專利名稱：有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
信息通訊產(chǎn)業(yè)已成為現(xiàn)今的主流產(chǎn)業(yè)，特別是可攜帶式的各種通訊顯示產(chǎn)品更是 發(fā)展的重點。而由于平面顯示器是人與信息之間的溝通界面，因此其發(fā)展顯得特別重要。 有機(jī)發(fā)光顯示器即是一種有機(jī)發(fā)光裝置，由于其具有自發(fā)光、廣視角、省電、程序簡易、低成 本、操作溫度廣泛、高應(yīng)答速度以及全彩化等等的優(yōu)點，使其具有極大的潛力，因此可望成 為下一代平面顯示器的主流。另外，透明顯示面板的技術(shù)也已經(jīng)在積極發(fā)展之中。一般，在透明有機(jī)發(fā)光顯示器 中，大多是利用具有高穿透率的材質(zhì)作為陽極以及陰極的材料，甚至將顯示器中的所有金 屬層都改成高穿透度材料。此種設(shè)計雖然可以提高顯示面板的透明度，但是因為有機(jī)發(fā)光 顯示器中無反射層作為共振腔結(jié)構(gòu)，因而反而導(dǎo)致發(fā)光亮度降低，進(jìn)而造成顏色表現(xiàn)不佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其不但可以提高有機(jī)發(fā)光裝置的透明 度，還可以增加其發(fā)光亮度。本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、至少一主動元件、第一絕 緣層、第一電極層、第二絕緣層、發(fā)光層以及第二電極層?；寰哂卸鄠€子像素區(qū)，且每一個 子像素區(qū)具有發(fā)光區(qū)以及透明區(qū)。主動元件位于基板的發(fā)光區(qū)內(nèi)。第一絕緣層覆蓋主動元 件，其中第一絕緣層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。第一電極層位于第一絕緣層上且 與主動元件電性連接，其中第一電極層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。第二絕緣層位 于第一絕緣層以及第一電極層上且暴露出第一電極層，其中第二絕緣層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未 設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。發(fā)光層位于被暴露出的第一電極層上，其中發(fā)光層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè) 置在透明區(qū)內(nèi)。第二電極層位于發(fā)光層上。本發(fā)明提出一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、至少一主動元件、第一絕 緣層、第一電極層、第二絕緣層、發(fā)光層以及第二電極層?；寰哂卸鄠€子像素區(qū)，且每一個 子像素區(qū)具有發(fā)光區(qū)以及透明區(qū)。主動元件位于基板的發(fā)光區(qū)內(nèi)。第一絕緣層覆蓋主動元 件，其中第一絕緣層中具有至少一第一開口以暴露出基板的透明區(qū)。第一電極層位于發(fā)光 區(qū)內(nèi)，其中第一電極層設(shè)置于第一絕緣層上且與主動元件電性連接。第二絕緣層位于第一 絕緣層以及第一電極層上且暴露出第一電極層，其中第二絕緣層中具有至少一第二開口以 暴露出第一開口。發(fā)光層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)，其中發(fā)光層設(shè)置于被暴露出的第一電極層上。第 二電極層設(shè)置于發(fā)光層上。基于上述，由于本發(fā)明將像素結(jié)構(gòu)的透明區(qū)中的膜層移除，因而可以使像素結(jié)構(gòu) 的透明度提升。此外，本發(fā)明將像素結(jié)構(gòu)的電極層以及發(fā)光層都設(shè)置在發(fā)光區(qū)中，且此發(fā)光 區(qū)中可以設(shè)置不透光材料，因而可以使有機(jī)發(fā)光裝置保有共振腔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光亮度提升。 為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。



圖。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖； 圖2是圖1的像素結(jié)構(gòu)的局部俯視示意圖3至圖8是根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意
其中，附圖標(biāo)記 100 基板 102 柵極絕緣層 108:第一電極層 108b 上層電極 114:第二電極層 C:電容器 S1、S2、S 源極 CH1、CH2、CH 通道 VI V5、V 接觸窗 DMUDM2 漏極金屬層 E:發(fā)光區(qū) P 子像素區(qū) SL 掃描線
