專利名稱：真空加工設(shè)備及其溫度控制方法、半導體器件加工方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導體加工技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種真空加工設(shè)備及其溫度控制方法、半導體器件加工方法。
背景技術(shù)：
LED刻蝕機是LED光源生產(chǎn)過程中非常重要的設(shè)備，通常，GaN基外延層或藍寶石襯底是刻蝕的主要對象?？涛g工藝的效果直接關(guān)系到LED芯片的質(zhì)量，進而影響光源的質(zhì)量。LED刻蝕機包括傳輸模塊和工藝模塊，二者共同影響著刻蝕的效率(即設(shè)備產(chǎn)能)，而刻蝕的效果主要是由工藝模塊決定的，其中，工藝模塊的腔室設(shè)計對刻蝕效果的影響最大。例如，刻蝕工藝過程中，腔室內(nèi)會產(chǎn)生很多副產(chǎn)物，如何去除或減少腔室中的副產(chǎn)物對刻蝕效果的影響就是急需解決的問題之一。圖1所示為LED刻蝕機常見的腔室結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，射頻激發(fā)線圈1、電絕緣材料窗體2、腔室3和靜電卡盤(或者機械卡盤)7共同形成一個封閉空間9 ；封閉空間9 分為左半部分的工藝腔和右半部分的抽氣腔，位于抽氣腔底部的排氣口 6與真空裝置(圖中未示出)連通，通過真空裝置的運行在封閉空間9形成真空環(huán)境。工藝氣體由中央進氣口 4 (或周邊進氣口 5，或者中央進氣口 4和周邊進氣口 5的組合)進入該封閉空間9，電絕緣材料窗體2上方的射頻激發(fā)線圈1通以射頻能量，經(jīng)過過電絕緣材料窗體2的耦合，在封閉空間9中將工藝氣體激發(fā)成等離子體，從而對靜電卡盤7 上的晶片8進行刻蝕，刻蝕反應(yīng)的副產(chǎn)物經(jīng)過排氣口 6被抽走。為了保護工藝腔室免受顆粒污染及考慮到成本因素，封閉空間9內(nèi)通常放置內(nèi)襯10。工藝腔內(nèi)的副產(chǎn)物排出路徑如圖箭頭所示，這些副產(chǎn)物必然經(jīng)過工藝腔和抽氣腔的連接處，因此在內(nèi)襯10上也設(shè)置相應(yīng)的抽氣孔11。然而問題在于，刻蝕工藝過程中，腔室3由加熱器(圖中未示出)進行溫度控制， 例如設(shè)定為50 60攝氏度之間?？涛g過程產(chǎn)生的副產(chǎn)物的成分非常復雜，而大多數(shù)副產(chǎn)物蒸發(fā)點都在100攝氏度以上，這樣導致大多數(shù)副產(chǎn)物都以顆粒的形式附著在腔室9內(nèi)的零件表面，其中，受污染最嚴重的零件就是內(nèi)襯10。當副產(chǎn)物積累到一定程度，將對刻蝕工藝的結(jié)果產(chǎn)生嚴重的不良影響，比如顆粒污染，工藝漂移等。因此，需要定期對腔室內(nèi)的零件進行清洗維護，但維護頻率越高，設(shè)備實際工藝使用時間越少，不僅增加生產(chǎn)成本也造成產(chǎn)能的降低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是提供一種真空加工設(shè)備，能夠改善腔室內(nèi)的污染狀況，減少維護頻率，從而提高設(shè)備產(chǎn)能。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種真空加工設(shè)備，包括腔室；
