專利名稱：有機發(fā)光二極管顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施方式涉及有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器。
背景技術(shù)：
本申請要求2010年4月21日提交的韓國專利申請No. 10-2010-0036772的優(yōu)先權(quán)，此處以引證的方式并入其內(nèi)容。在有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器中使用的有機發(fā)光元件具有自發(fā)光結(jié)構(gòu)，在該自發(fā)光結(jié)構(gòu)中在基板上兩個電極之間形成發(fā)光層。根據(jù)發(fā)光方向，OLED顯示器可以分成頂部發(fā)光型OLED顯示器、底部發(fā)光型OLED顯示器、和雙發(fā)光型OLED顯示器。根據(jù)驅(qū)動方式， OLED顯示器可以分成無源矩陣型OLED顯示器和有源矩陣型OLED顯示器。在OLED顯示器中，多個子像素中的每一個子像素都包括晶體管單元和發(fā)光單元。 晶體管單元包括開關(guān)晶體管、驅(qū)動晶體管、和電容器，而發(fā)光單元包括連接到驅(qū)動晶體管的下電極、有機發(fā)光層、和上電極。當(dāng)向以矩陣形式布置的多個子像素提供掃描信號、數(shù)據(jù)信號、電力等時，被選擇的子像素發(fā)光以由此顯示圖像。在OLED顯示器中，接觸電極形成在非顯示區(qū)中以向形成在顯示區(qū)中的子像素的上電極供電。此外，接觸電極在上電極的形成工序中電連接到上電極。但是，在相關(guān)技術(shù)的 OLED顯示器中，在形成在非顯示區(qū)中的接觸電極與形成在顯示區(qū)中的上電極之間沒有實現(xiàn)平順接觸，因而在接觸電極與上電極之間產(chǎn)生了短路。此外，接觸電極由于電場集中在接觸電極的上邊緣上而可能受到損壞。

發(fā)明內(nèi)容
在一個方面，一種有機發(fā)光二極管顯示器包括包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)的基板； 以矩陣形式布置在所述顯示區(qū)中的子像素；形成在所述非顯示區(qū)中的接觸電極，該接觸電極傳輸從外部接收到的電力，并且包括各個子像素中所包括的電極中的至少一個電極；以及包括各個子像素中所包括的絕緣層中的至少一個絕緣層的接觸單元，該接觸單元露出所述接觸電極的一部分，其中，各個子像素中所包括的上電極形成在所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)中，并且通過所述接觸單元電連接到所述接觸電極。


附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結(jié)合到本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施方式，且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是示意性地例示了有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的框圖；圖2例示了圖1所示的子像素的電路結(jié)構(gòu)；圖3是示意性地例示了圖1所示的OLED顯示器的平面圖；圖4是圖3所示的子像素的截面圖5到圖7例示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)；圖8到圖10例示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)；圖11和圖12例示了根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)；圖13到圖15例示了根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)；圖16和圖17例示了根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)；圖18和圖19例示了根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)；以及圖20和圖21例示了根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式下面將詳細描述本發(fā)明的實施方式，在附圖中例示出了其示例。圖1是示意性地例示了有機發(fā)光二極管(OLED)顯示器的框圖。圖2例示了圖1 所示的子像素的電路結(jié)構(gòu)。圖3是示意性地例示了圖1所示的OLED顯示器的平面圖。圖 4是圖3所示的子像素的截面圖。如圖1和圖2所示，該OLED顯示器包括定時控制器TCN、數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV、掃描驅(qū)動器SDRV、電源單元PWR、以及面板PNL。定時控制器TCN使用數(shù)據(jù)驅(qū)動信號DDC來控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV，并且同時使用選通驅(qū)動信號GDC來控制掃描驅(qū)動器SDRV。定時控制器TCN把從外部接收的視頻信號轉(zhuǎn)換成數(shù)據(jù)信號DATA并且將數(shù)據(jù)信號DATA提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV。定時控制器TCN可以以集成電路(IC)形式安裝到與面板PNL相連的印刷電路板(PCB)上。數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV在定時控制器TCN的控制下通過位于面板PNL上的數(shù)據(jù)線DLl 到DLn向子像素SP提供數(shù)據(jù)信號DATA。數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV可以以IC形式安裝在面板PNL上。掃描驅(qū)動器SDRV在定時控制器TCN的控制下通過位于面板PNL上的掃描線SLl 到SLm向子像素SP提供掃描信號。掃描驅(qū)動器SDRV可以以IC形式或以面板中柵極(GIP gate-in-panel)形式安裝在面板PNL上。電源單元PWR產(chǎn)生高電位電力VDD和低電位電力GND并將它們提供給定時控制器 TCN、數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV、掃描驅(qū)動器SDRV、以及面板PNL中的至少一個。電源單元PWR可以安裝在與面板PNL相連的印刷電路板上。面板PNL包括以矩陣形式布置在基板上的多個子像素SP。子像素SP可以按照無源矩陣形式或者有源矩陣形式來布置。如圖2所示，當(dāng)以有源矩陣形式布置子像素SP時， 各個子像素SP都可以具有包括開關(guān)晶體管S、驅(qū)動晶體管T、電容器Cst、以及有機發(fā)光二極管D的2T1C結(jié)構(gòu)(即，包括兩個晶體管T和一個電容器C)?；蛘?，各個子像素SP都可以具有向2T1C結(jié)構(gòu)添加晶體管和電容器的結(jié)構(gòu)。在2T1C結(jié)構(gòu)中，可以將開關(guān)晶體管S、驅(qū)動晶體管T、和電容器Cst定義為晶體管單元，并且可以將有機發(fā)光二極管D定義為發(fā)光單元。下面參照圖2來描述構(gòu)成具有2T1C結(jié)構(gòu)的子像素SP的部件之間的連接關(guān)系。如圖2 所示，開關(guān)晶體管S的柵極連接到掃描線SLl (向掃描線SLl提供掃描信號)，開關(guān)晶體管S 的一個端子連接到數(shù)據(jù)線DLl (向數(shù)據(jù)線DLl提供數(shù)據(jù)信號DATA)，而開關(guān)晶體管S的另一個端子連接到第一節(jié)點nl。驅(qū)動晶體管T的柵極連接到第一節(jié)點nl，驅(qū)動晶體管T的一個端子連接到與電源線VDD (向電源線VDD提供高電位電力)相連的第二節(jié)點π2，而驅(qū)動晶體管T的另一個端子連接到第三節(jié)點π3。電容器Cst的一個端子連接到第一節(jié)點nl，而電容器Cst的另一個端子連接到第三節(jié)點π3。有機發(fā)光二極管D的下電極連接到第三節(jié)點π3， 而有機發(fā)光二極管D的上電極連接到接地線GND (向接地線GND提供低電位電力)。盡管以上描述了包括在子像素SP中的晶體管S和T是η型的示例，但晶體管S和 T可以是ρ型。晶體管S和T可以是非晶硅(a-Si)晶體管、多晶硅晶體管、氧化物晶體管、 有機晶體管等。晶體管S和T可以具有底柵結(jié)構(gòu)和頂柵結(jié)構(gòu)。通過電源線VDD提供的高電位電力可以比通過接地線GND提供的低電位電力高。高電位電力和低電位電力由電源單元 PWR提供。上述子像素SP可以如下工作。如圖2所示，當(dāng)通過掃描線SLl提供了掃描信號時， 開關(guān)晶體管S導(dǎo)通。接下來，當(dāng)通過導(dǎo)通的開關(guān)晶體管S把通過數(shù)據(jù)線DLl而提供的數(shù)據(jù)信號DATA提供給第一節(jié)點nl時，將數(shù)據(jù)信號DATA作為數(shù)據(jù)電壓存儲在電容器Cst中。接著，當(dāng)切斷了掃描信號并截止了開關(guān)晶體管S時，根據(jù)存儲在電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓來驅(qū)動驅(qū)動晶體管T。接著，當(dāng)通過電源線VDD提供的高電位電力流過接地線GND時，有機發(fā)光二極管D發(fā)出紅光、綠光、和藍光中的一種。圖2所示的驅(qū)動方法僅僅是有助于理解子像素的電路結(jié)構(gòu)的子像素的驅(qū)動方法的一個示例，并且本發(fā)明的實施方式并不限于圖2所示的子像素SP的驅(qū)動方法?？梢詫⒆酉袼氐钠渌?qū)動方法用于本發(fā)明的實施方式。如圖3和圖4所示，該OLED顯示器包括形成在構(gòu)成面板的基板IlOa上的焊盤單元PAD、驅(qū)動IC DIC、顯示區(qū)AA、以及非顯示區(qū)NA。使用封裝材料122 (例如，前部密封劑 (front sealant))將構(gòu)成了面板的基板IlOa與密封基板IlOb進行封裝，由此來保護形成在顯示區(qū)AA中的子像素SP免受外界影響。焊盤單元PAD電連接到外部的印刷電路板，并且向面板傳輸由定時控制器等產(chǎn)生的各種信號。將構(gòu)成面板的基板IlOa限定為顯示圖像的顯示區(qū)AA和不顯示圖像的非顯示區(qū)NA。以矩陣形式布置的子像素SP形成在被限定為顯示區(qū)AA的基板IlOa上，并且傳輸從外部接收到的電力的接觸電極CE形成在被限定成非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。盡管沒有示出，但是連接到驅(qū)動IC DIC的數(shù)據(jù)線和掃描線、連接到焊盤單元PAD的電源線和接地線等形成在被限定成非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。