101 緩沖層 104，106，110 絕緣層 108a 下層電極 112 發(fā)光層 T1、T2、T 主動元件 G1、G2、G 柵極 D1、D2、D 漏極 E1、E2 電容電極 SMUSM2 源極金屬層 01,02 開口 T 透明區(qū) DL 數(shù)據(jù)線 PL 電源線
具體實施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2是圖 1的像素結(jié)構(gòu)的局部俯視示意圖。為了清楚的說明本實施例，圖2僅繪示出圖1的像素結(jié)構(gòu) 中的主動元件、第一電極層以及與主動元件電性連接的信號線，并省略繪示發(fā)光層以及第 二電極層。請參照圖1及圖2，本實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)包括基板100、至少一主 動元件T1，T2、第一絕緣層106、第一電極層108、第二絕緣層110、發(fā)光層112以及第二電極 層 114。基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電 材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。根據(jù)本實施例，在 基板100的表面上可進(jìn)一步設(shè)置緩沖層101，其可防止基板100中的離子或雜質(zhì)擴(kuò)散至形成 在基板100上的元件之中。緩沖層101的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合適 的無機(jī)材料、或上述至少二種材料的堆疊層。在本實施例中，緩沖層101是覆蓋基板100的 發(fā)光區(qū)E以及透明區(qū)T?；?00具有多個子像素區(qū)P，且每一個子像素區(qū)P具有發(fā)光區(qū)E以及透明區(qū)T。在本實施例中，每一子像素區(qū)P內(nèi)的發(fā)光區(qū)E以及透明區(qū)T是分別設(shè)置在子像素區(qū)P的上 部以及下部。但是，本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實施例，每一子像素區(qū)P內(nèi)的發(fā)光區(qū)E以及 透明區(qū)T的排列方式可以是其他種形式，例如發(fā)光區(qū)E位于子像素區(qū)P的中央且透明區(qū)T 位于子像素區(qū)的兩側(cè)或周圍。類似地，本發(fā)明也不限制每一子像素區(qū)P內(nèi)的發(fā)光區(qū)E與透 明區(qū)T的數(shù)目。換言之，在每一子像素區(qū)P內(nèi)可以有一個或一個以上的發(fā)光區(qū)E以及一個 或一個以上的透明區(qū)T。主動元件Tl，T2位于基板100的發(fā)光區(qū)E內(nèi)。根據(jù)本實施例，主動元件Tl，T2更 進(jìn)一步與信號線(掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL及電源線PL)電性連接。此外，在本實施例中，所 述像素結(jié)構(gòu)更包括電容器C。在本實施例中，主動元件T1、T2是以頂部柵極型薄膜晶體管 (又可稱為多晶硅薄膜晶體管)為例來說明。主動元件T1具有柵極G1、源極S1、漏極D1以及通道CH1。主動元件T1的柵極G1 與掃描線SL電性連接。主動元件T1的源極S1、漏極D1以及通道CH1是形成在一半導(dǎo)體層 (多晶硅層)中。在上述半導(dǎo)體層與柵極G1之間夾有一層?xùn)艠O絕緣層102，且在柵極G1上 另覆蓋有一層絕緣層104。源極S1通過形成在絕緣層102、104中的接觸窗VI而與源極金 屬層SM1電性連接，源極金屬層SM1更進(jìn)一步與數(shù)據(jù)線DL電性連接。漏極D1通過形成在 絕緣層102、104中的接觸窗V2而與漏極金屬層DM1電性連接。主動元件T2具有柵極G2、源極S2、漏極D2以及通道CH2。主動元件T2的源極S2、 漏極D2以及通道CH2是形成在一半導(dǎo)體層(例如非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、銦鍺鋅 氧化物、銦鍺氧化物、銦鋅氧化物、鍺硅化合物、或其它合適的材料、或上述的組合，其中，以 多晶硅層為范例)中。類似地，在上述半導(dǎo)體層與柵極G2之間夾有一層?xùn)艠O絕緣層102， 且在柵極G2上覆蓋有一層絕緣層104。源極S2通過形成在絕緣層104、102中的接觸窗V3 而與源極金屬層SM2電性連接，漏極D2通過形成在絕緣層104、102中的接觸窗V4而與漏 極金屬層DM2電性連接。此外，源極金屬層SM2又與漏極金屬層DM1電性連接。根據(jù)本實 施例，主動元件T2的柵極G2是與主動元件T1的漏極D2 (漏極金屬層DM2)電性連接，主動 元件T2的源極S2(源極金屬層SM2)是與電源線PL電性連接。值得一提的是，上述絕緣層102、104都僅設(shè)置在發(fā)光區(qū)E內(nèi)而未設(shè)置于透明區(qū)T 內(nèi)。