專(zhuān)利名稱(chēng)：倒梯形替代柵極及倒梯形金屬柵電極的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體邏輯電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種倒梯形替代柵極及倒梯形金屬柵電極的制作方法。
背景技術(shù)：
目前，高介電常數(shù)絕緣材料和金屬柵電極將被用于制造邏輯電路器件。為了控制短溝道效應(yīng)，更小尺寸器件要求進(jìn)一步提高柵電極電容。這能夠通過(guò)不斷減薄柵氧化層的厚度而實(shí)現(xiàn)，但隨之而來(lái)的是柵電極漏電流的提升。當(dāng)二氧化硅作為柵氧化層，厚度低于5.0納米時(shí)，漏電流就變得無(wú)法忍受了。解決上述問(wèn)題的方法就是使用高介電常數(shù)絕緣材料取代二氧化硅，高介電常數(shù)絕緣材料可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物、 鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于15，采用這種材料能夠進(jìn)一步提高柵電容，同時(shí)柵漏電流又能夠得到明顯的改善。對(duì)于相同的柵氧化層厚度，將高介電常數(shù)絕緣材料與金屬柵電極搭配，其柵電極漏電流將減少幾個(gè)指數(shù)量級(jí)，而且用金屬柵電極取代多晶硅柵電極解決了高介電常數(shù)絕緣材料與多晶硅之間不兼容的問(wèn)題?，F(xiàn)有技術(shù)中金屬柵電極的形狀有多種，包括垂直(vertical)柵電極、錐形 (tapered)柵電極、倒梯形(reversed trapeziform)柵電極。上述形狀的柵電極如圖1所示。圖1中高介電常數(shù)絕緣材料作為柵氧化層101，金屬柵電極102位于柵氧化層101的上方。垂直柵電極和錐形柵電極與接觸孔(CT)的對(duì)準(zhǔn)窗口都比較小，接觸孔位于金屬柵電極102的上方，如果柵電極的頂部較窄，則后續(xù)制作CT時(shí)，CT較難與柵電極對(duì)準(zhǔn)，也就是說(shuō)對(duì)準(zhǔn)窗口較小。而且在后柵極制造工藝中，所述金屬柵電極需要在層間介質(zhì)層中填充， 所述形狀的金屬柵電極上口較小，所以在層間介質(zhì)層中難以填充，容易在填充的位置出現(xiàn)孔洞(void)。因此，倒梯形柵電極顯示出極大的優(yōu)勢(shì)，其頂部⑶較大，與CT容易對(duì)準(zhǔn)，而且頂部較大的CD開(kāi)口也便于在層間介質(zhì)層中填充，不會(huì)像垂直柵電極或者錐形柵電極那樣在填充的位置出現(xiàn)孔洞。但是，現(xiàn)有技術(shù)很難精確的控制梯形角度，均勻性差，從而會(huì)影響柵電極的開(kāi)啟電壓的均勻性與連貫性，使得形成的電路器件具有較差的電性?，F(xiàn)有技術(shù)利用后柵極工藝制作倒梯形金屬柵電極的方法包括以下步驟，下面結(jié)合圖加至圖2f進(jìn)行說(shuō)明。步驟21、請(qǐng)參閱圖加，在半導(dǎo)體襯底200上依次沉積具有高介電常數(shù)的柵氧化層 201和多晶硅層202。高介電常數(shù)的柵氧化層201可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物、鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于15。步驟22、請(qǐng)參閱圖2b，對(duì)多晶硅層202進(jìn)行刻蝕，形成倒梯形多晶硅柵極202’。步驟23、請(qǐng)參閱圖2c，在倒梯形多晶硅柵極202’的兩側(cè)形成側(cè)壁層203，以所述側(cè)壁層203和倒梯形多晶硅柵極202’為掩膜，在半導(dǎo)體襯底200中形成源漏區(qū)204。步驟M、請(qǐng)參閱圖2d，在半導(dǎo)體襯底200上，未形成有柵氧化層201和倒梯形多晶硅柵極202’的位置沉積層間介質(zhì)層205，所述層間介質(zhì)層205經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)之后的高度與倒梯形多晶硅柵極202’齊平。步驟25、請(qǐng)參閱圖2e，去除倒梯形多晶硅柵極202’。步驟沈、請(qǐng)參閱圖2f，在去除倒梯形多晶硅柵極202’的位置沉積形成倒梯形金屬柵電極206。沉積時(shí)該金屬柵電極材料還會(huì)覆蓋層間介質(zhì)層205的表面，然后通過(guò)CMP，對(duì)層間介質(zhì)層205表面上的金屬柵電極材料進(jìn)行拋光，最終形成倒梯形金屬柵電極206。其中， 作為金屬柵電極的材料可以為鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)中的任意兩種或者三種的組合。需要說(shuō)明的是，形成倒梯形多晶硅柵極是形成倒梯形金屬柵電極的關(guān)鍵，上述步驟22中，形成倒梯形多晶硅柵極，采用直接刻蝕的方法形成，由于刻蝕技術(shù)的限制，很難控制形成理想的形狀，容易形成底切，因此使得最終的倒梯形金屬柵電極也具有如此的缺陷， 從而影響到其工作時(shí)的性能。