專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。
背景技術(shù)：
在以往的半導(dǎo)體器件中有如下結(jié)構(gòu)將半導(dǎo)體元件安裝在基板上，在該基板上注 塑封固體，通過封固體來封裝半導(dǎo)體元件，在半導(dǎo)體元件的下側(cè)、在基板上形成導(dǎo)通孔，在 導(dǎo)通孔內(nèi)填充導(dǎo)體，通過該導(dǎo)體取得半導(dǎo)體元件的電極與外部電極的電氣連接(參照日本 特開2008-42063號(hào)公報(bào))。由于半導(dǎo)體元件安裝在基板上，所以通過基板的厚度，半導(dǎo)體器件整體變厚。所 以，進(jìn)行了想要將半導(dǎo)體元件安裝到絕緣膜上的嘗試。在絕緣體單體中，由于絕緣膜會(huì)變 形，所以在將絕緣膜支撐在支撐基材的狀態(tài)下將半導(dǎo)體元件安裝在該絕緣膜上。并且，在將 封固體注塑成型在該絕緣膜上之后，將基材通過蝕刻等除去。然后，通過對(duì)絕緣膜照射激光 而在該絕緣膜上形成導(dǎo)通孔，使導(dǎo)通孔貫通到半導(dǎo)體元件的電極之后，在導(dǎo)通孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo) 體或者在絕緣膜的表面上，通過形成圖案(patterning)來形成布線。但是，在通過激光在絕緣膜上形成導(dǎo)通孔時(shí)，會(huì)對(duì)半導(dǎo)體元件帶來熱損傷。如果 為了抑制半導(dǎo)體元件的熱損傷而使激光的強(qiáng)度較弱，則有不能在絕緣膜上形成導(dǎo)通孔的情 況。本發(fā)明所要解決的技術(shù)課題是抑制激光對(duì)半導(dǎo)體元件的熱損傷，而且提高導(dǎo)通孔 的位置精度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的半導(dǎo)體器件的制造方法包括在配置于第1基材且具有第1導(dǎo)通孔的第 1絕緣膜的一個(gè)面，通過粘接劑粘接了形成有電極的半導(dǎo)體元件；將所述基材從所述第1絕 緣膜除去；經(jīng)由所述第1導(dǎo)通孔對(duì)所述粘接劑照射第1激光，在所述粘接劑形成第2導(dǎo)通 孔，使所述電極從所述粘接劑露出；在所述第2導(dǎo)通孔中形成金屬層，將所述金屬層與所述 電極連接。優(yōu)選的是，所述第1激光的直徑比所述第1導(dǎo)通孔的直徑大，以所述第1絕緣膜為 掩膜，形成所述第2導(dǎo)通孔。優(yōu)選的是，所述第1絕緣膜含有纖維增強(qiáng)樹脂。優(yōu)選的是，在所述第1絕緣膜設(shè)有至少1層以上的金屬掩膜層，在形成所述第2導(dǎo) 通孔之后，將所述金屬掩膜層除去。優(yōu)選的是，所述第1激光是紫外線激光或一氧化碳激光。
優(yōu)選的是，所述第1導(dǎo)通孔通過將強(qiáng)度比所述第1激光的強(qiáng)度強(qiáng)的第2激光照射 于所述第1絕緣膜而形成。優(yōu)選的是，所述第1導(dǎo)通孔通過將二氧化碳?xì)怏w激光照射于所述第1絕緣膜而形 成。優(yōu)選的是，所述金屬層從所述第2導(dǎo)通孔到所述第1絕緣膜上連續(xù)地形成。而且， 優(yōu)選對(duì)所述金屬層進(jìn)行構(gòu)圖而形成連接到所述電極的布線。優(yōu)選的是，將粘接于所述第1絕緣膜的所述半導(dǎo)體元件用封固層封固。優(yōu)選的是，將所述封固層夾于粘接在所述第1絕緣膜的一個(gè)面上的所述半導(dǎo)體元 件和配置于第2基材的第2絕緣膜之間，從所述第1基材及第2基材的兩側(cè)加壓。優(yōu)選的是，所述第2絕緣膜是與所述第1絕緣膜相同的材料。優(yōu)選的是，在所述第2絕緣膜形成上部接地層。優(yōu)選的是，在所述半導(dǎo)體元件的周圍的所述第1絕緣膜的所述一個(gè)面，形成下部 接地層。優(yōu)選的是，在所述第2絕緣膜形成熱沉。優(yōu)選的是，在所述第1絕緣膜與所述第1基材之間，設(shè)有具有與所述第1基材不同 的材料的第1金屬層；對(duì)所述第1絕緣膜照射二氧化碳?xì)怏w激光，在所述第1絕緣膜形成所 述第1導(dǎo)通孔；將所述第1絕緣膜作為掩膜，從所述第1導(dǎo)通孔蝕刻所述第1金屬層。優(yōu)選的是，在所述第1絕緣膜與所述第1金屬層之間，設(shè)有具有與所述第1金屬層 不同的材料的第2金屬層；將所述第1絕緣膜作為掩膜，從所述第1導(dǎo)通孔蝕刻所述第2金 屬層。根據(jù)本發(fā)明，能夠良好地制造半導(dǎo)體元件。


圖1是作為本發(fā)明的第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖2是作為被封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體而表示了一例的剖視圖。圖3是作為被封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體而表示了一例的剖視圖。圖4是作為被封裝的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體而表示了一例的剖視圖。圖5是圖1所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的最初的工序中的原材料的剖視圖。圖6是接著圖5的工序的剖視圖。圖7是接著圖6的工序的剖視圖。圖8是接著圖7的工序的剖視圖。圖9是接著圖8的工序的剖視圖。圖10是接著圖9的工序的剖視圖。圖11是接著圖10的工序的剖視圖。圖12是接著圖11的工序的剖視圖。圖13是接著圖12的工序的剖視圖。圖14是接著圖13的工序的剖視圖。圖15是接著圖14的工序的剖視圖。圖16是作為本發(fā)明的第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。
