專利名稱：發(fā)光二極管封裝結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種封裝結構，特別是一種發(fā)光二極管的封裝結構。
背景技術：
相比于傳統(tǒng)的發(fā)光源，發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)具有重量輕、體積小、污染低、壽命長等優(yōu)點，其作為一種新型的發(fā)光源，已經被越來越多地應用到各領域當中，如路燈、交通燈、信號燈、射燈及裝飾燈等等。常見的發(fā)光二極管封裝結構通常包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片、封裝層以及反射杯。然而，現(xiàn)有技術中，基板、封裝層以及反射杯通常采用不同材質制成，以致基板與封裝層、反射杯之間的接合力欠佳，從而使得發(fā)光二極管封裝結構的可靠度降低，直接影響到發(fā)光二極管裝置的使用壽命。

發(fā)明內容
有鑒于此，本發(fā)明旨在提供一種具有較佳可靠度的發(fā)光二極管封裝結構。一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片以及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝層，其特征在于該基板包括用于承載發(fā)光二極管芯片的承載面， 該承載面上形成有凸起，該凸起沿一遠離該承載面的第一方向延伸，且該凸起的遠離承載面的末端沿一與第一方向呈非零夾角的第二方向彎折。所述發(fā)光二極管封裝結構的基板凸起及其末端結構能夠對后續(xù)形成在基板上的封裝層、反射杯等封裝組件起到卡持作用，以加強基板與其他封裝組件之間的連接強度，使得封裝組件不易脫落，從而該發(fā)光二極管具有較佳可靠度。


圖1為本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。圖2為圖1所示發(fā)光二極管封裝結構的俯視示意圖。圖3為本發(fā)明一實施例提供的具有反射杯的發(fā)光二極管封裝結構示意圖。圖4為本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。圖5為圖4所示發(fā)光二極管封裝結構的俯視示意圖。圖6為本發(fā)明第三實施例的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。圖7為圖6所示發(fā)光二極管封裝結構的俯視示意圖。圖8為本發(fā)明第四實施例的發(fā)光二極管封裝結構的剖面示意圖。主要元件符號說明發(fā)光二極管封裝結構10，30，40，50基板11,31,41,51發(fā)光二極管芯片12，32，42，52封裝層13，33，43，53
承載面110，310，410凸起112，312，412，512末端1120，3120，4120金屬線120，320，420第一部分4122第二部分4124反射杯20，M
具體實施例方式請參見圖1，本發(fā)明第一實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構10包括基板11、發(fā)光二極管芯片12以及封裝層13。該基板11的形狀可根據特定的需求而相應調整，如矩形或圓形等。該基板11利用導熱性良好的材料制成，如陶瓷或金屬等。請一并參見圖2，本實施例中該基板11大體呈矩形并采用陶瓷材料制成，該基板 11的承載面110上、或基板11內部形成有電路結構(圖未示)，以與設置在基板11上的發(fā)光二極管芯片12形成電連接，從而提供電能。該基板11進一步包括承載面110以及設置在承載面110上的凸起112。該承載面110用于承載發(fā)光二極管芯片12。該承載面110的光學特性、形狀等可根據具體的光學需求而做出相應設計。例如，承載面110可設計為反光面以提高光出射效率，承載面110還可設計成為平面或者曲面以改變發(fā)光二極管芯片12的出光角度而達到不同的光場效果。本實施中，承載面110為反光平面。該凸起112沿一遠離該承載面110的第一方向(圖1所示χ方向)延伸，該凸起 112的遠離承載面110的末端1120沿一與第一方向呈非零夾角的第二方向(圖2所示y方向)彎折。該第一方向與承載面110成一非零夾角，從而凸起112的末端1120相對遠離該承載面110。本實施例中，該第一方向垂直于承載面110，該凸起112沿垂直于承載面110 的方向延伸并遠離該承載面110。該第二方向與第一方向垂直并指向基板11的邊緣。該凸起112的數目可為單個或者多個，本實施例中，基板11包括兩個相對設置的凸起112。該發(fā)光二極管芯片12通過金屬線120與基板11的電路結構電連接。該封裝層13設置在基板11的承載面112上，一并覆蓋發(fā)光二極管芯片12以及凸起112。該封裝層13采用透光材料制成，該封裝層13的內部還可以包含光波長轉換材料， 以改善發(fā)光二極管芯片12發(fā)出光的光學特性。當然，該封裝層13的上表面也可涂覆一層光波長轉換材料(圖未示)，以起到改變光學特性的效果。由于基板11的凸起112沿第一方向延伸且其末端1120沿不同于第一方向的第二方向彎折，當封裝層13覆蓋凸起112固定成型后，凸起112及其末端1120對封裝層13起到卡持作用，使得封裝層13不易脫落，從而加強了封裝層13與基板11之間的連接強度。需要說明的，參見圖3，該發(fā)光二極管封裝結構10還可以配備一反射杯20，該反射杯20環(huán)繞發(fā)光二極管芯片12設置，以收集并反射來自發(fā)光二極管芯片12的光線，從而使發(fā)光二極管封裝結構10具有預定的光出射角度。參見圖4及圖5，本發(fā)明第二實施例還提供一種發(fā)光二極管封裝結構30，該發(fā)光二極管封裝結構30包括基板31、發(fā)光二極管芯片32以及封裝層33。該基板31包括承載面 310以及設置在承載面310上的凸起312，凸起3120朝向基板31外側彎折。與第一實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構10不同的是，該基板31上的凸起312 為單個，且該凸起312沿承載面310邊緣設置并圍繞成一封閉的環(huán)狀。從而發(fā)光二極管芯片32可被置于被環(huán)狀凸起312包圍的承載面310區(qū)域，而該凸起312環(huán)繞發(fā)光二極管芯片 32。