內(nèi)襯，位于所述腔室內(nèi)部；加熱器，設(shè)置在所述腔室內(nèi)部，與所述內(nèi)襯接觸連接；其中，所述內(nèi)襯和腔室之間具有間隙。所述加熱器位于內(nèi)襯的下面，加熱器的上表面與內(nèi)襯的下表面良好接觸。所述加熱器與腔室不接觸，通過支撐件與腔室連接。所述支撐件分布在加熱器下表面與腔室底部表面之間。所述腔室側(cè)壁的下部具有環(huán)形槽。優(yōu)選的，所述環(huán)形槽所形成空間的體積小于或等于所述腔室所形成空間的體積的 10%。所述間隙的寬度由腔室底部向頂部而減小。所述腔室底部設(shè)有開孔，所述加熱器的出線端從開孔中延伸到腔室外，所述開孔設(shè)置有密封部件，以保持腔室內(nèi)的密封環(huán)境。優(yōu)選的，所述加熱器的出線端與腔室之間采用三角密封。相應(yīng)的，本發(fā)明還提供一種真空加工設(shè)備的溫度控制方法，包括設(shè)定內(nèi)襯溫度為第一溫度，設(shè)定腔室溫度為第二溫度；由加熱器將內(nèi)襯加熱至第一溫度，由溫度控制裝置將腔室加熱至第二溫度；其中，所述第一溫度高于反應(yīng)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，所述第二溫度低于反應(yīng)副產(chǎn)物的 ^^ fJ^- ο優(yōu)選的，所述真空加工設(shè)備為半導體加工設(shè)備。所述半導體加工設(shè)備為等離子體加工設(shè)備。相應(yīng)的，還提供一種半導體器件加工方法，其特征在于將內(nèi)襯加熱至第一溫度； 將腔室加熱至第二溫度；向腔室內(nèi)通入氣體，所通入氣體與待加工晶片發(fā)生物理或者化學反應(yīng)，將反應(yīng)后產(chǎn)生的副產(chǎn)物通過真空系統(tǒng)抽離腔室。其中，所述第一溫度高于所述第二溫度。上述技術(shù)方案具有以下優(yōu)點本發(fā)明實施例提供的真空加工設(shè)備，在腔室內(nèi)部設(shè)置加熱器，并且將該加熱器與內(nèi)襯接觸連接，而內(nèi)襯和腔室之間留有間隙，通過加熱器單獨控制內(nèi)襯的溫度，于是，腔室和內(nèi)襯分別進行溫度設(shè)定和控制，可以將內(nèi)襯溫度設(shè)定值較高，高于刻蝕反應(yīng)大多數(shù)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，能夠有效減少副產(chǎn)物的附著，使副產(chǎn)物被真空泵抽走，從而能夠改善腔室內(nèi)的污染狀況，減少維護頻率，從而提高設(shè)備產(chǎn)能。


通過附圖所示，本發(fā)明的上述及其它目的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。圖1為一種常見的LED刻蝕機室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為實施例一中LED刻蝕機的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為實施例二中LED刻蝕機的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為實施例三中真空加工設(shè)備的溫度控制方法的流程圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進行詳細描述，在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，表示裝置結(jié)構(gòu)的剖面圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護的范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。為突出本發(fā)明的特點，附圖中沒有給出與本發(fā)明的發(fā)明點必然直接相關(guān)的部分， 例如，射頻電源等。正如背景技術(shù)部分所述，目前LED刻蝕機工藝模塊的腔室內(nèi)，在工藝過程中會累積形成大量的污染顆粒，需要頻繁的進行清洗維護，不利于提高設(shè)備的產(chǎn)能，發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，污染顆粒產(chǎn)生的原因在于，刻蝕工藝中，腔室溫度由溫度控制裝置(位于腔室外，圖中未示出)進行控制，而內(nèi)襯沒有單獨進行溫度控制，其溫度受到腔室溫度的影響，一般腔室溫度設(shè)定低于大多數(shù)刻蝕反應(yīng)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，于是導致大多數(shù)副產(chǎn)物都以顆粒的形式附著在腔室內(nèi)的零件表面，特別是內(nèi)襯表面的污染最為嚴重?