圖17是作為本發(fā)明的第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖18是作為本發(fā)明的第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖19是圖18所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的一工序的剖視圖。圖20是作為本發(fā)明的第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的剖視圖。圖21是圖20所示的半導(dǎo)體器件的制造方法的一工序的剖視圖。圖22是作為本發(fā)明的第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的最初的工序中的 原材料的剖視圖。圖23是接著圖22的工序的剖視圖。圖24是接著圖23的工序的剖視圖。圖25是接著圖24的工序的剖視圖。圖26是接著圖25的工序的剖視圖。圖27是接著圖26的工序的剖視圖。圖28是接著圖27的工序的剖視圖。圖29是接著圖28的工序的剖視圖。圖30是接著圖29的工序的剖視圖。圖31是作為本發(fā)明的第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的一工序的剖視圖。圖32是作為本發(fā)明的第8實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法的一工序的剖視圖。圖33是接著圖32的工序的剖視圖。標(biāo)號(hào)說明1、1A、1B、1C、1D 半導(dǎo)體器件2半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體3半導(dǎo)體元件11絕緣膜(纖維增強(qiáng)樹脂膜)12導(dǎo)通孔13粘接劑14導(dǎo)通孔(第2導(dǎo)通孔)15 布線41 基材61第1金屬膜62第2金屬膜
具體實(shí)施例方式以下，利用附圖對(duì)用來實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選的形態(tài)進(jìn)行說明。但是，在以下所述的實(shí) 施方式中，為了實(shí)施本發(fā)明而附加了技術(shù)上優(yōu)選的各種限定，但并不是將發(fā)明的范圍限定 于以下的實(shí)施方式及圖示例。<第1實(shí)施方式>圖1是半導(dǎo)體器件1的剖視圖。該半導(dǎo)體器件1是將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2封裝而成的。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2具備具有晶體 管等集成電路的半導(dǎo)體元件3及多個(gè)電極4。半導(dǎo)體元件3是在硅基板這樣的半導(dǎo)體基板的下表面設(shè)置集成電路的結(jié)構(gòu)。在半導(dǎo)體元件3的下表面設(shè)有多個(gè)電極4。電極4含有Cu。 另外，電極4也可以是布線的一部分。在半導(dǎo)體元件3的下表面的四邊的周緣排列有未圖 示的多個(gè)連接焊盤。連接焊盤連接在形成于半導(dǎo)體元件3的集成電路上。被封固之前的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2為圖2 圖4的某一個(gè)圖那樣。如圖2的剖視圖所示，對(duì)半導(dǎo)體元件3實(shí)施了稱作CSP (Chip Size Package)的封 裝。即，作為封裝的絕緣膜5形成在半導(dǎo)體元件3的下表面，在該絕緣膜5上形成了分別對(duì) 應(yīng)于多個(gè)連接焊盤的多個(gè)導(dǎo)通孔6。設(shè)有通過將一端埋入在導(dǎo)通孔6中而連接在連接焊盤 上的作為再布線層的多個(gè)電極4。多個(gè)電極4的另一端是連接用端子，在絕緣膜5的表面整 體上縱橫排列而以矩陣狀配置。作為絕緣膜5，是無機(jī)絕緣層(例如氧化硅層或氮化硅層)、 或樹脂絕緣層(例如聚酰亞胺樹脂層)或它們的層疊體。在絕緣膜5是層疊體的情況下， 既可以將無機(jī)絕緣層成膜在半導(dǎo)體元件3的下表面、將樹脂絕緣層成膜在該無機(jī)絕緣層的 表面，也可以相反。在圖3的例子中，在圖2的電極4上還突設(shè)有柱狀的接線柱7。接線柱7含有Cu。在圖4的例子中，形成了覆蓋圖2的電極4及絕緣膜5的蓋層8。另外，在如圖3 那樣形成了接線柱7的情況下，也可以如圖4那樣將電極4及絕緣膜5用蓋層8覆蓋。在 此情況下，接線柱7的凸面既可以通過蓋層8覆蓋，也可以不覆蓋。另外，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2也可以是不設(shè)置多個(gè)電極4而連接焊盤為暴露的裸芯片。如圖1所示，半導(dǎo)體元件3通過具有絕緣性的封固層9封固。該封固層9將半導(dǎo) 體元件3包入。封固層9含有環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂或其他絕緣性樹脂。封固層9 優(yōu)選的是包含含有填充物的熱固化樹脂(例如環(huán)氧樹脂)。另外，封固層9并不是如含有玻 璃布基材的含玻璃纖維絕緣性樹脂那樣被纖維增強(qiáng)的結(jié)構(gòu)，但也可以含有纖維增強(qiáng)樹脂。封固層9被夾持在設(shè)在封固膜的上表面的絕緣膜10與設(shè)在封固膜的下表面的絕 緣膜11之間。絕緣膜10及絕緣膜11是纖維增強(qiáng)樹脂膜。具體而言，絕緣膜10及絕緣膜 11包含含玻璃纖維環(huán)氧樹脂、含玻璃纖維聚酰亞胺樹脂或其他含玻璃纖維基材絕緣性樹脂 復(fù)合材料。絕緣膜10的材料與絕緣膜11的材料優(yōu)選的是相同的。另外，也可以含有玻璃 纖維以外的加強(qiáng)薄膜。在半導(dǎo)體元件3的下表面朝向絕緣膜11的狀態(tài)下，半導(dǎo)體元件3搭載在絕緣膜11 的中央部上。半導(dǎo)體元件3的下表面及電極4通過粘接劑13粘接在絕緣膜11上。半導(dǎo)體 元件3在粘接在絕緣膜11上的狀態(tài)下被封固層9封固。粘接劑13具有絕緣性，含有環(huán)氧 類樹脂這樣的熱固化性樹脂。該粘接劑13沒有被纖維增強(qiáng)。在粘接劑13中的與電極4的上述另一端重合的部分上，形成了導(dǎo)通孔14。此外， 在絕緣膜11中的與電極4的上述另一端重合的部分上，形成了導(dǎo)通孔12。因而，導(dǎo)通孔12 與導(dǎo)通孔14相連。導(dǎo)通孔14比導(dǎo)通孔12深度小，是通過經(jīng)由在導(dǎo)通孔14形成前已經(jīng)形 成的導(dǎo)通孔12對(duì)粘接劑13照射來自激光器的激光而形成的。在封固層9、絕緣膜10以及絕緣膜11上，形成了多個(gè)貫通孔19。貫通孔19從絕 緣膜10的表面(與封固層9的界面的相反側(cè)的面)到絕緣膜11的表面(與封固層9的界 面的相反側(cè)的面)一直連續(xù)，將絕緣膜10、封固層9及絕緣膜11貫通。此外，在絕緣膜11的表面(與封固層9的界面相反側(cè)的面)上形成了下層布線 15。在絕緣膜10的表面(與封固層9的界面的相反側(cè)的面)上形成了上層布線17。在下
