專利名稱：半導(dǎo)體芯片的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有防止在該半導(dǎo)體晶片的切割過程中該晶片的后表面的碎裂 (chipping)的晶片保護膜的半導(dǎo)體芯片的制備方法。
背景技術(shù)：
該倒裝芯片連接(flip-chip connection)方法用于降低半導(dǎo)體芯片的安裝表面 積。這種連接方法典型地包括(1)在半導(dǎo)體晶片的上表面上形成電路和接線塊，(2)拋光 該半導(dǎo)體晶片的后表面直至得到預(yù)設(shè)的厚度，(3)切割該半導(dǎo)體晶片以形成半導(dǎo)體芯片，將各芯片連接到基底以使得在其上形成該電路的表面朝向該基底，和(5)隨后進行樹 脂封裝或其他以保護該半導(dǎo)體芯片。然而，在拋光步驟(2)中，在該芯片的后表面上形成非常微細(xì)的條紋狀劃痕，這些 劃痕在該切割和包裝步驟之后能夠產(chǎn)生裂縫。因此，即使這些類型的條紋狀劃痕是在拋光 步驟中產(chǎn)生的，為了防止該劃痕對后續(xù)步驟產(chǎn)生不利的影響，已經(jīng)提出了其中在該拋光步 驟(2)之后在該晶片的后表面上形成保護性膜(芯片保護膜)的技術(shù)。而且，為了形成這 種類型的芯片保護膜，已經(jīng)提出了由脫模片材(release sheet)和在該脫模片的脫模表面 上形成的保護膜形成層組成的片材(參見專利文件1和專利文件2)。現(xiàn)有技術(shù)文件專利文件專利文件1 JP 2002-280329 A專利文件2 JP 2004-260190 A

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題另一方面，已知在上述的切割步驟中，該晶片有時能夠受到旋轉(zhuǎn)刀片擺動的損傷 (下文將這種損傷稱作“碎裂”)。上述的芯片保護膜預(yù)期用于防止該切割過程中的碎裂，但因為該芯片的處理也發(fā) 生在從該未固化的芯片保護膜上除去該基底膜之后，那么如果某物與該芯片保護膜的表面 接觸并造成其損傷，則容易導(dǎo)致產(chǎn)品收率的降低。此外，因為該損傷的部分缺乏平整性，因 此在切割膜和芯片保護膜之間產(chǎn)生縫隙，這意味著會產(chǎn)生其中該切割膜和該保護膜不接觸 的部分。作為該保護膜的這種不平整性的結(jié)果，在該芯片保護膜和該切割膜之間以不規(guī)則 方式產(chǎn)生空氣層，這種空氣層能夠在該晶片的切割過程中造成旋轉(zhuǎn)刀片的擺動，導(dǎo)致對該 晶片造成甚至更大的損傷。該芯片保護膜施加在其上的該晶片具有在該晶片的上表面上形成的半導(dǎo)體電路， 是在與該后表面上形成的該保護膜相反一側(cè)上。該上表面還包括電路保護層和焊球，其保 護該芯片表面上的電路并與將該電路與該安裝基底電連接。上述的該保護膜和該電路保護層通常是由有機材料制成的，因此具有比構(gòu)成該晶 片的單晶硅更大的線性膨脹系數(shù)。因此，當(dāng)該半導(dǎo)體芯片以電路表面朝上定位時，該芯片容易彎曲以使得在該芯片的后表面上形成凸起的形狀。這種彎曲在該晶片內(nèi)產(chǎn)生應(yīng)力，如果 該應(yīng)力變得過大，其能夠產(chǎn)生碎裂。因此，本發(fā)明的目的是解決上述列出的問題，并提供半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中 通過防止在處理該晶片的過程中對芯片保護膜的損傷，能夠提高產(chǎn)品收率，在該切割過程 中能夠?qū)崿F(xiàn)優(yōu)良的切割性能，并能夠降低該晶片的彎曲。問題的解決手段作為深入研究的結(jié)果，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過包括以下的半導(dǎo)體芯片的制備方 法能夠?qū)崿F(xiàn)上述目的將保護膜形成片材結(jié)合到半導(dǎo)體晶片上以使得該保護膜與該半導(dǎo)體晶片的后表 面接觸，該保護膜形成片材包括在一個表面上的具有可脫模性的基底膜和提供在具有可脫 模性的基底膜的表面上的由熱固性樹脂組合物構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片保護膜，然后固化該保護膜，和然后從所得到的固化的保護膜上剝落該基底膜。