參見圖6，本發(fā)明第三實施例還提供一種發(fā)光二極管封裝結構40，該發(fā)光二極管封裝結構40包括基板41、發(fā)光二極管芯片42以及封裝層43。該發(fā)光二極管封裝結構40 與第二實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構30結構大體相同，該基板41包括承載面410以及設置在承載面410上的凸起412，凸起4120朝向基板41外側彎折。與第二實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構30不同的是，本實施例中，該基板41的材質為金屬，其包括相互電隔離的第一基板部414以及第二基板部416，該發(fā)光二極管芯片 42設置于第一基板部414上，且該發(fā)光二極管芯片42的電極通過金屬線420分別與第一、 第二基板部414、416連接。該第一、第二基板部414、416可分別作為發(fā)光二極管封裝結構 40的正、負極，從而為發(fā)光二極管芯片42提供電能。由于該第一、第二基板部414、416材質為金屬，所以能夠將發(fā)光二極管芯片42工作中產生的熱量迅速傳導至外部。需要說明的是，由于基板41的第一基板部414以及第二基板部416為相互隔離的兩個部分，因此，基板 41的環(huán)狀凸起412同樣被分割為第一部分4122、第二部分4124。該第一部分4122、第二部分4124圍成一個不連續(xù)的環(huán)狀，如圖7所示。參見圖8，本發(fā)明第四實施例還提供一種發(fā)光二極管封裝結構50，該發(fā)光二極管封裝結構50包括基板51、發(fā)光二極管芯片52、封裝層53以及反射杯54。該發(fā)光二極管封裝結構50與第一實施例提供的發(fā)光二極管封裝結構10的結構大體相同，該基板51包括承載面510以及設置在承載面510上的凸起512，凸起5120朝向基板51外側彎折。該反射杯 54設置承載面510上并環(huán)繞發(fā)光二極管芯片52。不同于第一實施例發(fā)光二極管封裝結構10的是，該反射杯54包覆該凸起512，該基板51的凸起512與反射杯54相互嵌入形成卡持結構，而封裝層53設置在反射杯54內并覆蓋發(fā)光二極管芯片52，從而可增強基板51與反射杯54之間的接合強度。需要說明的是，該基板51的結構和材質可與前面三個實施例中任一個基板的配置方式，相應的，凸起512結構可以是單個或多個，且該凸起512在基板51上的設置方式可以采用前面三個實施例中揭示的各種方式。本發(fā)明的技術內容及技術特點已揭露如上，然而本領域技術人員仍可能基于本發(fā)明的教示及揭示而作出種種不背離本發(fā)明精神的替換及修飾。因此，本發(fā)明的保護范圍應不限于實施例所揭示的內容，而應包括各種不背離本發(fā)明的替換及修飾，并為所附的權利要求所涵蓋。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片以及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝層，其特征在于該基板包括用于承載發(fā)光二極管芯片的承載面，該承載面上形成有凸起，該凸起沿一遠離該承載面的第一方向延伸，且該凸起的遠離承載面的末端沿一與第一方向呈非零夾角的第二方向彎折。
2.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該第一方向垂直于基板的承載面。
3.如權利要求2所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該第二方向垂直于第一方向。
4.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該基板為導電基板，且該基板包括相互電隔離的第一基板部和第二基板部。
5.如權利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該發(fā)光二極管芯片設置在第一基板部上，且該發(fā)光二極管芯片分別與第一、第二基板部電連接以通過該第一、第二基板部從外界獲取電能。
6.如權利要求4所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該第一、第二基板部上分別形成有至少一個凸起。
7.如權利要求6所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該第一、第二基板部上的凸起共同圍成一不連續(xù)的環(huán)形。
8.如權利要求7所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該環(huán)形環(huán)繞該發(fā)光二極管
9.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該封裝層一并包覆該發(fā)光二極管芯片及凸起。
10.如權利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結構，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結構還包括環(huán)繞發(fā)光二極管芯片的反射杯，該反射杯設置在基板的承載面上并包覆該凸起，該反射杯與該凸起的末端形成卡持。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結構，包括基板、設置在基板上的發(fā)光二極管芯片以及覆蓋該發(fā)光二極管芯片的封裝層，其特征在于該基板包括用于承載發(fā)光二極管芯片的承載面，該承載面上形成有凸起，該凸起沿一遠離該承載面的第一方向延伸，且該凸起的遠離承載面的末端沿一與第一方向呈非零夾角的第二方向彎折。該種發(fā)光二極管封裝結構的凸起及其末端結構能夠對封裝層起到卡持作用，從而加強封裝層與基板之間的連接強度，使得封裝層不易脫落。
文檔編號H01L33/62GK102456806SQ201010517859
公開日2012年5月16日 申請日期2010年10月26日 優(yōu)先權日2010年10月26日
發(fā)明者柯志勛, 詹勛偉 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司