專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)，特別涉及一種半導(dǎo)體器件的制作方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體器件制作是指在半導(dǎo)體襯底上執(zhí)行一系列復(fù)雜的化學(xué)或物理操作，以形成半導(dǎo)體器件的過(guò)程。圖1 圖6為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制作方法的過(guò)程剖面示意圖， 該方法主要包括步驟101，參見(jiàn)圖1，提供一半導(dǎo)體襯底1001，在半導(dǎo)體襯底1001表面生長(zhǎng)柵氧化層1002，并淀積多晶硅1003，利用光刻、刻蝕和離子注入等工藝形成柵極結(jié)構(gòu)。本步驟中，首先進(jìn)行柵氧化層1002的生長(zhǎng)；然后，通過(guò)化學(xué)氣相淀積工藝，在晶片表面淀積一層多晶硅1003，厚度約為500 2000埃；之后，通過(guò)光刻、刻蝕和離子注入等工藝，制作出柵極結(jié)構(gòu)，本發(fā)明所述柵極結(jié)構(gòu)包括由多晶硅1003構(gòu)成的柵極和位于柵極下方的柵氧化層1002。步驟102，參見(jiàn)圖2，向半導(dǎo)體襯底1001進(jìn)行輕摻雜漏(LDD)注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上形成輕摻雜漏極1004和輕摻雜源極1005。在半導(dǎo)體器件微型化、高密度化、高速化和系統(tǒng)集成化等需求的推動(dòng)下，柵極結(jié)構(gòu)的寬度不斷減小，其下方的溝道長(zhǎng)度也不斷減小，然而漏端的電壓并沒(méi)有顯著減小，這就造成了在漏端的電場(chǎng)的增加，使得附近的電荷具有較大的能量，這些熱載流子有可能穿越柵氧化層，引起了漏電流的增加，因此，需要采用一些手段來(lái)降低漏電流出現(xiàn)的可能性，如LDD 注入。步驟103，參見(jiàn)圖3，在半導(dǎo)體襯底1001表面淀積二氧化硅(SiO2) 1006。在后續(xù)步驟中，二氧化硅1006將被刻蝕而形成第一側(cè)壁層。步驟104，參見(jiàn)圖4，在二氧化硅1006表面淀積氮化硅(Si3N4) 1007。在后續(xù)步驟中，氮化硅007將被刻蝕而形成第二側(cè)壁層。步驟105，參見(jiàn)圖5，采用干法刻蝕工藝刻蝕晶片表面的氮化硅1007，形成第二側(cè)壁層1008，然后采用濕法刻蝕工藝刻蝕晶片表面的二氧化硅1006，形成第一側(cè)壁層1009。第一和第二側(cè)壁層可用于防止后續(xù)進(jìn)行源漏注入時(shí)過(guò)于接近溝道以致發(fā)生源漏穿通，即注入的雜質(zhì)發(fā)生擴(kuò)散從而產(chǎn)生漏電流。當(dāng)采用濕法刻蝕工藝刻蝕晶片表面的二氧化硅1006時(shí)，期望僅去除第二側(cè)壁層兩側(cè)的二氧化硅，保留第二側(cè)壁層下方的二氧化硅。步驟106，參見(jiàn)圖6，向半導(dǎo)體襯底1001進(jìn)行離子注入，從而形成漏極1010和源極 1011。需要說(shuō)明的是，由于第一側(cè)壁層1009和第二側(cè)壁層1008可作為柵極結(jié)構(gòu)的保護(hù)層，因此注入的離子難以進(jìn)入柵極，從而僅對(duì)柵極兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001實(shí)現(xiàn)了注入，并最終形成漏極1010和源極1011。至此，本流程結(jié)束。
然而，在上述步驟105中，當(dāng)采用濕法刻蝕工藝刻蝕二氧化硅時(shí)，由于濕法刻蝕的各向同性(wet isotropic etch property)，當(dāng)刻蝕第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底表面的二氧化硅時(shí)，第二側(cè)壁層下方的二氧化硅也會(huì)被刻蝕，從而在第二側(cè)壁層下方形成圖5和圖6虛線圓圈所示的缺口，所示缺口會(huì)增加漏極和源極之間的漏電流、源極和柵極之間的漏電流、漏極和柵極之間的漏電流這三種漏電流中任一種漏電流、任兩種漏電流或全部三種漏電流，提高了半導(dǎo)體器件的功耗。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制作方法，能夠降低半導(dǎo)體器件的功耗。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括
在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成輕摻雜漏極和輕摻雜源極；依次淀積用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅，且所述用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和所述用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面，采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底表面的氮化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅形成第二側(cè)壁層；向半導(dǎo)體襯底表面未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅以及第二側(cè)壁層注入氮離子；采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅，形成第一側(cè)壁層；向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成漏極和源極。所述氮離子注入的劑量為3X IO14個(gè)原子/cm2至4X IO15個(gè)原子/cm2。所述氮離子注入的能量為2000電子伏特至30000電子伏特。所述氮離子注入時(shí)離子束與垂直方向的夾角為-0. 5度至0. 5度。向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入之前，該方法進(jìn)一步包括 淀積用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅，且所述用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層的表面，采用濕法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的二氧化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層表面的二氧化硅形成第三側(cè)壁層；所述漏極和源極形成于第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層以及第三側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上。