專利名稱：量子點(diǎn)太陽能電池的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明廣義涉及太陽能電池。更確切地說，本發(fā)明涉及量子點(diǎn)太陽能電池及其制 造方法和/或其構(gòu)件或?qū)印?br> 背景技術(shù)：
已經(jīng)發(fā)展出各式各樣的太陽能電池用來將太陽光轉(zhuǎn)變成電。在已知的太陽能電池 中，每種都有一定的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。因此仍然需要提供可替換的太陽能電池和可替換的制造 太陽能電池的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明廣義涉及太陽能電池及其制造方法和/或其構(gòu)件或?qū)?。制備用于太陽能?池的多能帶隙量子點(diǎn)層的示例性方法可包括提供第一前體化合物，提供第二前體化合物， 以及結(jié)合一部分第一前體化合物和一部分第二前體化合物以形成包括多個(gè)在能帶隙方面 不同的量子點(diǎn)的多能帶隙量子點(diǎn)層。制備用于太陽能電池的多能帶隙量子點(diǎn)層的另一個(gè)示例性方法可包括提供第一 前體化合物，提供第二前體化合物，結(jié)合一部分第一前體化合物和一部分第二前體化合物， 以通過其中反應(yīng)參數(shù)可調(diào)整的方法來形成前體量子點(diǎn)，以使得形成具有不同的能帶隙的前 體量子點(diǎn)。多能帶隙量子點(diǎn)層包括多個(gè)量子點(diǎn)，其中至少部分量子點(diǎn)在尺寸上不同。制備用于太陽能電池的多能帶隙量子點(diǎn)層的另一個(gè)示例性方法可包括提供含鎘 化合物，提供含硒化合物，結(jié)合含鎘化合物和含硒化合物以形成前體量子點(diǎn)，通過進(jìn)行陽離 子交換使前體量子點(diǎn)合金化以形成多能帶隙量子點(diǎn)層，該多能帶隙量子點(diǎn)層包括多個(gè)量子 點(diǎn)，其中至少部分量子點(diǎn)在能帶隙上不同。示例性的量子點(diǎn)太陽能電池可包括第一電極。電子導(dǎo)體可以與該第一電極電連 接。多能帶隙量子點(diǎn)層可以與該電子導(dǎo)體電連接。該多能帶隙量子點(diǎn)層可包括多個(gè)量子點(diǎn)， 其中至少部分量子點(diǎn)在能帶隙方面不同?？昭▽?dǎo)體可與該多能帶隙量子點(diǎn)層電連接。第二 電極可與該空穴導(dǎo)體電連接。對(duì)部分具體實(shí)施方式
的上述概述并不意欲描述每個(gè)公開的具體實(shí)施方式
或每種 實(shí)施。接下來的附圖和描述將更詳細(xì)地舉例說明某些示例性的實(shí)施方式。


考慮下面對(duì)本發(fā)明各種實(shí)施方式的詳細(xì)描述并結(jié)合附圖，可以更全面的理解本發(fā) 明，其中圖1是太陽能電池的示例性而非限定性的實(shí)施例的截面?zhèn)纫暿疽鈭D；和圖2是太陽能電池的示例性而非限定性的另一個(gè)實(shí)施例的截面?zhèn)纫暿疽鈭D本發(fā)明可接受各種變形和替代形式，其具體形式已經(jīng)通過附圖中的示例示出并將 詳細(xì)描述。但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明并不局限于描述的特定具體實(shí)施方式
。相反，本發(fā)明覆蓋落入本發(fā)明的實(shí)質(zhì)和范圍內(nèi)的所有的變形、等價(jià)方式和可替換方式。
具體實(shí)施例方式下面的描述應(yīng)當(dāng)參照附圖進(jìn)行理解，不同附圖中的相似元件的標(biāo)記數(shù)字相同。所 述附圖不必按比例，僅描述示例性的具體實(shí)施方式