因此絕緣層102、104在透明區(qū)T具有至少一開口(未標(biāo)示出)，以暴露出緩沖層101。電容器C的電容電極E1是與主動元件T1的漏極D1電性連接。電容器C的電容 電極E2是與電源供應(yīng)線PL電性連接。在本實施例中是以兩個主動元件搭配一個電容器(2T1C)為例來說明，但并非用 以限定本發(fā)明。換言之，本發(fā)明不限每一子像素區(qū)域P內(nèi)的主動元件與電容器的個數(shù)。第一絕緣層106覆蓋主動元件Tl，T2，其中第一絕緣層106位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)且未 設(shè)置在透明區(qū)T內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的一實施例，第一絕緣層106是覆蓋主動元件Tl，T2以及 上述的信號線，而且第一絕緣層106中具有至少一第一開口 01 (如圖1所示)以暴露出基 板100的透明區(qū)T。更詳細(xì)來說，第一開口 01與絕緣層102、104中的開口共同暴露出緩沖 層 101。第一電極層108位于第一絕緣層106上且與主動元件T2電性連接。更詳細(xì)來 說，第一電極層108是通過形成在第一絕緣層106中的接觸窗V5而與主動元件T2的漏極 D2(漏極金屬層DM2)電性連接。特別是，上述的第一電極層108是位于發(fā)光E區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)T內(nèi)。根據(jù)本實施例，第一電極層108較佳的是具有反射性質(zhì)的電極層。第一電極層108 可以單獨由一層反射電極層所構(gòu)成，或者是由多層導(dǎo)電層108a/108b所構(gòu)成(如圖1所 示)。在圖1的實施例中，第一電極層108的上層電極108a為透明材料層且下層電極108b 為反射材料層。當(dāng)然，在其他實施例中，亦可以是第一電極層108的上層電極108a為反射 材料層且下層電極108b是透明材料層。第二絕緣層110是位于第一絕緣層106以及第一電極層108上且暴露出第一電極 層108，其中第二絕緣層110位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)T內(nèi)。在本實施例中，第二 絕緣層110是作為后續(xù)欲于第一電極層108上所形成的發(fā)光層112的阻隔結(jié)構(gòu)，換言之，所 形成的第二絕緣層110可以限制發(fā)光層112形成在特定的位置(即被暴露的第一電極層 108的表面上)。在本實施例中，第二絕緣層110具有至少一第二開口 02，第二開口 02暴露 出第一開口 01。更詳細(xì)來說，第二開口 02、第一開口 01與絕緣層102、104中的開口共同暴 露出緩沖層101。發(fā)光層112位于被暴露出的第一電極層108上，其中發(fā)光層112位于發(fā)光區(qū)E內(nèi) 且未設(shè)置在透明區(qū)T內(nèi)發(fā)光層112可為紅色有機(jī)發(fā)光圖案、綠色有機(jī)發(fā)光圖案、藍(lán)色有機(jī)發(fā) 光圖案或是混合各頻譜的光產(chǎn)生的不同顏色(例如白、橘、紫、...等)發(fā)光圖案。此外，發(fā) 光層112中可更包括電子傳輸層、電子注入層、空穴傳輸層以及空穴注入層(未繪示)，以增 進(jìn)發(fā)光層112的發(fā)光效率。第二電極層114是位于發(fā)光層112上。在本實施例中，第二電極層114是位于發(fā)光 區(qū)E內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)T內(nèi)。此外，第二電極層112為透明電極層，其材質(zhì)例如是金屬氧 化物或是薄層金屬的疊層。因此，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置，是以頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)(或稱為向上 發(fā)光結(jié)構(gòu))，即第一電極層為反射材料所構(gòu)成，而第二電極層為透明材料所構(gòu)成，為主要實 施范例。而底部發(fā)光結(jié)構(gòu)(或向下發(fā)光結(jié)構(gòu))，即第一電極層為透明材料所構(gòu)成，而第二電 極層為反射材料所構(gòu)成，并不適用于本發(fā)明中。因為，發(fā)光區(qū)，例如位于主動元件區(qū)中，底 部發(fā)光結(jié)構(gòu)中發(fā)光層所發(fā)射的光會被主動元件區(qū)中主動元件的不透光電極(例如柵極、 源極、漏極、掃描線、數(shù)據(jù)線、電容電極等等)所遮蔽，而沒有任何的光線存在。值得一提的是，在上述像素結(jié)構(gòu)的信號線上(例如掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL、電源線 PL其中至少一個)以及/或電容器C上亦可設(shè)置第一電極層108、發(fā)光層112以及第二電 極層114。