一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成輕摻雜漏極和輕摻雜源極；依次淀積用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅，且所述用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和所述用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面，向二氧化硅和氮化硅注入氮離子，其中柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅所覆蓋的二氧化硅未被注入氮離子；采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底表面的氮化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅形成第二側(cè)壁層；采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅，形成第一側(cè)壁層；向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成漏極和源極。所述氮離子注入的劑量為5X IO14個(gè)原子/cm2至8X IO15個(gè)原子/cm2。所述氮離子注入的能量為20000電子伏特至50000電子伏特。所述氮離子注入時(shí)離子束與垂直方向的夾角為-0. 5度至0. 5度。向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入之前，該方法進(jìn)一步包括淀積用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅，且所述用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二側(cè)壁層的表面，采用濕法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的二氧化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二側(cè)壁層表面的二氧化硅形成第三側(cè)壁層；所述漏極和源極形成于第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層以及第三側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上?？梢?jiàn)，在本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法中，當(dāng)采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅之前，向未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅注入氮離子， 而被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅并未被注入氮離子，這樣，沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅與被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅具有顯著的刻蝕速率的差異，當(dāng)沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅刻蝕完畢后，被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅也基本沒(méi)有被刻蝕，避免了缺口的形成，從而降低了半導(dǎo)體器件的功耗。


圖1 圖6為現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體器件的制作方法的過(guò)程剖面示意圖。圖7本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖。圖8 圖15為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第一實(shí)施例的過(guò)程剖面示意圖。圖16本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖。圖17 圖M為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第二實(shí)施例的過(guò)程剖面示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明所述方案作進(jìn)一步地詳細(xì)說(shuō)明。本發(fā)明的核心思想為當(dāng)采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅之前，向未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅注入氮離子以提高所注入?yún)^(qū)域的濕法刻蝕速率， 而被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅并未被注入氮離子，這樣，沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅與被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅相比具有較快的刻蝕速率，當(dāng)沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅刻蝕完畢后，被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅基本沒(méi)有被刻蝕，避免了缺口的形成，降低了半導(dǎo)體器件的功耗。下面通過(guò)兩個(gè)實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)介紹。第一實(shí)施例圖7本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第一實(shí)施例的流程圖，如圖7 所示，該方法包括步驟11，在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)。步驟12，向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成輕摻雜漏極和輕摻雜源極。步驟13，依次淀積用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅，且所述用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和所述用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面，采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底表面的氮化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅形成第二側(cè)壁層。