專利名稱：：半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
：如圖9中所示，諸如發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有由凸起層疊結(jié)構(gòu)20所組成的發(fā)光部，在該凸起層疊結(jié)構(gòu)中，在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板(下文中，有時(shí)簡(jiǎn)稱為“基板10”)上順序?qū)盈B具有η型導(dǎo)電類型的第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23、以及具有P型導(dǎo)電類型的第二化合物半導(dǎo)體層22。將第一電極(η側(cè)電極)140設(shè)置在基板10上或者第一化合物半導(dǎo)體層21的暴露的部分21a上，并且將第二電極(ρ側(cè)電極)130設(shè)置在第二化合物半導(dǎo)體層22的頂部表面上?？梢詫⑦@種半導(dǎo)體發(fā)光裝置劃分為其中經(jīng)由第二化合物半導(dǎo)體層22從有源層23輸出光的模式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置和其中經(jīng)由第一化合物半導(dǎo)體層21從有源層23輸出光的模式的半導(dǎo)體發(fā)光裝置(為方便起見(jiàn)，稍后將稱作“底部發(fā)光型”)這兩種。在相關(guān)技術(shù)的底部發(fā)光型的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，為了保持高的發(fā)光效率，通常，如圖9中所示，常常將用于從有源層23反射可見(jiàn)光的反射電極用于第二電極130。例如，作為反射電極的第二電極130從底部由由銀(Ag)制成的下層131和由鎳(Ni)制成的上層(覆蓋金屬)132構(gòu)成(例如，參見(jiàn)C.H.Chou，etal.,"HighthermallystableNi/Ag(Al)alloycontactsonp_GaN”，AppliedPhysicsLetters，90，022102(2007))。上層132覆蓋下層131。這里，通過(guò)用銀(Ag)構(gòu)成下層131，可以獲得高光反射系數(shù)。此外，通過(guò)用鎳(Ni)構(gòu)成上層132，防止了由于氧化所導(dǎo)致的下層131劣化，并且防止發(fā)生遷移(migration)。在圖9中，參考標(biāo)號(hào)141表示絕緣層；并且每個(gè)參考標(biāo)號(hào)142A和142B表示接觸部。通常，通過(guò)剝離方法(lift-offmethod)來(lái)形成上層132。S卩，在形成下層131以后，基于光刻技術(shù)，在要形成上層132的部分中形成具有開(kāi)口151的抗蝕層150(參見(jiàn)圖10A)。隨后，通過(guò)真空氣相沉積方法在整個(gè)表面上形成上層132(參見(jiàn)圖10B)。下文中，通過(guò)去除抗蝕層150和位于其上的上層132，可以獲得在圖9中所示的第二電極結(jié)構(gòu)。
發(fā)明內(nèi)容然而，在基于這種剝離法形成上層(覆蓋金屬)132期間，出現(xiàn)了在抗蝕層150中的開(kāi)口151的形成精度的問(wèn)題；需要大的對(duì)準(zhǔn)公差；并且存在不能有效地達(dá)到通過(guò)上層132防止下層131被氧化或者防止發(fā)生遷移的情況。具體地，半導(dǎo)體發(fā)光裝置的尺寸越小，第二電極(P側(cè)電極)130越??；并且因此，這些問(wèn)題變得明顯。因此，期望提供一種能夠以高可靠性和高精度尤其形成第二電極的覆蓋金屬的用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，以及基于這種方法所獲得的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。在實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括發(fā)光部以及形成在發(fā)光部上的電極。電極包括光反射層，被配置為反射從發(fā)光部所發(fā)出的光并且包括第一金屬；第一籽晶層，直接形成在光反射層上并且包括第二金屬；第二籽晶層，至少涂覆(coat，或覆蓋)光反射層和第一籽晶層的側(cè)表面，第二籽晶層包括第三金屬；以及電鍍層，至少涂覆第二籽晶層的頂部和側(cè)表面，電鍍層包括第四金屬。在另一實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括發(fā)光部，該發(fā)光部包括具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、有源層以及具有與第一導(dǎo)電類型相對(duì)(或相反)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層。半導(dǎo)體發(fā)光裝置還包括形成在發(fā)光部上的電極。電極包括光反射層，包括Ag并被配置為反射從發(fā)光部所發(fā)出的光；第一籽晶層，包括Al并形成在光反射層上；第二籽晶層，包括Zn并至少涂覆光反射層和第一籽晶層的側(cè)表面；以及電鍍層，包括Ni并至少涂覆第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面。在另一實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法包括形成發(fā)光部和在發(fā)光部的第二半導(dǎo)體層上形成電極。形成電極包括形成被配置為反射從發(fā)光部所發(fā)出的光并且包括第一金屬的光反射層；在光反射層上形成第一籽晶層，第一籽晶層包括第二金屬；至少在光反射層和第一籽晶層的側(cè)表面上形成第二籽晶層，第二籽晶層包括第三金屬；以及至少在第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面上形成電鍍層，電鍍層包括第四金屬。通過(guò)剝離法形成光反射層和第一籽晶層。在另一實(shí)施例中，制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法包括形成發(fā)光部，該發(fā)光部包括具有第一導(dǎo)電類型的第一半導(dǎo)體層、有源層以及具有與第一導(dǎo)電類型相對(duì)的第二導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層。該方法還包括通過(guò)以下步驟在發(fā)光部上形成電極形成包括Ag并且被配置為反射從發(fā)光部所發(fā)出的光的光反射層；在光反射層上形成包括Al的第一籽晶層；至少在光反射層和第一籽晶層的側(cè)表面上沉積包括Zn的第二籽晶層；通過(guò)至少在第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面上通過(guò)化學(xué)電鍍形成電鍍層，電鍍層包括Ni。通過(guò)剝離法形成光反射層和第一籽晶層。在根據(jù)該實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置或者其制造方法中，在第二籽晶層(例如，Zn層)的頂部表面和側(cè)表面上形成電鍍層(例如，Ni層)。即，由作為覆蓋金屬的電鍍層來(lái)覆蓋整個(gè)第二籽晶層。該電鍍層相對(duì)于電極以自對(duì)準(zhǔn)模式形成。結(jié)果，不會(huì)引起形成精度的問(wèn)題，沒(méi)有必要考慮對(duì)準(zhǔn)公差。而且，因?yàn)檎麄€(gè)第二籽晶層可以被電鍍層很好地覆蓋的事實(shí)，所以可以防止第二籽晶層的氧化或者發(fā)生遷移，并且可以提供具有高可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。具體地，因?yàn)榘雽?dǎo)體發(fā)光裝置的尺寸越小，電極的尺寸越小的事實(shí)，根據(jù)實(shí)施例產(chǎn)生明顯效果。本文將描述其他特征和優(yōu)點(diǎn)，并且從以下詳細(xì)描述和附圖中這些其他特征和優(yōu)點(diǎn)將是顯而易見(jiàn)的。圖IA和圖IB為實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性截面圖。圖2A和圖2B是用于說(shuō)明實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的層疊結(jié)構(gòu)等的示意性局部截面圖。圖3A和圖3B是用于在圖2B以后說(shuō)明實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法的層疊結(jié)構(gòu)等的示意性局部截面圖。圖4A和圖4B是用于說(shuō)明實(shí)例2的圖像顯示裝置的制備方法的半導(dǎo)體發(fā)光裝置等的示意性局部截面圖。圖5A和圖5B是用于在圖4B以后說(shuō)明實(shí)例2的圖像顯示裝置的制備方法的半導(dǎo)體發(fā)光裝置等的示意性局部截面圖。圖6A和圖6B是用于在圖5B以后說(shuō)明實(shí)例2的圖像顯示裝置的制備方法的半導(dǎo)體發(fā)光裝置等的示意性局部截面圖。圖7是用于在圖6B以后說(shuō)明實(shí)例2的圖像顯示裝置的制備方法的半導(dǎo)體發(fā)光裝置等的示意性局部截面圖。圖8A和圖8B為實(shí)例3和實(shí)例4的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性截面圖。圖9為相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性局部截面圖。圖IOA和圖IOB為示出了圖9中所示的相關(guān)技術(shù)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造步驟的一部分的基板等的示意性局部截面圖。具體實(shí)施例方式下文中，參照附圖基于以下實(shí)例描述實(shí)施例。以下列順序進(jìn)行說(shuō)明。1.