái)，如圖14B所示，通過(guò)CVD法形成覆蓋TFT的鈍化膜26。在接觸設(shè)置部50 中，如圖15B所示，通過(guò)采用光刻法去除鈍化膜沈的一部分來(lái)形成使接觸墊51的上表面的一部分暴露的開(kāi)口。然后，如圖14C所示，通過(guò)旋涂法將用作平坦化絕緣膜13的光敏樹(shù)脂涂覆在鈍化膜沈上。在接觸設(shè)置部50中，如圖15C所示，通過(guò)光刻法在平坦化絕緣膜13中形成開(kāi)口以暴露接觸墊51，之后進(jìn)行燒成。同時(shí)，通過(guò)光刻法去除平坦化絕緣膜13的與分離部91相對(duì)應(yīng)的部分，從而形成將平坦化絕緣膜13分隔成顯示區(qū)域P側(cè)的平坦化絕緣膜13與外圍區(qū)域Q側(cè)的平坦化絕緣膜13的分離部91 (省略圖示)。然后，如圖16A所示，通過(guò)濺射及通過(guò)光刻法與蝕刻法圖樣化為預(yù)定的形狀而形成第一電極Ha與輔助配線14b。在接觸設(shè)置部50中，如圖17A所示，圖樣化輔助配線14b 以使其沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的一部分形成至接觸墊51的上表面的一部分上。接下來(lái)，如圖16B所示，通過(guò)旋涂法將作為開(kāi)口限定絕緣膜16的光敏樹(shù)脂涂在第一電極Ha和輔助配線14b上。之后，通過(guò)光刻法在與第一電極1 相匹配的位置處形成開(kāi)口并進(jìn)行燒成。在接觸設(shè)置部50中，如圖17B所示，通過(guò)光刻法，開(kāi)口限定絕緣膜16沿著輔助配線14b而形成至接觸墊51的上表面的一部分上。此外，開(kāi)口限定絕緣膜16沿著平坦化絕緣膜13而形成至接觸墊51的一部分上。然后，如圖16C所示，通過(guò)真空蒸發(fā)在通過(guò)開(kāi)口限定絕緣膜16暴露的第一電極1 上形成有機(jī)層17。例如，通過(guò)依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層來(lái)形成有機(jī)層17(省略圖示)。在此步驟中，對(duì)于發(fā)光層沉積與各發(fā)光顏色相對(duì)應(yīng)的材料。此外，如圖16C所示，通過(guò)真空蒸發(fā)在有機(jī)層17和開(kāi)口限定絕緣膜16上均勻地形成第二電極18。在接觸設(shè)置部50中，如圖17C所示，第二電極18均勻地形成在開(kāi)口限定絕緣膜16和接觸墊51的上表面上。盡管未在圖中示出，隨后通過(guò)真空蒸發(fā)在第二電極18上形成了保護(hù)層19。此外， 通過(guò)在保護(hù)層19上旋涂紫外線固化樹(shù)脂形成粘合層，且密封基板20通過(guò)中間介有粘合層而結(jié)合至保護(hù)層19。通過(guò)上述步驟，可獲得顯示裝置?！从幸嫘Ч翟诟鶕?jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置中，分離部91內(nèi)的區(qū)域具有如下的結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，該區(qū)域包括輔助配線14b這一層介于平坦化絕緣膜13和第二電極18之間的結(jié)構(gòu)。此外，該區(qū)域包括第一電極Ha和有機(jī)層17這兩層介于平坦化絕緣膜13和第二電極18之間的結(jié)構(gòu)。此外，該區(qū)域包括開(kāi)口限定絕緣膜16這一層或第一電極14a (或輔助配線14b)和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層介于平坦化絕緣膜13和第二電極18之間的結(jié)構(gòu)。 由于這些結(jié)構(gòu)，第二電極18不與平坦化絕緣膜13直接接觸。這可以抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的第二電極的劣化。在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置中，分離部91內(nèi)的區(qū)域具有如下的結(jié)構(gòu)。具體地說(shuō)，該區(qū)域包括第一電極Ha這一層介于平坦化絕緣膜13和有機(jī)層17之間的結(jié)構(gòu)。由于此結(jié)構(gòu)，有機(jī)層17不與平坦化絕緣膜13直接接觸。這可以抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水與從平坦化絕緣膜13的排氣引起的有機(jī)層17的劣化。此外，在顯示區(qū)域P中，如果不考慮保護(hù)層19與密封基板20，平坦化絕緣膜13之上的層具有第一電極14a/ 有機(jī)層17/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)以及輔助配線14b/開(kāi)口限定絕緣膜16/有機(jī)層17/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，平坦化絕緣膜13之上的層具有開(kāi)口限定絕緣膜16/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)和開(kāi)口限定絕緣膜16/有機(jī)層17/第二電極18的堆疊結(jié)構(gòu)。在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置中，在接觸設(shè)置部50中，平坦化絕緣膜 13的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層或開(kāi)口限定絕緣膜16這一層覆蓋。