專利名稱：功率半導(dǎo)體器件封裝及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及半導(dǎo)體器件的封裝，更確切地說，是一種帶有以連接結(jié)構(gòu)為特點(diǎn) 的導(dǎo)電裝置的功率半導(dǎo)體器件的封裝。
背景技術(shù)：
通過封裝材料和工藝具有改良的熱擴(kuò)散結(jié)構(gòu)和機(jī)制以及更低的熱阻、很低的寄生 電容和電感，功率半導(dǎo)體器件封裝方面的改進(jìn)有利于更高功率密度的封裝。用于增強(qiáng)功率 半導(dǎo)體器件封裝性能的技術(shù)包括暴露功率半導(dǎo)體晶粒的頂面和底面，以便增大熱擴(kuò)散； 除去引線接合，以便降低寄生效應(yīng)；以及降低封裝波形因數(shù)和結(jié)構(gòu)，以便獲得芯片級尺寸封 裝。制作過程的簡化有助于降低封裝方法的成本。用于改善功率半導(dǎo)體器件封裝的整體性能的原有技術(shù)包括美國專利號為 3，972，062的名為《用于多個(gè)晶體管集成電路晶片的裝配組件》的專利中提出的一種裝配 組件。如圖1所示，在裝配組件的空穴22中，每個(gè)裝配組件30都含有一個(gè)晶體管晶片10， 裝貼在第一電極18上。這種組裝包括支撐墊或支腳32、34的裝配。如上所述，晶體管芯片 10的終端16、14，從表面上延伸到裝配溝道部分平放的支腳32、34所在的平面中。裝配組 件的支腳32、34不僅提供支撐，還為晶片的晶體管集電極提供連接。另外，疊加的溝道部分 可保護(hù)晶體管晶片，更確切地說，它可作為散熱片使用。以下專利還提出了許多其他的類似設(shè)計(jì)美國專利號6，624，522、7，122，887、 6，767，820,6, 890，845,7, 253，090,7, 285，866,6, 930，397 以及 6，893，901，美國已公開專 利申請 2007/0091546,2007/0194441,2007/0202631,2008/0066303 和 2007/0284722,以及 美國外觀設(shè)計(jì)專利號D503，691。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所述的功率半導(dǎo)體器件包括一個(gè)以連接結(jié)構(gòu)為特征的導(dǎo)電裝置。例如，此 連接結(jié)構(gòu)為半導(dǎo)體器件終端盒外部貼裝表面(例如印刷電路板(PCB))之間提供連接。更 確切地說，此連接結(jié)構(gòu)可以提供從半導(dǎo)體晶粒的第二表面到印刷電路板(PCB)的連接，其 中第二表面背對著印刷電路板(PCB)。當(dāng)半導(dǎo)體晶粒的第一表面正對著印刷電路板(PCB) 時(shí)，可以直接從第一表面上的半導(dǎo)體器件終端，連接到印刷電路板(PCB)上。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)單一半導(dǎo)體晶粒，通 過一個(gè)形成在此半導(dǎo)體晶粒中的開口，設(shè)置連接結(jié)構(gòu)。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一對平行耦合的半導(dǎo)體晶 粒，在這對半導(dǎo)體晶粒之間，設(shè)置連接結(jié)構(gòu)。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)含有連接結(jié)構(gòu)和半導(dǎo) 體晶粒的導(dǎo)電裝置，其中在半導(dǎo)體晶粒中形成一個(gè)開口，這個(gè)開口的尺寸和結(jié)構(gòu)足夠容納 連接結(jié)構(gòu)。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)含有連接結(jié)構(gòu)以及一對半導(dǎo)體晶粒的導(dǎo)電裝置，這一對半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在連接裝置的兩側(cè)，并間隔一定的距離。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)具有連接結(jié)構(gòu)的平板 部分以及一個(gè)電耦合到平板部分上的半導(dǎo)體晶粒，其中在半導(dǎo)體晶粒中形成一個(gè)開口，這 個(gè)開口的尺寸和結(jié)構(gòu)足夠容納連接結(jié)構(gòu)。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)導(dǎo)電裝置，這個(gè)導(dǎo)電 裝置包括一個(gè)具有連接結(jié)構(gòu)的平板部分以及一對電耦合到平板部分上的半導(dǎo)體晶粒，這一 對半導(dǎo)體晶粒設(shè)置在連接結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并間隔一定的距離。這個(gè)連接結(jié)構(gòu)可以延伸至與導(dǎo) 電裝置的平板結(jié)構(gòu)相對的半導(dǎo)體晶粒的一面(以及面上的任何接點(diǎn))近似共面的位置。