根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法和關(guān)于其整體的說(shuō)明2.實(shí)例1(根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法)3.實(shí)例2(實(shí)例1的變形)4.實(shí)例3(實(shí)例1的其他變形)5.實(shí)例4(實(shí)例1的其他變形)6.實(shí)例5(實(shí)例1的其他變形)7.實(shí)例6(實(shí)例1的其他變形和其他說(shuō)明)[根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法]在實(shí)施例中，半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法包括(A)形成包括具有第一導(dǎo)電類型的第一化合物半導(dǎo)體層的層疊結(jié)構(gòu)，在第一化合物半導(dǎo)體層上形成有源層并且該有源層由化合物半導(dǎo)體層組成，并且在有源層上形成第二化合物半導(dǎo)體層并且該第二化合物半導(dǎo)體層具有與第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型。該方法還包括(B)形成電連接至第一化合物半導(dǎo)體層的第一電極，并且(C)在第二化合物半導(dǎo)體層上形成第二電極。在該實(shí)施例中，形成第二電極的步驟(C)包括(a)形成第二電極結(jié)構(gòu)，(b)形成第二籽晶層(secondseedlayer)或者第二籽晶區(qū)；以及(c)形成電鍍層。形成第二電極結(jié)構(gòu)的步驟(a)包括從第二化合物半導(dǎo)體層的一側(cè)形成能夠反射來(lái)自有源層的光并且由導(dǎo)電材料制成的光反射層以及包含與包含在光反射層中的金屬不同的金屬的第一籽晶層的層疊。形成第二籽晶層或者第二籽晶區(qū)的步驟(b)包括在第二電極結(jié)構(gòu)和電鍍層之間形成第二籽晶層或者第二籽晶區(qū)，第二籽晶層包含與包含在光反射層、第一籽晶層以及電鍍層中的金屬不同的金屬。此外，形成電鍍層的步驟(c)包括在第二電極結(jié)構(gòu)的頂部表面和側(cè)表面上形成電鍍層并且該電鍍層包含與包含在光反射層和第一籽晶層中的金屬不同的金屬。根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法可以采用一種配置，在該配置中，第二電極結(jié)構(gòu)在步驟(b)中經(jīng)受鋅酸鹽處理，從而在第二電極結(jié)構(gòu)的頂部表面和側(cè)表面上沉積鋅層作為第二籽晶層；并且第二電極結(jié)構(gòu)的頂部表面和側(cè)表面在步驟(C)中經(jīng)受化學(xué)鍍鎳，從而在第二電極結(jié)構(gòu)的頂部表面和側(cè)表面上形成鎳層(化學(xué)鍍鎳層)。根據(jù)實(shí)施例包括這種優(yōu)選配置的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法可以進(jìn)一步包括在步驟(a)和步驟(b)之間使第二電極結(jié)構(gòu)經(jīng)受氧等離子處理的步驟，從而均勻氧化第二電極結(jié)構(gòu)的表面。結(jié)果，可以進(jìn)行設(shè)計(jì)以通過(guò)均勻的鋅酸鹽處理來(lái)沉積鋅層。此外，在根據(jù)實(shí)施例的包括這種步驟和這種優(yōu)選配置的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法中，在去除通過(guò)步驟(b)中鋅酸鹽處理所沉積的鋅層以后，可以采用這樣的配置，即，其中，在步驟(b)和步驟(c)之間第二電極結(jié)構(gòu)經(jīng)受第二鋅酸鹽處理，從而在第二電極結(jié)構(gòu)的頂部表面和側(cè)表面上沉積鋅層。在這種情況下，可以采用這樣的配置，即，其中，在步驟(b)和步驟(C)之間通過(guò)酸去除在步驟(b)中通過(guò)鋅酸鹽處理所沉積的鋅層。通過(guò)一次去除通過(guò)在步驟(b)中的鋅酸鹽處理所沉積的鋅層并且然后施加第二鋅酸鹽處理，可以獲得更高均勻性和第二電極結(jié)構(gòu)和鎳層之間的更高的附著力。這里，作為用于去除鋅層的酸，期望使用不損害由包含銀的第一層和包含鋁的第二層所構(gòu)成的第二電極結(jié)構(gòu)的酸，諸如硫酸和硝酸。根據(jù)實(shí)施例包括前述的優(yōu)選配置、構(gòu)造以及步驟的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法可以采用這樣的配置，即，其中，在步驟(a)中形成由第一層、遷移阻擋層以及第二層所構(gòu)成的第二電極層。此外，在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，可以這樣的配置，即，在第二電極結(jié)構(gòu)中，將遷移阻擋層設(shè)置在第一層和第二層之間。以這種方法，通過(guò)將遷移阻擋層設(shè)置在第一層和第二層之間，可以抑制發(fā)生構(gòu)成第一層的銀原子的遷移。遷移阻擋層可以由(例如)鉬(Pt)或者金(Au)構(gòu)成?？蛇x地，根據(jù)實(shí)施例的包括前述優(yōu)選配置、構(gòu)造和步驟的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法可以采用這樣的配置，即，其中，通過(guò)形成與第二層接觸的合金層并且然后在步驟(a)中應(yīng)用熱處理，促進(jìn)在包含在第二層中的鋁和包含在合金層中的金屬之間的合金化，從而獲得由鋁合金所制成的第二層。此外，在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，可以采用第二層由鋁合金制成的配置。以這種方法，通過(guò)構(gòu)成鋁合金的第二層，可以控制在鋅酸鹽處理期間由鋅(Zn)置換鋁(Al)的速度(置換速率)；可以形成均勻鋅層；可以防止鎳層(化學(xué)鍍鎳層)的異常沉積或者出現(xiàn)異常沉積形狀；并且可以形成均勻的鎳層(化學(xué)鍍鎳層)。此外，通過(guò)控制置換速率，可以防止對(duì)第一層產(chǎn)生不利影響(例如，發(fā)生構(gòu)成第一層的銀的洗脫或者第一層的側(cè)部蝕刻的現(xiàn)象)。構(gòu)成合金層的材料的實(shí)例包括金(Au)、銅(Cu)、銀(Ag)、鈦(Ti)、鈀(Pd)以及鉬(Pt)。合金層可直接形成在第二層的下方或者可以直接形成在第二層上方?？蛇x地，根據(jù)實(shí)施例的包括前述優(yōu)選配置、構(gòu)造和步驟的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法可以采用這樣的配置，即，其中，在步驟(a)中在第二層上形成覆蓋層，從而得到由第一層、第二層以及覆蓋層所構(gòu)成的第二電極結(jié)構(gòu)，并且下文中，第二電極結(jié)構(gòu)在步驟(b)中經(jīng)受鋅酸鹽處理，從而在第二電極結(jié)構(gòu)的頂部表面和側(cè)表面上沉積鋅層。此外，根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置可以采用這樣的配置，即，在第二電極結(jié)構(gòu)中，將覆蓋層設(shè)置在第二層的頂部表面。以這種方法，通過(guò)將覆蓋層設(shè)置在第二層的頂部表面上，可以控制在鋅酸鹽處理期間由鋅(Zn)置換鋁(Al)的置換量；可以形成均勻鋅層；可以防止鎳層(化學(xué)鍍鎳層)的異常沉積或者出現(xiàn)異常沉積形狀；并且可以形成均勻的化學(xué)鍍鎳層。此外，通過(guò)控制置換量，可以使得第一層免于出現(xiàn)不利影響(例如，出現(xiàn)構(gòu)成第一層的銀的洗脫或者第一層的側(cè)部蝕刻的現(xiàn)象)。構(gòu)成覆蓋層的材料的實(shí)例包括通過(guò)鋅酸鹽處理不會(huì)導(dǎo)致鋅沉積的金屬，諸如金(Au)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、銀(Ag)、鈀(Pd)、銅(Cu)、鉬(Pt)以及鉻(Cr)。根據(jù)實(shí)施例的包括前述優(yōu)選配置、構(gòu)造和步驟的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法(下文中，一般將這些方法總稱為“實(shí)施例的制造方法”)可以進(jìn)一步包括在步驟(a)和步驟(b)之間使第二電極結(jié)構(gòu)經(jīng)受已知的氧化膜去除處理的步驟。根據(jù)實(shí)施例的包括前述優(yōu)選配置、構(gòu)造和步驟的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法，根據(jù)實(shí)施例的包括前述優(yōu)選配置和構(gòu)造的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，盡管第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型可以分別為η型和ρ型，但是第一導(dǎo)電類型和第二導(dǎo)電類型還可以分別為ρ型和η型。在根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，可以將銀(Ag)作為包含在光反射層中的金屬的示例；可以將鋁(Al)作為包含在第一籽晶層中的金屬的示例；可以將鎳(Ni)作為包含在電鍍層中的金屬的示例；并且可以將鋅(Zn)作為包含在第二籽晶區(qū)中的金屬的示例。在實(shí)施例中，鋅酸鹽處理本身可以為已知的鋅酸鹽處理。在鋅酸鹽處理中，通過(guò)將第二電極結(jié)構(gòu)(或者包括第二電極結(jié)構(gòu)的整個(gè)層疊結(jié)構(gòu))浸在鋅酸鹽處理液中，由鋅置換鋁，并且沉積鋅層。該鋅層不僅覆蓋第二層而且覆蓋第一層(具體地，第一層的暴露的側(cè)表面)。而且，甚至在覆蓋層形成在第二層上的情況下，鋅層不僅覆蓋第二層的暴露的側(cè)表面而且覆蓋第一層(具體地，第一層的暴露的側(cè)表面)以及覆蓋覆蓋層的頂部表面和側(cè)表面。即，整個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)由鋅層覆蓋。