這可以抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的有機(jī)層17與第二電極18的劣化。在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的顯示裝置中，在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b 和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層或開(kāi)口限定絕緣膜16這一層介于平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面和第二電極18之間。因此，可抑制因平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的凹凸的影響而導(dǎo)致的第二電極18的斷路。2.第二實(shí)施方式〈顯示裝置〉以下說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示裝置。除了接觸設(shè)置部50的構(gòu)造不同外，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示裝置與根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置相同。因此， 在下文中，詳細(xì)地說(shuō)明接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)，而省略對(duì)其他構(gòu)造的說(shuō)明。〈接觸設(shè)置部〉以下說(shuō)明接觸設(shè)置部50。圖18是從上表面?zhèn)扔^察接觸設(shè)置部50所獲得的平面圖。 在圖18中，被虛線圍繞的區(qū)域81 (內(nèi)虛線與外虛線之間的區(qū)域)表示形成輔助配線14b的區(qū)域。被線82圍繞的區(qū)域表示鈍化膜沈的去除部分。被線83圍繞的區(qū)域表示平坦化絕緣膜13的去除部分。被線84圍繞的區(qū)域表示開(kāi)口限定絕緣膜16的去除部分。被粗線85圍繞的區(qū)域表示接觸墊51形成的區(qū)域。圖19是沿圖18中V-V'線的截面圖。如圖19所示，柵絕緣膜22堆疊在基板11 上，與第二金屬層25在同一層的接觸墊51形成在柵絕緣膜22的部分區(qū)域上。接觸墊51 例如用與第二金屬層25相同的材料、以與第二金屬層25相同的厚度來(lái)形成。接觸墊51的形成區(qū)域與粗線85圍繞的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。在鈍化膜沈中，形成了使接觸墊51的一部分暴露的開(kāi)口。該開(kāi)口的形成區(qū)域與圖18中被線82圍繞的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。在平坦化絕緣膜13中，形成用于將形成在平坦化絕緣膜13上的輔助配線14b連接至接觸墊51的開(kāi)口。該開(kāi)口的形成區(qū)域與圖18中被線83圍繞的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。輔助配線14b沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成至接觸墊51的上表面上。開(kāi)口限定絕緣膜16沿著輔助配線14b形成至接觸墊51的上表面上。因而，開(kāi)口限定絕緣膜16形成用于將形成于開(kāi)口限定絕緣膜16上的第二電極18連接至接觸墊51的開(kāi)口。該開(kāi)口的形成區(qū)域與圖18中被線84圍繞的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。第二電極18均勻地形成在形成該開(kāi)口的表面與接觸墊51的上表面上。通過(guò)此結(jié)構(gòu)，在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b電連接至接觸墊51。第二電極18 電連接至接觸墊51。此外，輔助配線14b通過(guò)接觸墊51電連接至第二電極18。在此接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)中，沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成了通過(guò)依次堆疊輔助配線14b與開(kāi)口限定絕緣膜16而獲得的結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，平坦化絕緣膜13 的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜這兩層覆蓋。這能抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的第二電極18與有機(jī)層17的劣化。此外，在該接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)的情況下，即使平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面產(chǎn)生凹凸時(shí)，凹凸也不會(huì)產(chǎn)生影響且第二電極18的斷路能得到抑制，這是因?yàn)檩o助配線 14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層介于該內(nèi)壁面和第二電極18之間。