專利名稱：：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法，且特別是涉及一種應(yīng)用穿硅導(dǎo)孔進(jìn)行芯片堆疊的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法。
背景技術(shù)：
：在現(xiàn)今的資訊社會(huì)中，使用者均是追求高速度、高品質(zhì)、多功能性的電子產(chǎn)品。就產(chǎn)品外觀而言，電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)是朝向輕、薄、短、小的趨勢邁進(jìn)。因此，電子封裝技術(shù)發(fā)展出諸如堆疊式芯片封裝等多芯片封裝技術(shù)。堆疊式芯片封裝是利用垂直堆疊的方式將多個(gè)集成電路(IntegratedCircuit，IC)芯片封裝于同一封裝結(jié)構(gòu)中，如此可提升封裝密度以使封裝結(jié)構(gòu)小型化，且可利用立體堆疊的方式縮短芯片之間的信號(hào)傳輸?shù)穆窂介L度，以提升芯片之間信號(hào)傳輸?shù)乃俣?，并可將不同功能的芯片組合于同一封裝體中。其中，穿硅導(dǎo)孔(ThroughSiliconVia,TSV)可提供芯片與芯片間的垂直導(dǎo)通路徑，為目前實(shí)現(xiàn)三維集成電路制作工藝整合的關(guān)鍵技術(shù)。另一方面，隨著IC芯片的內(nèi)部線路的集成度(integration)不斷地攀升，芯片所產(chǎn)生的熱能也不斷增加。為了使芯片能夠維持正常運(yùn)作，必須將芯片維持在較佳的工作溫度下，以避免溫度過高造成芯片效能下降或損壞?，F(xiàn)有堆疊式芯片封裝結(jié)構(gòu)通常具有散熱片，散熱片底部通過粘著膠與下層芯片表面接合，并且覆蓋上層芯片。然而，在已知的芯片制作工藝中，芯片的表面上會(huì)覆蓋有一層保護(hù)層，其熱傳導(dǎo)效率低，會(huì)阻礙芯片內(nèi)部的熱量傳導(dǎo)至外界。即使，在堆疊式芯片封裝結(jié)構(gòu)的下層芯片上設(shè)置了散熱片，此保護(hù)層同樣會(huì)阻礙下層芯片與散熱片之間的熱傳導(dǎo)，而影響堆疊式芯片封裝結(jié)構(gòu)的可靠度。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，具有良好的散熱效率以及可靠度。本發(fā)明也提供一種制作前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法。為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，在此提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包括一第一芯片、一第一布線層(wiringlayer)、一第二布線層、多個(gè)凸塊接墊以及一散熱層。第一芯片具有一主動(dòng)面以及相對于主動(dòng)面的一背面，且第一芯片具有多個(gè)穿硅導(dǎo)孔(throughsiliconvia,TSV)。第一布線層配置于第一芯片的主動(dòng)面。第一布線層包括一第一內(nèi)連線，且第一內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的一端。第二布線層配置于第一芯片的背面。第二布線層包括一第二內(nèi)連線以及一導(dǎo)熱通孔。第二內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的另一端，而導(dǎo)熱通孔與第二內(nèi)連線電性絕緣并且接觸第一芯片的背面。凸塊接墊配置于第二布線層上，且凸塊接墊分別連接至第二內(nèi)連線。散熱層配置于第二布線層上，且位于凸塊接墊以外的位置上。散熱層連接至導(dǎo)熱通孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一第二芯片配置于第一芯片上方；以及，多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊分別配置于凸塊接墊上，且第二芯片經(jīng)由第一導(dǎo)電凸塊電連接至第二內(nèi)連線。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一線路載板承載第一芯片；以及，多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊配置于第一布線層與線路載板之間，用以電連接第一布線層與線路載板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括多個(gè)焊球配置于線路載板的底部。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括一散熱片配置于第一芯片上，并且覆蓋第二芯片。散熱片熱接合至散熱層。