依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括，一個(gè)帶有相反對 面和接點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片，第一套接點(diǎn)設(shè)置在所述相反對面的一個(gè)面上，第二套接點(diǎn)設(shè)置在 所述相反對面的另一面上；以及一個(gè)與所述的第一套接點(diǎn)保持機(jī)械接觸的導(dǎo)電裝置，所述的導(dǎo)電裝置帶有一個(gè)導(dǎo) 電連接結(jié)構(gòu)，朝所述的另一面延伸，遠(yuǎn)離所述的第一套接點(diǎn)，終止在所述的第二套接點(diǎn)附 近；其中所述的半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)在所述的相反對面之間延伸的開口，并且所述的 導(dǎo)電裝置穿過所述的開口。依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，一個(gè)功率半導(dǎo)體器件封裝包括，帶有相反對面 和多個(gè)接點(diǎn)的多個(gè)間隔的半導(dǎo)體晶片，第一套接點(diǎn)設(shè)置在所述的相反對面的一個(gè)面上，第 二套接點(diǎn)設(shè)置在所述的相反對面的另一面上；以及一個(gè)與所述的第一套接點(diǎn)保持機(jī)械接觸的導(dǎo)電裝置，帶有一個(gè)設(shè)置在所述的多個(gè) 間隔的半導(dǎo)體晶片之間的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，沿遠(yuǎn)離所述的第一套接點(diǎn)的第一方向朝所述的另 一面延伸并終止在所述的第二套接點(diǎn)附近。依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，其中所述的多個(gè)半導(dǎo)體晶片沿第二方向分隔 開，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)沿著與所述的第一和第二方向垂直的第三方向延伸，所述的第二 方向與第一方向垂直。依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)沿所述的第三方向測量有 一長度，并且在所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)中形成一個(gè)溝道，沿所述的長度延伸。依據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種制造功率半導(dǎo)體器件封裝的方法包括制備一個(gè)導(dǎo) 電平板；在導(dǎo)電板上間隔形成連接結(jié)構(gòu)；貼上半導(dǎo)體晶粒，以便在相鄰的溝道中間設(shè)置一 對半導(dǎo)體晶粒；將導(dǎo)電平板切成功率半導(dǎo)體器件封裝，使一對半導(dǎo)體晶粒被一個(gè)溝道隔開。為了更好地理解以下的詳細(xì)說明，以及更好地掌握本發(fā)明對現(xiàn)有技術(shù)的貢獻(xiàn)，本 文已大體概述了本發(fā)明的重要特點(diǎn)。當(dāng)然，下文還將詳細(xì)介紹本發(fā)明的許多其他特點(diǎn)，而且 這將構(gòu)成附錄的權(quán)利要求書中的主旨內(nèi)容。因此，在詳細(xì)介紹本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例之前，應(yīng)指出本發(fā)明并不僅限于下文 說明中或附圖中所應(yīng)用的設(shè)計(jì)細(xì)節(jié)以及元件結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還可以適用于其他實(shí)施例，并且 可通過各種方法實(shí)現(xiàn)。另外，應(yīng)指出本文以及附錄所使用的措辭和術(shù)語，都僅作為解釋說 明，并不作為局限。對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的多種用途，本發(fā)明的基本思路可 以作為其他方法和系統(tǒng)的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)。因此，應(yīng)認(rèn)為權(quán)利要求書已涵蓋了這些同等的方法和
5系統(tǒng)，其并沒有違背本發(fā)明的意圖和范圍。


參考以下附圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將清楚掌握本發(fā)明的各種特點(diǎn)和優(yōu)勢圖1為原有技術(shù)的功率半導(dǎo)體器件封裝的裝配組件的透視圖；圖2表示根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖3表示依據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖4表示依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖5表示依據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖6表示依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖7表示依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖8表示依據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例，平行耦合的一對半導(dǎo)體晶片示意圖；圖9表示依據(jù)本發(fā)明的一種可選方式，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖10表示依據(jù)本發(fā)明的一種可選方式，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖11表示依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖12表示依據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖13表示依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖14表示依據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖15表示依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖16表示依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖17表示依據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的一個(gè)可選部分的截 面圖；圖18表示依據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖19表示依據(jù)本發(fā)明的第七實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖20表示依據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的仰視平面圖；圖21表示依據(jù)本發(fā)明的第八實(shí)施例，功率半導(dǎo)體器件封裝的截面圖；圖22-25系統(tǒng)地表示本發(fā)明的制造工藝；圖26表示本發(fā)明的方法步驟的流程圖。
具體實(shí)施例方式圖2和3表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體封裝100的第一個(gè)實(shí)施例。功率半導(dǎo)體器 件100包括一個(gè)設(shè)置在第一表面117上，帶有多個(gè)源級接點(diǎn)110和一個(gè)柵極接點(diǎn)115的半 導(dǎo)體晶片105，其中源級接點(diǎn)110和柵極接點(diǎn)115通過鈍化層130相互絕緣。鈍化層130含 有二氧化硅、氮化硅、聚酰亞胺或它們的混合物。漏極接點(diǎn)120設(shè)置在與第一表面117相對 的第二表面125上。半導(dǎo)體晶片105還包括一個(gè)貫穿的圓開口 135。功率半導(dǎo)體封裝100還包括一個(gè)由導(dǎo)電材料組成的導(dǎo)電裝置150，以便容納半導(dǎo) 體晶片105。導(dǎo)電裝置150有利于提供熱擴(kuò)散以及電傳導(dǎo)。導(dǎo)電裝置150包括一個(gè)矩形結(jié) 構(gòu)的平板部分153，半導(dǎo)體晶片105的漏極接點(diǎn)120以及柱形連接結(jié)構(gòu)155都電連接到平板 部分153上。柱形連接結(jié)構(gòu)155從平板結(jié)構(gòu)153上垂下來，從平板部分的底面157開始延伸，并穿過半導(dǎo)體晶片105。在本例中，柱形連接結(jié)構(gòu)155的一端，與鈍化層130以及柵極和 源極接點(diǎn)115、110大致在同一平面上。通過導(dǎo)電焊錫、環(huán)氧樹脂等適當(dāng)?shù)姆椒?，將半?dǎo)體晶片105附著在平板部分底面 157上，使得柱形連接結(jié)構(gòu)155設(shè)置在空白處，穿過半導(dǎo)體晶片105中的圓開口 135。柱形 連接結(jié)構(gòu)155在漏極接點(diǎn)120和印刷電路板(圖中沒有表示出)等貼裝襯底之間，形成電 連接。在該實(shí)施例中，圓開口 135大致位于導(dǎo)電裝置150的中心位置。圖4和5表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝IOOa的第二個(gè)實(shí)施例。功率半導(dǎo) 體器件封裝IOOa中除了連接結(jié)構(gòu)155a以及開口 135a都是矩形之外，在其他各個(gè)方面都與 功率半導(dǎo)體器件封裝100 —樣。圖6和7表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝200的第三個(gè)實(shí)施例。與第一個(gè)和 第二個(gè)實(shí)施例相比，第三個(gè)實(shí)施例包括一對半導(dǎo)體晶片205和207。半導(dǎo)體晶片205和207 含有平行耦合的一對P場效應(yīng)管器件或一對N場效應(yīng)管器件，可作為圖8所示的獨(dú)立器件。 