〈顯示裝置的制造方法〉以下說(shuō)明上述顯示裝置的制造方法。除了接觸設(shè)置部50的構(gòu)造不同之外，第二實(shí)施方式的顯示裝置與第一實(shí)施方式的顯示裝置相同。因此，在下文中，主要說(shuō)明形成接觸設(shè)置部50的步驟，而省略其他步驟的說(shuō)明。首先，通過(guò)重復(fù)采用CVD法和濺射法的膜沉積以及采用光刻法的圖樣形成在基板 11上形成柵電極23、蝕刻塞24、半導(dǎo)體層38和第二金屬層25。在接觸設(shè)置部50中，如圖 20A所示，在柵絕緣膜22上形成與第二金屬層25在同一層的接觸墊51。然后，通過(guò)CVD法形成覆蓋TFT 41的鈍化膜沈。在接觸設(shè)置部50中，如圖20B所示，通過(guò)采用光刻法去除鈍化膜沈的一部分來(lái)形成使接觸墊51的上表面的一部分暴露的開(kāi)口。接下來(lái)，通過(guò)旋涂法將用作平坦化絕緣膜13的光敏樹(shù)脂涂覆在鈍化膜沈上。在接觸設(shè)置部50中，如圖20C所示，通過(guò)光刻法在平坦化絕緣膜13中形成開(kāi)口，使得接觸墊 51可被暴露，然后進(jìn)行燒成。同時(shí)，通過(guò)光刻法去除平坦化絕緣膜13的與分離部91相對(duì)應(yīng)的部分，以形成將平坦化絕緣膜13分隔成顯示區(qū)域P側(cè)的平坦化絕緣膜13和外圍區(qū)域 Q側(cè)的平坦化絕緣膜13的分離部91 (省略圖示)。然后，通過(guò)濺射以及采用光刻法和蝕刻法圖樣化為預(yù)定的形狀形成第一電極1 與輔助配線14b。在接觸設(shè)置部50中，如圖21A所示，圖樣化輔助配線14b使其沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成至接觸墊51的上表面的一部分上。接下來(lái)，通過(guò)旋涂法將用作開(kāi)口限定絕緣膜16的光敏樹(shù)脂涂覆在第一電極1 與輔助配線14b上。隨后，通過(guò)光刻法在與第一電極1 對(duì)應(yīng)的位置形成開(kāi)口，然后進(jìn)行燒成。 在接觸設(shè)置部50中，如圖21B所示，通過(guò)光刻法，開(kāi)口限定絕緣膜16沿著輔助配線14b形成至接觸墊51的上表面的一部分上。然后，通過(guò)真空蒸發(fā)在通過(guò)開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口暴露的第一電極1 上形成有機(jī)層17。例如，通過(guò)依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層來(lái)形成有機(jī)層17(省略圖示)。在此步驟中，對(duì)發(fā)光層沉積與各發(fā)光顏色相對(duì)應(yīng)的材料。此外，通過(guò)真空蒸發(fā)在有機(jī)層17和開(kāi)口限定絕緣膜16上均勻地形成第二電極18。在接觸設(shè)置部50中， 如圖21C所示，第二電極18均勻地形成在開(kāi)口限定絕緣膜16和接觸墊51的上表面上。隨后，通過(guò)真空蒸發(fā)在第二電極18上形成保護(hù)層19。此外，通過(guò)在保護(hù)層19上旋涂紫外線固化樹(shù)脂來(lái)形成粘合層，且密封基板20通過(guò)介于其間的粘合層而結(jié)合至保護(hù)層 19。通過(guò)上述步驟，可獲得顯示裝置?！从幸嫘Ч翟诟鶕?jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示裝置中，在接觸設(shè)置部50中，平坦化絕緣膜 13的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線14b和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層覆蓋。這可以抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的有機(jī)層17與第二電極18的劣化。在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示裝置中，在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b 和開(kāi)口限定絕緣膜16這兩層介于平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面和第二電極18之間。因此，可抑制因平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的凹凸的影響而導(dǎo)致的第二電極18的斷路。另外一個(gè)有益效果是，與第一實(shí)施方式相同，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的顯示裝置可抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的有機(jī)層17 的有機(jī)材料的劣化與第二電極18的材料的變質(zhì)。3.第三實(shí)施方式〈顯示裝置的構(gòu)造〉以下說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示裝置。除了接觸設(shè)置部50的構(gòu)造不同外，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示裝置與第一實(shí)施方式的顯示裝置相同。