也就是發(fā)光區(qū)E可涵蓋設(shè)置有信號線(例如掃描線SL、數(shù)據(jù)線DL、電源線PL其 中至少一個)以及/或電容器C之處。由于上述設(shè)置有信號線以及電容器的地方原本就不 透光，因此將發(fā)光區(qū)E涵蓋到設(shè)置有信號線以及電容器C之處，可進(jìn)一步增加像素結(jié)構(gòu)的發(fā) 光面積。在上述圖1的實施例中，第一電極層108、發(fā)光層112以及第二電極層114是設(shè)置 在發(fā)光區(qū)E內(nèi)，因此每一子像素區(qū)P是發(fā)光區(qū)E會發(fā)出光線，而透明區(qū)T是不會發(fā)出光線。 但，因透明區(qū)T內(nèi)幾乎沒有設(shè)置膜層，因此透明T可以保有高度的透明度。如此，可以使得 像素結(jié)構(gòu)的透明度提升。此外，因本實施例將第一電極層108、發(fā)光層112以及第二電極層 114是設(shè)置在發(fā)光區(qū)E。而發(fā)光區(qū)E可以不需對像素結(jié)構(gòu)的透明度做出貢獻(xiàn)。因此第一電 極層108可以選用具有高反射性質(zhì)的材料，以使像素結(jié)構(gòu)保有共振腔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使有機(jī)發(fā) 光裝置的像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光亮度提升。
在圖1的實施例中，第二電極層114僅設(shè)置在發(fā)光區(qū)E而沒有設(shè)置在透明區(qū)T中。 但，根據(jù)其他實施例，第二電極層114可以設(shè)置在發(fā)光區(qū)E以及透明區(qū)T中，如圖3所示。圖 3的實施例與圖1的實施例相似，因此在此與圖1的實施例相同的元件以相同的符號表示， 且不再重復(fù)贅述。圖3的實施例與圖1的實施例不相同之處在于，第二電極層114位于發(fā) 光區(qū)E內(nèi)以及透明區(qū)T內(nèi)，且位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)的第二電極層114與位于透明區(qū)T的第二電 極層114，較佳地，是分離開來。在其它實施例中，第二電極層114位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)以及透 明區(qū)T內(nèi)，且位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)的第二電極層114與位于透明區(qū)T的第二電極層114是可連 接在一起的。由于第二電極層114是透明電極層，因此即使透明區(qū)T內(nèi)設(shè)置有第二電極層 114，仍可使透明區(qū)T保有一定程度的透明度。在此實施例中，由于第二絕緣層110在透明區(qū)T具有第二開口 02，第一絕緣層106 在透明區(qū)T具有第一開口 01，且絕緣層104、102在透明區(qū)T具有開口。上述的第二開口 02、 第一開口 01以及絕緣層104、102中的開口共同暴露出緩沖層101。因此，第二電極層114 覆蓋位于上述開口底部的緩沖層110，且暴露出上述開口的局部側(cè)壁。另外，在上述圖1的實施例中，透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置有緩沖層101，因此可以增加透明 區(qū)T的透明度。然，增加透明區(qū)T的透明度的方法亦可以其他實施例來實現(xiàn)，如下所述。圖4是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4的實 施例與圖1的實施例相似，因此在此與圖1的實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再 重復(fù)贅述。圖4的實施例與圖1的實施例不相同之處在于基板100上未設(shè)置有緩沖層，而 位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)的柵極絕緣層102延伸至透明區(qū)T內(nèi)。在此實施例中，由于透明區(qū)T內(nèi)僅 設(shè)置有柵極絕緣層102，因此可以增加透明區(qū)T的透明度。圖5是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖5的實 施例與圖1的實施例相似，因此在此與圖1的實施例相同的元件以相同的符號表示，且不 再重復(fù)贅述。圖5的實施例與圖1的實施例不相同之處在于發(fā)光區(qū)E內(nèi)的柵極絕緣層102 延伸至透明區(qū)T內(nèi)。因此，在此實施例中，透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置有緩沖層101以及柵極絕緣層 102。類似地，由于本實施例的透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置有緩沖層101以及柵極絕緣層102，因此可 以使透明區(qū)T保有一定程度的透明度。