7層布線15上設(shè)有接觸焊盤16，在上層布線17上設(shè)有接觸焊盤18。在貫通孔19中，設(shè)有上 下導(dǎo)通部20。具體而言，上下導(dǎo)通部20成膜在貫通孔19的內(nèi)壁面上并且以筒狀設(shè)置，將下 層布線15的至少一部分及上層布線17導(dǎo)通。下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通部20 含有銅、或鎳、或者銅與鎳的層疊體。另外，下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通部20也可 以含有其他金屬。此外，除了接觸焊盤16以外的下層布線15及絕緣膜11被下層蓋層21覆蓋。除 了接觸焊盤18以外的上層布線17及絕緣膜10被上層蓋層23覆蓋。在上下導(dǎo)通部20的 中空部中填充有絕緣性的填充件25。下層蓋層21、上層蓋層23及填充件25都由相同的絕 緣性樹脂材料形成。下層蓋層21及上層蓋層23作為阻焊劑發(fā)揮功能。在下層蓋層21中的對(duì)應(yīng)于下 層布線15的接觸焊盤16的部分上形成了開口 22。在開口 22內(nèi)形成了焊接凸塊26，焊接 凸塊26與接觸焊盤16連接。另一方面，在上層蓋層23中的對(duì)應(yīng)于上層布線17的接觸焊 盤18的部分上形成了開口 24。另外，也可以是，在開口 22、24內(nèi)，在接觸焊盤16、18的表 面形成鍍層(例如含有鍍金層的單層鍍層、含有鍍鎳層一鍍金層的雙層鍍層)，焊接凸塊26 經(jīng)由鍍層形成在接觸焊盤16上。在該半導(dǎo)體器件1中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2安裝在絕緣膜11上，但并不是用絕緣膜11 單體保持半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2，而是通過封固層9、絕緣膜10及絕緣膜11整體保持半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 體2，所以能夠?qū)⒔^緣膜11做成薄膜，能夠使半導(dǎo)體器件1薄型化。由于能夠?qū)⑹拱雽?dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的電極4露出的導(dǎo)通孔14的形成與導(dǎo)通孔12的形 成另外地進(jìn)行，并且粘接劑13沒有被纖維增強(qiáng)，所以能夠通過紫外線激光(UV激光)那樣 的輸出較小的激光形成粘接劑13的導(dǎo)通孔14，所以能夠抑制向半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的傳熱。并且，由于絕緣膜11通過含有玻璃布基材這樣的玻璃纖維而被纖維增強(qiáng)，所以不 會(huì)在紫外線激光那樣的輸出較小的激光作用下消失，所以能夠?qū)⒔^緣膜11作為掩膜、與設(shè) 在絕緣膜11上的導(dǎo)通孔12自對(duì)準(zhǔn)地形成導(dǎo)通孔14。因此，不需要為了導(dǎo)通孔14的形成而 另外形成通過光刻法形成的抗蝕劑掩膜。對(duì)半導(dǎo)體器件1的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖5所示，在制造工序中，在用來輸送半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的第1基材41上， 成膜含有纖維增強(qiáng)樹脂(例如含玻璃纖維環(huán)氧樹脂或含玻璃纖維聚酰亞胺樹脂)的絕緣膜 11?；?1是用來使絕緣膜11的處理變得容易的載體，具體而言是銅等的金屬板。這樣 準(zhǔn)備的基材41、絕緣膜11的尺寸為圖1所示的1個(gè)半導(dǎo)體器件1多個(gè)合計(jì)的尺寸，圖5 圖15以1個(gè)半導(dǎo)體器件1為代表表示，但實(shí)際上是關(guān)于多個(gè)半導(dǎo)體器件1沿橫向連續(xù)設(shè)置 的制造工序的圖。接著，如圖6所示，從激光器將激光照射在絕緣膜11上，在絕緣膜11上形成多個(gè) 導(dǎo)通孔12。由于絕緣膜11含有纖維增強(qiáng)樹脂，所以作為激光優(yōu)選地使用較高輸出的二氧化 碳?xì)怏w激光(0)2激光)。由于二氧化碳?xì)怏w激光是紅外線區(qū)域，所以在導(dǎo)通孔12形成時(shí)發(fā) 熱，但由于在與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2之間夾著粘接劑13，所以能夠抑制對(duì)半導(dǎo)體元件3的熱損 傷。接著，如圖7所示，通過面朝下安裝法將半導(dǎo)體元件3安裝在絕緣膜11上。具體 而言，將非導(dǎo)電性糊(NCP，Non-Conductive Paste)通過印刷法或分配器法涂敷在導(dǎo)通孔12及其周圍(搭載區(qū)域)上之后，或者將非導(dǎo)電性薄膜(NCF，Non-Conductive Film)預(yù)先 供給到導(dǎo)通孔12及其周圍上之后，將半導(dǎo)體元件3的下表面朝向非導(dǎo)電性糊或非導(dǎo)電性薄 膜，將各電極4的另一端分別對(duì)準(zhǔn)各導(dǎo)通孔12，將半導(dǎo)體元件3面朝下對(duì)著非導(dǎo)電性糊或非 導(dǎo)電性薄膜，通過加熱壓接將半導(dǎo)體元件3的下表面及電極4粘接在絕緣膜11上。非導(dǎo)電 性糊或非導(dǎo)電性薄膜的一部分填埋到導(dǎo)通孔12內(nèi)，作為填充物13a固化，絕緣膜11上的非 導(dǎo)電性糊或非導(dǎo)電性薄膜固化而成為粘接劑13。另外，在搭載圖3所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2 的情況下，將各接線柱7分別對(duì)位于各導(dǎo)通孔12。在非導(dǎo)電性糊的情況下，除了將非導(dǎo)電性糊涂敷在絕緣膜11上以及在導(dǎo)通孔12 中露出的基材41上、將半導(dǎo)體元件3載置在涂敷的非導(dǎo)電性糊上后固化以外，也可以將非 導(dǎo)電性糊涂敷在包括電極4的半導(dǎo)體元件3的整個(gè)下表面、載置半導(dǎo)體元件3以使涂敷的 非導(dǎo)電性糊接觸在絕緣膜11上之后固化。接著，如圖8所示，準(zhǔn)備在第2基材42的一個(gè)面上成膜有絕緣膜10的坯材、并且 準(zhǔn)備熱固化樹脂片9a。第2基材42的材料與第1基材41是相同的，絕緣膜10的材料與絕 緣膜11的材料是相同的。熱固化樹脂片9a是使填充物含有環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂 或其他熱固化樹脂、使該熱固化樹脂成為半固化狀態(tài)而形成為片狀的結(jié)構(gòu)。接著，將熱固化樹脂片9a載置在半導(dǎo)體元件3之上及絕緣膜11上，將熱固化樹脂 片9a夾入在絕緣膜11與絕緣膜10之間，將它們夾入在一對(duì)熱盤43、44之間，通過熱盤43、 44將第1基材41、絕緣膜11、熱固化樹脂片9a、絕緣膜10及第2基材42熱擠壓。