在此，熱接合一詞是指可使兩元件之間達(dá)成良好的熱傳導(dǎo)的接合方式，其間可能存在其他的導(dǎo)熱粘著材。舉例而言，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括一第一導(dǎo)熱膠配置于散熱片與散熱層之間，或是一第二導(dǎo)熱膠配置于散熱片與第二芯片之間。此外，所述散熱層可接地，以屏蔽電磁干擾。在此更提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括下列步驟。首先，提供一半導(dǎo)體晶片，其中半導(dǎo)體晶片具有一主動(dòng)面。半導(dǎo)體晶片內(nèi)具有多個(gè)穿硅導(dǎo)孔，且半導(dǎo)體晶片的主動(dòng)面上具有一第一布線層。第一布線層包括一第一內(nèi)連線，其例如是后段制作工藝內(nèi)連線，且第一內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的一端。接著，由主動(dòng)面的對側(cè)來薄化半導(dǎo)體晶片，以暴露出該穿硅導(dǎo)孔的另一端以及半導(dǎo)體晶片的一背面。然后，形成一第二布線層于半導(dǎo)體晶片的背面。第二布線層內(nèi)具有一第二內(nèi)連線以及一導(dǎo)熱通孔，其中第二內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的另一端，而導(dǎo)熱通孔與第二內(nèi)連線電性絕緣并且接觸半導(dǎo)體晶片的背面。接著，形成多個(gè)凸塊接墊以及一散熱層，其中凸塊接墊分別連接至第二內(nèi)連線，而散熱層連接至導(dǎo)熱通孔。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，形成前述凸塊接墊以及散熱層的方法包括先全面形成一電鍍種子層于第二布線層上，此電鍍種子層電連接至第二內(nèi)連線以及導(dǎo)熱通孔。接著，形成一光掩模于電鍍種子層上，以在電鍍種子層上定義出多個(gè)接墊區(qū)域以及一散熱區(qū)域。然后，通過電鍍種子層進(jìn)行一電鍍制作工藝，以在接墊區(qū)域內(nèi)形成所述多個(gè)凸塊接墊，并且在散熱區(qū)域內(nèi)形成所述散熱層。之后，移除光掩模以及被光掩模覆蓋的電鍍種子層。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法更包括覆晶接合多個(gè)第二芯片至半導(dǎo)體晶片，其中每一第二芯片經(jīng)由多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊電連接至所對應(yīng)的凸塊接墊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法更包括在覆晶接合第二芯片至半導(dǎo)體晶片之后，裁切半導(dǎo)體晶片，以得到多個(gè)相互分離的第一芯片。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法更包括覆晶接合第一芯片至一線路載板，其中第一芯片的穿硅導(dǎo)孔分別經(jīng)由多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊電連接至線路載板。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法更包括配置一散熱片于第一芯片上。散熱片覆蓋第二芯片，并且熱接合至散熱層。基于上述，本發(fā)明在作為下層芯片的第一芯片的背面外圍設(shè)置導(dǎo)熱通孔以及散熱層，有助于提高后續(xù)組裝的散熱片的接合強(qiáng)度，并且可通過導(dǎo)熱通孔與散熱層提供良好的熱傳導(dǎo)路徑，以增進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的散熱效率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖作詳細(xì)說明如下。圖1繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；圖2A-圖2K繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。主要元件符號(hào)說明100半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110:第一芯片110’半導(dǎo)體晶片110a:第一芯片的主動(dòng)面IlOb:第一芯片的背面112:穿硅導(dǎo)孔112a:穿硅導(dǎo)孔的一端112b穿硅導(dǎo)孔的另一端120第一布線層122:第一內(nèi)連線130第二布線層130a金屬層130b:介電層132:第二內(nèi)連線134導(dǎo)熱通孔139:介電層的開口140:電鍍種子層140a銅層140b鎳/金疊層142:凸塊接墊144:散熱層150第二芯片162第一底膠164第二底膠170線路載板182:第一導(dǎo)電凸塊184:第二導(dǎo)電凸塊190散熱片192第一導(dǎo)熱膠194第二導(dǎo)熱膠210光掩模212接墊區(qū)域214散熱區(qū)域具體實(shí)施例方式圖1繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。