在上述數(shù)個實施例中，透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置緩沖層101、柵極絕緣層102或是緩沖層 101與柵極絕緣層102。但，根據(jù)另一實施例，亦可以是透明區(qū)T內(nèi)完全無設(shè)置膜層，也就是 透明區(qū)T單純僅有基板100。此外，在上述數(shù)個實施例中，像素結(jié)構(gòu)中的主動元件都是以頂部柵極型薄膜晶體 管為例來說明。但，根據(jù)其他實施例，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中的主動元件也可以采用底部柵極 型薄膜晶體管，如下所述。圖6是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖6的實 施例與圖1的實施例相似，因此在此與圖1的實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再 重復(fù)贅述。圖6的實施例與圖1的實施例不相同之處在于主動元件T是底部柵極型薄膜晶 體管，其包括柵極G、通道CH、源極S以及漏極D。柵極G位于基板100上，柵極絕緣層102 覆蓋柵極G，通道CH位于柵極絕緣層102上，且源極與漏極D位于通道CH上。其中，通道 CH是由單層或多層的半導(dǎo)體材料所構(gòu)成，例如非晶硅、多晶硅、微晶硅、單晶硅、銦鍺鋅氧 化物、銦鍺氧化物、銦鋅氧化物、鍺硅化合物、或其它合適的材料、或上述的組合。
類似地，第一絕緣層106覆蓋主動元件T，第一電極層108位于第一絕緣層106上， 且通過接觸窗V與主動元件T的漏極D電性連接。第二絕緣層110位于第一絕緣層106與 第一電極層108上，且暴露出第一電極層108。發(fā)光層112位于第一電極層108上，且第二 電極層114位于發(fā)光層112上。同樣地，第一絕緣層106與第二絕緣層110都僅設(shè)置在發(fā)光區(qū)E中，而沒有設(shè)置在 透明區(qū)T中。在透明區(qū)中僅設(shè)置有緩沖層101。更詳細(xì)來說，第一絕緣層106與第二絕緣層 110中具有開口 02、02，其暴露出透明區(qū)T內(nèi)的緩沖層101。由于透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置有緩沖 層101，因此可以增加透明區(qū)T的透明度。此外，本發(fā)明的有機(jī)發(fā)光裝置，是以頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)(或稱為向上發(fā)光結(jié)構(gòu))，即第 一電極層為反射材料所構(gòu)成，而第二電極層為透明材料所構(gòu)成，為主要實施范例。而底部發(fā) 光結(jié)構(gòu)(或向下發(fā)光結(jié)構(gòu))，即第一電極層為透明材料所構(gòu)成，而第二電極層為反射材料所 構(gòu)成，并不適用于本發(fā)明中。因為，發(fā)光區(qū)，例如位于主動元件區(qū)中，底部發(fā)光結(jié)構(gòu)中發(fā)光 層所發(fā)射的光會被主動元件區(qū)中主動元件的不透光電極(例如柵極、源極、漏極、掃描線、 數(shù)據(jù)線、電容電極等等)所遮蔽，而沒有任何的光線存在。圖7是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖7的實 施例與圖6的實施例相似，因此在此與圖6的實施例相同的元件以相同的符號表示，且不再 重復(fù)贅述。圖7的實施例與圖6的實施例不相同之處在于基板100上未設(shè)置有緩沖層，而 位于發(fā)光區(qū)E內(nèi)的柵極絕緣層102延伸至透明區(qū)T內(nèi)。在此實施例中，由于透明區(qū)T內(nèi)僅 設(shè)置有柵極絕緣層102，因此可以增加透明區(qū)T的透明度。圖8是根據(jù)本發(fā)明一實施例的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖8的實 施例與圖6的實施例相似，因此在此與圖6的實施例相同的元件以相同的符號表示，且不 再重復(fù)贅述。圖8的實施例與圖6的實施例不相同之處在于發(fā)光區(qū)E內(nèi)的柵極絕緣層102 延伸至透明區(qū)T內(nèi)。因此，在此實施例中，透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置有緩沖層101以及柵極絕緣層 102。類似地，由于本實施例的透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置有緩沖層101以及柵極絕緣層102，因此可 以使透明區(qū)T保有一定程度的透明度。類似地，在上述圖6至圖8的具有底部柵極型薄膜晶體管的像素結(jié)構(gòu)中，其第二電 極層114都僅設(shè)置在發(fā)光區(qū)E中。