，并不意欲限定本發(fā)明的范圍。對(duì)于下述定義的術(shù)語，使用下述這些定義，除非在權(quán)利要求中或本說明書的其它 地方給出了不同的定義。不管是否明確表示出，設(shè)定這里所有的數(shù)值均由術(shù)語“大約”進(jìn)行限定。術(shù)語“大 約”通常是指本領(lǐng)域技術(shù)人員認(rèn)為與所列舉數(shù)值等同(即，具有相同的功能或效果)的一段 范圍的數(shù)值。在許多情況下，術(shù)語“大約”可包括四舍五入為最接近的有效數(shù)字的數(shù)值。通過端點(diǎn)例舉的數(shù)值范圍包括該范圍內(nèi)的所有數(shù)值(例如，1到5包括1，1. 5,2, 2. 75,3,3. 80，4 和 5)。用在本說明書和所附權(quán)利要求中的單數(shù)形式的不定冠詞和定冠詞均包括復(fù)數(shù)指 代，除非文中內(nèi)容清楚地表示為其它含義。用在本說明書和所附權(quán)利要求中的術(shù)語“或”一 般應(yīng)用其包括“和/或”的含義，除非文中內(nèi)容清楚地表示為其它含義。圖1是示例性太陽能電池10的截面?zhèn)纫暿疽鈭D。圖1中示出的示例性實(shí)施例中， 可具有立體混合或相互貫通的形成太陽能電池10的各種層，但是這不是必須的。示例性的 太陽能電池10包括量子點(diǎn)層12?？梢哉J(rèn)為量子點(diǎn)層12代表大量獨(dú)立的量子點(diǎn)。示例性太 陽能電池10還可包括電子導(dǎo)體層16。在某些情況下，電子導(dǎo)體層16可以是η-型導(dǎo)體。雖 然沒有要求，但是雙官能的配體層(未示出)可以設(shè)置在電子導(dǎo)體層16和量子點(diǎn)層12之 間。雙官能配體層可包括許多與電子導(dǎo)體層16和量子點(diǎn)層12相連的雙官能配體。示例性 太陽能電池10可進(jìn)一步包括空穴導(dǎo)體層18。空穴導(dǎo)體層18可以是ρ-型導(dǎo)電層。在某些 情況下，第一電極(未明確示出)可電連接到電子導(dǎo)體層16，第二電極(未明確示出)可連 接到空穴導(dǎo)體層18，但這并不是所有具體實(shí)施方式
必需的?？梢灶A(yù)期，如果需要，太陽能電 池10可以包括其它的結(jié)構(gòu)、特征和/或構(gòu)造。圖2是示例性太陽能電池20的截面?zhèn)纫暿疽鈭D，其與太陽能電池10(圖1)相似。 在某些情況下，如圖所示可將反射和/或保護(hù)層22設(shè)置在空穴導(dǎo)體層18之上。當(dāng)層22是 反射層時(shí)，光線可從底部進(jìn)入太陽能電池20，例如通過柔性/透明基底24進(jìn)入。部分光可 穿過活性層12，其可隨后被反射層22反射回活性層12，由此提高太陽能電池20的效率。當(dāng) 提供了反射和/或保護(hù)層22時(shí)，其可以是導(dǎo)電層，且在某些情況下可以充當(dāng)上述關(guān)于圖1 討論到的第二電極。在某些情況下，反射和/或保護(hù)層22可包括Pt/Au/C膜，既作催化劑 又作導(dǎo)體，但是這不是必須的。反射和/或保護(hù)層22是任選的。在某些情況下，可以提供顯示在圖2的底側(cè)(在所示方向)的柔性和透明基底24。 在某些情況下，柔性和透明基底24對(duì)在可見光和/或其他所需電磁光譜部分范圍內(nèi)的至少 某些波長(zhǎng)的光可以是透明的或至少基本透明的。在某些情況下，反射和透明基底24可以充 當(dāng)上述討論的第一電極，但這不是必須的。柔性和透明基底24是任選的。在圖2中的示例性的具體實(shí)施方式
中，電子導(dǎo)體層16可以與柔性和透明基底24 電連通，但這不是必須的?？稍陔娮訉?dǎo)體層之上提供量子點(diǎn)層12，然后是上述討論的空穴導(dǎo) 體層18。如上所指出的，可以有立體混合或互相貫通的某些層來形成太陽能電池12，但這不是必須的。在某些情況下，電子導(dǎo)體層16是金屬材料和/或半導(dǎo)體材料，如TiO2或ZnO?；?者，電子導(dǎo)體層16可以是導(dǎo)電聚合物，如經(jīng)過摻雜以使其能夠?qū)щ姾?或提高其導(dǎo)電性的 聚合物。在至少某些具體實(shí)施方式