如圖1所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括一第一芯片110，其中第一芯片110的內(nèi)部具有多個(gè)穿硅導(dǎo)孔112。第一芯片110的主動(dòng)面IlOa上配置有一第一布線層120。此處的第一布線層120包括一第一內(nèi)連線122，其例如是晶片制作工藝中的后段制作工藝(backendofline,BE0L)所形成的內(nèi)連線。此第一內(nèi)連線122例如連接于該穿硅導(dǎo)孔112的一端112a與第一芯片110下方的第二導(dǎo)電凸塊184之間。此外，第一芯片110內(nèi)還可能存在其他的主動(dòng)或被動(dòng)元件(未繪示)，因此第一內(nèi)連線122也可連接該些主動(dòng)或被動(dòng)元件。第二布線層130配置于第一芯片110的背面110b。第二布線層130包括一第二內(nèi)連線132以及多個(gè)導(dǎo)熱通孔134，其中第二內(nèi)連線132連接該穿硅導(dǎo)孔112的另一端112b，而導(dǎo)熱通孔134與第二內(nèi)連線132電性絕緣并且接觸第一芯片110的背面110b。在此，導(dǎo)熱通孔134主要作為熱傳導(dǎo)之用。第二布線層130上設(shè)置有多個(gè)凸塊接墊142。該些凸塊接墊142分別連接至第二內(nèi)連線132。此外，第二布線層130上還具有一散熱層144其位于凸塊接墊142以外的位置上，且散熱層144連接至導(dǎo)熱通孔134。第二芯片150配置于第一芯片110上方，并通過多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊182連接到凸塊接墊142上，使第二芯片150經(jīng)由第一導(dǎo)電凸塊182、凸塊接墊142以及第二內(nèi)連線132，連接到第一芯片110的穿硅導(dǎo)孔112，以達(dá)成第二芯片150與第一芯片110之間的電連接。為了保護(hù)第一導(dǎo)電凸塊182，第二芯片150與第二布線層130之間可填充一第一底膠162，使第一底膠162包覆第一導(dǎo)電凸塊182。如圖1所示，前述的結(jié)構(gòu)可架構(gòu)于一線路載板170上。此線路載板170例如是一般的印刷電路板、陶瓷基板、金屬基板或是適用的其他各類型的載板，用以承載第一芯片110。多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊184配置于第一布線層120與線路載板170之間，用以電連接第一布線層120與線路載板170。為了保護(hù)第二導(dǎo)電凸塊184，第一布線層120與線路載板170之間可填充一第二底膠164，使第二底膠164包覆第二導(dǎo)電凸塊184。此外，線路載板170的底部可配置多個(gè)焊球186，以作為整體半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100連接到外部電路的路徑。第一芯片110上可設(shè)置一散熱片190，以提高散熱效率。散熱片190覆蓋第二芯片150并接合至第一芯片110上的散熱層144，以使第一芯片110與第二芯片150運(yùn)作時(shí)產(chǎn)生的熱得以通過散熱片190散逸至外界環(huán)境。為了固定散熱片190并提高散熱片190與第一芯片110以及第二芯片150之間的熱傳導(dǎo)效率，可分別在散熱片190與散熱層144之間配置一第一導(dǎo)熱膠192，以及在散熱片190與第二芯片150之間配置一第二導(dǎo)熱膠194。本實(shí)施例在第二布線層130中設(shè)置了導(dǎo)熱通孔134，用以使第一芯片110產(chǎn)生的大部分的熱不會(huì)受到第二布線層130內(nèi)的介電材質(zhì)的阻擋，而可經(jīng)由導(dǎo)熱通孔134傳遞至散熱層144以及散熱片190。換言之，本實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100相較于已知的結(jié)構(gòu)具有較佳的散熱效率以及運(yùn)作可靠度。此外，本實(shí)施例的散熱層144可與凸塊接墊142同時(shí)制作，即散熱層144與凸塊接墊142具有相同的材質(zhì)。例如，凸塊接墊142表層為具有良好接著濕潤性(wettable)的鎳/金疊層140b，同樣散熱層144表層也具有此鎳/金疊層140b，而可提高散熱片190與散熱層144之間的接合性(solderability)。