；诖?，本發(fā)明提供一種真空加工設(shè)備及其溫度控制方法，通過將腔室和內(nèi)襯分別進行溫度設(shè)定和控制，內(nèi)襯溫度設(shè)定值較高，有效減少副產(chǎn)物的附著在內(nèi)襯表面，使副產(chǎn)物被真空泵抽走，從而減少設(shè)備的維護頻率，提高設(shè)備利用率和產(chǎn)能。下面以LED刻蝕機為例，詳細說明本發(fā)明所述真空加工設(shè)備的實施例。實施例一圖2為本實施例中LED刻蝕機的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，該LED刻蝕機包括腔室 21，內(nèi)襯22，加熱器23，窗體24和射頻線圈25等。其中，腔室21和窗體M共同形成封閉空間四，該封閉空間四包括工藝腔29a和抽氣腔29b兩部分，抽氣腔29b設(shè)置在工藝腔29a底部的側(cè)面；腔室21的工藝腔29a例如為圓柱體形，其側(cè)壁底部設(shè)有排氣通道觀，將工藝腔29a和抽氣腔29b相連通，抽氣腔29b 的底部設(shè)有抽氣口 30，該抽氣口 30與外部真空裝置(圖中未示出)連接。窗體M位于腔室21的頂部，將腔室21封閉；射頻線圈25位于窗體M的外部，用于向工藝腔^a內(nèi)施加射頻功率；窗體M的中心位置具有中央進氣口 31，腔室21側(cè)壁靠近窗體M的位置設(shè)有周邊進氣口 32，工藝氣體可以由中央進氣口 31和/或周邊進氣口 32 進入工藝腔^a內(nèi)。腔室21的底部設(shè)置有卡盤27，用于承載晶片8?？ūP27例如為圓形，可以與外部電源連接，其內(nèi)部也可以設(shè)置電阻絲，用于對晶片8加熱。所述內(nèi)襯22也位于腔室21內(nèi)部，其形狀基本與腔室的工藝腔29b的形狀相同，本實施例中，由于腔室21的工藝腔^a為圓柱體形，則內(nèi)襯22也基本為圓柱體形。內(nèi)襯22 對應(yīng)于中央進氣口 31、或周邊進氣口 32和排氣通道觀的位置均設(shè)有相應(yīng)的開口或通道，以保證氣流暢通。
刻蝕過程中，工藝氣體由中央進氣口 31和/或周邊進氣口 32進入該封閉空間9， 窗體24上方的射頻線圈1引入射頻功率，經(jīng)過窗體24的耦合，在封閉空間9中將工藝氣體激發(fā)成等離子體，繼而對靜電卡盤27上的晶片8進行刻蝕?？涛g反應(yīng)的副產(chǎn)物經(jīng)過排氣通道28、抽氣腔29b、排氣口 6的路徑被抽走。此外，所述內(nèi)襯22側(cè)壁和腔室21側(cè)壁之間具有間隙33，以防止內(nèi)襯22和腔室21 之間的熱傳導。并且，內(nèi)襯22底部與腔室21并不接觸，而是設(shè)置在加熱器23上。本實施例中，加熱器23為環(huán)形，位于卡盤27的周圍，設(shè)置在內(nèi)襯22的下面，所述加熱器23的上表面與內(nèi)襯22的下表面良好接觸，確保其發(fā)出的熱量可以良好的傳遞給內(nèi)襯22。優(yōu)選的，為進一步提高加熱效果，所述加熱器23和內(nèi)襯22之間可以通過螺釘連接，以增強兩者的接觸程度。所述加熱器23雖然設(shè)置在腔室21底部，但其與腔室21不接觸，而是通過至少兩個支撐件26與腔室21的底部連接。所述支撐件26分布在加熱器23下表面23a與腔室21 底部表面21a(即腔室21內(nèi)與窗體相對的表面)之間，例如，可以沿圓周方向均布設(shè)置6個金屬支撐柱在腔室21底部和加熱器23之間，目的在于減小腔室21和加熱器23之間的熱傳導面積，其中，支撐件26不僅起到支撐作用，同時起到將加熱器23與腔室21電性連接的作用。