通過加 熱夾壓，使熱固化樹脂片9a在絕緣膜10與絕緣膜11之間對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2而變形， 通過然后的冷卻使熱固化樹脂片9a固化，成為將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2及粘接劑13封固的封固 層9(參照?qǐng)D9)。這里，如圖8所示，將由相同的材料構(gòu)成的絕緣膜11、絕緣膜10分別配置在熱固化 樹脂片9a的兩面上，并且配置在兩側(cè)的第1基材41和第2基材42是相同的材料，所以熱 膨脹的程度是相同的，因此，能夠使得在圖9所示的層疊體中不易發(fā)生翹曲、不易給其以后 的工序中的加工精度帶來妨礙。接著，如圖10所示，將第1基材41及第2基材42通過蝕刻(例如化學(xué)蝕刻、濕法 蝕刻)除去。通過將基材41、42除去，絕緣膜10及絕緣膜11露出。此外，填埋在導(dǎo)通孔12 內(nèi)的填充物13a的表面也露出。此時(shí)，由于電極4被填充物13a保護(hù)，所以不被蝕刻。即使 在制造工序中將支撐半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的基材41、42除去，也通過在除去之前形成的封固層 9、絕緣膜10及絕緣膜11的存在，能夠充分確保強(qiáng)度。此外，由于將基材41、42除去，所以 能夠使完成的半導(dǎo)體器件1的厚度變薄。接著，如圖11所示，對(duì)絕緣膜11從與半導(dǎo)體元件3及電極4相反側(cè)將激光朝向?qū)?通孔12內(nèi)的填充物13a照射。通過這樣，使填埋在導(dǎo)通孔12內(nèi)的填充物13a消失而在導(dǎo)通 孔12中形成空隙，并且在粘接劑13上形成與導(dǎo)通孔12相連并且與導(dǎo)通孔12自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo) 通孔14。導(dǎo)通孔14通到電極4，如果電極4在導(dǎo)通孔14內(nèi)露出，則停止激光照射。另外， 在搭載有圖4所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的情況下，接著粘接劑13而在蓋層8上也形成導(dǎo)通孔 14，使電極4露出。這里使用的激光可以為比前面在形成導(dǎo)通孔12時(shí)使用的激光低強(qiáng)度的激光。例 如，使用紫外線激光或低輸出的一氧化碳激光(CO激光)進(jìn)行填充物13a的消失及導(dǎo)通孔
914的形成。能夠使用低強(qiáng)度激光是因?yàn)樵诒日辰觿?3及填充物13a耐激光性高的絕緣膜 11上預(yù)先形成了導(dǎo)通孔12。由于紫外線激光是紫外線波長(zhǎng)區(qū)域，一氧化碳激光也不是紅外 線波長(zhǎng)區(qū)域，所以能夠抑制向半導(dǎo)體元件3的熱損傷。另外，對(duì)于用輸出較小的紫外線激光 形成的部分，也可以不進(jìn)行后述的除污處理。此外，激光的直徑優(yōu)選的是比導(dǎo)通孔12的直徑大。在此情況下，激光被照射在導(dǎo) 通孔12的內(nèi)部整體以及導(dǎo)通孔12的周圍的絕緣膜11上。這里，由于用于填充物13的消 失及導(dǎo)通孔14的形成的激光是低強(qiáng)度，而且因?yàn)楸焕w維增強(qiáng)而耐激光性較高的絕緣膜11 不會(huì)在激光作用下消失，所以導(dǎo)通孔12的直徑不會(huì)擴(kuò)張，絕緣膜11作為激光的掩膜發(fā)揮功 能。由于這樣絕緣膜11作為掩膜發(fā)揮功能，所以能夠不另外使用掩膜而形成與導(dǎo)通孔12 相連并且與導(dǎo)通孔12自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo)通孔14。進(jìn)而，由于能夠與導(dǎo)通孔12的形成另外地進(jìn)行粘接劑13的使半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的 電極4露出的導(dǎo)通孔14的形成，并且粘接劑13沒有被纖維增強(qiáng)，所以能夠通過紫外線激光 那樣的輸出較小的激光形成粘接劑13的導(dǎo)通孔14，所以能夠抑制向半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的傳 熱。此外，能夠?qū)榱瞬粚⑶懊娉サ幕?1除去而將基材41作為掩膜使用、將基材 41通過光刻法、蝕刻法形成圖案、在基材41上形成與導(dǎo)通孔12重合的開口的作業(yè)也省去， 由于是自對(duì)準(zhǔn)，所以不需要調(diào)節(jié)光刻法的掩膜對(duì)位。由此，能夠低成本且迅速地形成導(dǎo)通孔 14。此外，由于用于填充物13a的消失及導(dǎo)通孔14的形成的激光是低強(qiáng)度的，所以能 夠不給半導(dǎo)體元件3帶來惹損傷。接著，通過機(jī)械鉆或高輸出的CO2激光形成將絕緣膜10、封固層9及絕緣膜11貫 通的貫通孔19。接著，將貫通孔19內(nèi)及導(dǎo)通孔12內(nèi)除污處理。接著，如圖12所示，通過用整板鍍層法依次進(jìn)行非電解鍍層處理、電鍍層處理，在 絕緣膜10及絕緣膜11的整個(gè)表面成膜金屬層15a。此時(shí)，在貫通孔19的內(nèi)壁面上也形成 金屬層15a的一部分，并且在導(dǎo)通孔14、12內(nèi)，金屬層15a的一部分也淀積在電極4上，導(dǎo) 通孔14、12內(nèi)被金屬層15a的一部分填埋。接著，如圖13所示，通過對(duì)金屬層15a實(shí)施光刻法及蝕刻法，將金屬層15a形成圖 案，將金屬層15a加工為下層布線15、上層布線17、上側(cè)接地層54及上下導(dǎo)通部20。另外， 金屬層15a的圖案形成除了通過上述那樣的用光刻掩模蝕刻的減除法進(jìn)行下層布線15、上 層布線17及上下導(dǎo)通部20的圖案形成以外，也可以通過將用光刻掩模形成了圖案的金屬 膜15a成膜的半加成法進(jìn)行下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通部20的圖案形成。接著，如圖14所示，在絕緣膜11的表面上及下層布線15上印刷樹脂材料，通過使 該樹脂材料固化，將下層蓋層21形成圖案。同樣，在絕緣膜10的表面上及上層布線17上 將上層蓋層23形成圖案。此外，在上下導(dǎo)通部20的中空部?jī)?nèi)形成填充件25。通過下層蓋 層21及上層蓋層23的圖案形成，形成開口 22、24，在開口 22、24內(nèi)，焊盤16、18露出。另外，也可以在通過浸漬涂層法或旋轉(zhuǎn)涂層法將感光性樹脂涂層在絕緣膜11、下 層布線15、絕緣膜10及上層布線17的整個(gè)表面上、并將感光性樹脂填充到上下導(dǎo)通部20 的中空部?jī)?nèi)之后，通過將涂敷的感光性樹脂曝光、顯影，將下層蓋層21、上層蓋層23及填充 件25形成圖案。