因此，在下文中，詳細(xì)地說(shuō)明接觸設(shè)置部50的構(gòu)造，而省略對(duì)其他構(gòu)造的說(shuō)明?！唇佑|設(shè)置部〉以下說(shuō)明接觸設(shè)置部50。圖22是從上表面?zhèn)扔^察接觸設(shè)置部50所獲得的平面圖。在圖22中，被虛線101圍繞的區(qū)域(內(nèi)虛線與外虛線之間的區(qū)域)表示形成輔助配線 14b的區(qū)域。被線102圍繞的區(qū)域表示鈍化膜的去除部分。被線103圍繞的區(qū)域表示平坦化絕緣膜13的去除部分。被線104圍繞的區(qū)域表示開(kāi)口限定絕緣膜16的去除部分。被粗線105圍繞的區(qū)域表示接觸墊51形成的區(qū)域。圖23是沿圖22中IV-IV'線的截面圖。如圖23所示，柵絕緣膜22堆疊在基板 11上，在柵絕緣膜22的部分區(qū)域上形成與第二金屬層25在同一層的接觸墊51。接觸墊51 用與第二金屬層25相同的材料、以與第二金屬層25相同的厚度來(lái)形成。接觸墊51的形成區(qū)域與圖22中被粗線105圍繞的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。在鈍化膜沈中，形成了使接觸墊51的一部分暴露的開(kāi)口。該開(kāi)口的形成區(qū)域與圖22中被線102圍繞的區(qū)域相對(duì)應(yīng)。在平坦化絕緣膜13中，形成用于將形成在平坦化絕緣膜13上的輔助配線14b連接至設(shè)置為下層的接觸墊51的開(kāi)口。在開(kāi)口限定絕緣膜16中，形成了用于將設(shè)置在開(kāi)口限定絕緣膜16上的第二電極18與設(shè)置為下層的接觸墊51的開(kāi)口。開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口的尺寸(與圖22中被線104圍繞的區(qū)域相等)設(shè)置為比平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的尺寸(與圖22中被線103圍繞的區(qū)域相等)大。因而，平坦化絕緣膜13的平坦面局部具有未被開(kāi)口限定絕緣膜16覆蓋的暴露面。輔助配線14b沿著該暴露面的一部分和平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面而形成至接觸墊51的上表面的一部分上。通過(guò)開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口的內(nèi)壁面和輔助配線14b，形成了用于將設(shè)置在平坦化絕緣膜13上的第二電極18連接至接觸墊51的開(kāi)口。第二電極18均勻地形成在形成該開(kāi)口的表面和接觸墊51的上表面上。由于該結(jié)構(gòu)，在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b電連接至接觸墊51。輔助配線14b 電連接至第二電極18。第二電極18電連接至接觸墊51。此外，輔助配線14b通過(guò)接觸墊 51電連接至第二電極18。在該接觸設(shè)置部50的結(jié)構(gòu)中，輔助配線14b形成于平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面和平坦化絕緣膜13的平坦面的暴露面上。也就是說(shuō)，平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面和平坦化絕緣膜13的平坦面的暴露面被輔助配線14b覆蓋。這可以抑制因包含在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的第二電極18與有機(jī)層17的劣化。此外，在該接觸設(shè)置部50的情況下，即使平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面上產(chǎn)生凹凸時(shí)，凹凸也不會(huì)產(chǎn)生影響且第二電極18的斷路能得到抑制，因?yàn)檩o助配線14b介于內(nèi)壁面與第二電極18之間?！达@示裝置的制造方法〉以下說(shuō)明上述顯示裝置的制造方法。除了接觸設(shè)置部50的構(gòu)造不同之外，第三實(shí)施方式的顯示裝置與第一實(shí)施方式的顯示裝置相同。因此，在下文中，主要說(shuō)明形成接觸設(shè)置部50的步驟，而省略其他步驟的說(shuō)明。首先，通過(guò)重復(fù)采用CVD法和濺射法的膜形成以及采用光刻法的圖樣形成在基板 11上形成柵電極23、蝕刻塞24、半導(dǎo)體層38和第二金屬層25。在接觸設(shè)置部50中，如圖 24A所示，在柵絕緣膜22上形成與第二金屬層25在同一層的接觸墊51。然后，通過(guò)CVD法形成覆蓋TFT 41的鈍化膜沈。在接觸設(shè)置部50中，如圖24B所示，通過(guò)采用光刻法去除鈍化膜沈的一部分來(lái)形成使接觸墊51的上表面的一部分暴露的開(kāi)口。接下來(lái)，通過(guò)旋涂法將用作平坦化絕緣膜13的光敏樹(shù)脂涂覆在鈍化膜沈上。在接觸設(shè)置部50中，如圖24C所示，通過(guò)光刻法在平坦化絕緣膜13中形成開(kāi)口，使得接觸墊 51可被暴露，然后進(jìn)行燒成。同時(shí)，通過(guò)光刻法去除平坦化絕緣膜13的與分離部91對(duì)應(yīng)的部分，以形成將平坦化絕緣膜13分隔成顯示區(qū)域P側(cè)的平坦化絕緣膜13和外圍區(qū)域Q側(cè)的平坦化絕緣膜13的分離部91 (省略圖示)。