所述腔室21優(yōu)選為金屬材料，例如高性能不銹鋼。所述窗體24優(yōu)選為電絕緣材料，例如石英玻璃。所述內(nèi)襯優(yōu)選為金屬板材，例如，選用厚度為1. 5 5mm的鋁材加工成型，并采用特殊防腐表面處理技術(shù)，比如硫酸硬質(zhì)陽極氧化等。所述加熱器為電阻絲式加熱器。所述支撐件26也為金屬材料。所述腔室21的底面設(shè)有開孔34，所述加熱器23的出線端從開孔34中延伸到腔室 21夕卜，并與外部電源(圖中未示出)連接，開孔34中的密封圈35起到將腔室21和出線端之間密封的作用。優(yōu)選的，加熱器23的出線端與腔室21之間采用三角密封的方式，并且加熱器23出線端比較長，便于密封圈35接觸的部位溫度在密封圈的工作范圍內(nèi)，確保密封效^ ο本實施例中的LED刻蝕機，在腔室21內(nèi)部設(shè)置加熱器23，并且將該加熱器23與內(nèi)襯22接觸連接，而內(nèi)襯22和腔室21之間留有間隙33，通過加熱器23單獨控制內(nèi)襯22的溫度，于是，腔室21和內(nèi)襯22分別進行溫度設(shè)定和控制，可以將內(nèi)襯22溫度設(shè)定值較高， 高于刻蝕反應(yīng)大多數(shù)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，能夠有效減少副產(chǎn)物的附著，使副產(chǎn)物被真空泵抽走，從而能夠改善腔室內(nèi)的污染狀況，減少維護頻率，從而提高設(shè)備產(chǎn)能。例如，腔室21的溫度穩(wěn)定在50攝氏度左右，而內(nèi)襯22的溫度要高于大多數(shù)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，一般要達到150度左右，本實施例中，腔室21的工藝腔29a為圓柱體形，內(nèi)襯 22也為相應(yīng)的圓柱體形，為了使腔室21和內(nèi)襯22能各自達到熱穩(wěn)定，內(nèi)襯22的外徑比腔室21內(nèi)徑要小，所述間隙33的寬度約為1 10mm。以上實施例中，加熱器設(shè)置在內(nèi)襯的底部，實際上，由于熱傳導距離的限制，內(nèi)襯的下部溫度要高于上部溫度，這將影響封閉空間29內(nèi)部的溫度均勻性，基于此，本發(fā)明的另一實施例中，采用不均勻的間隙寬度使得腔室溫度達到穩(wěn)定。以下結(jié)合附圖詳細說明。實施例二圖3為本實施例中LED刻蝕機的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖所示，該LED刻蝕機的結(jié)構(gòu)與實施例一類似，也包括腔室21’，內(nèi)襯22’，加熱器23’，窗體24’和射頻線圈25’等。區(qū)別之處在于，所述腔室21’側(cè)壁的下部(即側(cè)壁靠近腔室底部的部分)具有環(huán)形槽36，該環(huán)形槽圍繞圓柱形的工藝腔四^，其高度與工藝腔一側(cè)的抽氣腔四『相同。由于環(huán)形槽36的存在，使得間隙33’的寬度由上至下并不均勻，相對于腔室21’上部而言，內(nèi)襯22’與腔室21’之間多出一個環(huán)形槽的空間，從而減小加熱器23’以及內(nèi)襯22’底部的高溫對腔室21’整體溫度的影響。優(yōu)選的，所述環(huán)形槽所形成空間的體積小于或等于腔室所形成空間的體積的 10%，如果超過10%則會增大抽氣體積，影響設(shè)備的真空能力。在工藝過程中，內(nèi)襯22’加熱到150攝氏度左右，能有效減少副產(chǎn)物的附著，在LED刻蝕工藝、或者金屬刻蝕等副產(chǎn)物產(chǎn)生比較多的工藝中，對于減少設(shè)備的清洗頻率非常有意義。實際上，為實現(xiàn)腔室內(nèi)部溫度的穩(wěn)定性和均勻性，還可以采用其他結(jié)構(gòu)，例如，可以將內(nèi)襯設(shè)計為臺階型，內(nèi)襯上部的直徑大于內(nèi)襯下部的直徑，也同樣可以使得間隙在腔室下部的寬度大于在腔室上部的寬度。