盡管圖3所示的驅(qū)動IC DIC具有在一個芯片上形成圖1所示的數(shù)據(jù)驅(qū)動器DDRV和掃描驅(qū)動器 SDRV的結(jié)構(gòu)，但是該驅(qū)動I⑶IC并不限于此。此外，基于包括在子像素SP中的下電極和上電極的結(jié)構(gòu)，可以選擇接觸電極CE作為接地線或者電源線。在本發(fā)明的實施方式中，接觸電極CE形成在顯示區(qū)AA的一個表面上。但是，可以將接觸電極CE形成為圍繞顯示區(qū)AA 的兩個、三個或四個表面。下面詳細描述子像素SP的結(jié)構(gòu)。如圖4所示，各自包括源區(qū)、溝道區(qū)、和漏區(qū)的第一有源層Illa和第二有源層Illb形成在基板IlOa上。第一有源層Illa和第二有源層Illb中的每一個的源區(qū)和漏區(qū)摻雜了 P型雜質(zhì)或η型雜質(zhì)。第一絕緣層112形成在基板1 IOa上以覆蓋第一有源層11 Ia和第二有源層111b。第一絕緣層112可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。第一柵極113a和第二柵極11 形成在第一絕緣層112上與第一有源層Illa和第二有源層Illb相對應(yīng)的位置處。第二絕緣層114形成在第一絕緣層112上以覆蓋第一柵極 113a和第二柵極113b，并且露出第一有源層Illa的一部分。第二絕緣層114可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。連接到第一有源層Illa的露出部分的源極11 和漏極11 形成在第二絕緣層114上。電容器電極115c按照與源極11 和漏極 115b相同的方式形成在第二絕緣層114上。電容器電極115c與第二柵極11 形成電容器。第三絕緣層116形成在第二絕緣層114上以覆蓋源極11 和漏極11 以及電容器電極115c。第三絕緣層116可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。第四絕緣層117形成在第三絕緣層116上以露出源極11 和漏極11 的一部分。第四絕緣層117可以由硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)或其它材料形成。連接到源極11 和漏極11 的露出部分的下電極118形成在第四絕緣層117上?？梢赃x擇下電極118作為陽極或陰極。當(dāng)選擇下電極118作為陽極時，陽極118可以由諸如氧化銦錫(ITO)、和氧化銦鋅(IZO)或其它材料的透明金屬材料形成。第五絕緣層119形成在下電極118上以露出下電極118的一部分。第五絕緣層119可以由諸如基于苯并環(huán)丁烯(BCB)的樹脂、丙烯酸樹脂、和聚酰亞胺樹脂的有機材料形成?？梢允褂闷渌牧?。有機發(fā)光層120形成在第五絕緣層119上以覆蓋下電極118的露出部分。有機發(fā)光層120可以包括空穴傳輸層、空穴注入層、發(fā)光層、電子注入層、以及電子傳輸層。此外，有機發(fā)光層120還可以包括其它功能層。有機發(fā)光層120可以發(fā)射紅光、綠光、和藍光中的至少一種。有機發(fā)光層120所包括的層中的至少一層作為虛設(shè)層形成在顯示區(qū)AA外部，如圖3所示。上電極121形成在有機發(fā)光層120上?？梢赃x擇上電極121作為陽極或陰極。當(dāng)選擇上電極121作為陰極時，陰極 121可以由諸如鋁(Al)和鋁釹(AlNd)的不透明金屬材料形成?？梢允褂闷渌牧稀Ｈ鐖D 3所示，上電極121形成在顯示區(qū)AA和非顯示區(qū)NA中，并且通過接觸單元CA電連接到接觸電極CE。因此，上電極121可以通過上電極121與接觸電極CE之間的電連接來接收高電位電力或低電位電力。在本發(fā)明的實施方式中，接觸電極CE是形成在非顯示區(qū)NA中的至少一個電極。接觸單元CA形成在非顯示區(qū)NA中，并且是允許接觸電極CE的一部分逐漸傾斜并露出接觸電極CE的逐漸傾斜部分的絕緣層。此后，對接觸電極CE和接觸單元CA的結(jié)構(gòu)的各種實施方式進行描述。<第一示例性實施方式>圖5到圖7例示了根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖5所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。接觸單元112、 114和119 (CA)包括三個絕緣層。使用與第一絕緣層112、第二絕緣層114、和第五絕緣層 119相同的工序和相同的材料形成這三個絕緣層。接觸單元112、114和119(CA)覆蓋接觸電極113c(CE)的邊緣部分并且露出接觸電極113c (CE)的中部。如圖3和圖6所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。接觸單元112、 114和117(CA)包括三個絕緣層。使用與第一絕緣層112、第二絕緣層114、和第四絕緣層 117相同的工序和相同的材料形成這三個絕緣層。接觸單元112、114和117(CA)覆蓋接觸電極113c(CE)的邊緣部分并且露出接觸電極113c (CE)的中部。如圖3和圖7所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。接觸單元112、 114、117及119 (CA)包括四個絕緣層。使用與第一絕緣層112、第二絕緣層114、第四絕緣層 117、及第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這四個絕緣層。