然后，通過(guò)濺射以及采用光刻和蝕刻圖樣化為預(yù)定的形狀來(lái)形成第一電極1 和輔助配線14b。在接觸設(shè)置部50中，如圖25A所示，圖樣化輔助配線14b使其沿著平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面形成至接觸墊51的上表面的一部分上。接下來(lái)，通過(guò)旋涂法將用作開(kāi)口限定絕緣膜16的光敏樹(shù)脂涂覆在第一電極14a與輔助配線14b上。隨后，通過(guò)光刻法在與第一電極1 對(duì)應(yīng)的位置形成開(kāi)口，然后進(jìn)行燒成。 在接觸設(shè)置部50中，如圖25B所示，涂覆用作開(kāi)口限定絕緣膜16的光敏樹(shù)脂，隨后通過(guò)光刻法形成開(kāi)口尺寸比平坦化絕緣膜13的開(kāi)口尺寸大的開(kāi)口限定絕緣膜16。然后，通過(guò)真空蒸發(fā)在通過(guò)開(kāi)口限定絕緣膜16的開(kāi)口暴露的第一電極1 上形成有機(jī)層17。例如，通過(guò)依次沉積空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層與電子傳輸層來(lái)形成有機(jī)層17(省略圖示)。在此步驟中，對(duì)發(fā)光層沉積與各發(fā)光顏色相對(duì)應(yīng)的材料。此外，通過(guò)真空蒸發(fā)在有機(jī)層17和開(kāi)口限定絕緣膜16上均勻地形成第二電極18。在接觸設(shè)置部50中， 如圖25C所示，第二電極18均勻地形成在開(kāi)口限定絕緣膜16、輔助配線14b與接觸墊51的上表面上。隨后，通過(guò)真空蒸發(fā)在第二電極18上形成保護(hù)層19。此外，通過(guò)在保護(hù)層19上旋涂紫外線固化樹(shù)脂來(lái)形成粘合層，且密封基板20通過(guò)介于其間的粘合層而結(jié)合至保護(hù)層 19。通過(guò)上述步驟，可獲得顯示裝置?！从幸嫘Ч翟诟鶕?jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示裝置中，在接觸設(shè)置部50中，平坦化絕緣膜 13的開(kāi)口的內(nèi)壁面被輔助配線14b覆蓋。這能抑制因殘留在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的有機(jī)層17與第二電極18的劣化。在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示裝置中，在接觸設(shè)置部50中，輔助配線14b 介于平坦化絕緣膜13的開(kāi)口的內(nèi)壁面和第二電極18之間。因此，可抑制因平坦化絕緣膜 13的開(kāi)口的內(nèi)壁面的凹凸的影響而導(dǎo)致的第二電極18的斷路。另外一個(gè)有益效果是，與第一實(shí)施方式相同，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施方式的顯示裝置可抑制因殘留在平坦化絕緣膜13中的水和從平坦化絕緣膜13的排氣引起的有機(jī)層17 的有機(jī)材料的劣化與第二電極18的材料的變質(zhì)。4.第四實(shí)施方式以下說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顯示裝置。除了分離部91的構(gòu)造不同外， 根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顯示裝置與根據(jù)第一實(shí)施方式的顯示裝置相同。因此，在下文中，詳細(xì)地說(shuō)明分離部91的構(gòu)造，而省略對(duì)其他構(gòu)造的說(shuō)明。<分離部的構(gòu)造>以下說(shuō)明分離部的構(gòu)造91。圖沈是示出了分離部91的構(gòu)造的放大截面圖。在分離部91中，與第二金屬層25在同一層的接觸部52具有暴露面即未被平坦化絕緣膜13和鈍化膜26覆蓋的面。輔助配線14b形成于該接觸部的暴露面的一部分以及形成了分離部 91的平坦化絕緣膜的表面上。此外，在未形成輔助配線14b的接觸部52的暴露面以及輔助配線14b上形成第二電極18。從而，第二電極18經(jīng)由接觸部52電連接至輔助配線14b，使得與第二電極18有良好的連接(優(yōu)選為歐姆連接)。<有益效果>根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施方式的顯示裝置具有與第一實(shí)施方式相同的有益效果。[實(shí)施例]通過(guò)下述的試驗(yàn)，對(duì)在分離部91內(nèi)的外圍區(qū)域T中的開(kāi)口限定絕緣膜16的覆蓋率進(jìn)行研究。本發(fā)明的實(shí)施方式并不限于以下的試驗(yàn)例中制造的有機(jī)EL面板。<試驗(yàn)例1>最初，制造具有圖1所示的結(jié)構(gòu)的有機(jī)EL面板。首先，通過(guò)重復(fù)采用CVD法和濺射法的膜沉積以及采用光刻法的圖樣形成在玻璃基板上形成TFT 41。隨后形成鈍化膜沈以覆蓋TFT 41。接下來(lái)，在鈍化膜沈上，通過(guò)旋涂法涂覆作為光敏樹(shù)脂的聚酰亞胺來(lái)形成平坦化絕緣膜13。此外，通過(guò)光刻法去除平坦化絕緣膜13的與分離部91對(duì)應(yīng)的一部分，并形成將平坦化絕緣膜13分隔成顯示區(qū)域P側(cè)的平坦化絕緣膜13和外圍區(qū)域Q側(cè)的平坦化絕緣膜 13的分離部91。