中，電子導(dǎo)體層16可以包括η-型導(dǎo)體和/或形式或另 外與電池10的陽極(負(fù)電極)鄰接。空穴導(dǎo)體層18可包括ρ-型導(dǎo)體和/或形式或另外與電池10的陰極(正電極) 鄰接。在某些情況下，空穴導(dǎo)體層18可以是導(dǎo)電聚合物，但是這不是必須的。導(dǎo)電聚合物 可以例如是或另外包括官能化聚噻吩。適合的導(dǎo)電聚合物的示例性但非限定性例子具有
/C^^SHCR)作為重復(fù)單元，其中沒有R或R是烷基，m是從大約6到大約12的整數(shù)。術(shù)語“烷 基”是指具有特定數(shù)目碳原子的直鏈或支鏈單價(jià)烴基。“烷基”的例子包括但不限于甲基， 乙基，正丙基，異丙基，正丁基，仲丁基，叔丁基，正戊基，正己基，3-甲基戊基等。合適的導(dǎo)電聚合物的另一個(gè)示例性而非限定性實(shí)例具有
.(CH2)6-SH(R)
作為重復(fù)單元，其中沒有R或R是烷基。
合適的導(dǎo)電聚合物的另一個(gè)示例性而非限定性實(shí)例具有
,(CH2)11-SH(R)
作為重復(fù)單元，其中沒有R或R是烷基。
合適的導(dǎo)電聚合物的另一個(gè)示例性而非限定性實(shí)例具有
(CH2)12-SH(R)作為重復(fù)單元，其中沒有R或R是烷基。量子點(diǎn)層12可以包括一個(gè)量子點(diǎn)或多個(gè)量子點(diǎn)。量子點(diǎn)一般是非常小的半導(dǎo)體， 具有納米范圍的尺寸。由于它們的小尺寸，它們可顯示出與大樣品材料所期望到的不同的 量子行為。在某些情況下，可認(rèn)為量子點(diǎn)是晶體，由II-VI族，III-V族或IV-VI族的材料構(gòu) 成。這里所用的量子點(diǎn)可以使用任何合適的技術(shù)來形成。形成量子點(diǎn)的特定材料對(duì)的例子 包括但不限于 MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS,BaSe, BaTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs 禾口 InSb0在某些情況下，量子點(diǎn)層12可以包括尺寸均相同的量子點(diǎn)，然而應(yīng)當(dāng)注意到量子 點(diǎn)的能帶隙一般與尺寸相關(guān)。因此，包括尺寸均相同的量子點(diǎn)的量子點(diǎn)層12可具有基本上 均一的能帶隙。由于該“均一的能帶隙”，這種量子點(diǎn)層只能吸收電磁光譜中在或接近特定 范圍處的光。為了能在電磁光譜的較寬范圍內(nèi)進(jìn)行吸收(這可幫助提高太陽能電池20的 效率)，期望的是可將量子點(diǎn)層12制成包括具有許多不同能帶隙的量子點(diǎn)。例如，量子點(diǎn)層12中的部分量子點(diǎn)可包括兩種元素。部分量子點(diǎn)可具有一種化學(xué) 式(例如，ZnSe)，而部分其它量子點(diǎn)可具有不同的化學(xué)式(例如CdSe)。這兩種不同量子 點(diǎn)(具有不同的能帶隙)可使得量子點(diǎn)層12成為具有“多能帶隙”的量子點(diǎn)層12。還期待有其它的可用于量子點(diǎn)層12的量子點(diǎn)，其包括三種或更多種元素。這些 可被稱為合金化量子點(diǎn)的量子點(diǎn)可具有各種不同能帶隙，這取決于量子點(diǎn)中不同元素的含 量。例如，量子點(diǎn)層12中的一些量子點(diǎn)可具有通式CdxZrvxSe,其中χ是量子點(diǎn)中在所有Zn 和Cd原子中Zn原子所占的分?jǐn)?shù)，其值范圍可以是0彡χ彡1。