接觸單元112、114、 117及119 (CA)覆蓋接觸電極113c (CE)的邊緣部分并且露出接觸電極113c (CE)的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的單層結(jié)構(gòu)的接觸電極113c (CE)的中部而電連接到接觸電極113c (CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極113c (CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極113c (CE)的上邊緣上。<第二示例性實施方式>圖8到圖10例示了根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。 如圖3和圖8所示，使用與源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極115d(CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。由于使用與源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料形成接觸電極115d(CE)，因此兩個絕緣層112和114形成在接觸電極115d(CE)下面。兩個絕緣層112和114是第一絕緣層112和第二絕緣層114。 接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119(CA)覆蓋接觸電極115d(CE)的邊緣部分并露出接觸電極 115d(CE)的中部。如圖3和圖9所示，使用與源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極115d(CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。由于使用與源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料形成接觸電極115d(CE)，因此兩個絕緣層112和114形成在接觸電極115d(CE)下面。兩個絕緣層112和114是第一絕緣層112和第二絕緣層114。 接觸單元117(CA)包括一個絕緣層。使用與第四絕緣層117相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元117(CA)覆蓋接觸電極115d(CE)的邊緣部分并露出接觸電極 115d(CE)的中部。如圖3和圖10所示，使用與源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極115d(CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。由于使用與源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料形成接觸電極115d (CE)，因此兩個絕緣層112和114形成在接觸電極115d(CE)下面。兩個絕緣層112和114是第一絕緣層112和第二絕緣層114。 接觸單元117和119 (CA)包括兩個絕緣層。使用與第四絕緣層117和第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這兩個絕緣層。接觸單元117和119 (CA)覆蓋接觸電極115d(CE) 的邊緣部分并露出接觸電極115d(CE)的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的單層結(jié)構(gòu)的接觸電極115d(CE)的中部而電連接到接觸電極115d(CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極115d(CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極115d(CE)的上邊緣上。
<第三示例性實施方式>圖11和圖12例示了根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖11所示，使用與下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極 118b (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。由于使用與下電極118相同的工序和相同的材料形成接觸電極IlSb(CE)，因此兩個絕緣層112和114形成在接觸電極 118b (CE)下面。兩個絕緣層112和114是第一絕緣層112和第二絕緣層114。接觸單元 119 (CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119(CA)覆蓋接觸電極IlSb(CE)的邊緣部分并露出接觸電極IlSb(CE)的中部。如圖3和圖12所示，使用與下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極 118b (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。由于使用與下電極118相同的工序和相同的材料形成接觸電極IlSb(CE)，因此三個絕緣層112、114和117形成在接觸電極 118b (CE)下面。三個絕緣層112、114和117是第一絕緣層112、第二絕緣層114、和第四絕緣層117。