通過(guò)使第二電極結(jié)構(gòu)經(jīng)受化學(xué)鍍鎳，鋅被鎳置換，從而沉積鎳層，并且大部分鋅層消失。然而，最終有鋅層殘留。由于殘留鋅層可以包括層狀部分(layeredportion)或者可以包括島狀部分，所以將其表達(dá)為“含鋅區(qū)域”。在實(shí)施例中，具體地，第一層或者光反射層由純銀層或者銀合金層制成。銀合金的實(shí)例包括包含重量百分比(byweight)不大于的銦(In)的銀合金；以及包含重量百分比為0.10%的鈀并且還包含重量百分比為0.3%的選自由銅、鋁、金、鉬、鉭、鉻、鈦、鎳、鈷以及硅組成的組中的至少一種元素的銀合金。此外，具體地，第二層或者第一籽晶層由純鋁層或者鋁合金層制成。除Al/Au以外，鋁合金的實(shí)例還包括Al/Cu和Al/Co/Ni/Co可以在第一層和第二化合物半導(dǎo)體之間形成(例如)由鎳(Ni)所制成的密閉接觸層(closecontactlayer)。然而，密閉接觸層的形成并不是必須的?？梢酝ㄟ^(guò)各種PVD方法或者各種CVD方法來(lái)形成包括覆蓋層、合金層以及密閉接觸層的第二電極結(jié)構(gòu)。PVD方法的實(shí)例包括(a)各種真空氣相沉積方法，諸如電子束加熱方法、電阻加熱方法、閃蒸氣相沉積方法(flashvapordepositionmethod)以及脈沖激光沉積(PLD)方法；(b)等離子氣相沉積方法；(c)各種濺射方法，諸如雙極型濺射方法(bipolarsputteringmethod)、直流濺射方法、直流磁控濺射方法、高頻濺射方法、磁控濺射方法、離子束濺射方法以及偏壓濺射方法；(d)各種離子電鍍方法，諸如DC(直流)方法、RF方法、多陰極方法、活化反應(yīng)方法、HCD(空心陰極放電)方法、電場(chǎng)氣相沉積方法、高頻離子電鍍方法以及反應(yīng)離子電鍍方法(reactiveionplatingmethod)；以及(e)IVD方法(離子氣相沉積方法)。此外，CVD方法的實(shí)例包括大氣壓力CVD方法、減壓CVD方法、熱CVD方法、等離子CVD方法、光CVD方法以及激光CVD方法。通過(guò)順序沉積構(gòu)成第二電極結(jié)構(gòu)的第一層、第二層等并且然后圖案化第二層、第一層等，可以獲得第二電極結(jié)構(gòu)。此外，可以基于所謂的剝離法獲得第二電極結(jié)構(gòu)。在實(shí)施例中，第一電極的實(shí)例包括Ti、TiW、TiMo、Ti/Ni/Au、Ti/Pt/Au、(Ti/)Tiff/Pt/Au、(Ti/)TiW/Pd/TiW/Pt/Au、Al、鋁合金、AuGe以及AuGe/Ni/Au。將“/”之前的層置于靠近有源層(activelayer)?？蛇x地，第一電極還可以由諸如ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0:Α1以及ZnO:B的透明導(dǎo)電材料構(gòu)成。盡管將第一電極電連接至第一化合物半導(dǎo)體層，但是第一電極可以形成在第一化合物半導(dǎo)體層上，并且在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板具有導(dǎo)電性的情況下，第一電極可以形成在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板上。如果需要，第一電極或者第二電極(包括這種電極的延伸部)可以設(shè)置有連接層或者接觸部(襯墊部)，該連接層或者接觸部(襯墊部)由具有層疊結(jié)構(gòu)(諸如[粘合層(例如Ti層、Cr層等)]/[勢(shì)壘金屬層(例如Pt層、Ni層、TiW層、Mo層等)]/[具有良好安裝兼容性(compatibilityagainstmounting)的金屬層(例如:Au層)])的多層金屬層組成，例如(Ti層)/(Pt層)/(Au層)等。例如，可以通過(guò)諸如真空氣相沉積方法和濺射方法的各種PVD方法、各種CVD方法或者電鍍方法來(lái)形成第一電極、連接層以及接觸部(襯墊部)。在制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置期間，使用用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板。用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板的實(shí)例包括=GaAs基板、GaN基板、SiC基板、鋁基板、藍(lán)寶石基板、ZnS基板、ZnO基板、AlN基板、LiMgO基板、LiGaO2基板、MgAl2O4基板、InP基板、Si基板、Ge基板、GaP基板、AlP基板、InN基板、AlGaInN基板、AlGaN基板、AlInN基板、GaInN基板、AlGaInP基板、AlGaP基板、AlInP基板、GaInP基板以及通過(guò)在前述基板的表面(主表面)上形成底層或者緩沖層所獲得的基板。在實(shí)施例中，盡管將半導(dǎo)體發(fā)光裝置設(shè)置在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板上，但是存在最終去除用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板或者最終留下該基板的情況。此外，半導(dǎo)體發(fā)光裝置的最終配置的實(shí)例包括這樣的配置，即，其中，在支撐基板上或者在用于安裝的基板上安裝半導(dǎo)體發(fā)光裝置。支撐基板或者用于安裝的基板的實(shí)例包括玻璃板、金屬板、合金板、陶瓷板、塑料板以及塑料膜。支撐基板或者在用于安裝的基板可以設(shè)置有配線，從而將第二電極或者第一電極連接至配線。在實(shí)施例中，包括有源層的各種化合物半導(dǎo)體層的實(shí)例包括GaN基化合物半導(dǎo)體(包括AlGaN混合晶體、AlGaInN混合晶體或者GaInN混合晶體)、GaInNAs基化合物半導(dǎo)體(包括GaInAs混合晶體或者GaNAs混合晶體)、AlGaInP基化合物半導(dǎo)體、AlAs基化合物半導(dǎo)體、AlGaInAs基化合物半導(dǎo)體、AlGaAs基化合物半導(dǎo)體、GaInAs基化合物半導(dǎo)體、GaInAsP基化合物半導(dǎo)體、GaInP基化合物半導(dǎo)體、GaP基化合物半導(dǎo)體、InP基化合物半導(dǎo)體、InN基化合物半導(dǎo)體以及AlN基化合物半導(dǎo)體。添加到化合物半導(dǎo)體層中的η型雜質(zhì)的實(shí)例包括硅(Si)、硒(Se)、鍺(Ge)、錫(Sn)、碳(C)以及鈦(Ti)；而添加到化合物半導(dǎo)體層中的P型雜質(zhì)的實(shí)例包括鋅(Zn)、鎂(Mg)、鈹(Be)、鎘(Cd)、鈣(Ca)、鋇(Ba)以及氧(0)。有源層可以由單個(gè)化合物半導(dǎo)體層構(gòu)成，并且有源層可以具有單量子阱結(jié)構(gòu)[QW結(jié)構(gòu)]或者多量子阱結(jié)構(gòu)(MQW結(jié)構(gòu))。包括有源層的各種化合物半導(dǎo)體層的形成方法(沉積方法)的實(shí)例包括有機(jī)金屬化學(xué)氣相沉積方法(M0CVD方法或者M(jìn)OVPE方法)、有機(jī)金屬分子束外延方法(Μ0ΜΒΕ方法)以及氫化物氣相外延方法(HVPE)，其中，鹵素促進(jìn)傳輸或者反應(yīng)。用于形成化合物半導(dǎo)體層的MOCVD方法中的氣體的實(shí)例包括諸如三甲基鎵(TMG)氣體、三乙基鎵(TEG)氣體、三甲基鋁(TMA)氣體、三甲基銦(TMI)氣體以及三氫化砷(AsH3)氣體的已知?dú)怏w。氮源氣體的實(shí)例包括氨氣和胼氣。此外，例如，在添加硅(Si)作為η型雜質(zhì)(η型摻雜)的情況下，可以使用甲硅烷氣(SiH4氣)作為Si源；而在添加硒(Se)作為η型雜質(zhì)(η型摻雜)的情況下，將H2Se氣作為Se源。另一方面，在添加鎂(Mg)作為ρ型雜質(zhì)(P型摻雜)的情況下，可以使用環(huán)戊二烯鎂(eyelopentadienylmagnesium)氣體、甲基環(huán)戊二火希美(methyleyelopentadienyImagnesium)、或者二茂鎂(biscyclopentadienylmagnesium,Cp2Mg)作為Mg源；而在添力口鋅(Zn)作為P型雜質(zhì)(P型摻雜)的情況下，可以使用二甲基鋅(dimethylzinc，DMZ)作為Zn源。除Si以外，η型雜質(zhì)(η型摻雜)的實(shí)例還包括Ge、Se、Sn、C以及Ti；除Mg以外，ρ型雜質(zhì)(P型摻雜)的實(shí)例還包括Zn、Cd、Be、Ca、Ba以及O。此外，在制造紅色半導(dǎo)體發(fā)光裝置中，要使用的氣體的實(shí)例包括三甲基鋁(TMA)、三乙基鋁(TEA)、三甲基鎵(TMG)、三乙基鎵(TEG)、三甲基銦(TMI)、三乙基銦(TEI)、三氫化磷(PH3)、胂(arsine)、二甲基鋅(DMZ)、二乙基鋅(DEZ)、H2S、硒化氫(H2Se)、以及二茂鋅(biscyclopentanediethylzinc)。在實(shí)施例中，具體地，可以將發(fā)光二極管(LED)構(gòu)成為半導(dǎo)體發(fā)光裝置。這里，關(guān)于發(fā)光二極管的尺寸，具體地，有源層的面積S1為3XΙΟ—1、2彡S1彡3XIO-7Hi2,并且優(yōu)選地，為1XlO-V^S1^IXIO-V0在實(shí)施例中，期望這樣一種配置，即，其中，來(lái)自有源層的光經(jīng)由第一化合物半導(dǎo)體層向外輸出。在實(shí)施例中，如上所述，可以將半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝在用于安裝的基板上。在這種情況下，要安裝在用于安裝的基板上的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的數(shù)量為多個(gè)，可以根據(jù)設(shè)置有半導(dǎo)體發(fā)光裝置的產(chǎn)品需要的規(guī)格、應(yīng)用、功能等來(lái)確定半導(dǎo)體發(fā)光裝置的數(shù)量、類型、安裝(布置)、間隔等。通過(guò)將半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝在用于安裝的基板上所獲得的產(chǎn)品的實(shí)例包括圖像顯示裝置、使用半導(dǎo)體發(fā)光裝置的背光、以及照明裝置。