接下來(lái)通過(guò)濺射法在平坦化絕緣膜13上形成作為第一電極14a (陽(yáng)極)和輔助配線14b的材料的AlNd膜，之后采用光刻法和蝕刻法將第一電極1 和輔助配線14b 圖樣化為預(yù)定的形狀。然后，通過(guò)旋涂法將用作開(kāi)口限定絕緣膜16的光敏樹(shù)脂(聚酰亞胺)涂覆在第一電極1 和平坦化絕緣膜13上。之后，通過(guò)光刻法形成與第一電極1 的位置相對(duì)應(yīng)的開(kāi)口。此時(shí)，在位于分離部91內(nèi)并且顯示區(qū)域P外的外圍區(qū)域T中，設(shè)置開(kāi)口限定絕緣膜16 使得開(kāi)口限定絕緣膜16的覆蓋面積與該外圍區(qū)域T的面積之比(開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率，由上述表達(dá)式1定義)為60%。接下來(lái)，通過(guò)真空蒸發(fā)將由以下與各發(fā)光顏色R、G和B相對(duì)應(yīng)的材料構(gòu)成的有機(jī)層17依次地圖樣化形成在被該開(kāi)口暴露的第一電極1 上。[有機(jī)層17(R發(fā)光)]空穴注入層4，4，4〃 -三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)，膜厚150nm空穴傳輸層雙[(N-萘基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]聯(lián)苯胺(α -NPD)，膜厚150nm發(fā)光層8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3)[摻雜40%體積的2，6-雙[N-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1，5-二腈(BSN-BCN)]，膜厚55nm電子傳輸層8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3)，膜厚150nm[有機(jī)層17(G發(fā)光)]空穴注入層4，4，4〃 -三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)，膜厚150nm空穴傳輸層雙[(N-萘基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]聯(lián)苯胺(Ci-NPD)，膜厚150nm發(fā)光層8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3)[摻雜40%體積的香豆素6]，膜厚55nm電子傳輸層8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3)，膜厚150nm[有機(jī)層17出發(fā)光)]空穴注入層4，4，4〃 -三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m_MTDATA)，膜厚150nm空穴傳輸層雙[(N-萘基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]聯(lián)苯胺(Ci-NPD)，膜厚150nm發(fā)光層spiro 6 Φ，膜厚 150nm電子傳輸層8-羥基喹啉鋁絡(luò)合物(Alq3)，膜厚150nm接下來(lái)，通過(guò)真空蒸發(fā)將由Mg和Ag構(gòu)成的第二電極18 (陰極)均勻地形成在有機(jī)層17和開(kāi)口限定絕緣膜16上。之后，通過(guò)真空蒸發(fā)形成作為保護(hù)層19的SiO2膜來(lái)覆蓋整個(gè)有機(jī)層17和第二電極。通過(guò)上述步驟，制造了有機(jī)EL面板。<高溫保存測(cè)試>將制造的有機(jī)EL面板置于70°C的干燥氣氛的恒溫室1000小時(shí)。此后，驅(qū)動(dòng)有機(jī)EL面板并測(cè)量亮度。此外，基于以下的標(biāo)準(zhǔn)判定失效的發(fā)生。判定失效發(fā)生的標(biāo)準(zhǔn)效率等于或低于初始效率的80%視為失效。對(duì)有機(jī)EL面板的多個(gè)樣本進(jìn)行判定，計(jì)算{(發(fā)生失效的樣本數(shù))/(樣本總數(shù))} X 100%作為失效發(fā)生率。<試驗(yàn)例2>除了開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率設(shè)為40%外，以與試驗(yàn)例1相同的方式制造有機(jī)EL 面板，且對(duì)三個(gè)樣本進(jìn)行同樣的高溫保存試驗(yàn)。<試驗(yàn)例3>除了開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率設(shè)為30 %外，以與試驗(yàn)例1相同的方式制造有機(jī)EL 面板，且對(duì)三個(gè)樣本進(jìn)行同樣的高溫保存試驗(yàn)。<試驗(yàn)例4>除了開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率設(shè)為25 %外，以與試驗(yàn)例1相同的方式制造有機(jī)EL 面板，且對(duì)4個(gè)樣本進(jìn)行同樣的高溫保存試驗(yàn)。<試驗(yàn)例5>除了開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率設(shè)為20 %外，以與試驗(yàn)例1相同的方式制造有機(jī)EL 面板，且對(duì)三個(gè)樣本進(jìn)行同樣的高溫保存試驗(yàn)。