專利名稱：場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。
背景技術(shù)：
在電子線路的設(shè)計(jì)上，例如電源線路部份通常會(huì)使用場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件來(lái)作為開(kāi)關(guān)組件，如圖1所示，為一現(xiàn)有場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件10的示意圖，其包括一晶體管本體Q、一柵極G、一源極S及一漏極D，有時(shí)還會(huì)在源極S及漏極D之間串聯(lián)一二極管DS。當(dāng)該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件10設(shè)于電路中時(shí)，其漏極D處的電壓波形可能為圖2所示，當(dāng)該電壓波形的峰值超過(guò)該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件10的規(guī)格時(shí)，就有可能會(huì)導(dǎo)致該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件10被擊穿而燒毀的情況發(fā)生。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于上述內(nèi)容，有必要提供一種具有自身保護(hù)機(jī)制的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件。一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，包括一晶體管本體、一柵極、一源極、一漏極、一電容及一電阻，該電容及電阻串聯(lián)后連接在該柵極及源極之間，且該電容及電阻通過(guò)封裝形式與該晶體管本體、柵極、源極及漏極整合在一起。上述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件通過(guò)在柵極及源極之間串接該電容及電阻組件，可有效避免被擊穿而導(dǎo)致燒毀的情況發(fā)生，且由于該電容及電阻是封裝于該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件內(nèi)部，故不會(huì)占用電路板的布線空間，并且成本上也較單獨(dú)設(shè)置于電路板上的電阻及電容組件要低。


下面參照附圖結(jié)合較佳實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述圖1為現(xiàn)有場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的示意圖。圖2為圖1場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件的漏極處的電壓波形圖。圖3為本發(fā)明場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件較佳實(shí)施方式的示意圖。圖4為圖3場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件在與圖1場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件同等條件下時(shí)的漏極處
的電壓波形圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件20晶體管本體Ql柵極Gl源極Sl漏極Dl二極管DSl電容Cl
電阻Rl
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參考圖3，本發(fā)明場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件20的較佳實(shí)施方式包括一晶體管本體Q1、 一柵極Gl、一源極Si、一漏極Dl、一二極管DSl、一電容Cl及一電阻Rl，該二極管DSl串聯(lián)在該源極Sl及漏極Dl之間，其中該晶體管本體Q1、柵極G1、源極Si、漏極D1、二極管DSl 的內(nèi)部具體結(jié)構(gòu)均為現(xiàn)有技術(shù)，故這里不詳細(xì)說(shuō)明。該電容Cl及電阻Rl串聯(lián)后連接在該柵極Gl及源極Sl之間，且上述所有組件系通過(guò)封裝形式整合在一起，作為該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件20。請(qǐng)參考圖4，在與圖2同等條件下該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件20設(shè)于電路中時(shí)，其漏極 Dl處的電壓波形的峰值要明顯小于現(xiàn)有場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件10的漏極D處的電壓波形的峰值，因此，本發(fā)明該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件20通過(guò)自身在柵極Gl及源極Sl之間設(shè)置的電容Cl 與電阻Rl串聯(lián)的電路即可有效降低電壓峰值，從而可避免被擊穿而導(dǎo)致燒毀的情況發(fā)生。 同時(shí)，由于該電容Cl及電阻Rl是通過(guò)封裝形式整合該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件20內(nèi)部的，故相較于在外部設(shè)置單獨(dú)的電容及電阻組件的成本要低很多，因此可節(jié)省成本。
權(quán)利要求
1.一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，包括一晶體管本體、一柵極、一源極及一漏極，其特征在于 該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件還包括一電容及一電阻，該電容及電阻串聯(lián)后連接在該柵極及源極之間，且該電容及電阻通過(guò)封裝形式與該晶體管本體、柵極、源極及漏極整合在一起。
2.如權(quán)利要求1所述的場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，其特征在于該源極及漏極之間還串聯(lián)一二極管。
全文摘要
一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件，包括一晶體管本體、一柵極、一源極、一漏極、一電容及一電阻，該電容及電阻串聯(lián)后連接在該柵極及源極之間，且該電容及電阻通過(guò)封裝形式與該晶體管本體、柵極、源極及漏極整合在一起。該場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件具有自身保護(hù)機(jī)制。
文檔編號(hào)H01L25/00GK102386170SQ201010272099
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月3日
發(fā)明者柳志達(dá) 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司