再者，本實(shí)施例還可以將散熱層144接地，使得連接到散熱層144的散熱片190具有可屏蔽電磁干擾的功能，以避免內(nèi)部的第一芯片Iio以及第二芯片150受到外界雜訊的干擾。下文進(jìn)一步提出前述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制作方法。需先說明的是，現(xiàn)行針對多芯片堆疊在基板上的TSV封裝技術(shù)而言，通常選用三種方式來進(jìn)行封裝第一種方式是先將具有穿硅導(dǎo)孔的下層晶片暫時(shí)配置于一載具上，并將其薄化使得穿硅導(dǎo)孔裸露。接著，在尚未切割下層晶片的情況下，進(jìn)行上層芯片對下層晶片的接合。之后，才對下層晶片進(jìn)行切割，并將堆疊的芯片結(jié)構(gòu)接合至線路載板上。第二種方式，則是將內(nèi)埋穿硅導(dǎo)孔且單體化的下層芯片覆晶接合在線路載板上并加以點(diǎn)膠保護(hù)，利用研磨的技術(shù)將下層芯片薄化，并且使穿硅導(dǎo)孔裸露出來。待對穿硅導(dǎo)孔進(jìn)行表面處理后，再進(jìn)行上層芯片對下層芯片的堆疊封裝。第三種方式，則是先完成所有下層晶片的制作工藝，此時(shí)的穿硅導(dǎo)孔已裸露并且晶片厚度已薄化。之后，再以覆晶的方式將單體化的下層芯片接合至線路載板，待點(diǎn)膠完成后再進(jìn)行上層芯片與下層芯片的堆疊。無論是前述那一種制作工藝都適用于本發(fā)明提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。圖2A-圖2K繪示依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法。對照前述三種制作方式，本實(shí)施例不再逐一詳述已知的各個(gè)步驟細(xì)節(jié)。例如，本實(shí)施例省略了至程中可能使用的載具，至于圖面中繪示的芯片(或晶片)在其他實(shí)施例中也可能是晶片(或芯片)，此端視實(shí)際制作方式的選擇。首先，如圖2A所示，提供一半導(dǎo)體晶片110’。此半導(dǎo)體晶片110’作為堆疊結(jié)構(gòu)中的下層晶片，用以在后續(xù)切割制作工藝后形成前述圖1的第一芯片110。半導(dǎo)體晶片110’具有主動(dòng)面110a，且半導(dǎo)體晶片110’內(nèi)具有多個(gè)穿硅導(dǎo)孔112。此外，半導(dǎo)體晶片110’的主動(dòng)面IlOa上具有第一布線層120。第一布線層120包括第一內(nèi)連線(例如是BEOL內(nèi)連線)122，且第一內(nèi)連線122連接該穿硅導(dǎo)孔112的一端112a。接著，如圖2B所示，由主動(dòng)面IlOa的對側(cè)來薄化半導(dǎo)體晶片110’，以暴露出該穿硅導(dǎo)孔112的另一端112b以及半導(dǎo)體晶片110’的一背面110b。然后，如圖2C所示，形成第二布線層130于半導(dǎo)體晶片110’的背面110b。第二布線層130內(nèi)具有第二內(nèi)連線132以及導(dǎo)熱通孔134。第二內(nèi)連線132連接該穿硅導(dǎo)孔112的另一端112b，而導(dǎo)熱通孔134與第二內(nèi)連線132電性絕緣并且接觸半導(dǎo)體晶片110’的背面110b。在此，第二布線層130可為單一或是多個(gè)金屬層130a與介電層130b堆疊而成的多層結(jié)構(gòu)，其中最上層的介電層130b具有多個(gè)開口139，以暴露出第二內(nèi)連線132以及導(dǎo)熱通孔134。之后，如圖2D所示，全面形成一電鍍種子層140于第二布線層130上。電鍍種子層140經(jīng)由開口139電連接至第二內(nèi)連線132以及導(dǎo)熱通孔134。接著，如圖2E所示，形成一光掩模210于電鍍種子層140上，以在電鍍種子層140上定義出多個(gè)接墊區(qū)域212以及一散熱區(qū)域214，其中接墊區(qū)域212對應(yīng)于第二內(nèi)連線132，而散熱區(qū)域214對應(yīng)于導(dǎo)熱通孔134。并且，如圖2F所示，通過電鍍種子層140進(jìn)行一電鍍制作工藝，以在接墊區(qū)域212內(nèi)形成多個(gè)凸塊接墊142，同時(shí)在散熱區(qū)域214內(nèi)形成一散熱層144。凸塊接墊142分別連接至第二內(nèi)連線132，而散熱層144連接至導(dǎo)熱通孔134。在此處的電鍍制作工藝中，為了提高凸塊接墊142以及散熱層144相對于后續(xù)接合的第二導(dǎo)電凸塊184以及散熱片190的接合性，可以選擇依據(jù)電鍍形成銅層140a與鎳/金疊層140b，其中金層作為電鍍結(jié)構(gòu)的最表層，具有良好的濕潤性(wettable)，因而有助于提高后續(xù)接合的效果。然后，如圖2G所示，移除光掩模210以及被光掩模210覆蓋的電鍍種子層140。