〈試驗(yàn)例6>除了開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率設(shè)為10%外，以與試驗(yàn)例1相同的方式制造有機(jī)EL 面板，且對(duì)兩個(gè)樣本進(jìn)行同樣的高溫保存試驗(yàn)。圖27示出了通過(guò)總結(jié)試驗(yàn)例1到6的試驗(yàn)結(jié)果而得到的圖。如圖27所示，30% 以上的開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率產(chǎn)生0%的失效發(fā)生率。相反，開(kāi)口限定絕緣膜的覆蓋率低于30%導(dǎo)致失效的發(fā)生。隨著覆蓋率從30%減小，失效發(fā)生率迅速增加。5.其他實(shí)施方式(修改例)盡管以上具體地說(shuō)明了本發(fā)明的實(shí)施方式，本發(fā)明并不限于以上的實(shí)施方式，可基于本發(fā)明的技術(shù)思想而進(jìn)行各種修改。例如，上述的實(shí)施方式中所用的數(shù)值、結(jié)構(gòu)、形狀、材料等僅僅是示例，根據(jù)需要可使用與它們不同的數(shù)值、結(jié)構(gòu)、形狀、材料等。還可以根據(jù)需要通過(guò)將第一至第四實(shí)施方式組合來(lái)形成顯示裝置。例如，可形成包括具有第一實(shí)施方式的構(gòu)造和第二實(shí)施方式的構(gòu)造的接觸設(shè)置部50的顯示裝置。例如，在第一至第四實(shí)施方式中，有機(jī)層17通過(guò)空穴注入層/空穴傳輸層/發(fā)光層/電子傳輸層的堆疊結(jié)構(gòu)來(lái)形成。然而，有機(jī)層17的構(gòu)造不限于此。例如，可根據(jù)需要任意增加或減少形成有機(jī)層的層的種類(lèi)數(shù)以及層數(shù)。此外，例如，在第一至第四實(shí)施方式中，通過(guò)使用μ c-Si膜36和Ii+-Si膜37來(lái)形成TFT 41。然而，TFT 41可以通過(guò)使用Poly-Si (多晶硅)膜來(lái)形成。此外，例如，在第一至第四實(shí)施方式中，通過(guò)諸如真空蒸發(fā)等膜沉積方法來(lái)形成構(gòu)成有機(jī)層17的各層。然而，形成這些層的方法不限于此。例如，構(gòu)成有機(jī)層的各層也可通過(guò)印刷法和轉(zhuǎn)印法等形成。例如，在第一至第四實(shí)施方式中，為了抑制有機(jī)EL元件的劣化，通過(guò)在形成第二電極后形成保護(hù)膜并將諸如玻璃的密封基板結(jié)合至保護(hù)膜來(lái)密封有機(jī)EL元件。然而，密封有機(jī)EL元件的方法不限于此。例如，在結(jié)合密封基板的過(guò)程中，通過(guò)采用真空蒸發(fā)形成保護(hù)膜，并用氮?dú)馓畛浔Ｗo(hù)膜和玻璃等之間的空間來(lái)密封有機(jī)EL元件。在第一至第四實(shí)施方式中，輔助配線14b和第二電極18設(shè)置在分離部91中。然而，分離部91的構(gòu)造不限于此。具體地說(shuō)，例如，第一電極Ha和開(kāi)口限定絕緣膜16可設(shè)置在分離部91中。此外，可基于另一構(gòu)造將第二電極18設(shè)置在分離部91中，只要形成分離部91的平坦化絕緣膜13的表面不與第二電極18直接接觸即可。也可將有機(jī)層17設(shè)置在分離部91中，只要形成分離部91的平坦化絕緣膜13的表面不與有機(jī)層17直接接觸即可。然而，最好不要將有機(jī)層17設(shè)置在分離部91中。例如，也可以采用其中有機(jī)EL元件21形成為發(fā)白光的有機(jī)EL元件、并在光提取側(cè)形成濾色鏡來(lái)從白光中提取R、G和B光的系統(tǒng)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 基板；電路部，被配置為形成于所述基板上，并包括驅(qū)動(dòng)元件； 平坦化絕緣層，被配置為形成于所述電路部上；導(dǎo)電層，被配置為形成于所述平坦化絕緣層上，并且包括多個(gè)第一電極和輔助配線； 開(kāi)口限定絕緣層，被配置為使所述多個(gè)第一電極相互絕緣且具有使所述第一電極的一部分暴露的開(kāi)口；多個(gè)發(fā)光元件，被配置為在所述多個(gè)第一電極的每一個(gè)的暴露部分由所述第一電極、 包括發(fā)光層的有機(jī)層、以及對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件共有的第二電極依次堆疊而形成；以及分離部，被配置為通過(guò)在設(shè)置了連接至所述驅(qū)動(dòng)元件的所述多個(gè)發(fā)光元件的顯示區(qū)域周?chē)奈恢锰幰瞥銎教够^緣層而形成，其中，在所述分離部?jī)?nèi)的整個(gè)區(qū)域中，所述導(dǎo)電層和所述開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)介于所述平坦化絕緣層和所述第二電極之間、以及所述平坦化絕緣層和所述有機(jī)層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括接觸部，被配置為由與包括在所述驅(qū)動(dòng)元件中的金屬層相同的層形成且將所述輔助配線與所述第二電極電連接，其中，在所述平坦化絕緣層中，在所述接觸部上形成用于將在所述平坦化絕緣層上形成的所述輔助配線引導(dǎo)至下層的開(kāi)口，以及所述平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面被所述輔助配線和所述開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)覆蓋。