接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119(CA)覆蓋接觸電極IlSb(CE)的邊緣部分并露出接觸電極IlSb(CE)的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的單層結(jié)構(gòu)的接觸電極IlSb(CE)的中部而電連接到接觸電極118b (CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極118b (CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極IlSb(CE)的上邊緣上。<第四示例性實施方式>圖13到圖15例示了根據(jù)本發(fā)明的第四示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖13所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 以及源極11 和11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c和115d(CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。因此，上接觸電極115d(CE)形成在露出了下接觸電極113c (CE)的中部的第一絕緣層112和第二絕緣層114上。接觸單元119 (CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層 119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119(CA)覆蓋上接觸電極115d 的邊緣部分并且露出上接觸電極115d的中部。如圖3和圖14所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 以及源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極113C和115d(CE)形成在被限定為非顯示區(qū) NA的基板IlOa上。因此，上接觸電極115d(CE)形成在露出了下接觸電極113c (CE)的中部的第一絕緣層112和第二絕緣層114上。接觸單元117和119 (CA)包括兩個絕緣層。使用與第四絕緣層117和第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這兩個絕緣層。接觸單元117和119 (CA)覆蓋上接觸電極115d的邊緣部分并且露出上接觸電極115d的中部。如圖3和圖15所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 以及源極11 和漏極11 相同的工序和相同的材料，將接觸電極113C和115d(CE)形成在被限定為非顯示區(qū) NA的基板IlOa上。因此，上接觸電極115d(CE)形成在露出了下接觸電極113c (CE)的中部的第一絕緣層112和第二絕緣層114上。接觸單元117(CA)包括一個絕緣層。使用與第四絕緣層117相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元117 (CA)覆蓋上接觸電極115d(CE)的邊緣部分并且露出上接觸電極115d(CE)的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的雙層結(jié)構(gòu)的接觸電極113c和115d(CE) 的中部而電連接到接觸電極113c和115d(CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極 113c和115d (CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極113c和115d(CE)的上邊緣上。<第五示例性實施方式>圖16和圖17例示了根據(jù)本發(fā)明的第五示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖16所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 以及下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c和IlSb(CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板 IlOa上。因此，上接觸電極IlSb(CE)形成在露出了下接觸電極113c (CE)的中部的第一絕緣層112和第二絕緣層114上。接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層 119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119(CA)覆蓋上接觸電極118b 的邊緣部分并且露出上接觸電極118b的中部。如圖3和圖17所示，使用與第一柵極113a和第二柵極11 以及下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c和IlSb(CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板 IlOa上。因此，上接觸電極IlSb(CE)形成在露出了下接觸電極113c (CE)的中部的第一絕緣層112、第二絕緣層114、和第四絕緣層117上。接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119 (CA)覆蓋上接觸電極118b的邊緣部分并且露出上接觸電極118b的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的雙層結(jié)構(gòu)的接觸電極113c和IlSb(CE) 的中部而電連接到接觸電極113c和118b (CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極 113c和118b (CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極113c和118b (CE)的上邊緣上。