但，根據(jù)其他實施例，第二電極層114都也是可設(shè)置在發(fā) 光區(qū)E以及透明區(qū)T中(類似圖3的第二電極層114的設(shè)置方式)。其中，發(fā)光區(qū)E以及透 明區(qū)T中的第二電極層114可選擇性的相互連接或不連接。同樣地，在上述圖6至圖8的實施例中，透明區(qū)T內(nèi)僅設(shè)置緩沖層101、柵極絕緣層 102或是緩沖層101與柵極絕緣層102。但，根據(jù)另一實施例，亦可以是透明區(qū)T內(nèi)完全無 設(shè)置膜層，也就是透明區(qū)T單純僅有基板100。綜上所述，由于本發(fā)明將有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)的透明區(qū)中的膜層完全移除， 或者是僅留下緩沖層、柵極絕緣層、或緩沖層與柵極絕緣層。并且將像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光層設(shè)置 在發(fā)光區(qū)中。由于像素結(jié)構(gòu)的發(fā)光區(qū)主要是發(fā)揮發(fā)光作用，且透明區(qū)主要是提供像素結(jié)構(gòu) 利用基板外的環(huán)境光來提升像素結(jié)構(gòu)的透明度。因此，在做成顯示裝置或電子裝置時，會使 用框架(未繪示)將有機(jī)發(fā)光裝置容納于其中，此時，相對于透明區(qū)的框架中的部件并不會 遮蔽外界環(huán)境光從基板外面進(jìn)入有機(jī)發(fā)光裝置內(nèi)。因此，當(dāng)使用者往有機(jī)發(fā)光裝置的第二 電極看時，有機(jī)發(fā)光裝置會因為透明區(qū)的存在而使得透明度或亮度提升。
此外，本發(fā)明將像素結(jié)構(gòu)的電極層以及發(fā)光層都設(shè)置在發(fā)光區(qū)中，且此發(fā)光區(qū)中 可以設(shè)置不透光材料當(dāng)作第一電極。在發(fā)光區(qū)中設(shè)置反射材料/不透光材料可以使有機(jī)發(fā) 光裝置的發(fā)光區(qū)保有共振腔結(jié)構(gòu)，進(jìn)而使有機(jī)發(fā)光裝置的發(fā)光亮度提升。也就是說，有機(jī)發(fā) 光裝置的像素結(jié)構(gòu)中的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)較適用頂部發(fā)光結(jié)構(gòu)(或稱為向上發(fā)光結(jié)構(gòu))，而較 不適用底部發(fā)光結(jié)構(gòu)(或稱為向下發(fā)光結(jié)構(gòu))，其中，二者結(jié)構(gòu)的差異可查閱上述實施例。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實施例，在不背離本發(fā)明精神及其實質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于。包括一基板，其定義有多個子像素區(qū)，每一個子像素區(qū)具有一發(fā)光區(qū)以及一透明區(qū)；至少一主動元件，位于該基板的該發(fā)光區(qū)內(nèi)；一第一絕緣層，覆蓋該主動元件，其中該第一絕緣層位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在該透明區(qū)內(nèi)；一第一電極層，位于該第一絕緣層上且與該主動元件電性連接，其中該第一電極層位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在該透明區(qū)內(nèi)；一第二絕緣層，位在該第一絕緣層以及該第一電極層上且暴露出該第一電極層，其中該第二絕緣層位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在該透明區(qū)內(nèi)；一發(fā)光層，位于被暴露出的該第一電極層上，其中該發(fā)光層位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在該透明區(qū)內(nèi)；以及一第二電極層，位于該發(fā)光層上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動元件包括一 柵極、一半導(dǎo)體層、一源極以及一漏極，該柵極與該半導(dǎo)體層之間更包括設(shè)置有一柵極絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵極絕緣層延伸 至該透明區(qū)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一緩沖層設(shè) 置于該基板的該發(fā)光區(qū)以及該透明區(qū)上，且位于該主動元件之下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層位于 該發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在該透明區(qū)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層位于 該發(fā)光區(qū)內(nèi)以及該透明區(qū)內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層為一 透明電極層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層為一 反射電極層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層包括 多層導(dǎo)電層，且這些導(dǎo)電層的至少其中之一為一反射層。