又例如，間隙的寬度可以由腔室底部向頂部而減小，將內(nèi)襯或者腔室側(cè)壁加工成傾斜于腔室底面，即可實現(xiàn)所述間隙的寬度線性減小，或者在腔室側(cè)壁有下至上加工半徑逐漸減小的多級環(huán)形槽，即可實現(xiàn)所述間隙寬度的逐級減小，在此不再贅述，這樣均能夠使得腔室溫度分布的更為均勻。本發(fā)明還提供一種真空加工設(shè)備的溫度控制方法，以下實施例中詳細說明。實施例三圖4為本實施例中真空加工設(shè)備的溫度控制方法的流程圖，其中，所述真空加工設(shè)備為可以為以上實施例中的任一 LED刻蝕機。步驟Sl 設(shè)定內(nèi)襯溫度為第一溫度，設(shè)定腔室溫度為第二溫度；步驟S2 由加熱器將內(nèi)襯加熱至第一溫度，由溫度控制裝置將腔室加熱至第二溫度；其中，所述第二溫度高于反應(yīng)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，所述第一溫度低于反應(yīng)副產(chǎn)物的例如，在LED刻蝕工藝、或者金屬刻蝕等副產(chǎn)物產(chǎn)生比較多的工藝中，所述第一溫度約為150攝氏度，所述第二溫度約為50攝氏度，可以有效避免刻蝕反應(yīng)的副產(chǎn)物附著在內(nèi)襯表面，能夠減少設(shè)備清洗的頻率，提高生產(chǎn)效率。實施例四本實施例提供一種半導體器件加工方法，可以用于例如大規(guī)模集成電路的制作工藝，該方法具體包括以下步驟提供實施例一或?qū)嵤├腥我环N加工設(shè)備，將待加工的晶片設(shè)置于腔室內(nèi)的基座上，比如靜電卡盤或者機械卡盤等支撐晶片的裝置；將加工設(shè)備腔室中的內(nèi)襯加熱至第一溫度；將腔室加熱至第二溫度；向腔室內(nèi)通入氣體，所通入氣體與待加工晶片發(fā)生物理或者化學反應(yīng)(例如化學氣相沉積、等離子體刻蝕等反應(yīng))，將反應(yīng)后產(chǎn)生的副產(chǎn)物通過真空系統(tǒng)抽離腔室。其中，內(nèi)襯和腔室的溫度分別控制，即第一溫度和第二溫度可以不同，優(yōu)選的，所述第一溫度高于所述第二溫度。
上述實施例僅以LED刻蝕機為例，實際上，本發(fā)明的其他實施例中所述真空加工設(shè)備也可以為其他半導體加工設(shè)備，例如化學氣相沉積等薄膜沉積設(shè)備。優(yōu)選的，所述半導體加工設(shè)備為等離子體加工設(shè)備，例如平行板電容耦合等離子體(Capacitively Coupled Plasma，簡稱CCP)設(shè)備、電子回旋共振等離子體(ECR)設(shè)備和感應(yīng)耦合等離子體(ICP)設(shè)備。此外，所述加熱器的位置并不限于在腔室底部，也可以位于腔室的其他位置，加熱器也不限于電阻式加熱器，也可以為紅外加熱器等。以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制。雖然本發(fā)明已以較佳實施例披露如上，然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等效實施例。因此， 凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種真空加工設(shè)備，其特征在于，包括腔室；內(nèi)襯，位于所述腔室內(nèi)部；加熱器，設(shè)置在所述腔室內(nèi)部，與所述內(nèi)襯接觸連接； 其中，所述內(nèi)襯和腔室之間具有間隙。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述加熱器位于內(nèi)襯的下面，加熱器的上表面與內(nèi)襯的下表面良好接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述加熱器與腔室不接觸，通過支撐件與腔室連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述支撐件分布在加熱器下表面與腔室底部表面之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述腔室側(cè)壁的下部具有環(huán)形槽。