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明解決的技術(shù)問(wèn)題是如何形成理想形狀的倒梯形金屬柵電極。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明公開(kāi)了一種倒梯形替代柵極的制作方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上依次沉積柵氧化層、第一氮化層和氧化層；對(duì)所述氧化層進(jìn)行刻蝕形成矩形溝槽，所述矩形溝槽底露出第一氮化層表面；沉積第二氮化層，所述第二氮化層覆蓋矩形溝槽的底部、側(cè)壁和所述氧化層；對(duì)所述第二氮化層和第一氮化層依次進(jìn)行刻蝕形成倒梯形溝槽，所述倒梯形溝槽底露出柵氧化層表面；在所述倒梯形溝槽內(nèi)形成倒梯形替代柵極；去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層、第一氮化層和第二氮化層。所述形成倒梯形溝槽的方法包括主刻蝕矩形溝槽外部的第二氮化層，至露出氧化層時(shí)，矩形溝槽側(cè)壁和底部的第二氮化層同時(shí)被刻蝕，且其溝槽側(cè)壁刻蝕具有向溝槽內(nèi)的傾斜角度；過(guò)刻蝕溝槽底部的第一氮化層至露出柵氧化層表面停止刻蝕。所述主刻蝕在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，其工藝參數(shù)為刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為10 100 毫托；源功率為100 600瓦；氬氣的流量為50 300標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；四氟化碳的流量為10 150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；三氟甲烷的流量為10 50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘； 氧氣的流量為5 20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。所述過(guò)刻蝕在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，其工藝參數(shù)為刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為10 100 毫托；源功率為100 600瓦；氬氣的流量為50 200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；一氟甲烷的流量為10 50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；氧氣的流量為20 150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。所述去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層采用氫氟酸溶液。所述去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的第一氮化層和第二氮化層采用磷酸溶液。所述倒梯形替代柵極為多晶硅柵極。本發(fā)明還公開(kāi)了一種倒梯形金屬柵電極的制作方法，該方法包括
在半導(dǎo)體襯底上依次沉積柵氧化層、第一氮化層和氧化層；對(duì)所述氧化層進(jìn)行刻蝕形成矩形溝槽，所述矩形溝槽底露出第一氮化層表面；沉積第二氮化層，所述第二氮化層覆蓋矩形溝槽的底部、側(cè)壁和所述氧化層；對(duì)所述第二氮化層和第一氮化層依次進(jìn)行刻蝕形成倒梯形溝槽，所述倒梯形溝槽底露出柵氧化層表面；在所述倒梯形溝槽內(nèi)形成倒梯形替代柵極；去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層、第一氮化層和第二氮化層；在倒梯形替代柵極的兩側(cè)形成側(cè)壁層，以所述側(cè)壁層和倒梯形替代柵極為掩膜， 在半導(dǎo)體襯底中形成源漏區(qū)；在半導(dǎo)體襯底上未形成有倒梯形替代柵極的位置沉積層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨之后的高度與倒梯形替代柵極齊平；將所述倒梯形替代柵極去除；在去除倒梯形替代柵極的位置沉積形成倒梯形金屬柵電極。所述層間介質(zhì)層為氧化層。由上述的技術(shù)方案可見(jiàn)，本發(fā)明首先形成倒梯形溝槽，以該倒梯形溝槽為模型，在溝槽內(nèi)沉積形成倒梯形替代柵極，從而最終形成倒梯形金屬柵電極。其中，形成倒梯形溝槽可以通過(guò)刻蝕工藝參數(shù)的控制，得到規(guī)則的倒梯形形狀。與現(xiàn)有技術(shù)中直接對(duì)替代柵極材料進(jìn)行刻蝕，形成倒梯形替代柵極相比，可控性比較高，能夠得到較為理想的倒梯形替代柵極，從而得到理想的倒梯形金屬柵電極。