10.一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括一基板，其定義有多個子像素區(qū)，每一個子像素區(qū)具有一發(fā)光區(qū)以及一透明區(qū)；至少一主動元件，位于該基板的該發(fā)光區(qū)內(nèi)；一第一絕緣層，覆蓋該主動元件，其中該第一絕緣層中具有至少一第一開口以暴露出 該基板的該透明區(qū)；一第一電極層，位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)，其中該第一電極層設(shè)置于該第一絕緣層上且與該主 動元件電性連接；一第二絕緣層，位在該第一絕緣層以及該第一電極層上且暴露出該第一電極層，其中 該第二絕緣層中具有至少一第二開口以暴露出該第一開口；一發(fā)光層，位于該發(fā)光區(qū)內(nèi)，其中該發(fā)光層設(shè)置于被暴露出的該第一電極層上；以及一第二電極層，設(shè)置于該發(fā)光層上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動元件包括 一柵極、一半導(dǎo)體層、一源極以及一漏極，該柵極與該半導(dǎo)體層之間更包括設(shè)置有一柵極絕緣層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該柵極絕緣層延 伸至該透明區(qū)內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，更包含一緩沖層 設(shè)置于該基板的該發(fā)光區(qū)以及該透明區(qū)上，且位于該主動元件之下。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層位 于該發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在該透明區(qū)內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層位 于該發(fā)光區(qū)內(nèi)以及該透明區(qū)內(nèi)。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層覆 蓋該第一開口的底部，且暴露出該第一開口與該第二開口的局部側(cè)壁。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第二電極層為 一透明電極層。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層為 一反射電極層。
19.根據(jù)權(quán)利要求10所述的有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一電極層包 括多層導(dǎo)電層，且這些導(dǎo)電層的至少其中之一為一反射層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光裝置的像素結(jié)構(gòu)，其包括基板、至少一主動元件、第一絕緣層、第一電極層、第二絕緣層、發(fā)光層以及第二電極層?；寰哂卸鄠€子像素區(qū)，且每一個子像素區(qū)具有發(fā)光區(qū)以及透明區(qū)。主動元件位于基板的發(fā)光區(qū)內(nèi)。第一絕緣層覆蓋主動元件，其中第一絕緣層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。第一電極層位于第一絕緣層上且與主動元件電性連接，其中第一電極層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。第二絕緣層位于第一絕緣層以及第一電極層上且暴露出第一電極層，其中第二絕緣層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。發(fā)光層位于被暴露出的第一電極層上，其中發(fā)光層位于發(fā)光區(qū)內(nèi)且未設(shè)置在透明區(qū)內(nèi)。第二電極層位于發(fā)光層上。
文檔編號H01L27/32GK101930994SQ201010254100
公開日2010年12月29日 申請日期2010年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月12日
發(fā)明者周佳伶 申請人:友達(dá)光電股份有限公司