接著，在開口 22、24內(nèi)，在焊盤16、18的表面上通過非電解鍍層法使鍍金層或鍍鎳 層-鍍金層生長(zhǎng)。接著，如圖15所示，在開口 22內(nèi)形成焊接凸塊26。接著，通過將上層蓋層23、絕緣膜10、封固層9、絕緣膜11及下層蓋層21切斷的切 塊處理，將多個(gè)相連的半導(dǎo)體器件1如圖1所示那樣分別分割。以上，根據(jù)本實(shí)施方式，由于絕緣膜11及絕緣膜10含有纖維增強(qiáng)樹脂，所以可以 使用不是預(yù)浸材質(zhì)(在強(qiáng)材質(zhì)的玻璃布中浸漬有熱固化性樹脂的材料)的熱固化樹脂片 9a (參照?qǐng)D8)。夾入代替熱固化樹脂片9a而使用不易變形的預(yù)浸材質(zhì)，則需要在該預(yù)浸材 質(zhì)上設(shè)置半導(dǎo)體元件3收納用的開口，半導(dǎo)體器件的獲得數(shù)減少。但是，在本實(shí)施方式中， 由于使用了熱固化樹脂片9a，所以不需要在熱固化樹脂片9a上設(shè)置開口，能夠?qū)⒍鄠€(gè)半導(dǎo) 體元件3以小間距排列在絕緣膜11上，能夠使半導(dǎo)體器件1的獲得數(shù)變多。此外，由于在粘接劑13上形成導(dǎo)通孔14之前(參照?qǐng)D11)，在絕緣膜11上形成了 導(dǎo)通孔12(參照?qǐng)D6)，所以能夠使用低強(qiáng)度的激光形成導(dǎo)通孔14?！吹?實(shí)施方式〉圖16是第2實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IA的剖視圖。對(duì)于在該半導(dǎo)體器件IA與第 1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1之間相互對(duì)應(yīng)的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)。該半導(dǎo)體器件IA與半導(dǎo)體器件1相比，還通過積層法將布線多層化。即，在下層 蓋層21與絕緣膜11之間設(shè)有第2絕緣膜27，在第2絕緣膜27與下層蓋層21的層間設(shè)有 第2下層布線31。對(duì)于上層側(cè)，也在上層蓋層23與絕緣膜10之間設(shè)有第2絕緣膜29，在 第2絕緣膜29與上層蓋層23的層間設(shè)有第2上層布線32。在第2絕緣膜27上形成了導(dǎo)通孔28，第2下層布線31的一部分被填埋在導(dǎo)通孔 28內(nèi)，第2下層布線31與下層布線15連接。此外，在第2絕緣膜29上形成了導(dǎo)通孔30， 第2上層布線32的一部分被填埋在導(dǎo)通孔30內(nèi)，第2上層布線32與上層布線17連接。第2絕緣膜27及第2絕緣膜29含有纖維增強(qiáng)樹脂。具體而言，第2絕緣膜27及 第2絕緣膜29包含含玻璃纖維環(huán)氧復(fù)合材料、含玻璃纖維聚酰亞胺復(fù)合材料及其他含玻璃 纖維絕緣性樹脂復(fù)合材料。第2下層布線31及第2上層布線32含有銅或鎳、或者銅與鎳 的層疊體。填充件25含有環(huán)氧類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、或其他絕緣性樹脂。除了以上說明的以外，在該半導(dǎo)體器件IA與半導(dǎo)體器件1之間相互對(duì)應(yīng)的部分同 樣地設(shè)置。對(duì)于半導(dǎo)體器件IA的制造方法進(jìn)行說明。到形成下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通部20的為止的工序與第1實(shí)施方式 的情況是同樣的(參照?qǐng)D5 圖13)。在下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通部20的形成之后，將填充件25填充到上 下導(dǎo)通部20的中空部?jī)?nèi)。接著，將絕緣膜10的表面及上層布線17用第2絕緣膜29覆蓋。從激光器照射激 光而在第2絕緣膜29上形成導(dǎo)通孔30，將第2上層布線32形成圖案，將上層蓋層23形成 圖案。接著，將絕緣膜11的表面及下層布線15用第2絕緣膜27覆蓋，從激光器照射激 光而在第2絕緣膜27上形成導(dǎo)通孔28，將第2下層布線31形成圖案。將下層蓋層21形成圖案，在下層蓋層21的開口 22內(nèi)形成焊接凸塊26。接著，通過切塊處理將多個(gè)相連的半導(dǎo) 體器件1分別分割。此外，通過在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的上方的絕緣膜10與上層蓋層23之間 夾著接地的上側(cè)接地層54，保護(hù)半導(dǎo)體元件3不受外部噪聲影響。接地層54通過將金屬層 15a形成圖案而形成。〈第3實(shí)施方式〉圖17是第3實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IB的剖視圖。對(duì)于在該半導(dǎo)體器件IB與第 1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1之間相互對(duì)應(yīng)的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)。該半導(dǎo)體器件IB與半導(dǎo)體器件1相比，沒有設(shè)置貫通孔19、填充件25、上下導(dǎo)通 部20、上層布線17、焊盤18及開口 24。關(guān)于其他部分，半導(dǎo)體器件IB與半導(dǎo)體器件1同樣 地設(shè)置。在該半導(dǎo)體器件IB的制造方法中，沒有在第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的制造方 法中形成貫通孔19的工序以及將上層布線17及上下導(dǎo)通部20形成圖案的工序。此外，在 該半導(dǎo)體器件IB的制造方法中，不將上層蓋層23形成圖案而單單成膜。關(guān)于這以外，半導(dǎo) 體器件IB的制造方法和半導(dǎo)體器件1的制造方法是同樣的。〈第4實(shí)施方式〉圖18是第4實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件IC的剖視圖。對(duì)于在該半導(dǎo)體器件IC與第 1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1之間相互對(duì)應(yīng)的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)。