圖1為垂直柵電極、錐形柵電極和倒梯形柵電極的結(jié)構(gòu)示意圖。圖加至2€為現(xiàn)有技術(shù)中利用后柵工藝制作倒梯形金屬柵電極的具體過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明利用后柵極工藝制作倒梯形金屬柵電極的方法流程圖。圖3a至圖3j為本發(fā)明制作倒梯形金屬柵電極具體過(guò)程的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例， 對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于說(shuō)明，表示結(jié)構(gòu)的示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā)明的限定，此外，在實(shí)際的制作中，應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。本發(fā)明利用后柵極工藝制作倒梯形金屬柵電極的方法流程圖如圖3所示，下面結(jié)合圖3a至圖3j進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，其包括以下步驟步驟31、如圖3a所示，在半導(dǎo)體襯底300上依次沉積具有高介電常數(shù)的柵氧化層 301、第一氮化層302和氧化層303。高介電常數(shù)的柵氧化層301可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物、鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于15。第一氮化層302較薄，可以為氮化硅層，作為后續(xù)刻蝕氧化層303的刻蝕終止層；氧化層303較厚，可以為氧化硅層，其高度定義了倒梯形替代柵極的高度。所述倒梯形替代柵極的高度根據(jù)具體制程而定，不同的應(yīng)用可以有不同的數(shù)值。步驟32、如圖北所示，對(duì)所述氧化層303進(jìn)行刻蝕形成矩形溝槽，所述矩形溝槽底
露出第一氮化層302表面。其中，形成矩形溝槽，可以通過(guò)在沉積的氧化層303上涂布光阻膠層，對(duì)所述光阻膠層進(jìn)行圖案化，定義矩形溝槽的位置，然后以圖案化的光阻膠層為掩膜進(jìn)行刻蝕，得到矩形溝槽。步驟33、如圖3c所示，沉積第二氮化層304，所述第二氮化層304覆蓋矩形溝槽的底部、側(cè)壁和所述氧化層。其中，第二氮化層304與第一氮化層302材質(zhì)相同，可以為氮化硅層。步驟34、如圖3d所示，對(duì)所述第二氮化層304和第一氮化層302依次進(jìn)行刻蝕形成倒梯形溝槽，所述倒梯形溝槽底露出柵氧化層301表面。其中，如何形成倒梯形溝槽是本發(fā)明的一個(gè)關(guān)鍵，該倒梯形溝槽的形狀是否理想， 決定了倒梯形替代柵極是否具有理想的形狀，從而決定了最終形成的倒梯形金屬柵電極是否具有理想的形狀。本發(fā)明采用主刻蝕和過(guò)刻蝕相結(jié)合的方法，逐步形成倒梯形溝槽。主刻蝕過(guò)程包括刻蝕矩形溝槽外部的第二氮化層304，在露出第二氮化層304下的氧化層303時(shí)，停止刻蝕，在這個(gè)過(guò)程中，矩形溝槽側(cè)壁和底部的第二氮化層304也同時(shí)被刻蝕，且矩形溝槽側(cè)壁形成有向溝槽內(nèi)的傾斜角度。主刻蝕在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為10 100毫托(mt)；源功率為100 600瓦；氬氣的流量為50 300標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘 (sccm)；四氟化碳的流量為10 150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；三氟甲烷(CHF3)的流量為10 50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；氧氣的流量為5 20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。在這個(gè)過(guò)程中，由于三氟甲烷含有氫元素，所以會(huì)產(chǎn)生大量的聚合物(polymer)，逐漸覆蓋溝槽的側(cè)壁，使得溝槽側(cè)壁具有向內(nèi)的傾斜角度。由經(jīng)驗(yàn)得知，類(lèi)似三氟甲烷的含氟類(lèi)氣體中，氫元素的含量越高，越容易產(chǎn)生聚合物，所以為獲得傾斜角更大的倒梯形溝槽，具體實(shí)施例中還可采用二氟甲烷(CH2F2)等含氫量更高的氣體進(jìn)行主刻蝕。例如，可以采用氬氣、四氟化碳、二氟甲烷以及氧氣這些氣體完成上述主刻蝕過(guò)程。由于主刻蝕過(guò)程結(jié)束后，溝槽底部的第一氮化層302還未被完全去除，所以需要對(duì)其進(jìn)行過(guò)刻蝕，至露出柵氧化層301表面停止刻蝕。