發(fā)明效果在依照本發(fā)明制備半導(dǎo)體芯片的方法中，在該基底膜仍附著時固化該半導(dǎo)體芯片 保護膜，因此該保護膜不可能被固化之前的處理損傷，導(dǎo)致產(chǎn)品收率的改進。此外，改進了 該保護膜的平整性，抑制了該半導(dǎo)體晶片的彎曲，這意味著能夠更好地防止碎裂。該方法還 在切割過程中產(chǎn)生了優(yōu)良的切割性能。實施本發(fā)明的最佳方式下面呈現(xiàn)了本發(fā)明的更詳細(xì)的描述。在該描述中，術(shù)語“重均分子量”(也略寫為 Mw)表示通過凝膠滲透色譜法和引用的對比聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)測定的重均分子量。保護膜形成組合物對用于形成該半導(dǎo)體芯片保護膜所用的組合物沒有特別限制，只要該組合物是熱 固性樹脂組合物即可。該組合物的實例包括苯氧基樹脂組合物、聚酰亞胺樹脂組合物、(甲 基)丙烯酸樹脂組合物、環(huán)氧樹脂組合物和馬來酰亞胺樹脂組合物。這些組合物典型地每 100質(zhì)量份的該樹脂包括約5 1500質(zhì)量份的填料，例如無機填料，例如二氧化硅或氧化鋁 或硅酮粉末等，也可以包括有效量的固化催化劑和/或固化劑。該樹脂、填料和固化催化劑 等可以各自由單一材料或兩種或多種不同材料的組合構(gòu)成。用于本發(fā)明的特別優(yōu)選的熱固性樹脂組合物包括(A) 100質(zhì)量份的至少一種選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂和(甲基)丙烯酸樹 脂的樹脂，(B) 5 200質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂，(C) 10 900質(zhì)量份的填料，和(D)有效量的環(huán)氧樹脂固化催化劑。-(A)選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂和(甲基)丙烯酸樹脂的樹脂--苯氧基樹脂苯氧基樹脂是由表氯醇和雙酚A或雙酚F樹脂得到的樹脂。該苯氧基樹脂優(yōu)選具 有在10000 200000范圍內(nèi)的聚苯乙烯當(dāng)量重均分子量，更優(yōu)選為20000 100000，最優(yōu) 選為30000 80000。如果重均分子量小于該范圍的最低值，那么成膜能夠是有問題的。相反，如果重均分子量超過上述范圍的上限，那么可能難以得到具有足夠柔性的樹脂以適應(yīng) (conform)和填充具有在其上形成的微細(xì)電路的不平坦的基體表面內(nèi)的縫隙。該苯氧基樹脂的實例包括自在市場上可獲得的產(chǎn)品PKHC、PKHH和PKHJ(所有都由 TOMOE Engineering Co.，Ltd.制造)；使用雙酚A和雙酚F的混合物制備的產(chǎn)品，例如在 市場上可獲得的產(chǎn)品 EPIK0TE4250、EPIK0TE 4275 和 EPIKOTE 1255HX30 (所有都由 Nippon KayakuCo. , Ltd.制造)；使用溴代環(huán)氧樹脂的產(chǎn)品，例如EPIKOTE 5580BPX40 (由Nippon Kayaku Co.，Ltd.制造)；雙酚A型樹脂，包括在市場上可獲得的產(chǎn)品YP-50、YP-50S、YP_55 和YP-70(所有都由Tohto Kasei Co. , Ltd.制造)和在市場上可獲得的產(chǎn)品JER E1256、 E4250、E4275、YX6954BH30和YL7290BH30(所有都由 Japan Epoxy Resins Co. ,Ltd.制造)。 在具有滿足上面所列的優(yōu)選范圍的重均分子量方面，JER E1256的使用是特別適宜的。這 種基于苯氧基的聚合物在端部具有環(huán)氧基團，這些環(huán)氧基團與下述組分(B)反應(yīng)。對于該苯氧基樹脂，可以單獨使用單一樹脂，或者可以使用兩種或多種苯氧基樹 脂的組合。-聚酰亞胺樹脂包括下式(1)所示的重復(fù)單元的樹脂能夠用作該聚酰亞胺樹脂。 (其中X表示包含芳香環(huán)或脂肪環(huán)的四價有機基團，Y表示二價有機基團，q表示 1 300的整數(shù)。)該聚酰亞胺樹脂優(yōu)選具有在10000 200000范圍內(nèi)的重均分子量，更優(yōu)選 20000 100000，最優(yōu)選30000 80000。如果重均分子量小于該范圍的下限，那么成膜能 夠是有問題的。相反，如果重均分子量超過上述范圍的上限，那么可能難以得到具有足夠柔 性的樹脂以適應(yīng)和填充具有在其上形成的微細(xì)電路的不平坦基體表面內(nèi)的縫隙。上述聚酰亞胺硅酮樹脂能夠通過使用標(biāo)準(zhǔn)方法得到，以將具有下式(2)所示的重 復(fù)單元的聚酰胺酸進行脫水和閉環(huán)反應(yīng)。 (其中X、Y和q如上定義。)上式所示的聚酰胺酸樹脂能夠通過使用標(biāo)準(zhǔn)方法得到，以在有機溶劑中將基本等 摩爾量的下式(3)所示的四羧酸二酐與下式(4)所示的二胺反應(yīng)。