作為紅色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(紅色發(fā)光二極管)、綠色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(綠色發(fā)光二極管)以及藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(藍(lán)色發(fā)光二極管)，例如，可以使用那些使用氮化物基的III-V族化合物半導(dǎo)體的裝置；并且作為紅色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(紅色發(fā)光二極管)，例如，還可以使用那些使用AlGaInP基的化合物半導(dǎo)體的裝置。此外，具體地，除發(fā)光二極管(LED)以外，例如，邊緣發(fā)射型半導(dǎo)體激光器或者表面發(fā)射激光裝置(垂直腔面發(fā)射激光器VCSEL)可以由半導(dǎo)體發(fā)光裝置構(gòu)成。[實(shí)例1]實(shí)例1涉及根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造方法和半導(dǎo)體發(fā)光裝置。在實(shí)例1中，具體地，半導(dǎo)體發(fā)光裝置1由發(fā)光二極管組成。如在圖IA和圖IB的示意性截面圖中所示，實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1設(shè)置有(A)層疊結(jié)構(gòu)(發(fā)光部)20，由具有第一導(dǎo)電類型(具體地，在實(shí)例1中的η型)的第一化合物半導(dǎo)體層21、形成在第一化合物半導(dǎo)體層21上并且由化合物半導(dǎo)體層制成的有源層23；以及形成在有源層23上并且具有與第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型(具體地，在實(shí)例1中的P型)的第二化合物半導(dǎo)體層22構(gòu)成。(B)第一電極(η側(cè)電極)40，電連接至第一化合物半導(dǎo)體層21，以及(C)第二電極(ρ側(cè)電極)30，形成在第二化合物半導(dǎo)體層22上。這里，第二電極30由以下各項(xiàng)構(gòu)成第二電極結(jié)構(gòu)33，從第二化合物半導(dǎo)體層22的一側(cè)由包含銀的第一層31和包括鋁的第二層32構(gòu)成，以及鎳層35，形成在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上。圖IB示出了將在圖IA中所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝在支撐基板50上的狀態(tài)。在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面與鎳層35之間進(jìn)一步包括包含鋅的區(qū)域34a?？蛇x地，基于在第二電極結(jié)構(gòu)33上的鋅酸鹽處理通過(guò)在第二電極結(jié)構(gòu)33上沉積鋅層34并且通過(guò)隨后的化學(xué)鍍鎳處理來(lái)形成鎳層35?？蛇x地，實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置設(shè)置有(A)層疊結(jié)構(gòu)(發(fā)光部)20，由具有第一導(dǎo)電類型(η型)的第一化合物半導(dǎo)體層21、形成在第一化合物半導(dǎo)體層21上并且由化合物半導(dǎo)體層制成的有源層23、以及形成在有源層23上并且具有與第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型(ρ型)的第二化合物半導(dǎo)體層22構(gòu)成。(B)第一電極(η側(cè)電極)40，電連接至第一化合物半導(dǎo)體層21，以及(C)第二電極(ρ側(cè)電極)30，形成在第二化合物半導(dǎo)體層22上。這里，第二電極30由以下各項(xiàng)構(gòu)成第二電極結(jié)構(gòu)33，從第二化合物半導(dǎo)體層22的一側(cè)由能夠反射來(lái)自有源層23的光并且由導(dǎo)電材料所制成的光反射層31和包含與包含在光反射層31中的金屬不同的金屬的第一籽晶層32的疊層組成，以及電鍍層35，形成在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上，并且包含與包含在光反射層31和第一籽晶層32中的金屬不同的金屬，以及第二電極30進(jìn)一步包括第二籽晶層34a，該第二籽晶層位于第二電極結(jié)構(gòu)33和電鍍層35之間并且包含與包含在光反射層31、第一籽晶層32以及電鍍層35中的金屬不同的^^I^lο這里，包含在光反射層31中的金屬為銀(Ag)；包含在第一籽晶層32中的金屬為鋁(Al)；包含在電鍍層35中的金屬為鎳(Ni)；以及包含在第二籽晶區(qū)域34a中的金屬為鋅(Zn)。更具體地，在實(shí)例1中，第一層或者光反射層31由純銀層制成；而第二層或者第一籽晶層32由純鋁層制成。此外，在第一層31和第二化合物半導(dǎo)體層22之間形成由鎳(Ni)制成的密閉接觸層36。在實(shí)例1中，第一電極40形成在第一化合物半導(dǎo)體層21的與有源層23接觸的表面相對(duì)側(cè)上的表面上。此外，構(gòu)成第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23以及第二化合物半導(dǎo)體層22的化合物半導(dǎo)體由AlxGaYIni_x_YN(0≤X≤1，0≤Y≤1并且0≤(X+Y)≤1)構(gòu)成，并且具體地，由GaN基化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。即，第一化合物半導(dǎo)體層21由摻有Si的GaN(GaNiSi)制成；而有源層23由InGaN層(阱層)和GaN層(勢(shì)壘層)制成并且具有多量子阱結(jié)構(gòu)。此外，第二化合物半導(dǎo)體層22由摻有Mg的GaN(GaN=Mg)制成。發(fā)光部由層疊結(jié)構(gòu)20構(gòu)成，在該層疊結(jié)構(gòu)中，層疊第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23以及第二化合物半導(dǎo)體層22。此外，第一電極40由具有Ti/Pt/Au結(jié)構(gòu)的金屬層疊膜制成；Ti膜和Pt膜中的每個(gè)具有(例如)50nm的厚度；而Au膜具有(例如)2μm的厚度。來(lái)自有源層23的光經(jīng)由第一化合物半導(dǎo)體層21向外輸出。發(fā)光二極管的尺寸，具體地，有源層23的面積為4XKT1V。下文中，參照附圖描述實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的制造方法。[步驟100A]鎳層35，形成在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上。圖IB示出了將在圖IA中所示的半導(dǎo)體發(fā)光裝置安裝在支撐基板50上的狀態(tài)。在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面與鎳層35之間進(jìn)一步包括包含鋅的區(qū)域34a。可選地，基于在第二電極結(jié)構(gòu)33上的鋅酸鹽處理通過(guò)在第二電極結(jié)構(gòu)33上沉積鋅層34并且通過(guò)隨后的化學(xué)鍍鎳處理來(lái)形成鎳層35。可選地，實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置設(shè)置有(A)層疊結(jié)構(gòu)(發(fā)光部)20，由具有第一導(dǎo)電類型(η型)的第一化合物半導(dǎo)體層21、形成在第一化合物半導(dǎo)體層21上并且由化合物半導(dǎo)體層制成的有源層23、以及形成在有源層23上并且具有與第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型(ρ型)的第二化合物半導(dǎo)體層22構(gòu)成。(B)第一電極(η側(cè)電極)40，電連接至第一化合物半導(dǎo)體層21，以及(C)第二電極(ρ側(cè)電極)30，形成在第二化合物半導(dǎo)體層22上。這里，第二電極30由以下各項(xiàng)構(gòu)成第二電極結(jié)構(gòu)33，從第二化合物半導(dǎo)體層22的一側(cè)由能夠反射來(lái)自有源層23的光并且由導(dǎo)電材料所制成的光反射層31和包含與包含在光反射層31中的金屬不同的金屬的第一籽晶層32的疊層組成，以及電鍍層35，形成在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上，并且包含與包含在光反射層31和第一籽晶層32中的金屬不同的金屬，以及第二電極30進(jìn)一步包括第二籽晶層34a，該第二籽晶層位于第二電極結(jié)構(gòu)33和電鍍層35之間并且包含與包含在光反射層31、第一籽晶層32以及電鍍層35中的金屬不同的金屬，以及這里，包含在光反射層31中的金屬為銀(Ag)；包含在第一籽晶層32中的金屬為鋁(Al)；包含在電鍍層35中的金屬為鎳(Ni)；以及包含在第二籽晶區(qū)域34a中的金屬為鋅(Zn)。更具體地，在實(shí)例1中，第一層或者光反射層31由純銀層制成；而第二層或者第一籽晶層32由純鋁層制成。此外，在第一層31和第二化合物半導(dǎo)體層22之間形成由鎳(Ni)制成的密閉接觸層36。在實(shí)例1中，第一電極40形成在第一化合物半導(dǎo)體層21的與有源層23接觸的表面相對(duì)側(cè)上的表面上。此外，構(gòu)成第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23以及第二化合物半導(dǎo)體層22的化合物半導(dǎo)體由AlxGaYIni_x_YN(0≤X≤1，0≤Y≤1并且0≤(X+Y)≤1)構(gòu)成，并且具體地，由GaN基化合物半導(dǎo)體構(gòu)成。即，第一化合物半導(dǎo)體層21由摻有Si的GaN(GaNiSi)制成；而有源層23由InGaN層(阱層)和GaN層(勢(shì)壘層)制成并且具有多量子阱結(jié)構(gòu)。