半導(dǎo)體晶片205和207都含有設(shè)置在第一表面217上的多個(gè)源級接點(diǎn)210和一個(gè)柵極接點(diǎn) 215，通過鈍化層230，源級接點(diǎn)210和柵極接點(diǎn)215互相絕緣。鈍化層230含有SiO、SiN、 聚酰亞胺或它們的混合物。漏極接點(diǎn)220設(shè)置在半導(dǎo)體晶片205和207的第二表面225上， 第二表面225在第一表面217的對面。功率半導(dǎo)體器件封裝200還包括一個(gè)由導(dǎo)電材料組成的導(dǎo)電裝置250，以便容納 半導(dǎo)體晶片205和207。帶有連接結(jié)構(gòu)255的導(dǎo)電裝置250通常為“T”形，并且有利于熱擴(kuò) 散和電傳導(dǎo)。導(dǎo)電裝置250包括矩形裝置的平板部分253以及連接結(jié)構(gòu)255，漏極接點(diǎn)220 電連接到矩形裝置上。連接結(jié)構(gòu)255從平板結(jié)構(gòu)253上垂直下來，從平板部分的底面257開 始延伸，一直到與鈍化層230 (以及源級和柵極接點(diǎn)210、215)大致在同一平面的位置。與 第一個(gè)和第二個(gè)實(shí)施例中的連接結(jié)構(gòu)155和155a相比，連接結(jié)構(gòu)255沿導(dǎo)電裝置250的寬 度方向延伸。半導(dǎo)體晶片205和207通過它們的漏極接點(diǎn)220，以導(dǎo)電環(huán)氧樹脂(或焊錫膏或其 他同類材料，圖中沒有表示出)的方式，附著到位于連接結(jié)構(gòu)220的任意一側(cè)的平板部分底 面257上，使得半導(dǎo)體晶片205和207位于遠(yuǎn)離連接結(jié)構(gòu)255處。連接結(jié)構(gòu)255，為漏極接 點(diǎn)220和印刷電路板等襯底(圖中沒有表示出)之間，提供電接觸。圖9和圖10表示功率半導(dǎo)體封裝200的一種可選結(jié)構(gòu)。連接結(jié)構(gòu)255的底部表 面上有一個(gè)槽口 256，使安裝襯底(例如印刷電路板)不僅可以將半導(dǎo)體晶片205和207的 源極210電極一起導(dǎo)入到連接結(jié)構(gòu)255下方，還可以將半導(dǎo)體晶片205和207的柵極215 導(dǎo)入到一起。在本實(shí)施例中，這些內(nèi)部通道可以全部在半導(dǎo)體器件封裝中實(shí)現(xiàn)。也可選擇 將槽口 256放置在連接結(jié)構(gòu)255的中心位置，而不是在它的一個(gè)末端上。圖11和12表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝300的第四個(gè)實(shí)施例。與第三 個(gè)實(shí)施例相比，導(dǎo)電裝置350通常為“M”形，并且含有一套側(cè)翼351。這一套側(cè)翼351與導(dǎo) 電裝置350的邊370成一定的夾角。在功率半導(dǎo)體器件封裝的處理和制作等過程中，這一 套側(cè)翼351可以保護(hù)半導(dǎo)體晶片305和307。其優(yōu)勢在于，功率半導(dǎo)體器件封裝300的制作 過程并不需要額外的處理工藝。組裝后，晶片上面的端子連接，仍然從側(cè)面可見。圖13和14表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝400的第五個(gè)實(shí)施例。與第三、 第四個(gè)實(shí)施例相比，導(dǎo)電裝置450具有一個(gè)形成在其中點(diǎn)的溝道460。溝道460作為導(dǎo)電裝置450的連接結(jié)構(gòu)。溝道460的底部461與鈍化層430基本共面。其優(yōu)勢在于，溝道460 可通過壓印導(dǎo)電板制成，不僅快捷簡便，而且經(jīng)濟(jì)實(shí)用。圖15和16表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝500的第六個(gè)實(shí)施例。與第五個(gè) 實(shí)施例相比，導(dǎo)電裝置550具有一個(gè)形成在其中點(diǎn)的溝道560，而且?guī)в薪嵌葔Α系?60 的底部561與鈍化層530共面。其優(yōu)勢在于，溝道560可通過壓印導(dǎo)電板制成。溝道560 還可選用如圖17所示的“W”形結(jié)構(gòu)。圖18和19表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝600的第七個(gè)實(shí)施例。與第五 個(gè)實(shí)施例相比，導(dǎo)電裝置650具有一個(gè)形成在溝道660中的開口 680。溝道660為圓柱形， 使得連接結(jié)構(gòu)帶有柱形結(jié)構(gòu)。開口 680可以是如圖所示的圓形，也可以是其他任何形狀，便 于提供更好的可焊性，并增強(qiáng)可靠性。圖20和21表示依據(jù)本發(fā)明，功率半導(dǎo)體器件封裝700的第八個(gè)實(shí)施例，它與圖 15-17所示的半導(dǎo)體器件封裝500的第六個(gè)實(shí)施例類似。第六個(gè)實(shí)施例相比，導(dǎo)電裝置750 具有一個(gè)形成在溝道760中的開口 780。開口 780可以是如圖所示的矩形，也可以是其他任 何形狀，便于提供更好的可焊性，并增強(qiáng)可靠性。