圖2G所繪示的結(jié)構(gòu)為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的半成品，可采晶片形態(tài)出貨，或是切割后，以單體化的芯片型態(tài)出貨。承續(xù)圖2G所示的步驟，以下說明以晶片型態(tài)的半成品繼續(xù)進(jìn)行芯片堆疊步驟的制作工藝。如圖2H所示，覆晶接合多個(gè)第二芯片150至半導(dǎo)體晶片110’，其中每一第二芯片150經(jīng)由第一導(dǎo)電凸塊182電連接至所對應(yīng)的凸塊接墊142。此外，本實(shí)施例可以選擇形成第一底膠162于每一第二芯片與第二布線層130之間，使第一底膠162包覆第一導(dǎo)電凸塊182。此填膠的步驟可以在覆晶接合第二芯片150至半導(dǎo)體晶片110，之前或之后實(shí)施。艮口，第一底膠162可在每一第二芯片150接合至半導(dǎo)體晶片110’之前被預(yù)先形成于第二布線層130上，或是在每一第二芯片150接合至半導(dǎo)體晶片110’之后被填入第二芯片150與第二布線層130之間。接著，如圖21所示，在覆晶接合第二芯片150至半導(dǎo)體晶片110’之后，裁切半導(dǎo)體晶片110’，以得到多個(gè)相互分離的第一芯片110。然后，如圖2J所示，覆晶接合第一芯片110至線路載板170，其中第一芯片110的穿硅導(dǎo)孔112分別經(jīng)由第二導(dǎo)電凸塊184電連接至線路載板170。此外，本實(shí)施例也可以選擇形成第二底膠164于第一芯片110與線路載板170之間，以包覆第二導(dǎo)電凸塊184。第二底膠164可在第一芯片110接合至線路載板170之前被預(yù)先形成于線路載板170上，或是在第一芯片110接合至線路載板170之后被填入第一芯片110與線路載板170之間。另外，如圖2K所示，可以配置散熱片190于第一芯片110上，以大致完成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制作，其中散熱片190覆蓋第二芯片150，并且熱接合至散熱層144。此處的熱接合指可使兩元件之間達(dá)成良好的熱傳導(dǎo)的接合方式，其間可能存在其他的導(dǎo)熱粘著材。例如，散熱片190與散熱層144之間可配置第一導(dǎo)熱膠192，以及散熱片190與第二芯片150之間可配置第二導(dǎo)熱膠194。本實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法較接近于前述的第一種制作方式。然而，實(shí)際上，本發(fā)明并不受限于此。本
技術(shù)領(lǐng)域：
中具有通常知識(shí)者在參照本實(shí)施例的揭露內(nèi)容之后，當(dāng)可依據(jù)實(shí)際的制作工藝需求來調(diào)整、省略或是增加任何可能的步驟，以得到本發(fā)明的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，前述實(shí)施例中所揭露的屬于已知部分的技術(shù)內(nèi)容并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中熟悉此技術(shù)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可依據(jù)當(dāng)時(shí)的技術(shù)水平作些許的更動(dòng)與潤飾。本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以附上的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。9權(quán)利要求一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括第一芯片，具有一主動(dòng)面以及相對于該主動(dòng)面的一背面，且該第一芯片具有多個(gè)穿硅導(dǎo)孔；第一布線層，配置于該第一芯片的該主動(dòng)面，該第一布線層包括一第一內(nèi)連線，且該第一內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的一端；第二布線層，配置于該第一芯片的該背面，該第二布線層包括一第二內(nèi)連線以及一導(dǎo)熱通孔，該第二內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的另一端，而該導(dǎo)熱通孔與該第二內(nèi)連線電性絕緣并且接觸該第一芯片的該背面；多個(gè)凸塊接墊，配置于該第二布線層上，且該些凸塊接墊分別連接至該第二內(nèi)連線；以及散熱層，配置于該第二布線層上，且位于該些凸塊接墊以外的位置上，該散熱層連接至該導(dǎo)熱通孔。2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括第二芯片，配置于該第一芯片上方；以及多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊，分別配置于該些凸塊接墊上，該第二芯片經(jīng)由該些第一導(dǎo)電凸塊電連接至該第二內(nèi)連線。