技術(shù)編號：6949632
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本公開涉及一種。 背景技術(shù)如圖9中所示，諸如發(fā)光二極管(LED)的半導(dǎo)體發(fā)光裝置具有由凸起層疊結(jié)構(gòu)20 所組成的發(fā)光部，在該凸起層疊結(jié)構(gòu)中，在用于制造半導(dǎo)體發(fā)光裝置的基板(下文中，有時 簡稱為“基板10”)上順序?qū)盈B具有η型導(dǎo)電類型的第一化合物半導(dǎo)體層21、有源層23、以 及具有P型導(dǎo)電類型的第二化合物半導(dǎo)體層22。將第一電極(η側(cè)電極)140設(shè)置在基板 10上或者第一化合物半導(dǎo)體層21的暴露的部分21a上，并且將第二電極(ρ側(cè)電極)130設(shè) 置在第二化合...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。