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面被所述開(kāi)口限定絕緣層覆蓋。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，在所述分離部?jī)?nèi)且在所述顯示區(qū)域外的區(qū)域中，所述開(kāi)口限定絕緣層形成為使得由以下表達(dá)式所定義的所述開(kāi)口限定絕緣層的覆蓋率是在30%至100%的范圍中的值， 表達(dá)式開(kāi)口限定絕緣層的覆蓋率=(開(kāi)口限定絕緣層的覆蓋面積/在分離部?jī)?nèi)且在顯示區(qū)域外的區(qū)域的面積)X 100%。
5.一種顯示裝置的制造方法，包括以下步驟 在基板上形成包括驅(qū)動(dòng)元件的電路部， 在所述電路部上形成平坦化絕緣層，在形成了連接至所述驅(qū)動(dòng)元件的多個(gè)發(fā)光元件的顯示區(qū)域外的區(qū)域中，通過(guò)在所述顯示區(qū)域周?chē)奈恢锰幰瞥銎教够^緣層而形成分離部，在所述平坦化絕緣層上形成包括多個(gè)第一電極和輔助配線的導(dǎo)電層， 形成使各所述第一電極相互絕緣且具有使所述第一電極的一部分暴露的開(kāi)口的開(kāi)口限定絕緣層，以及通過(guò)在所述多個(gè)第一電極的每一個(gè)的暴露部分由所述第一電極、包括發(fā)光層的有機(jī)層、以及對(duì)于所述多個(gè)發(fā)光元件共有的第二電極依次堆疊而形成所述多個(gè)發(fā)光元件，其中， 在形成所述導(dǎo)電層、形成所述開(kāi)口限定絕緣層、形成所述發(fā)光元件的過(guò)程中，所述導(dǎo)電層、所述開(kāi)口限定絕緣層及所述多個(gè)發(fā)光元件形成為使得在所述分離部?jī)?nèi)的整個(gè)區(qū)域中， 所述導(dǎo)電層和所述開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)介于所述平坦化絕緣層和所述第二電極之間、以及所述平坦化絕緣層和所述有機(jī)層之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置的制造方法，其中，在形成所述電路部的過(guò)程中，通過(guò)使用與包括在所述驅(qū)動(dòng)元件中的金屬層相同的層來(lái)形成將所述輔助配線和所述第二電極電連接的接觸部，在形成所述平坦化絕緣層的過(guò)程中，在所述接觸部上形成用于將形成于所述平坦化絕緣層之上的所述輔助配線引導(dǎo)至下層的開(kāi)口，在形成所述導(dǎo)電層和形成所述開(kāi)口限定絕緣層的過(guò)程中，所述輔助配線和所述開(kāi)口限定絕緣層形成為使得所述平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面被所述輔助配線和所述開(kāi)口限定絕緣層中的至少一個(gè)覆蓋。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置的制造方法，其中，在形成所述開(kāi)口限定絕緣層的過(guò)程中，所述開(kāi)口限定絕緣層形成為覆蓋所述平坦化絕緣層的開(kāi)口的內(nèi)壁面。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置的制造方法，其中，在形成所述開(kāi)口限定絕緣層的過(guò)程中，在所述分離部?jī)?nèi)且在所述顯示區(qū)域外的區(qū)域中，所述開(kāi)口限定絕緣層形成為使得由以下表達(dá)式所定義的所述開(kāi)口限定絕緣層的覆蓋率是在30%至100%的范圍中的值，表達(dá)式開(kāi)口限定絕緣層的覆蓋率=(開(kāi)口限定絕緣層的覆蓋面積/在分離部?jī)?nèi)且在顯示區(qū)域外的區(qū)域的面積)X 100%。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了顯示裝置及其制造方法，該顯示裝置包括基板；電路部，被配置為形成于基板上并包括驅(qū)動(dòng)元件；平坦化絕緣層，被配置為形成于電路部上；導(dǎo)電層，被配置為形成于平坦化絕緣層上且包括多個(gè)第一電極和輔助配線；開(kāi)口限定絕緣層，被配置為使多個(gè)第一電極相互絕緣且具有使第一電極的一部分暴露的開(kāi)口；多個(gè)發(fā)光元件，被配置為通過(guò)依次堆疊第一電極、包括發(fā)光層的有機(jī)層、以及第二電極而形成；以及分離部，被配置為通過(guò)在設(shè)置了連接至驅(qū)動(dòng)元件的多個(gè)發(fā)光元件的顯示區(qū)域周?chē)奈恢锰幰瞥教够^緣層而形成。
文檔編號(hào)H01L51/56GK102163613SQ201010519849
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2010年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月22日
發(fā)明者三浦究, 佐川裕志, 松元壽樹(shù), 淺野慎, 藤岡弘文, 辻明子 申請(qǐng)人:索尼公司