過(guò)刻蝕同樣在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為10 100毫托；源功率為100 600瓦；氬氣的流量為50 200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；一氟甲烷(CH3F)的流量為10 50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；氧氣的流量為 20 150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。由于這個(gè)過(guò)程一氟甲烷的存在，使得刻蝕第一氮化層和柵氧化層的選擇比很高，即刻蝕完全第一氮化層之后基本不會(huì)對(duì)柵氧化層進(jìn)行刻蝕。步驟35、如圖3e所示，在所述倒梯形溝槽內(nèi)形成倒梯形替代柵極305。需要說(shuō)明的是，因?yàn)樽罱K形成的是金屬柵電極，倒梯形替代柵極會(huì)被金屬柵電極替代，也就是說(shuō)倒梯形替代柵極最終是不存在的，所以作為倒梯形替代柵極的材料可以有多種，本發(fā)明實(shí)施例中替代柵極的材料為多晶硅。步驟36、如圖3f所示，去除倒梯形替代柵極305兩側(cè)的氧化層303、第一氮化層 302和第二氮化層304。
去除倒梯形替代柵極305兩側(cè)的氧化層303，優(yōu)選為采用氫氟酸溶液濕法去除，去除倒梯形替代柵極305兩側(cè)的第一氮化層302和第二氮化層304優(yōu)選為采用磷酸溶液濕法去除。該步驟中能夠確保采用濕法去除其他結(jié)構(gòu)的同時(shí)，不對(duì)倒梯形替代柵極進(jìn)行刻蝕。至此，本發(fā)明的倒梯形的替代柵極已經(jīng)形成完畢。接下來(lái)，步驟37至步驟40為按照現(xiàn)有技術(shù)的方法，在倒梯形替代柵極的基礎(chǔ)上， 形成倒梯形金屬柵電極。步驟37、如圖3g所示，在倒梯形替代柵極305的兩側(cè)形成側(cè)壁層306，以所述側(cè)壁層306和倒梯形替代柵極305為掩膜，在半導(dǎo)體襯底300中形成源漏區(qū)307。其中，側(cè)壁層 306可以為氮化層、或者氧化層、或者兩者的疊層等。步驟38、如圖池所示，在半導(dǎo)體襯底300上未形成有倒梯形替代柵極305的位置沉積層間介質(zhì)層308，所述層間介質(zhì)層308經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨之后的高度與倒梯形替代柵極305齊平。層間介質(zhì)層的材料也可以有多種，例如氧化層或者氮化層，本發(fā)明實(shí)施例中為氧化層。步驟39、如圖3i所示，將所述倒梯形替代柵極305去除。本發(fā)明實(shí)施例中刻蝕多晶硅替代柵極可以采用干法刻蝕，也可以采用濕法刻蝕。 其中，干法刻蝕的氣體可以包含六氟化硫(SF6)或氯氣(Cl2)；濕法刻蝕，具體可以采用硝酸和氫氟酸的混合溶液去除。無(wú)論干法刻蝕還是濕法刻蝕，都可以確保刻蝕多晶硅替代柵極的同時(shí)，不對(duì)其兩側(cè)的層間介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕。步驟40、如圖3j所示，在去除倒梯形替代柵極305的位置沉積形成倒梯形金屬柵電極309。沉積時(shí)該金屬柵電極材料還會(huì)覆蓋層間介質(zhì)層308的表面，然后通過(guò)CMP，對(duì)層間介質(zhì)層308表面上的金屬柵電極材料進(jìn)行拋光，最終形成倒梯形金屬柵電極309。其中，作為金屬柵電極的材料可以為鈦(Ti)、氮化鈦(TiN)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaN)中的任意兩種或者三種的組合。需要說(shuō)明的是，高介電常數(shù)的柵氧化層可以在本發(fā)明的步驟31中就沉積形成，也可以在步驟31中仍然形成常規(guī)的由氧化物構(gòu)成的柵氧化層，后續(xù)在沉積金屬柵電極的材料之前，將常規(guī)柵氧化層去除，然后在該位置上沉積高介電常數(shù)的柵氧化層即可。由于本發(fā)明的關(guān)鍵不在于此，所以只以一種方式為例進(jìn)行流程上的說(shuō)明。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種倒梯形替代柵極的制作方法，該方法包括 在半導(dǎo)體襯底上依次沉積柵氧化層、第一氮化層和氧化層；對(duì)所述氧化層進(jìn)行刻蝕形成矩形溝槽，所述矩形溝槽底露出第一氮化層表面； 沉積第二氮化層，所述第二氮化層覆蓋矩形溝槽的底部、側(cè)壁和所述氧化層； 對(duì)所述第二氮化層和第一氮化層依次進(jìn)行刻蝕形成倒梯形溝槽，所述倒梯形溝槽底露出柵氧化層表面；在所述倒梯形溝槽內(nèi)形成倒梯形替代柵極；去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層、第一氮化層和第二氮化層。