<第六示例性實施方式>圖18和圖19例示了根據(jù)本發(fā)明的第六示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖18所示，使用與源極11 和漏極11 以及下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極115d和118b (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。因此，上接觸電極IlSb(CE)形成在露出了下接觸電極115d(CE)的中部的第一絕緣層112和第二絕緣層114上。接觸單元119 (CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119 (CA)覆蓋上接觸電極118b的邊緣部分并且露出上接觸電極118b的中部。如圖3和圖19所示，使用與源極11 和漏極11 以及下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極115d和118b (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。因此，上接觸電極IlSb(CE)形成在露出了下接觸電極115d(CE)的中部的第一絕緣層112、第二絕緣層114、和第四絕緣層117上。在第六示例性實施方式中，第四絕緣層117形成在上接觸電極118b與下接觸電極115d之間以覆蓋下接觸電極115d的邊緣部分并露出下接觸電極115d的中部。接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119 (CA)覆蓋上接觸電極118b的邊緣部分并且露出上接觸電極118b的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的雙層結(jié)構(gòu)的接觸電極115d和IlSb(CE) 的中部而電連接到接觸電極115d和118b (CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極 115d和118b (CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極115d和118b (CE)的上邊緣上。<第七示例性實施方式>圖20和圖21例示了根據(jù)本發(fā)明的第七示例性實施方式的接觸單元和接觸電極的結(jié)構(gòu)。如圖3和圖20所示，使用與第一柵極113a和第二柵極113b、源極11 和漏極 115b、以及下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c、115d和118b (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。因此，中間接觸電極115d(CE)和上接觸電極 IlSb(CE)形成在露出了下接觸電極113c (CE)的中部的第一絕緣層112和第二絕緣層114 上。接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119(CA)覆蓋上接觸電極118b的邊緣部分并且露出上接觸電極118b的中部。如圖3和圖21所示，使用與第一柵極113a和第二柵極113b、源極11 和漏極 115b、以及下電極118相同的工序和相同的材料，將接觸電極113c、115d和118b (CE)形成在被限定為非顯示區(qū)NA的基板IlOa上。因此，中間接觸電極115d(CE)和上接觸電極 IlSb(CE)形成在露出了下接觸電極113c(CE)的中部的第一絕緣層112、第二絕緣層114、 和第四絕緣層117上。在第七示例性實施方式中，第四絕緣層117形成在上接觸電極118b 與中間接觸電極115d之間以覆蓋中間接觸電極115d的邊緣部分并露出中間接觸電極115d 的中部。接觸單元119(CA)包括一個絕緣層。使用與第五絕緣層119相同的工序和相同的材料形成這一個絕緣層。接觸單元119 (CA)覆蓋上接觸電極118b的邊緣部分并且露出上接觸電極118b的中部。由于上電極121通過具有基于上述結(jié)構(gòu)的三層結(jié)構(gòu)的接觸電極113c、115d和 118b (CE)的中部而電連接到接觸電極113c、115d和118b (CE)，因此上電極121可以平順地接觸到接觸電極113c、115d和118b (CE)，并且可以防止電場集中在接觸電極113c、115d和 118b (CE)的上邊緣上。如上所述，在根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的OLED顯示器中，由于形成在面板的非顯示區(qū)中的接觸電極平順地接觸到形成在面板的顯示區(qū)中的上電極，因此可以防止接觸電極與上電極之間的短路，并且可以防止由于電場集中在接觸電極的上邊緣上而引起的對接觸電極的損壞。此外，本發(fā)明的示例性實施方式可以提供能夠減小線電阻的接觸電極的結(jié)構(gòu)。盡管參照多個示例性實施方式描述了實施方式，應(yīng)理解的是本領(lǐng)域技術(shù)人員可想出落入本公開的原理的范圍內(nèi)的許多其它修改和實施方式。