該半導(dǎo)體器件IC與半導(dǎo)體器件1相比，沒有設(shè)置貫通孔19、填充件25、上下導(dǎo)通 部20、上層布線17、焊盤18及開口 24。此外，該半導(dǎo)體器件IC為具有接地用的布線的結(jié)構(gòu)。即，在絕緣膜11與封固層9 的層間設(shè)有接地層45，在絕緣膜11上形成了導(dǎo)通孔12，在絕緣膜11與下層蓋層21的層間 設(shè)有接地用布線47，將接地用布線47的一部分填埋在導(dǎo)通孔46中而連接到接地層45上， 在下層蓋層21上形成了開口 48，在該開口 48內(nèi)設(shè)有焊接凸塊49，焊接凸塊49連接在接地 用布線47上。其他部分與半導(dǎo)體器件IB和半導(dǎo)體器件1同樣地設(shè)置。此外，通過在半導(dǎo) 體結(jié)構(gòu)體2的上方的絕緣膜10與上層蓋層23之間夾著接地的上側(cè)接地層54，保護(hù)半導(dǎo)體 元件3不受外部噪聲影響。上側(cè)接地層54也作為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的散熱部件發(fā)揮功能。對(duì)半導(dǎo)體器件IC的制造方法進(jìn)行說明。在第1基材41上成膜絕緣膜11的工序與第1實(shí)施方式的情況是同樣的(參照?qǐng)D 5)。然后，將二氧化碳?xì)怏w激光照射在絕緣膜11上，在絕緣膜11上形成導(dǎo)通孔12。接著， 如圖19所示，在絕緣膜11上將接地層45形成圖案。在從將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2安裝到絕緣膜 11上的工序到使導(dǎo)通孔12內(nèi)的填充物13a消失并且在粘接劑13上形成導(dǎo)通孔14的工序 與第1實(shí)施方式的情況是同樣的(參照?qǐng)D19、圖7 圖11)。在形成接地層45之后，為了 在絕緣膜11的規(guī)定部位上形成導(dǎo)通孔46，對(duì)絕緣膜11的下表面照射二氧化碳?xì)怏w激光。 另外，也可以在形成接地層45之后在絕緣膜11上同時(shí)形成導(dǎo)通孔12及導(dǎo)通孔46。然后，不進(jìn)行第1實(shí)施方式那樣的形成貫通孔19的工序，將下層布線15及接地用 布線47形成圖案。接著，將上層蓋層23單單成膜，但不進(jìn)行上層蓋層23的圖案形成。另一方面，通 過進(jìn)行下層蓋層21的圖案形成，在下層蓋層21上形成開口 22及開口 48，使下層布線15在 開口 22內(nèi)露出，并且使接地用布線47在開口 48內(nèi)露出。
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接著，在下層蓋層21的開口 22內(nèi)形成焊接凸塊26，并且在開口 48內(nèi)形成焊接凸 塊49。接著，通過切塊處理，將多個(gè)相連的半導(dǎo)體器件1分別分割?！吹?實(shí)施方式〉圖20是第5實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件ID的剖視圖。對(duì)于在該半導(dǎo)體器件ID與第 1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1之間相互對(duì)應(yīng)的部分賦予相同的標(biāo)號(hào)。該半導(dǎo)體器件ID與半導(dǎo)體器件1相比，沒有設(shè)置貫通孔19、填充件25、上下導(dǎo)通 部20、上層布線17、焊盤18及開口 24。此外，該半導(dǎo)體器件ID與半導(dǎo)體器件1相比為散熱性良好的構(gòu)造。g卩，在半導(dǎo)體 元件3之上、絕緣膜10與封固層9的層間，設(shè)有傳熱膜50，在絕緣膜10上形成了多個(gè)導(dǎo)通 孔51，在絕緣膜10上形成膜狀的熱沉(heatsink，散熱片)52，將熱沉52的一部分填埋在導(dǎo) 通孔51中而接觸在傳熱膜50上，在上層蓋層23上形成了開口 53，熱沉52在開口 53內(nèi)露 出。傳熱膜50及熱沉52含有銅或其他金屬材料。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體2的熱通過傳熱膜50及 熱沉52散熱。該熱沉優(yōu)選的是接地而作為屏蔽層發(fā)揮功能。對(duì)半導(dǎo)體器件ID的制造方法進(jìn)行說明。到將半導(dǎo)體元件3安裝到絕緣膜11上的工序?yàn)橹梗c第1實(shí)施方式的情況是同樣 的(圖5 圖7)。然后，準(zhǔn)備在第2基材42上成膜有絕緣膜10的坯材，并且準(zhǔn)備熱固化樹脂片 9a(圖21)。在絕緣膜10的下表面上將傳熱膜50按照半導(dǎo)體元件3形成圖案。接著，將熱固化樹脂片9a從半導(dǎo)體元件3之上載置到絕緣膜11之上，將傳熱膜50 對(duì)位于半導(dǎo)體元件3，將熱固化樹脂片9a夾入到絕緣膜11與絕緣膜10之間，將它們通過一 對(duì)熱盤43、44熱擠壓。然后，從將第1基材41及第2基材42除去的工序到使導(dǎo)通孔12內(nèi)的填充物13a 消失并且在粘接劑13上形成導(dǎo)通孔14的工序中，與第1實(shí)施方式的情況是同樣的(參照 圖10 圖11)。然后，不進(jìn)行第1實(shí)施方式那樣的形成貫通孔19的工序，在絕緣膜10上形成導(dǎo)通 孔51，使傳熱膜50在導(dǎo)通孔51內(nèi)露出。接著，將熱沉52形成圖案。通過將熱沉52形成圖案，熱沉52的一部分填埋在導(dǎo) 通孔51內(nèi)，熱沉52連接到傳熱膜50上。接著，將上層蓋層23形成圖案，在上層蓋層23上 形成開口 53，使熱沉52在開口 53內(nèi)露出。接著，在將下層布線15形成圖案后，形成下層蓋層21，在下層蓋層21上形成開口 22，使下層布線15在開口 22內(nèi)露出，在下層蓋層21的開口 22內(nèi)形成焊接凸塊26。〈第6實(shí)施方式〉本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造與第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的構(gòu)造是相同 的。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法與第1實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的制造方法不同。對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。首先，如圖22所示，在第1基材41上成膜第1金屬膜61，在第1金屬膜61上成 膜第2金屬膜62。第2金屬膜62和第1基材都主要由銅構(gòu)成，第1金屬膜61主要由鎳構(gòu) 成。另外，金屬膜61、62也可以含有其他金屬。此外，也可以不成膜第2金屬膜62。