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成倒梯形溝槽的方法包括主刻蝕矩形溝槽外部的第二氮化層，至露出氧化層時(shí)，矩形溝槽側(cè)壁和底部的第二氮化層同時(shí)被刻蝕，且其溝槽側(cè)壁刻蝕具有向溝槽內(nèi)的傾斜角度； 過(guò)刻蝕溝槽底部的第一氮化層至露出柵氧化層表面停止刻蝕。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述主刻蝕在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，其工藝參數(shù)為刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為10 100毫托；源功率為100 600瓦；氬氣的流量為50 300 標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；四氟化碳的流量為10 150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；三氟甲烷的流量為10 50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；氧氣的流量為5 20標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述過(guò)刻蝕在刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，其工藝參數(shù)為刻蝕反應(yīng)腔內(nèi)壓力為10 100毫托；源功率為100 600瓦；氬氣的流量為50 200標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；一氟甲烷的流量為10 50標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘；氧氣的流量為 20 150標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層采用氫氟酸溶液。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的第一氮化層和第二氮化層采用磷酸溶液。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述倒梯形替代柵極為多晶硅柵極。
8.一種倒梯形金屬柵電極的制作方法，該方法包括 在半導(dǎo)體襯底上依次沉積柵氧化層、第一氮化層和氧化層；對(duì)所述氧化層進(jìn)行刻蝕形成矩形溝槽，所述矩形溝槽底露出第一氮化層表面； 沉積第二氮化層，所述第二氮化層覆蓋溝槽的底部、側(cè)壁和所述氧化層； 對(duì)所述第二氮化層和第一氮化層依次進(jìn)行刻蝕形成倒梯形溝槽，所述倒梯形溝槽底露出柵氧化層表面；在所述倒梯形溝槽內(nèi)形成倒梯形替代柵極； 去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層、第一氮化層和第二氮化層； 在倒梯形替代柵極的兩側(cè)形成側(cè)壁層，以所述側(cè)壁層和倒梯形替代柵極為掩膜，在半導(dǎo)體襯底中形成源漏區(qū)；在半導(dǎo)體襯底上未形成有倒梯形替代柵極的位置沉積層間介質(zhì)層，所述層間介質(zhì)層經(jīng)過(guò)化學(xué)機(jī)械研磨之后的高度與倒梯形替代柵極齊平； 將所述倒梯形替代柵極去除；在去除倒梯形替代柵極的位置沉積形成倒梯形金屬柵電極。
9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述層間介質(zhì)層為氧化層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種倒梯形替代柵極的制作方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底上依次沉積柵氧化層、第一氮化層和氧化層；對(duì)所述氧化層進(jìn)行刻蝕形成矩形溝槽，所述矩形溝槽底露出第一氮化層表面；沉積第二氮化層，所述第二氮化層覆蓋矩形溝槽的底部、側(cè)壁和所述氧化層；對(duì)所述第二氮化層和第一氮化層依次進(jìn)行刻蝕形成倒梯形溝槽，所述倒梯形溝槽底露出柵氧化層表面；在所述倒梯形溝槽內(nèi)形成倒梯形替代柵極；去除倒梯形替代柵極兩側(cè)的氧化層、第一氮化層和第二氮化層。本發(fā)明還提供了一種倒梯形金屬柵電極的制作方法。本發(fā)明能夠形成理想形狀的倒梯形替代柵極以及倒梯形金屬柵電極。
文檔編號(hào)H01L21/28GK102412128SQ20101029258
公開(kāi)日2012年4月11日 申請(qǐng)日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者張翼英 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司