此外，第二化合物半導(dǎo)體層22由摻有Mg的GaN(GaN=Mg)制成。發(fā)光部由層疊結(jié)構(gòu)20構(gòu)成，在該層疊結(jié)構(gòu)中，層疊第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23以及第二化合物半導(dǎo)體層22。此外，第一電極40由具有Ti/Pt/Au結(jié)構(gòu)的金屬層疊膜制成；Ti膜和Pt膜中的每個(gè)具有(例如)50nm的厚度；而Au膜具有(例如)2μm的厚度。來(lái)自有源層23的光經(jīng)由第一化合物半導(dǎo)體層21向外輸出。發(fā)光二極管的尺寸，具體地，有源層23的面積為4XKT1V。下文中，參照附圖描述實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的制造方法。[步驟100A]首先，在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板10的主表面上順序地形成具有第一導(dǎo)電類型的第一化合物半導(dǎo)體層21A、有源層23A、以及具有與第一導(dǎo)電類型不同的第二導(dǎo)電類型的第二化合物半導(dǎo)體層22k。由于第一化合物半導(dǎo)體層21A、有源層23A以及第二化合物半導(dǎo)體層22A中的每個(gè)處在圖案化之前的狀態(tài)，所以在每個(gè)參照號(hào)的末尾加上字母“A”。同樣的表示方法也可以應(yīng)用于在以下說(shuō)明中表達(dá)每層的參考標(biāo)號(hào)。具體地，將用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的由藍(lán)寶石制成的基板10運(yùn)送到MOCVD裝置中并且在1050°C的基板溫度下在由氫所組成的載氣中經(jīng)受10分鐘的基板清洗，其后，將基板溫度降低至500°C。然后，基于MOCVD方法來(lái)供給作為鎵原料的三甲基鎵(TMG)氣體并同時(shí)供給作為氮原料的氨氣，從而，使由GaN所制成的底層11在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板10的表面上進(jìn)行晶體生長(zhǎng)，并且，其后，中斷TMG氣體的供給。[步驟100B]隨后，在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板10上形成其中順序?qū)盈B具有η型導(dǎo)電類型的第一化合物半導(dǎo)體層21Α、有源層23Α以及具有ρ型導(dǎo)電類型的第二半導(dǎo)體層22Α的層疊結(jié)構(gòu)20Α。具體地，基板溫度上升至1020°C，此后，基于MOCVD方法在大氣壓下開(kāi)始供給作為硅原料的甲硅烷(SiH4)氣體，從而，使厚度為3μm并且具有η型導(dǎo)電類型并且由摻有Si的GaN(GaNiSi)制成的第一化合物半導(dǎo)體層21Α在基板層11上進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。例如，摻雜濃度為約5X1018/cm3。其后，一次性中斷TMG氣體和SiH4氣體中的每種氣體的供給，并且將基板溫度下降至750°C。然后，使用三乙基鎵(TEG)氣體和三甲基銦(TMI)氣體，并且通過(guò)閥開(kāi)關(guān)供給這些氣體，從而使具有多量子阱結(jié)構(gòu)并且由InGaN和GaN所制成的有源層23A進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。例如，只要涉及具有400nm的發(fā)光波長(zhǎng)的發(fā)光二極管，就可以采用具有約9%的In組分和GaN(分別具有2.5nm和7.5nm的厚度)的InGaN的多量子阱結(jié)構(gòu)(例如，由2層阱層組成)。此外，只要涉及具有460nm士IOnm的發(fā)光波長(zhǎng)的藍(lán)色發(fā)光二極管，就可以采用具有15%的In組分和GaN(分別具有2.5nm和7.5nm的厚度)的InGaN的多量子阱結(jié)構(gòu)(例如，由15層阱層組成)。此外，只要涉及具有520nm士IOnm的發(fā)光波長(zhǎng)的綠色發(fā)光二極管，就可以采用具有約23%的In組分和GaN(分別具有2.5nm和15nm的厚度)的InGaN的多量子阱結(jié)構(gòu)(例如，由9層阱層組成)。在完成有源層23A的形成以后，中斷TEG氣體和TMI氣體的每種氣體的供給，將載氣從氮切換至氫，將基板溫度提升至850°C并且開(kāi)始TMG氣體和二茂鎂(Cp2Mg)氣體中的每種氣體的供給，從而使厚度為IOOnm并且由摻有Mg的GaN(GaN=Mg)所制成的第二化合物半導(dǎo)體層22A在有源層23A上進(jìn)行晶體生長(zhǎng)。摻雜濃度約為5X1019/cm3。其后，停止TMG氣體和Cp2Mg氣體中的每種氣體的供給，并且將基板溫度降低至室溫，從而完成晶體生長(zhǎng)。[步驟100C]因此，在完成晶體生長(zhǎng)以后，在約800°C下、在氮?dú)猸h(huán)境中執(zhí)行10分鐘的退火處理，從而激活P型雜質(zhì)(P型摻雜)。[步驟110]其后，從第二化合物半導(dǎo)體層22A的一側(cè)形成由包含銀的第一層(光反射層)31和包含鋁的第二層(第一籽晶層)32所構(gòu)成的第二電極結(jié)構(gòu)33。具體地，基于剝離法在第二化合物半導(dǎo)體層22A上形成由厚度為Inm的鎳薄膜所制成的緊密接觸層36、由厚度為0.2μm的銀層所制成的第一層(光反射層)31、以及由厚度為0.1μm的鋁層所制成的第二層(第一籽晶層)32。因此，可以獲得在圖2A中所示的結(jié)構(gòu)。[步驟120]隨后，如果需要，則在第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受已知的氧化膜去除處理之后，將得到的第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受鋅酸鹽處理，從而在第二電極結(jié)構(gòu)33上沉積鋅層(第二籽晶層)34。即，第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受鋅酸鹽處理，從而在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上沉積鋅層34。在鋅酸鹽處理中，將包括第二電極結(jié)構(gòu)33的整個(gè)層疊結(jié)構(gòu)20浸在鋅酸鹽處理液中。根據(jù)這種處理，第二層32中的鋁被鋅置換，從而，沉積了鋅層34。該鋅層34不僅覆蓋第二層32而且覆蓋第一層31(具體地，第一層31的暴露的側(cè)表面)并且還覆蓋密閉接觸層36的側(cè)表面。因此，獲得了圖2B中所示的結(jié)構(gòu)。[步驟130]其后，第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受化學(xué)鍍鎳。即，第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面經(jīng)受化學(xué)鍍鎳，從而在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上形成鎳層(電鍍層或者化學(xué)鍍鎳層)35。在化學(xué)鍍鎳處理中，將包括第二電極結(jié)構(gòu)33的整個(gè)層疊結(jié)構(gòu)20浸在化學(xué)鍍鎳溶液中。因此，獲得了圖3A中所示的結(jié)構(gòu)。通過(guò)在第二電極結(jié)構(gòu)33上的化學(xué)鍍鎳，鋅被鎳置換，沉積了鎳層35，并且相當(dāng)大部分鋅層34消失。然而，最終會(huì)殘留鋅層34。由于殘留的鋅層34可以包括層狀部或者可以包括島狀部，更精確地，所以鋅層34變成含鋅區(qū)域(第二籽晶區(qū)域)34a。然而，在圖3A中，為了方便起見(jiàn)，將含鋅區(qū)域(第二籽晶區(qū)域)34a表示為連續(xù)層。[步驟140]隨后，在整個(gè)表面上形成絕緣層37；在第二電極30的上部中的絕緣層37的一部分中形成開(kāi)口37a；其后，連接層38從第二電極30的上部在絕緣層37上延伸(參見(jiàn)圖3B)。其后，經(jīng)由由環(huán)氧基粘合劑所制成的粘合層51將包括連接層38的絕緣層37和支撐基板50彼此粘結(jié)，然后通過(guò)機(jī)械拋光和濕蝕刻方法去除用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板10。[步驟150]其后，基于光刻技術(shù)在暴露的第一化合物半導(dǎo)體層21A上形成圖案化的抗蝕層(patternedresistlayer)，并且基于所謂的剝離法使用這種抗蝕層在第一化合物半導(dǎo)體層21A上形成第一電極40。[步驟160]其后，基于光刻技術(shù)在暴露的第一化合物半導(dǎo)體層21A上形成圖案化的抗蝕層；使用Cl2基氣體同時(shí)使用這種抗蝕層作為蝕刻掩膜通過(guò)RIE技術(shù)來(lái)圖案化第一化合物半導(dǎo)體層21A、有源層23A、第二化合物半導(dǎo)體層22A、絕緣層37以及連接層38；然后去除抗蝕層；以這種方法，可以獲得由層疊結(jié)構(gòu)20所組成的發(fā)光部，在該層疊結(jié)構(gòu)中，第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23以及第二化合物半導(dǎo)體層22被圖案化。例如，相鄰半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的中心和該半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的中心之間的距離(形成間距)為30μπι。因此，可以制造實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1。[步驟170]其后，可以通過(guò)切割支撐基板50來(lái)分離半導(dǎo)體發(fā)光裝置1。此外，可以通過(guò)執(zhí)行樹(shù)脂成型和封裝來(lái)制備(例如)燈式半導(dǎo)體發(fā)光裝置和表面安裝型半導(dǎo)體發(fā)光裝置的各種半導(dǎo)體發(fā)光裝置(具體地，發(fā)光二極管)。