接著，在第2金屬膜62上成膜絕緣膜11。在沒有成膜有第2金屬膜62的情況下， 在第1金屬膜61上成膜絕緣膜11。接著，與第1實(shí)施方式的情況同樣，如圖23所示那樣通過CO2激光等在絕緣膜11 上形成導(dǎo)通孔12。接著，如圖24所示，將絕緣膜11作為掩膜，將第2金屬膜62中的導(dǎo)通孔12內(nèi)的 部分用第1蝕刻劑進(jìn)行濕法蝕刻，并且將第1金屬膜61中的導(dǎo)通孔12內(nèi)的部分用第2蝕 刻劑進(jìn)行濕法蝕刻。由此，在第2金屬膜62上形成開口 64，在第1金屬膜61上形成開口 63。在將第2金屬膜62蝕刻時(shí)，由于第1蝕刻劑是難以將第1金屬膜61蝕刻的性質(zhì)，所以 第1金屬膜61作為蝕刻阻擋部發(fā)揮功能，所以僅將第2金屬膜62蝕刻，含有與第2金屬膜 62相同的銅的第1基材41不因第1抗蝕劑而受到損傷。此外，在蝕刻第1金屬膜61時(shí)， 由于第2蝕刻劑是難以將第2金屬膜62及基材41蝕刻的性質(zhì)，所以基材41作為蝕刻阻擋 部發(fā)揮功能，所以僅將第1金屬膜61蝕刻，第2金屬膜62及基材41不因第2抗蝕劑而受 到損傷。這樣，由于第1金屬膜61的材料與第2金屬膜62及第1基材41的材料不同，所 以通過使用在第1金屬膜61的材料與第2金屬膜62的材料之間取得選擇性的蝕刻劑，第 2金屬膜62及第1基材41不會(huì)受到損傷。然后，從安裝半導(dǎo)體元件3的工序到將半導(dǎo)體元件3通過封固層9封固的工序中， 與第1實(shí)施方式的情況是同樣的(圖25 圖27)。另外，如果安裝半導(dǎo)體元件3，則非導(dǎo)電 性糊或非導(dǎo)電性薄膜的一部分填埋到開口 63、64及導(dǎo)通孔12內(nèi)，作為填充物13a固化。接著，如圖28所示，將第1基材41通過蝕刻除去，但第2基材42沒有除去。接著，如圖29所示，通過紫外線激光或一氧化碳激光使填埋在開口 63、64及導(dǎo)通 孔12內(nèi)的填充物13a消失，并且在粘接劑13上形成連接到開口 63、64及導(dǎo)通孔12的導(dǎo)通 孔14。此時(shí)，由于激光的直徑比開口 63、64及導(dǎo)通孔12的各直徑大，所以激光被照射在開 口 63、64及導(dǎo)通孔12的內(nèi)部整體及開口 63的周圍的第1金屬膜61上，但由于第1金屬膜 61及第2金屬膜62作為掩膜發(fā)揮功能，所以開口 63、64及導(dǎo)通孔12沒有在激光作用下擴(kuò) 大，能夠形成與激光照射前的開口 63、64及導(dǎo)通孔12自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo)通孔14并且抑制絕緣膜 11的損傷。此外，由于通過低輸出的紫外線激光或一氧化碳激光形成，所以能夠抑制半導(dǎo)體 結(jié)構(gòu)體2的熱損傷。此外，由于開口 63、64及導(dǎo)通孔12預(yù)先形成，所以能夠通過強(qiáng)度較低 的激光形成導(dǎo)通孔14。接著，通過機(jī)械鉆或激光使貫通孔19從第2基材42的表面貫通到絕緣膜11的表接著，如圖30所示，通過蝕刻將第2基材42、第1金屬膜61及第2金屬膜62除 去。另外，將第1金屬膜61通過蝕刻除去的工序也可以是通過激光形成導(dǎo)通孔14的工序 之前且將第1基材41通過蝕刻除去之后。然后，從進(jìn)行下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通部20的圖案形成工序到切塊工 序與第1實(shí)施方式的情況是同樣的(參照?qǐng)D12 圖15)。〈第7實(shí)施方式〉本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造與第1、第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的構(gòu)造是相 同的。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法與第1、第6實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的制造方 法不同。
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對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。從在第2金屬膜62上成膜絕緣膜11的工序到形成導(dǎo)通孔14及貫通孔19的工序 為止，與第6實(shí)施方式的情況是同樣的(參照?qǐng)D22 圖29)。然后，如圖31所示，將第1金屬膜61通過蝕刻除去，但使第2金屬膜62及第2基 材42殘留。接著，通過將殘留的第2金屬膜62及第2基材42作為屏蔽層、進(jìn)行半加成法或減 除法的電鍍層處理，在絕緣膜10及絕緣膜11的整個(gè)表面、貫通孔19的內(nèi)壁面、導(dǎo)通孔14、 12內(nèi)形成金屬層15a(參照?qǐng)D12)。由于使用第2金屬膜62及第2基材42作為屏蔽層，所 以在電鍍層之前不進(jìn)行非電解鍍層就可以，能夠?qū)崿F(xiàn)制造成本及制造工序的削減。接著，通過光刻法及蝕刻法將金屬層15a在下層布線15、上層布線17及上下導(dǎo)通 部20上形成圖案(參照?qǐng)D13)。然后，從形成上層蓋層23、下層蓋層21及填充件25的工序到切塊工序與第1實(shí)施 方式是同樣的(參照?qǐng)D14 圖15)?！吹?實(shí)施方式〉本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造與第1、第6、第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件1的構(gòu) 造是相同的。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法與第1、第6、第7實(shí)施方式的半導(dǎo)體器 件1的制造方法不同。對(duì)本實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件的制造方法進(jìn)行說明。從在第2金屬膜62上成膜絕緣膜11的工序到形成導(dǎo)通孔14及貫通孔19的工序 為止，與第6實(shí)施方式的情況是同樣的(參照?qǐng)D22 圖27)。但是，第2金屬膜62與第1 金屬膜61的密接性較低，第1金屬膜61及第1基材41能夠從第2金屬膜62剝離。然后，如圖32所示，將第1金屬膜61及第1基材41從第2金屬膜62機(jī)械地剝離。