技術(shù)編號(hào)：6953073
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體邏輯電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種。背景技術(shù)目前，高介電常數(shù)絕緣材料和金屬柵電極將被用于制造邏輯電路器件。為了控制短溝道效應(yīng)，更小尺寸器件要求進(jìn)一步提高柵電極電容。這能夠通過不斷減薄柵氧化層的厚度而實(shí)現(xiàn)，但隨之而來的是柵電極漏電流的提升。當(dāng)二氧化硅作為柵氧化層，厚度低于5.0納米時(shí)，漏電流就變得無法忍受了。解決上述問題的方法就是使用高介電常數(shù)絕緣材料取代二氧化硅，高介電常數(shù)絕緣材料可以為鉿硅酸鹽、鉿硅氧氮化合物、 鉿氧化物等，介電常數(shù)一般都大于...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。