在實(shí)例1的半導(dǎo)體發(fā)光裝置或者其制造方法中，在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上形成鎳層或者電鍍層35。即，通過(guò)作為覆蓋金屬的鎳層或者電鍍板35來(lái)覆蓋整個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)33。相對(duì)于第二電極結(jié)構(gòu)33，該鎳層或者電鍍層35以自對(duì)準(zhǔn)模式形成；并且因此，并沒(méi)有引起形成精度的問(wèn)題，并且不必考慮對(duì)準(zhǔn)公差。而且，由于可以通過(guò)鎳層或者電鍍層35來(lái)很好地覆蓋整個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)33的事實(shí)，所以可以防止第二電極結(jié)構(gòu)33氧化或產(chǎn)生遷移，并且可以提供具有高可靠性的半導(dǎo)體發(fā)光裝置。[實(shí)例2]實(shí)例2為實(shí)例1的變形。在實(shí)例2中，以陣列狀態(tài)(二維矩陣狀態(tài))重新排列在實(shí)例ι中所獲得的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1，從而制備(例如)圖像顯示裝置。具體地，在實(shí)例2中，繼步驟160之后，執(zhí)行如下所述的步驟。[步驟2OO]在該步驟中，首先，以期望間距選擇半導(dǎo)體發(fā)光裝置1。更具體地，在實(shí)例1中的[步驟160]中所獲得的多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光裝置1中以在X方向上每M數(shù)量和在Y方向的每N數(shù)量的間距選擇半導(dǎo)體發(fā)光裝置1，并且在支撐基板50上以二維矩陣狀態(tài)排列該半導(dǎo)體發(fā)光裝置。此外，制備互連基板60和由玻璃基板所制成的第二互連基板70，在該互連基板中，形成由硅橡膠所制成的微粘粘合層(slightlyadhesivelayer)61，在該第二互連基板中，在規(guī)定位置中預(yù)先形成由金屬薄膜等所制成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記(未示出)并且在其表面上形成由未固化感光樹(shù)脂所制成的粘合層71。構(gòu)成互連基板60的材料的實(shí)例包括玻璃板、金屬板、合金板、陶瓷板、半導(dǎo)體板以及塑料板。此外，通過(guò)未示出的定位裝置來(lái)保持互連基板60。可以通過(guò)定位裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)來(lái)調(diào)節(jié)互連基板60和支撐基板50之間的位置關(guān)系?；旧希澈蠈?1就可以由任何材料構(gòu)成，只要該粘合層是能夠基于某種方法表現(xiàn)出粘合功能的材料，諸如在用(例如)光(特別是，紫外線等)、放射線(例如x射線等)、電子束等的能量射線的照射之后表現(xiàn)出粘合功能的材料；以及能夠在施加熱、壓力等之后表現(xiàn)出粘合功能的材料?？梢匀菀椎匦纬刹⑶夷軌虮憩F(xiàn)出粘合功能的材料的實(shí)例包括樹(shù)脂基粘合劑，具體地，包括感光粘合劑、熱固化粘合劑以及熱塑性粘合劑。例如，在使用感光粘合劑的情況下，通過(guò)利用光或者紫外線來(lái)照射粘合層或者加熱粘合層可以使粘合層表現(xiàn)出粘合功能。此外，在使用熱固化粘合劑的情況下，通過(guò)在利用光等的照射之后對(duì)粘合層進(jìn)行加熱可以使粘合層表現(xiàn)出粘合功能。此外，在使用熱塑性粘合劑的情況下，通過(guò)在利用光等的照射之后對(duì)粘合層的一部分選擇性地進(jìn)行加熱可以產(chǎn)生流動(dòng)性，從而融化這部分。粘合層的其他實(shí)例包括壓敏粘合層(例如，由丙烯酸樹(shù)脂所制成的粘合層等)。將選擇的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1轉(zhuǎn)移至互連基板60上，以使露出的第一化合物半導(dǎo)體層21和第一電極40與互連基板60相接觸。具體地，將微粘粘合層61按壓以二維矩陣狀態(tài)設(shè)置在支撐基板50上的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1(參見(jiàn)圖4A和圖4B)。隨后，例如，將準(zhǔn)分子激光從支撐基板50的背面?zhèn)日丈湓谝D(zhuǎn)移的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1上(參見(jiàn)圖5A)。據(jù)此，出現(xiàn)激光磨蝕，并且被準(zhǔn)分子激光照射的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1從支撐基板50上剝離。其后，當(dāng)去除互連基板60與半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的接觸時(shí)，已經(jīng)從支撐基板50被剝離的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1處于這樣一種狀態(tài)，即，它們粘附至微粘粘合層61(參見(jiàn)圖5B)。[步驟210]隨后，將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1設(shè)置(移動(dòng)或者轉(zhuǎn)移)在粘合層71上(參見(jiàn)圖6A和圖6B)。具體地，基于在第二互連基板70上形成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1從互連基板60設(shè)置在第二互連基板70的粘合層71上。半導(dǎo)體發(fā)光裝置1僅微弱地粘附至微粘粘合層61；并且因此，當(dāng)在半導(dǎo)體發(fā)光裝置1與粘合層71接觸(按壓)的狀態(tài)下，互連基板60在離開(kāi)第二互連基板70的方向上移動(dòng)時(shí)，半導(dǎo)體發(fā)光裝置1留在粘合層71上。此外，通過(guò)由滾筒等將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1深埋在粘合層71中，可以將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1轉(zhuǎn)移在第二互連基板70上。為了方便起見(jiàn)，將使用互連基板60的這種模式稱為逐步轉(zhuǎn)移法(st印transfermethod)。通過(guò)以期望數(shù)量重復(fù)這種逐步轉(zhuǎn)移法，將期望數(shù)量的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1以二維矩陣狀態(tài)粘附至微粘粘合層61并且轉(zhuǎn)移至第二互連基板70上。具體地，在實(shí)例2中，在一次逐步轉(zhuǎn)移中，使160X120數(shù)量的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1以二維矩陣狀態(tài)粘附至微粘粘合層61并且轉(zhuǎn)移至第二互連基板70上。結(jié)果，通過(guò){(1920X1080)/(160X120)}=108次重復(fù)逐步轉(zhuǎn)移法，可以將1920X1080數(shù)量的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1轉(zhuǎn)移至第二互連基板70上。通過(guò)整體地重復(fù)3次前述各步驟，可以將期望數(shù)量的紅色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(紅色發(fā)光二極管)、綠色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(綠色發(fā)光二極管)、藍(lán)色半導(dǎo)體發(fā)光裝置(藍(lán)色發(fā)光二極管)的每一個(gè)以規(guī)定間隔和間距轉(zhuǎn)移至第二互連基板70上。下文中，將紫外線照射在由感光樹(shù)脂制成的并且具有設(shè)置在其中的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的粘合層71上，從而固化構(gòu)成粘合層71的感光樹(shù)脂。以這種方法，半導(dǎo)體發(fā)光裝置1變成處于固定至粘合層71的狀態(tài)中。隨后，經(jīng)由第一電極40將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1臨時(shí)固定至用于臨時(shí)固定的第二基板。具體地，制備由玻璃板所組成的用于臨時(shí)固定的第二基板，其中，由未固化粘合劑所制成的粘合層80形成在該玻璃板表面上。然后，通過(guò)將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1和粘合層80彼此粘貼并且固化粘合層80，可以將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1臨時(shí)固定至用于臨時(shí)固定的第二基板。隨后，通過(guò)適當(dāng)方法從半導(dǎo)體發(fā)光裝置1去除粘合層71和第二互連基板70。該狀態(tài)為露出半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的連接層38的狀態(tài)。[步驟220]隨后，在全部表面上形成第二絕緣層81，在連接層38的上部中的第二絕緣層81中形成開(kāi)口82，并且在開(kāi)口82和在連接層38之上的第二絕緣層81的上方形成第二配線83。第二配線83在圖7中的垂直方向上延伸。隨后，通過(guò)經(jīng)由粘合層84將包括第二配線83的第二絕緣層81和由玻璃基板制成的用于安裝的基板85彼此粘貼，可以將半導(dǎo)體發(fā)光裝置1安裝(固定)在用于安裝的基板85上。