圖22至圖25和圖26表示依據(jù)本發(fā)明的一種典型制備方法900。在工序910中， 制備導(dǎo)電板800。在工序920中，連接結(jié)構(gòu)810(在本例中為溝道)間隔形成在導(dǎo)電板800 中。作為示例，這些溝道可以通過壓印工藝形成。在工序930中，半導(dǎo)體晶片820被間隔附 著在導(dǎo)電板800上，以至于在相鄰的溝道810之間設(shè)置著一對半導(dǎo)體晶片。最后，在工序 940中，導(dǎo)電板800被切割成獨(dú)立功率半導(dǎo)體器件封裝，一對半導(dǎo)體晶片820被溝道810分 隔開。本發(fā)明的功率半導(dǎo)體器件封裝，提出了 一種帶有裸露頂面以及裸露半導(dǎo)體晶片的 封裝方式，增強(qiáng)了熱擴(kuò)散。如果一對半導(dǎo)體晶片并行耦合在封裝中，那么這對半導(dǎo)體晶片將 作為一個(gè)獨(dú)立器件，提供更好的功率控制能力。上文對本發(fā)明實(shí)施例的說明，僅作為解釋說明，并不能作為限制或局限本發(fā)明的 具體形式。根據(jù)上述說明，還可能存在多種修正和變化。例如，在第三、第四、第五、第六、第 七、第八個(gè)實(shí)施例含有串聯(lián)在一起的一個(gè)場效應(yīng)管器件和一個(gè)二極管、一對二極管和一對 場效應(yīng)管(例如一個(gè)高端場效應(yīng)管和一個(gè)低端場效應(yīng)管)，在功率半導(dǎo)體器件封裝中，都可 以容納任何兩個(gè)半導(dǎo)體器件。本發(fā)明也不局限于兩種半導(dǎo)體器件，例如連接結(jié)構(gòu)的一邊可 以是一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管，另一邊可以是另一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管和 一種二極管。此外，場效應(yīng)管器件可以具有漏極和柵極接點(diǎn)在同一面等各種不同的連接結(jié) 構(gòu)。而且，溝道也可以是任何結(jié)構(gòu)和形狀。因此，本發(fā)明的范圍不局限于上述詳細(xì)說明，而 應(yīng)由所附的權(quán)利要求書決定。
權(quán)利要求
一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，包括一個(gè)帶有相反對面和接點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片，第一套接點(diǎn)設(shè)置在所述相反對面的一個(gè)面上，第二套接點(diǎn)設(shè)置在所述相反對面的另一面上；以及一個(gè)與所述的第一套接點(diǎn)保持機(jī)械接觸的導(dǎo)電裝置，所述的導(dǎo)電裝置帶有一個(gè)導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，朝所述的另一面延伸，遠(yuǎn)離所述的第一套接點(diǎn)，終止在所述的第二套接點(diǎn)附近；其中所述的半導(dǎo)體晶片包括一個(gè)在所述的相反對面之間延伸的開口，并且所述的導(dǎo)電裝置穿過所述的開口。
2.如權(quán)利要求1中所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的開口大約位 于所述的導(dǎo)電裝置的中心位置。
3.—種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，包括帶有相反對面和多個(gè)接點(diǎn)的多個(gè)間隔的半導(dǎo)體晶片，第一套接點(diǎn)設(shè)置在所述的相反對 面的一個(gè)面上，第二套接點(diǎn)設(shè)置在所述的相反對面的另一面上；以及一個(gè)與所述的第一套接點(diǎn)保持機(jī)械接觸的導(dǎo)電裝置，帶有一個(gè)設(shè)置在所述的多個(gè)間隔 的半導(dǎo)體晶片之間的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)，沿遠(yuǎn)離所述的第一套接點(diǎn)的第一方向朝所述的另一面 延伸并終止在所述的第二套接點(diǎn)附近。
4.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，導(dǎo)電裝置及其連接結(jié) 構(gòu)通常為“T”形。
5.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的多個(gè)半導(dǎo)體晶 片沿第二方向分隔開，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)沿著與所述的第一和第二方向垂直的第三方向 延伸，所述的第二方向與第一方向垂直。
6.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的多個(gè)半導(dǎo)體晶 片沿第二方向分隔開，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)沿著與所述的第一和第二方向垂直的第三方向 延伸，所述的第二方向與第一方向垂直，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)沿所述的第三方向測量有一 長度，并且在所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu)中形成一個(gè)溝道，沿所述的長度延伸。