步驟14，向半導(dǎo)體襯底表面未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅以及第二側(cè)壁層注入氮離子。步驟15，采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅，形成第一側(cè)壁層。步驟16，向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成漏極和源極。至此，本流程結(jié)束。圖8 圖15為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第一實(shí)施例的過(guò)程剖面示意圖，該方法主要包括步驟201，參見(jiàn)圖8，提供一半導(dǎo)體襯底1001，在半導(dǎo)體襯底1001表面生長(zhǎng)柵氧化層1002和淀積多晶硅1003，并利用光刻、刻蝕和離子注入等工藝形成柵極結(jié)構(gòu)。步驟202，參見(jiàn)圖9，進(jìn)行LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上形成輕摻雜漏極1004和輕摻雜源極1005。步驟203，參見(jiàn)圖10，在半導(dǎo)體襯底1001表面淀積二氧化硅1006。二氧化硅1006覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面。步驟204，參見(jiàn)圖11，在二氧化硅1006表面淀積氮化硅1007。氮化硅1007覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的二氧化硅1006的表面。步驟205，參見(jiàn)圖12，采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底1001表面的氮化硅1007，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅1007形成第二側(cè)壁層1008。上述步驟201至205與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不予贅述。步驟206，參見(jiàn)圖13，向半導(dǎo)體襯底1001表面未被第二側(cè)壁層1008覆蓋的二氧化硅1006以及第二側(cè)壁層1008注入氮(N)離子。在本步驟中，向半導(dǎo)體襯底表面注入氮離子，但是由于能量和劑量選擇得比較適合，且一部分二氧化硅被第二側(cè)壁層覆蓋，實(shí)際只有半導(dǎo)體襯底表面未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅以及第二側(cè)壁層被摻雜了氮離子，摻雜氮離子后，可提高所注入?yún)^(qū)域的濕法刻蝕速率，在摻雜過(guò)程中，第二側(cè)壁層下方的二氧化硅由于被第二側(cè)壁層覆蓋，因此其未被注入氮離子，其相比于所注入?yún)^(qū)域的二氧化硅具有比較慢的濕法刻蝕速率，這樣，當(dāng)在后續(xù)進(jìn)行濕法刻蝕時(shí)，沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅與第二側(cè)壁層下方的二氧化硅具有顯著的刻蝕速率的差異，即使存在濕法刻蝕的各向同性的影響，當(dāng)沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅刻蝕完畢后，第二側(cè)壁層下方的二氧化硅也基本沒(méi)有被刻蝕，避免了缺口的形成。為了清楚地表明圖13中不同區(qū)域具有不同的濕法刻蝕速率，如圖13所示，其中實(shí)線圓圈所示區(qū)域被注入了氮離子，其具有較快的濕法刻蝕速率，而虛線圓圈所示區(qū)域沒(méi)有被注入氮離子，其具有較慢的濕法刻蝕速率。另外，雖然第二側(cè)壁層也被注入了氮離子，但是不會(huì)影響第二側(cè)壁層的性能。較佳地，氮離子注入的劑量為3 X IO14個(gè)原子/cm2至4 X IO15個(gè)原子/cm2，氮離子注入的能量為2000電子伏特(eV)至30000電子伏特(eV)，離子束與垂直方向的夾角為-0. 5 度至0.5度。步驟207，參見(jiàn)圖14，采用濕法刻蝕工藝刻蝕晶片表面的未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅1006，形成第一側(cè)壁層1009。濕法刻蝕的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同。需要說(shuō)明的是，即使晶片表面的二氧化硅已經(jīng)被摻雜氮離子，但是對(duì)二氧化硅進(jìn)行濕法刻蝕的溶液和工藝條件與現(xiàn)有技術(shù)相同。步驟208，參見(jiàn)圖15，進(jìn)行離子注入，從而形成漏極1010和源極1011。另外，在步驟208之前，還可進(jìn)一步包括淀積用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅 (圖未示出)，且用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層1008的表面，采用濕法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面的二氧化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層1008 表面的二氧化硅形成第三側(cè)壁層。則步驟208中形成的漏極1010和源極1011位于第一側(cè)壁層1006、第二側(cè)壁層 1008以及第三側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上。至此，本流程結(jié)束。第二實(shí)施例圖16本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第二實(shí)施例的流程圖，如圖 16所示，該方法包括步驟21，在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)。步驟22，向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成輕摻雜漏極和輕摻雜源極。步驟23，依次淀積用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅，且所述用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和所述用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面，向二氧化硅和氮化硅注入氮離子，其中柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅所覆蓋的二氧化硅未被注入氮離子。步驟M，采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底表面的氮化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅形成第二側(cè)壁層。