隨后，例如，從(例如)用于臨時(shí)固定的第二基板的背面?zhèn)日丈錅?zhǔn)分子激光。據(jù)此，出現(xiàn)激光磨蝕，并且被準(zhǔn)分子激光照射的半導(dǎo)體發(fā)光裝置1從用于臨時(shí)固定的第二基板剝離。這種狀態(tài)為露出半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的第一電極40的狀態(tài)。隨后，在全部表面上形成第一絕緣層86，在半導(dǎo)體發(fā)光裝置1的第一電極40的上部中的第一絕緣層86中形成開(kāi)口87，并且在開(kāi)口87和在第一電極40之上的第一絕緣層86的上方形成第一配線88。第一配線88在圖7上的水平方向上延伸。通過(guò)圖7的示意性局部截面圖示出該狀態(tài)。然后，通過(guò)基于適當(dāng)方法將第一配線88和第二配線83連接至驅(qū)動(dòng)電路，可以完成半導(dǎo)體發(fā)光裝置和由這種半導(dǎo)體發(fā)光裝置所構(gòu)成的圖像顯示裝置。在半導(dǎo)體發(fā)光裝置1中，朝向圖7的下側(cè)方向輸出在有源層23中所發(fā)出的光。[實(shí)例3]實(shí)例3為實(shí)例1的變形。在實(shí)例3中，如在圖8A的示意性局部截面圖中所示，在第二電極結(jié)構(gòu)33中，將遷移阻擋層91設(shè)置在第一層31和第二層32之間。遷移阻擋層91由厚度為0.Ιμπι的鉬(Pt)制成，并且可以在與實(shí)例1的步驟110中相同的步驟中形成由第一層31、遷移阻擋層91以及第二層32所構(gòu)成的第二電極結(jié)構(gòu)33。以這種方法，通過(guò)將遷移阻擋層91設(shè)置在第一層31和第二層32之間，可以抑制出現(xiàn)構(gòu)成第一層31的銀原子的遷移。[實(shí)例4]實(shí)例4也為實(shí)例1的變形。在實(shí)例4中，在與實(shí)例1的步驟120中相同的步驟中使第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受鋅酸鹽處理之前，第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受氧等離子體處理。根據(jù)這種處理，第二電極結(jié)構(gòu)33的表面均勻氧化。結(jié)果，可以進(jìn)行設(shè)計(jì)以通過(guò)鋅酸鹽處理均勻沉積鋅層34。此外，在實(shí)例4中，在完成與在實(shí)例1中的步驟120相同的步驟之后，去除在步驟120中通過(guò)鋅酸鹽處理所沉積的鋅層34。具體地，將包括第二電極結(jié)構(gòu)33的整個(gè)層疊結(jié)構(gòu)20浸在硫酸中。隨后，第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受第二鋅酸鹽處理，從而在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上沉積鋅層(第二籽晶層)34。在第二鋅酸鹽處理中的處理時(shí)間短于在第一鋅酸鹽處理中的處理時(shí)間。據(jù)此，可以期望在短時(shí)間內(nèi)通過(guò)第二鋅酸鹽處理獲得均勻的鋅酸鹽處理。以這種方法，通過(guò)一次性去除由鋅酸鹽處理所沉積的鋅層并且然后施加第二鋅酸鹽處理，可以獲得在第二電極結(jié)構(gòu)33和鎳層35之間的更高的附著力和更高的均勻性。此外，在由氧等離子處理使得構(gòu)成第二層32的鋁分散并且粘附至不期望的區(qū)域(例如，第二化合物半導(dǎo)體層22等)的情況下，會(huì)出現(xiàn)鋅層形成在不期望的區(qū)域中的問(wèn)題。然而，通過(guò)一次性去除通過(guò)鋅酸鹽處理所沉積的鋅層，可以去除粘附至不期望的區(qū)域的鋅。因此，可以防止這種問(wèn)題的出現(xiàn)。[實(shí)例5]實(shí)例5也為實(shí)例1的變形。在實(shí)例5中，在與實(shí)例1的步驟110相同的步驟中形成與第二層32接觸的合金層之后，施加熱處理以促進(jìn)包含在第二層32中的鋁和包含在合金層中的金屬之間的合金化，從而獲得由鋁合金所制成的第二層32。具體地，通過(guò)真空氣相沉積方法直接在厚度為50nm并且由鋁制成的第二層32的上方沉積厚度為IOnm并且由金(Au)所制成的合金層，并且隨后在150°C或者更高溫度進(jìn)行加熱，從而形成由鋁合金(Al/Au)所制成的第二層32。以這種方式，通過(guò)構(gòu)成鋁合金的第二層32，可以控制在鋅酸鹽處理中由鋅(Zn)置換鋁(Al)的置換速率；可以形成均勻鋅層34;此外，可以形成均勻鎳層35(化學(xué)鍍鎳層)。得到的實(shí)驗(yàn)結(jié)果是置換速率越快，在鋅酸鹽處理中要經(jīng)受側(cè)蝕刻的第一層31和緊密接觸層36的每層的數(shù)量越大。還得到這樣的實(shí)驗(yàn)結(jié)果當(dāng)側(cè)蝕刻量增加時(shí)，鎳層(化學(xué)鍍鎳電鍍層)的異常沉積或者沉積形狀異常的出現(xiàn)率增加。例如，代替這種合金處理，使用鋁(Al)和銅(Cu)的合金作為靶材的同時(shí)，還可以通過(guò)濺射方法沉積第二層來(lái)獲得由鋁合金所制成的第二層。[實(shí)例6]實(shí)例6也為實(shí)例1的變形。在實(shí)例6中，通過(guò)在與實(shí)例1的步驟110中相同的步驟中在第二層32上形成厚度為30nm并且由金(Au)所制成的覆蓋層92，獲得由第一層31、第二層32以及覆蓋層92所組成的第二電極結(jié)構(gòu)33。然后，通過(guò)在與實(shí)例1的步驟120中相同的步驟中使第二電極結(jié)構(gòu)33經(jīng)受鋅酸鹽處理，在第二電極結(jié)構(gòu)33的頂部表面和側(cè)表面上沉積鋅層34。具體地，在覆蓋層92的頂部表面和側(cè)表面、第二層32的側(cè)表面、第一層31的側(cè)表面、以及密閉接觸層36的側(cè)表面上沉積鋅層34。即，通過(guò)鋅層34覆蓋整個(gè)第二電極結(jié)構(gòu)33。以這種方式，通過(guò)將覆蓋層92設(shè)置在第二層32的頂部表面上，可以控制在鋅酸鹽處理中由鋅(Zn)置換鋁(Al)的置換量；可以形成均勻的鋅層34；此外，可以形成均勻的化學(xué)鍍鎳層。在圖8B中示出了最終獲得的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的示意性局部截面圖。在實(shí)例中所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置的構(gòu)造和結(jié)構(gòu)、構(gòu)成半導(dǎo)體發(fā)光裝置的材料、半導(dǎo)體發(fā)光裝置的制造條件以及各種數(shù)值僅為實(shí)例，并且可以適當(dāng)進(jìn)行改變?？梢詫?shí)例3至實(shí)例6的半導(dǎo)體發(fā)光裝置應(yīng)用于在實(shí)例2中所述的圖像顯示裝置。此外，可以結(jié)合實(shí)例3和實(shí)例4；可以結(jié)合實(shí)例3和實(shí)例5；可以結(jié)合實(shí)例3和實(shí)例6；可以結(jié)合實(shí)例4和實(shí)例5；可以結(jié)合實(shí)例4和實(shí)例6；可以結(jié)合實(shí)例5和實(shí)例6；可以結(jié)合實(shí)例3、實(shí)例4和實(shí)例5；可以結(jié)合實(shí)例3、實(shí)例4和實(shí)例6；可以結(jié)合實(shí)例3、實(shí)例5和實(shí)例6；可以結(jié)合實(shí)例4、實(shí)例5和實(shí)例6；可以結(jié)合實(shí)例3、實(shí)例4、實(shí)例5和實(shí)例6；并且此外，可以將這些結(jié)合應(yīng)用于實(shí)例2。應(yīng)該理解，對(duì)文中所述的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例的各種修改和變形對(duì)于本領(lǐng)域中的技術(shù)人員將顯而易見(jiàn)。在不脫離本發(fā)明主題的精神和范圍內(nèi)且不縮小其預(yù)期的優(yōu)勢(shì)的情況下，可以進(jìn)行這樣的修改和變形。因此，意在通過(guò)所附權(quán)利要求來(lái)覆蓋這樣的修改和變形。權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括發(fā)光部；以及電極，在所述發(fā)光部上形成，所述電極包括光反射層，被配置為反射從所述發(fā)光部所發(fā)出的光，并且包括第一金屬，第一籽晶層，直接形成在所述光反射層上，并且包括第二金屬，第二籽晶層，至少涂覆所述光反射層和所述第一籽晶層的側(cè)表面，所述第二籽晶層包括第三金屬，以及電鍍層，至少涂覆所述第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面，所述電鍍層包括第四金屬。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第二籽晶層直接形成在所述第一籽晶層上，并且還涂覆所述第一籽晶層的頂部表面。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，在所述光反射層和所述發(fā)光部之間形成包括鎳的密閉接觸層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第一金屬、所述第二金屬、所述第三金屬以及所述第四金屬彼此不同。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第三金屬為Zn，而所述第四金屬為Ni。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括絕緣層，形成以覆蓋所述電極，并且具有形成在其中的暴露所述電極的上表面的至少一部分的開(kāi)口，以及連接層，從所述電極的所述上表面在所述絕緣層上延伸。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括包括鉬的遷移阻擋層，所述遷移阻擋層設(shè)置在所述光反射層和所述第一籽晶層之間，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述遷移阻擋層的側(cè)表面，并且涂敷所述第一籽晶層的頂部表面。