更具體地，在本公開、附圖以及所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)，在主題組合設(shè)置的組成部分和/或設(shè)置中可以做出各種變型和修改。除了組成部分和/或設(shè)置中的變型和修改之外，替換使用對于本領(lǐng)域技術(shù)人員也是明顯的。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光二極管顯示器，該有機發(fā)光二極管顯示器包括包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)的基板；以矩陣形式布置在所述顯示區(qū)中的子像素；形成在所述非顯示區(qū)中的接觸電極，該接觸電極傳輸從外部接收到的電力，并且包括各個子像素中所包括的電極中的至少一個電極；以及包括各個子像素中所包括的絕緣層中的至少一個絕緣層的接觸單元，該接觸單元露出所述接觸電極的一部分，其中，各個子像素中所包括的上電極形成在所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)中，并且通過所述接觸單元電連接到所述接觸電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，使用與各個子像素中所包括的所述電極中的至少一個電極相同的工藝和相同的材料來形成所述接觸電極，其中，使用與各個子像素中所包括的所述絕緣層中的至少一個絕緣層相同的工藝和相同的材料來形成所述接觸單元中所形成的所述絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，將所述接觸電極形成為各個子像素中所包括的柵極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中的至少三個絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，至少兩個絕緣層形成在所述接觸電極的下面，并且所述接觸電極被形成為各個子像素中所包括的源極和漏極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中的至少一個絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述接觸電極被形成為各個子像素中所包括的柵極、源極、和漏極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中至少一個絕緣層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，至少三個絕緣層形成在所述接觸電極的下面，并且所述接觸電極被形成為各個子像素中所包括的下電極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中至少一個絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，將所述接觸電極被形成為各個子像素中所包括的柵極和下電極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中的至少三個絕緣層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述接觸電極被形成為各個子像素中所包括的源極、漏極、和下電極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中的至少三個絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，所述接觸電極被形成為各個子像素中所包括的柵極、源極、漏極、以及下電極，其中，形成在所述接觸單元中的所述絕緣層包括各個子像素中所包括的所述絕緣層中的至少三個絕緣層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光二極管顯示器，其中，各個子像素包括 第一絕緣層，其覆蓋形成在所述基板上的有源層； 第二絕緣層，其覆蓋形成在所述第一絕緣層上的柵極； 第三絕緣層，其露出形成在所述第二絕緣層上的源極和漏極之一； 第四絕緣層，其形成在所述第三絕緣層上并露出所述源極和所述漏極之一； 下電極，其形成在所述第四絕緣層上并且連接到所述源極和所述漏極之一； 第五絕緣層，其形成在所述第四絕緣層上并露出所述下電極的一部分； 有機發(fā)光層，其形成在所述下電極上；以及上電極，其形成在所述有機發(fā)光層上。
全文摘要
本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管顯示器。該有機發(fā)光二極管顯示器包括包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)的基板；以矩陣形式布置在所述顯示區(qū)中的子像素；形成在所述非顯示區(qū)中的接觸電極，該接觸電極傳輸從外部接收到的電力，并且包括各個子像素中所包括的電極中的至少一個電極；以及包括各個子像素中所包括的絕緣層中的至少一個絕緣層的接觸單元，該接觸單元露出所述接觸電極的一部分。各個子像素中所包括的上電極形成在所述顯示區(qū)和所述非顯示區(qū)中，并且通過所述接觸單元電連接到所述接觸電極。
文檔編號H01L27/32GK102237391SQ20101025613
公開日2011年11月9日 申請日期2010年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月21日
發(fā)明者金昌男 申請人:樂金顯示有限公司