接著，如圖33所示，通過紫外線激光或低輸出的一氧化碳激光使填埋在導(dǎo)通孔12 及開口 64內(nèi)的填充物13a消失，并且在粘接劑13上形成連接到導(dǎo)通孔12及開口 64的導(dǎo) 通孔14。此時(shí)，由于激光的直徑比導(dǎo)通孔12的直徑大，所以激光被照射在導(dǎo)通孔12的內(nèi)部 整體及導(dǎo)通孔12的周圍的絕緣膜11上，但由于第2金屬膜62作為掩膜發(fā)揮功能，所以導(dǎo) 通孔12不會(huì)在激光作用下擴(kuò)大，能夠形成與激光照射前的導(dǎo)通孔12自對(duì)準(zhǔn)的導(dǎo)通孔14并 且抑制絕緣膜11的損傷。此外，由于導(dǎo)通孔12預(yù)先形成，第2金屬膜62及絕緣膜11作為 掩膜發(fā)揮功能，所以能夠使激光強(qiáng)度變低。接著，通過機(jī)械鉆或激光使貫通孔19從第2基材42的表面貫通到第2金屬膜62 的表面。然后，從將第2金屬膜62及第2基材42作為屏蔽層使金屬層15a生長(zhǎng)的工序到 切片工序?yàn)橹古c第7實(shí)施方式的情況是同樣的。以上表示并說明了各種典型的實(shí)施方式，但本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式。因 而，本發(fā)明的技術(shù)范圍僅受權(quán)利要求書限定。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包括在配置于第1基材且具有第1導(dǎo)通孔的第1絕緣膜的一個(gè)面，通過粘接劑粘接了形成有電極的半導(dǎo)體元件；將所述基材從所述第1絕緣膜除去；經(jīng)由所述第1導(dǎo)通孔對(duì)所述粘接劑照射第1激光，在所述粘接劑形成第2導(dǎo)通孔，使所述電極從所述粘接劑露出；在所述第2導(dǎo)通孔中形成金屬層，將所述金屬層與所述電極連接。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第1激光的直徑比所 述第1導(dǎo)通孔的直徑大，以所述第1絕緣膜為掩膜，形成所述第2導(dǎo)通孔。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第1絕緣膜含有 纖維增強(qiáng)樹脂。
4.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第1 絕緣膜設(shè)有至少1層以上的金屬掩膜層，在形成所述第2導(dǎo)通孔之后，將所述金屬掩膜層除 去。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第1激 光是紫外線激光或一氧化碳激光。
6.如權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第1導(dǎo) 通孔通過將強(qiáng)度比所述第1激光的強(qiáng)度強(qiáng)的第2激光照射于所述第1絕緣膜而形成。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第1導(dǎo)通孔通過將二 氧化碳?xì)怏w激光照射于所述第1絕緣膜而形成。
8.如權(quán)利要求1 7中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述金屬層 從所述第2導(dǎo)通孔到所述第1絕緣膜上連續(xù)地形成。
9.如權(quán)利要求1 8中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，將粘接于所 述第1絕緣膜的所述半導(dǎo)體元件用封固層封固。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，將所述封固層夾于粘接 在所述第1絕緣膜的一個(gè)面上的所述半導(dǎo)體元件和配置于第2基材的第2絕緣膜之間，從 所述第1基材及第2基材的兩側(cè)加壓。
11.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，所述第2絕緣膜是與所 述第1絕緣膜相同的材料。
12.如權(quán)利要求10或11所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第2絕緣 膜形成上部接地層。
13.如權(quán)利要求1 12中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述半 導(dǎo)體元件的周圍的所述第1絕緣膜的所述一個(gè)面，形成下部接地層。
14.如權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第2絕緣膜形成 熱沉。
15.如權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第1絕緣膜與所述第1基材之間，設(shè)有具有與所述第1基材不同的材料的第1金屬層；對(duì)所述第1絕緣膜照射二氧化碳?xì)怏w激光，在所述第1絕緣膜形成所述第1導(dǎo)通孔；將所述第1絕緣膜作為掩膜，從所述第1導(dǎo)通孔蝕刻所述第1金屬層。
16.如權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，在所述第1絕緣膜與所述第1金屬層之間，設(shè)有具有與所述第1金屬層不同的材料的 第2金屬層；將所述第1絕緣膜作為掩膜，從所述第1導(dǎo)通孔蝕刻所述第2金屬層。
17.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，通過權(quán)利要求1 16中任一項(xiàng)所述的制造方法制造。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法，其目的是不給半導(dǎo)體元件帶來激光的熱損傷。半導(dǎo)體器件的制造方法包括在配置于第1基材且具有第1導(dǎo)通孔的第1絕緣膜的一個(gè)面，通過粘接劑粘接了形成有電極的半導(dǎo)體元件；將所述基材從所述第1絕緣膜除去；經(jīng)由所述第1導(dǎo)通孔對(duì)所述粘接劑照射第1激光，在所述粘接劑形成第2導(dǎo)通孔，使所述電極從所述粘接劑露出；在所述第2導(dǎo)通孔中形成金屬層，將所述金屬層與所述電極連接。
文檔編號(hào)H01L21/60GK101944495SQ20101022085
公開日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年7月1日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月1日
發(fā)明者定別當(dāng)?？?申請(qǐng)人:卡西歐計(jì)算機(jī)株式會(huì)社