7.如權(quán)利要求6所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu) 還包括一個(gè)穿過所述的溝道，沿第一方向延伸的通孔。
8.如權(quán)利要求6所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的溝道具有角度掉 丄回ο
9.如權(quán)利要求6所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的溝道為“W”形結(jié)構(gòu)。
10.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的多個(gè)半導(dǎo)體晶 片中的一個(gè)半導(dǎo)體晶片是由一個(gè)場效應(yīng)管組成。
11.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的多個(gè)半導(dǎo)體晶 片是由一對并行的場效應(yīng)管組成。
12.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的導(dǎo)電裝置還包 括側(cè)翼，這些側(cè)翼與所述的導(dǎo)電裝置的面緣成一定角度。
13.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的連接結(jié)構(gòu)為圓 柱形。
14.如權(quán)利要求3所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的連接結(jié)構(gòu)有一個(gè)溝道組成。
15.如權(quán)利要求6所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，所述的導(dǎo)電連接結(jié)構(gòu) 還包括多個(gè)穿過所述的溝道，沿第一方向延伸的通孔。
16.一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，包括一個(gè)含有平板部分的導(dǎo)電裝置，平板結(jié)構(gòu)上有一個(gè)連接結(jié)構(gòu)；以及一對半導(dǎo)體晶片電耦合到平板部分，設(shè)置在連接結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，并間隔一定的距離。
17.如權(quán)利要求16所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，導(dǎo)電裝置通常為“T”形。
18.如權(quán)利要求16所述的一種功率半導(dǎo)體器件封裝，其特征在于，連接結(jié)構(gòu)為一個(gè)溝道。
19.一種制備功率半導(dǎo)體器件封裝的方法，其特征在于，包括以下步驟 制備一個(gè)導(dǎo)電板；在導(dǎo)電板上間隔形成連接結(jié)構(gòu)；貼上半導(dǎo)體晶片，使得在相鄰的連接結(jié)構(gòu)之間，設(shè)置有一對半導(dǎo)體晶片；以及 切割導(dǎo)電板形成功率半導(dǎo)體器件獨(dú)立封裝，連接結(jié)構(gòu)將一對半導(dǎo)體晶片分隔開。
20.如權(quán)利要求19中所述的一種制備功率半導(dǎo)體器件封裝的方法，其特征在于，連接 結(jié)構(gòu)為一個(gè)溝道。
21.如權(quán)利要求20中所述的一種制備功率半導(dǎo)體器件封裝的方法，其特征在于，通過 壓印導(dǎo)電板的方式，間隔形成連接結(jié)構(gòu)。
22.如權(quán)利要求20中所述的一種制備功率半導(dǎo)體器件封裝的方法，其特征在于，在導(dǎo) 電板上形成連接結(jié)構(gòu)，使連接結(jié)構(gòu)末端最接近這對半導(dǎo)體晶片的面緣平面，并與導(dǎo)電板上 附著的半導(dǎo)體晶片的面緣平面相對。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)帶有連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電裝置，以及一個(gè)帶有貫穿開口的半導(dǎo)體晶片，開口的尺寸和結(jié)構(gòu)要足夠容納連接結(jié)構(gòu)。在一個(gè)可選實(shí)施例中，一種功率半導(dǎo)體器件封裝包括一個(gè)帶有連接結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電裝置，以及一對半導(dǎo)體晶片，設(shè)置在連接結(jié)構(gòu)的任意一側(cè)，并間隔一定的距離。
文檔編號H01L25/00GK101930957SQ201010200560
公開日2010年12月29日 申請日期2010年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月8日
發(fā)明者劉凱, 弗蘭克斯·赫爾伯特, 張曉天, 魯軍 申請人:萬國半導(dǎo)體有限公司