如果χ是0，這些量子點(diǎn)可 具有的能帶隙更接近地近似于(例如，相同或者大約相同)含ZnSe的量子點(diǎn)(例如，大約 2. 7eV)。當(dāng)χ增加到1，這些量子點(diǎn)可具有的能帶隙更接近地近似于(例如，相同或大約相 同)含CdSe的量子點(diǎn)(例如，大約1. 7eV)。對(duì)于本發(fā)明的目的，可以將多能帶隙的量子點(diǎn)層理解成包括多個(gè)具有不同能帶隙 的組分或亞成分。相應(yīng)地，多能帶隙量子點(diǎn)層(例如，量子點(diǎn)層12)可以包括許多具有各種 不同能帶隙的量子點(diǎn)，所述各種不同能帶隙跨越較寬的能量范圍。這將允許量子點(diǎn)層12中 的量子點(diǎn)在電磁光譜中較寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)共同吸收光，這可有助于提高太陽能電池20的 效率。如上述所提到的，為提供具有多能帶隙范圍的量子點(diǎn)層12，量子點(diǎn)層12可以包括 在能帶隙方面不同的多個(gè)合金化的量子點(diǎn)。例如，量子點(diǎn)層12可包括兩種，三種，四種，五 種，六種，七種，八種，或更多種具有不同能帶隙(例如，由于它們的含量或尺寸的差異)的 不同量子點(diǎn)。可以通過使用任意種類的工藝、方法和/或技術(shù)來形成所述量子點(diǎn)層12。在一種 示例性方法中，在量子點(diǎn)層12中形成不同的合金化的量子點(diǎn)。該方法可包括提供第一前體 化合物，提供第二前體化合物，和結(jié)合一部分第一前體化合物和一部分第二前體化合物來 形成前體量子點(diǎn)。在某些具體實(shí)施方式
中，上述前體化合物之一(例如，第一前體化合物) 可以包括鎘。例如，上述前體化合物之一可以包括氨三乙酸鎘，Cd (NO3)2,或任何其它合適的 含鎘化合物。其它前體化合物(例如第二前體化合物)可以包括硒。例如，上述前體化合 物之一可包括Na2SeSO315形成量子點(diǎn)層12的示例性方法也可包括結(jié)合一部分第一前體化合物和一部分第 二前體化合物，以形成許多“基體”或前體量子點(diǎn)。結(jié)合步驟可包括很多不同的方法。例如， 結(jié)合步驟可包括在第一前體化合物中浸漬涂布基底，然后在第二前化合物中浸漬涂布該基 底。在至少一些具體實(shí)施方式
中，基底可包括玻璃基底如低鐵玻璃，氟化物摻雜的氧化錫玻
6璃，氧化銦錫玻璃，任何其它合適的玻璃，導(dǎo)電材料，或任何其它合適的所需材料。在這些具 體實(shí)施方式中的一些和其它具體實(shí)施方式
中，基底可以是或包括電子導(dǎo)體層16。浸漬涂布可導(dǎo)致在基底上沉積或以其他方式形成合適的前體化合物層或殼?？梢?將浸漬涂布過程重復(fù)許多次(例如，總次數(shù)為2，3，4，5，6，或更多)，以便在基底上布置所需 量的前體化合物，并形成前體量子點(diǎn)?？梢岳斫猓?dāng)浸漬涂布循環(huán)的次數(shù)增加，在基底上形 成的材料的相對(duì)量也增加，并且由此，作為該過程的一部分形成的所得前體量子點(diǎn)的尺寸 也增加?？梢灾貜?fù)進(jìn)行該過程來形成量子點(diǎn)層，其中每層具有不同的尺寸(和因此具有不 同的能帶隙)的量子點(diǎn)。在形成每個(gè)層時(shí)，可以通過例如具有不同數(shù)量的浸漬涂布步驟，第 一和第二前體化合物的不同濃度，不同的第一和第二的前體化合物，不同的浸漬涂布條件 如溫度，PH，光條件和/或其它條件等對(duì)浸漬涂布過程進(jìn)行改變。這可在整個(gè)量子點(diǎn)層12 中形成能帶隙梯度?；蛘呋蛄硗猓Y(jié)合步驟也可以包括化學(xué)浴沉積。在一個(gè)實(shí)施例中，在化學(xué)浴沉積 過程中，可將基底暴露于一個(gè)或兩個(gè)前體化合物(例如，調(diào)配為或另外包括化學(xué)浴沉積 溶液)。在一些具體實(shí)施方式