3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括線路載板，承載該第一芯片；以及多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊，配置于該第一布線層與該線路載板之間，用以電連接該第一布線層與該線路載板。4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括多個(gè)焊球，配置于該線路載板的底部。5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，還包括散熱片，配置于該第一芯片上，并且覆蓋該第二芯片，該散熱片熱接合至該散熱層。6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中該散熱層接地。7.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，包括提供一半導(dǎo)體晶片，其中該半導(dǎo)體晶片具有一主動(dòng)面，該半導(dǎo)體晶片內(nèi)具有多個(gè)穿硅導(dǎo)孔，該半導(dǎo)體晶片的該主動(dòng)面上具有一第一布線層，該第一布線層包括一第一內(nèi)連線，且該第一內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的一端；由該主動(dòng)面的對側(cè)來薄化該半導(dǎo)體晶片，以暴露出該穿硅導(dǎo)孔的另一端以及該半導(dǎo)體晶片的一背面；形成一第二布線層于該半導(dǎo)體晶片的該背面，該第二布線層內(nèi)具有一第二內(nèi)連線以及一導(dǎo)熱通孔，該第二內(nèi)連線連接該穿硅導(dǎo)孔的該另一端，而該導(dǎo)熱通孔與該第二內(nèi)連線電性絕緣并且接觸該半導(dǎo)體晶片的該背面；以及形成多個(gè)凸塊接墊以及一散熱層，該些凸塊接墊分別連接至該第二內(nèi)連線，該散熱層連接至該導(dǎo)熱通孔。8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，其中形成該些凸塊接墊以及該散熱層的方法包括全面形成一電鍍種子層于該第二布線層上，該電鍍種子層電連接至該第二內(nèi)連線以及該導(dǎo)熱通孔；形成一光掩模于該電鍍種子層上，以在該電鍍種子層上定義出多個(gè)接墊區(qū)域以及一散熱區(qū)域；通過該電鍍種子層進(jìn)行一電鍍制作工藝，以在該些接墊區(qū)域內(nèi)形成該些凸塊接墊，并且在該散熱區(qū)域內(nèi)形成該散熱層；以及移除該光掩模以及被該光掩模覆蓋的該電鍍種子層。9.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括覆晶接合多個(gè)第二芯片至該半導(dǎo)體晶片，其中每一第二芯片經(jīng)由多個(gè)第一導(dǎo)電凸塊電連接至所對應(yīng)的該些凸塊接墊。10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括在覆晶接合該些第二芯片至該半導(dǎo)體晶片之后，裁切該半導(dǎo)體晶片，以得到多個(gè)相互分離的第一芯片。11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括覆晶接合該第一芯片至一線路載板，其中該第一芯片的該些穿硅導(dǎo)孔分別經(jīng)由多個(gè)第二導(dǎo)電凸塊電連接至該線路載板。12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法，還包括配置一散熱片于該第一芯片上，該散熱片覆蓋該第二芯片，并且熱接合至該散熱層。全文摘要本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制作方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)是在下層芯片的背面外圍設(shè)置導(dǎo)熱通孔以及散熱層，以提高后續(xù)組裝的散熱片的接合強(qiáng)度，并且可通過導(dǎo)熱通孔與散熱層提供良好的熱傳導(dǎo)路徑，以增進(jìn)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的散熱效率。一種制作此半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法也被提出。文檔編號(hào)H01L23/367GK101980360SQ20101028295公開日2011年2月23日申請日期2010年9月15日優(yōu)先權(quán)日2010年9月15日發(fā)明者王盟仁申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司