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括直接形成在所述第一籽晶層上的金覆蓋層，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述金覆蓋層的側(cè)表面，并且涂覆所述金覆蓋層的頂部表面。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)形成所述第二籽晶層時(shí)，所述第二籽晶層的所述第三金屬的至少一部分置換所述第一籽晶層的所述第二金屬的至少一部分。10.一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置，包括發(fā)光部，所述發(fā)光部包括第一半導(dǎo)體層，具有第一導(dǎo)電類型，有源層，以及第二半導(dǎo)體層，具有與所述第一導(dǎo)電類型相對(duì)的第二導(dǎo)電類型；以及電極，在所述發(fā)光部上形成，所述電極包括光反射層，包括Ag，并且被配置為反射從所述發(fā)光部所發(fā)出的光，第一籽晶層，包括Al，并且形成在所述光反射層上，第二籽晶層，包括Zn，并且至少涂覆所述光反射層和所述第一籽晶層的側(cè)表面，以及電鍍層，包括Ni，并且至少涂覆所述第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，所述第二籽晶層直接形成在所述第一籽晶層上，并且還涂覆所述第一籽晶層的頂部表面。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，在所述光反射層和所述發(fā)光部的所述第二半導(dǎo)體層之間形成包括鎳的密閉接觸層。13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括絕緣層，形成以覆蓋所述電極，并且具有形成在其中的暴露所述電極的上表面的至少一部分的開(kāi)口，以及連接層，從所述電極的所述上表面在所述絕緣層上延伸。14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括包括鉬的遷移阻擋層，所述遷移阻擋層設(shè)置在所述光反射層和所述第一籽晶層之間，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述遷移阻擋層的側(cè)表面，并且涂覆所述第一籽晶層的頂部表面。15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，進(jìn)一步包括直接形成在所述第一籽晶層上的金覆蓋層，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述金覆蓋層的側(cè)表面，并且涂覆所述金覆蓋層的頂部表面。16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體發(fā)光裝置，其中，當(dāng)形成所述第二籽晶層時(shí)，所述第二籽晶層的Zn的至少一部分置換所述第一籽晶層的Al的至少一部分。17.—種制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，包括形成發(fā)光部；以及通過(guò)形成以下步驟在所述發(fā)光部的第二半導(dǎo)體層上形成電極形成被配置為反射從所述發(fā)光部所發(fā)出的光并且包括第一金屬的光反射層，在所述光反射層上形成第一籽晶層，所述第一籽晶層包括第二金屬，至少在所述光反射層和所述第一籽晶層的側(cè)表面上形成第二籽晶層，所述第二籽晶層包括第三金屬，以及至少在所述第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面上形成電鍍層，所述電鍍層包括第四金屬，其中，通過(guò)剝離法形成所述光反射層和所述第一籽晶層。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括直接在所述第一籽晶層上形成所述第二籽晶層，其中，所述第二籽晶層還涂覆所述第一籽晶層的頂部表19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括在所述光反射層和所述發(fā)光部之間形成包括鎳的密閉接觸層。20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，所述第一金屬、所述第二金屬、所述第三金屬以及所述第四金屬彼此不同。21.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，所述第三金屬為Zn，而所述第四金屬為Ni。22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括形成絕緣層以覆蓋所述電極，并且在所述絕緣層中形成開(kāi)口以暴露所述電極的上表面的至少一部分，以及形成從所述電極的所述上表面在所述絕緣層上延伸的連接層。23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括形成包括鉬的遷移阻擋層，所述遷移阻擋層形成在所述光反射層和所述第一籽晶層之間，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述遷移阻擋層的側(cè)表面，并且涂覆所述第一籽晶層的頂部表面。24.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括直接在所述第一籽晶層上形成金覆蓋層，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述金覆蓋層的側(cè)表面，并且涂覆所述金覆蓋層的頂部表面。25.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，通過(guò)鋅酸鹽處理來(lái)形成所述第二籽晶層，從而在所述第一籽晶層的頂部表面上和在所述第一籽晶層和所述光反射層的側(cè)表面上沉積鋅層。26.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，在形成所述第二籽晶層期間，所述第二籽晶層的所述第三金屬的至少一部分置換所述第一籽晶層的所述第二金屬的至少一部分。27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，在形成所述電鍍層期間，所述電鍍層的所述第四金屬的至少一部分置換所述第二籽晶層的所述第三金屬的至少大部分。28.—種制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，包括形成發(fā)光部，所述發(fā)光部包括第一半導(dǎo)體層，具有第一導(dǎo)電類型，有源層，以及第二半導(dǎo)體層，具有與所述第一導(dǎo)電類型相對(duì)的第二導(dǎo)電類型；以及通過(guò)以下步驟在所述發(fā)光部上形成電極形成包括Ag并且被配置為反射從所述發(fā)光部所發(fā)出的光的光反射層，在所述光反射層上形成包括Al的第一籽晶層，至少在所述光反射層和所述第一籽晶層的側(cè)表面上沉積包括Zn的第二籽晶層，以及通過(guò)化學(xué)電鍍至少在所述第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面上形成電鍍層，所述電鍍層包括Ni，其中，通過(guò)剝離法形成所述光反射層和所述第一籽晶層。29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括直接在所述第一籽晶層上形成所述第二籽晶層，其中，所述第二籽晶層還涂覆所述第一籽晶層的頂部表30.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括在所述光反射層和所述發(fā)光部的所述第二半導(dǎo)體層之間形成包括鎳的密閉接觸層。31.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括形成絕緣層以覆蓋所述電極，并且在所述絕緣層中形成開(kāi)口以暴露所述電極的上表面的至少一部分，以及從所述電極的所述上表面形成在所述絕緣層上延伸的連接層。32.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括形成包括鉬的遷移阻擋層，所述遷移阻擋層形成在所述光反射層和所述第一籽晶層之間，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述遷移阻擋層的側(cè)表面，并且涂覆所述第一籽晶層的頂部表面。33.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，進(jìn)一步包括直接在所述第一籽晶層上形成金覆蓋層，其中，所述第二籽晶層涂覆所述光反射層、所述第一籽晶層以及所述金覆蓋層的側(cè)表面，并且涂覆所述金覆蓋層的頂部表面。34.根據(jù)權(quán)利要求28所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，在形成所述第二籽晶層期間，所述第二籽晶層的Zn的至少一部分置換所述第一籽晶層的Al的至少一部分。35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的方法，其中，在形成所述電鍍層期間，所述電鍍層的M的至少一部分置換所述第二籽晶層的Zn的至少大部分。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種半導(dǎo)體發(fā)光裝置及其制造方法。半導(dǎo)體發(fā)光裝置包括發(fā)光部，以及在發(fā)光部上形成的電極。該電極包括光反射層，被配置為反射從發(fā)光部所發(fā)出的光并且包括第一金屬；第一籽晶層，直接形成在光反射層上并且包括第二金屬；第二籽晶層，至少涂覆光反射層和第一籽晶層的側(cè)表面，第二籽晶層包括第三金屬；以及電鍍層，至少涂覆第二籽晶層的頂部表面和側(cè)表面，電鍍層包括第四金屬。文檔編號(hào)H01L33/36GK101997072SQ20101024408公開(kāi)日2011年3月30日申請(qǐng)日期2010年8月2日優(yōu)先權(quán)日2009年8月10日發(fā)明者平尾直樹(shù),渡邊秋彥申請(qǐng)人:索尼公司