步驟25，采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅，形成第一側(cè)壁層。步驟26，向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成漏極和源極。至此，本流程結(jié)束。圖17 圖M為本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法的第二實(shí)施例的過(guò)程剖面示意圖，該方法主要包括步驟301，參見(jiàn)圖17，提供一半導(dǎo)體襯底1001，在半導(dǎo)體襯底1001表面生長(zhǎng)柵氧化層1002和淀積多晶硅1003，并利用光刻、刻蝕和離子注入等工藝形成柵極結(jié)構(gòu)。步驟302，參見(jiàn)圖18，進(jìn)行LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上形成輕摻雜漏極1004和輕摻雜源極1005。步驟303，參見(jiàn)圖19，在半導(dǎo)體襯底1001表面淀積二氧化硅1006。二氧化硅1006覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面。步驟304，參見(jiàn)圖20，在二氧化硅1006表面淀積氮化硅1007。氮化硅1007覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的二氧化硅1006的表面。上述步驟301至304與現(xiàn)有技術(shù)相同，此處不予贅述。步驟305，參見(jiàn)圖21，向半導(dǎo)體襯底1001表面的二氧化硅1006以及第氮化硅1007
注入氮離子。在本步驟中，向半導(dǎo)體襯底表面注入氮離子，但是由于能量和劑量選擇得比較適合，且靠近柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的預(yù)設(shè)第二側(cè)壁層具有比較大的厚度，所以柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅所覆蓋的(即預(yù)設(shè)第二側(cè)壁層下方)的二氧化硅沒(méi)有被摻雜氮離子。如圖21所示，其中實(shí)線圓圈所示區(qū)域被注入了氮離子，其具有較快的濕法刻蝕速率，而虛線圓圈所示區(qū)域沒(méi)有被注入氮離子，其具有較慢的濕法刻蝕速率。本實(shí)施例中氮離子的注入能量和劑量略大于步驟206中所涉及的氮離子的注入能量和劑量，這是因?yàn)樽⑷氲x子的目的是加快沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅的刻蝕速率，因此本步驟中所注入的氮離子必須能夠穿過(guò)氮化硅而進(jìn)入二氧化硅的內(nèi)部。較佳地，氮離子注入的劑量為5 X IO14個(gè)原子/cm2至8 X IO15個(gè)原子/cm2，氮離子注入的能量為20000電子伏特(eV)至50000電子伏特(eV)，離子束與垂直方向的夾角為-0. 5 度至0.5度。步驟306，參見(jiàn)圖22，采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底1001表面的的氮化硅1007，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅1007形成第二側(cè)壁層 1008。干法刻蝕的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同。需要說(shuō)明的是，即使晶片表面的氮化硅已經(jīng)被摻雜氮離子，但是對(duì)氮化硅進(jìn)行干法刻蝕的氣體和工藝條件與現(xiàn)有技術(shù)相同。步驟307，參見(jiàn)圖23，采用濕法刻蝕工藝刻蝕晶片表面未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅1006，形成第一側(cè)壁層1009。濕法刻蝕的方法與現(xiàn)有技術(shù)相同。
需要說(shuō)明的是，即使晶片表面的二氧化硅已經(jīng)被摻雜氮離子，但是對(duì)二氧化硅進(jìn)行濕法刻蝕的溶液和工藝條件與現(xiàn)有技術(shù)相同。步驟308，參見(jiàn)圖24，進(jìn)行離子注入，從而形成漏極1010和源極1011。另外，在步驟208之前，還可進(jìn)一步包括淀積用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅 (圖未示出)，且用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層1008的表面，采用濕法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在半導(dǎo)體襯底1001表面的二氧化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層1008 表面的二氧化硅形成第三側(cè)壁層。則步驟208中形成的漏極1010和源極1011位于第一側(cè)壁層1006、第二側(cè)壁層 1008以及第三側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底1001上。至此，本流程結(jié)束。在本發(fā)明所提供的一種半導(dǎo)體器件的制作方法中，當(dāng)采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅之前，向未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅注入氮離子，而被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅并未被注入氮離子，這樣，沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅與被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅具有顯著的刻蝕速率的差異，當(dāng)沒(méi)有被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅刻蝕完畢后，被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅也基本沒(méi)有被刻蝕，避免了缺口的形成， 降低了半導(dǎo)體器件的功耗。