中，可使用較低濃度的化學(xué)浴沉積溶液。例如，化學(xué)浴沉積 溶液的濃度可以是大約20-30mmol/L，或大約25-30mmol/L，或大約26-27mmol/L，或大約 26. 7mmol/L0也可以對(duì)化學(xué)浴沉積的pH進(jìn)行控制。例如，化學(xué)浴沉積過程的pH可以是堿 性，大約9-12，大約10-11，或大約10. 5。另外，可以對(duì)化學(xué)浴沉積的溫度進(jìn)行控制。例如， 化學(xué)浴沉積可在大約0-80°C，或大約4-20°C，或大約8-12°C，或大約10°C的溫度下進(jìn)行。任何一個(gè)或多個(gè)化學(xué)浴沉積參數(shù)的變化都可改變作為化學(xué)浴沉積過程一部分沉 積在基底上的材料的量，且由此改變所形成的量子點(diǎn)的尺寸。例如，用于化學(xué)浴沉積的前體 化合物的濃度可影響沉積到基底上材料的量。同樣地，也可進(jìn)行pH、溫度、曝光(例如可通 過使用分級(jí)濾光鏡來控制)、電流等的改變。如上所述，該變化可形成梯度，該梯度導(dǎo)致沉積 的材料量不同，且由此導(dǎo)致形成的量子點(diǎn)的尺寸也不同。這些差異可被用于包括化學(xué)浴沉 積和離子交換(以下將描述)的過程中或省略離子交換的過程中，從而可形成不同尺寸從 而具有不同的能帶隙的量子點(diǎn)(例如在量子層12中)。在某些情況下，通過上述結(jié)合步驟可形成包括多個(gè)能帶隙不同的量子點(diǎn)的多能帶 隙量子點(diǎn)層12。在某些這種情況下和其它情況下，形成量子點(diǎn)層12的示例性方法也可以包 括將上述形成的量子點(diǎn)合金化，作為形成多能帶隙量子點(diǎn)層12的結(jié)合步驟的一部分。在某 些情況下，這可以包括與合適的合金化材料進(jìn)行離子交換反應(yīng)。例如，作為上述結(jié)合步驟的 一部分形成的量子點(diǎn)可在與Zn2+的離子交換反應(yīng)中合金化。也可以使用其它陽離子，如那 些上面列舉的適合于形成量子點(diǎn)的材料對(duì)。當(dāng)使用上述陽離子時(shí)，前體量子點(diǎn)開始可為同 一或接近同一尺寸。離子交換反應(yīng)可包括在合適的離子交換溶液中(例如，含Zn2+或任何其它合適的 合金化陽離子)設(shè)置作為結(jié)合步驟的一部分所形成的量子點(diǎn)。前體量子點(diǎn)可形成為單層、 多層或膜，總厚度可大約為1-15 μ m或大約3-10 μ m。當(dāng)離子交換溶液滲入前體量子點(diǎn)中 時(shí)，形成自然的濃度梯度。因此，沿前體量子點(diǎn)的不同部分可得到不同濃度的離子交換溶 液，導(dǎo)致不同的離子交換水平。例如，前體量子點(diǎn)可通常包括鎘和硒，并可形成不同的合金 化的量子點(diǎn)，其具有通式ZnxCdhSe,其中χ是量子點(diǎn)中Zn原子在所有Zn和Cd原子中所占 的分?jǐn)?shù)。當(dāng)χ的范圍在0和1之間時(shí)，可導(dǎo)致量子點(diǎn)層12具有多能帶隙。
一些方法包括上面所述的步驟和/或方法中的部分或全部或某些。一個(gè)示例性方 法可包括浸漬涂布步驟和化學(xué)浴沉積步驟以及之后的離子交換步驟。前體量子點(diǎn)可初始為 大約同一尺寸。在該方法中，離子交換過程中形成的濃度梯度可導(dǎo)致形成具有不同能帶隙 的量子點(diǎn)(例如，在量子點(diǎn)層12中)。其它示例性方法可只包括化學(xué)浴沉積步驟，其中可改變?cè)跍囟?、光、電流、它們?組合等或任何其他參數(shù)方面形成的梯度，由此形成能帶隙不同的量子點(diǎn)(例如在量子點(diǎn)層 12 中)。雖然此處公開的電池10和制造電池10的方法是根據(jù)太陽能電池進(jìn)行描述的，但 是應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明也適用于其它薄膜裝置，如發(fā)光二極管(LED)和其它裝置。因此，對(duì)于可 應(yīng)用的范圍，如果需要可將本發(fā)明類似地應(yīng)用到其它薄膜結(jié)構(gòu)。應(yīng)當(dāng)理解本公開在許多方面僅是例示性的。在細(xì)節(jié)上，尤其是在形狀、尺寸和步驟 的安排上可作出改變，而不超出本發(fā)明的范圍。本發(fā)明的范圍當(dāng)然是限定在所附的權(quán)利要 求表達(dá)的語言中。