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述環(huán)形槽所形成空間的體積小于或等于所述腔室所形成空間的體積的10%。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述間隙的寬度由腔室底部向頂部而減小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述腔室底部設(shè)有開孔，所述加熱器的出線端從開孔中延伸到腔室外，所述開孔設(shè)置有密封部件，以保持腔室內(nèi)的密封環(huán)^Ml O
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述加熱器的出線端與腔室之間采用三角密封。
10.一種如權(quán)利要求1-9任一項所述的真空加工設(shè)備的溫度控制方法，其特征在于， 設(shè)定內(nèi)襯溫度為第一溫度，設(shè)定腔室溫度為第二溫度；由加熱器將內(nèi)襯加熱至第一溫度，由溫度控制裝置將腔室加熱至第二溫度； 其中，所述第一溫度高于反應(yīng)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，所述第二溫度低于反應(yīng)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點ο
11.如權(quán)利要求1-9任一項所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述真空加工設(shè)備為半導體加工設(shè)備。
12.如權(quán)利要求11所述的真空加工設(shè)備，其特征在于，所述半導體加工設(shè)備為等離子體加工設(shè)備。
13.一種半導體器件加工方法，其特征在于將內(nèi)襯加熱至第一溫度；將腔室加熱至第二溫度；向腔室內(nèi)通入氣體，所通入氣體與待加工晶片發(fā)生物理或者化學反應(yīng)，將反應(yīng)后產(chǎn)生的副產(chǎn)物通過真空系統(tǒng)抽離腔室。
14.如權(quán)利要求13所述的半導體器件加工方法，其特征在于所述第一溫度高于所述第二溫度。
全文摘要
本發(fā)明提供一種真空加工設(shè)備及其溫度控制方法，真空加工設(shè)備包括腔室；內(nèi)襯，位于所述腔室內(nèi)部；加熱器，設(shè)置在所述腔室內(nèi)部，與所述內(nèi)襯接觸連接；其中，所述內(nèi)襯和腔室之間具有間隙。優(yōu)選的，加熱器位于內(nèi)襯的下面，加熱器的上表面與內(nèi)襯的下表面良好接觸。本發(fā)明提供的真空加工設(shè)備，在腔室內(nèi)部設(shè)置加熱器，并且將該加熱器與內(nèi)襯接觸連接，而內(nèi)襯和腔室之間留有間隙，通過加熱器單獨控制內(nèi)襯的溫度，從而可以分別對腔室和內(nèi)襯進行溫度設(shè)定和控制，比如將內(nèi)襯溫度設(shè)定高于刻蝕反應(yīng)大多數(shù)副產(chǎn)物的蒸發(fā)點，進而能夠有效減少副產(chǎn)物在內(nèi)襯壁上的附著，脫落的副產(chǎn)物被真空泵抽走，從而能夠改善腔室內(nèi)的污染狀況，減少維護頻率，從而提高設(shè)備產(chǎn)能。
文檔編號H01L21/67GK102376604SQ201010258020
公開日2012年3月14日 申請日期2010年8月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月19日
發(fā)明者管長樂 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責任公司