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括 在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成輕摻雜漏極和輕摻雜源極；依次淀積用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅，且所述用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和所述用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面，采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底表面的氮化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅形成第二側(cè)壁層；向半導(dǎo)體襯底表面未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅以及第二側(cè)壁層注入氮離子； 采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅，形成第一側(cè)壁層； 向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成漏極和源極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述氮離子注入的劑量為3X IOw個(gè)原子 /cm2 至 4X IO15 個(gè)原子/cm2。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述氮離子注入的能量為2000電子伏特至30000電子伏特。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述氮離子注入時(shí)離子束與垂直方向的夾角為-0.5度至0.5度。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入之前，該方法進(jìn)一步包括淀積用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅，且所述用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層的表面，采用濕法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的二氧化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的第二側(cè)壁層表面的二氧化硅形成第三側(cè)壁層；所述漏極和源極形成于第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層以及第三側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上。
6.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該方法包括 在半導(dǎo)體襯底表面形成柵極結(jié)構(gòu)；向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行輕摻雜漏LDD注入，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成輕摻雜漏極和輕摻雜源極；依次淀積用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅，且所述用于形成第一側(cè)壁層的二氧化硅和所述用于形成第二側(cè)壁層的氮化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面，向二氧化硅和氮化硅注入氮離子，其中柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅所覆蓋的二氧化硅未被注入氮離子；采用干法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和半導(dǎo)體襯底表面的氮化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)面的氮化硅形成第二側(cè)壁層；采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅，形成第一側(cè)壁層； 向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入，在第一側(cè)壁層和第二側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上形成漏極和源極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述氮離子注入的劑量為5X IOw個(gè)原子 /cm2 至 8X IO15 個(gè)原子/cm2。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述氮離子注入的能量為20000電子伏特至50000電子伏特。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述氮離子注入時(shí)離子束與垂直方向的夾角為-0.5度至0.5度。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，向半導(dǎo)體襯底進(jìn)行離子注入之前，該方法進(jìn)一步包括淀積用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅，且所述用于形成第三側(cè)壁層的二氧化硅覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面、柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二側(cè)壁層的表面，采用濕法刻蝕工藝刻蝕覆蓋在半導(dǎo)體襯底表面的二氧化硅，覆蓋在柵極結(jié)構(gòu)上表面和柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的第二側(cè)壁層表面的二氧化硅形成第三側(cè)壁層；所述漏極和源極形成于第一側(cè)壁層、第二側(cè)壁層以及第三側(cè)壁層兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底上。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，采用濕法刻蝕工藝刻蝕未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅之前，向未被第二側(cè)壁層覆蓋的二氧化硅注入氮離子以提高所注入?yún)^(qū)域的濕法刻蝕速率。采用本發(fā)明所公開(kāi)的方法能夠避免缺口的形成，降低了半導(dǎo)體器件的功耗。
文檔編號(hào)H01L21/3115GK102376560SQ20101025378
公開(kāi)日2012年3月14日 申請(qǐng)日期2010年8月12日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月12日
發(fā)明者劉佳磊, 陳勇 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司