權(quán)利要求
制備用于太陽能電池(10，20)的多能帶隙量子點(diǎn)層(12)的方法，該方法包括提供第一前體化合物；提供第二前體化合物；和結(jié)合一部分第一前體化合物和一部分第二前體化合物以形成包括多個(gè)能帶隙不同的量子點(diǎn)的多能帶隙量子點(diǎn)層(12)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一前體化合物包括鎘和硒中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的方法，其中第一前體化合物包括氨三乙酸鎘、Cd(NO3)2和Na2SeSO3 中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3的任何一項(xiàng)的方法，其中結(jié)合步驟包括浸漬涂布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4的任何一項(xiàng)的方法，其中結(jié)合步驟包括化學(xué)浴沉積。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5的任何一項(xiàng)的方法，其進(jìn)一步包括將多能帶隙量子點(diǎn)層(12)合金化。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的方法，其中合金化步驟包括離子交換。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的方法，其中合金化步驟包括與Zn2+的離子交換。
9.量子點(diǎn)太陽能電池(10，20)，其包括 第一電極(24)；與第一電極(24)電連接的電子導(dǎo)體(16)；與電子導(dǎo)體(16)電連接的多能帶隙量子點(diǎn)層(12)，該多能帶隙量子點(diǎn)層(12)包括多 個(gè)量子點(diǎn)，其中至少部分量子點(diǎn)能帶隙不同；與多能帶隙量子點(diǎn)層(12)電連接的空穴導(dǎo)體(18)；和 與空穴導(dǎo)體(18)電連接的第二電極(22)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的量子點(diǎn)太陽能電池(10，20)，其中多能帶隙量子點(diǎn)層(12)包括 含有鎘、硒和鋅中的至少一個(gè)的量子點(diǎn)。
全文摘要
公開了太陽能電池(10，20)和制造太陽能電池(10，20)的方法和/或其構(gòu)件或?qū)?。制備用于太陽能電?10)的多能帶隙量子點(diǎn)層(12)的示例性方法可包括提供第一前體化合物，提供第二前體化合物，結(jié)合一部分第一前體化合物和一部分第二前體化合物以形成包括多個(gè)能帶隙不同的量子點(diǎn)的多能帶隙量子點(diǎn)層(12)。
文檔編號(hào)H01L31/18GK101924165SQ20101024185
公開日2010年12月22日 申請(qǐng)日期2010年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月12日
發(fā)明者H·唐, L·趙, M·王, X·劉, Z·鄭 申請(qǐng)人:霍尼韋爾國際公司