(其中X如上定義。)H2N-Y-NH2(4)(其中Y如上定義。)上式(3)所示的四羧酸二酐的特別實例包括如下所示的化合物，可以單獨使用任 意這些化合物，或者可以組合使用兩種或多種化合物。 上式(4)所示的二胺優(yōu)選包括1 80摩爾％，更優(yōu)選1 60摩爾％的下式(5) 所示的二氨基硅氧烷化合物，由于這樣在有機溶劑中產(chǎn)生優(yōu)越的溶解度、優(yōu)越的與基體的 粘合、較低的彈性模量和較好的柔性。 (其中各R1獨立地表示3 9個碳原子的二價有機基團，各R2和R3獨立地表示 1 8個碳原子的未取代或取代的一價烴基，和m表示1 200的整數(shù)。)上述3 9個碳原子的二價有機基團的例子包括可以包括醚鍵的二價烴基，包括 亞烷基，例如 _ (CH2) 3"(CH2) 4_、-CH2CH (CH3) _、_ (CH2) 6_ 和-(CH2) 8_ ；由下式所示的亞芳基； 亞烷基-亞芳基；氧化亞烷基，例如-(CH2) 3-0-和-(CH2) 4-0-；由下式所示的氧化 亞芳基； 和由下式所示的氧化亞烷基_亞芳基。 由R2和R3所示的1 8個碳原子的未取代或取代的一價烴基的實例包括烷基， 例如甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、己基、環(huán)己基、2-乙基己基或辛基；烯 基，例如烯丙基、丙烯基、異丙烯基、丁烯基、異丁烯基或己烯基；芳基，例如苯基、甲苯基或 二甲苯基；芳烷基，例如苯甲基或苯乙基；和其中在上述烴基中的一種中的與碳原子連接 的一些或所有氫原子被鹵素原子(例如氟原子、氯原子和溴原子)取代的基團，包括鹵代烷 基，例如氯甲基、溴乙基或3，3，3_三氟丙基。在上述基團中，優(yōu)選甲基或苯基。可以單獨使用式(5)所示的任意二氨基硅氧烷化合物，或者可以結(jié)合使用兩種或 多種化合物。除上式(5)所示的二氨基硅氧烷化合物之外的上式(4)所示的二氨基的實例包 括包含芳香環(huán)的二胺，例如對_苯二胺、間_苯二胺、4，4’ - 二氨基二苯基甲烷、4，4’ - 二 氨基二苯基醚、2，2’ -雙(4-氨基苯基)丙烷、4，4’ -二氨基二苯基砜、4，4’ - 二氨基二苯 基硫化物、1，4-雙(3-氨基苯氧基)苯、1，4_雙(4-氨基苯氧基)苯、1，4-雙(對-氨基 苯基磺酰基)苯、1，4_雙(間-氨基苯磺酰基)苯、1，4_雙(雙-氨基苯基硫醚)苯、1， 4_雙(間-氨基苯基硫醚)苯、2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2-雙[3-甲 基-4_(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、2，2_雙[3-氯-4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷、1， 1-雙[4-(4_氨基苯氧基)苯基]乙烷、1，1_雙[3-甲基-4-(4-氨基苯氧基)苯基]乙 烷、1，1_雙[3-氯-4-(4-氨基苯氧基)苯基]乙烷、1，1_雙[3，5-二甲基-4-(4-氨基苯 氧基)苯基]乙烷、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、雙[3-甲基-4-(4-氨基苯氧基) 苯基]甲烷、雙[3-氯-4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、雙[3，5-二甲基-4-(4-氨基苯氧基)苯基]甲烷、雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基]砜和2，2-雙[4-(4-氨基苯氧基)苯基] 全氟丙烷。其中，優(yōu)選對_苯二胺、間_苯二胺、4，4’ - 二氨基二苯基甲烷、4，4’ - 二氨基二 苯基醚、1，4_雙(3-氨基苯氧基)苯、1，4_雙(4-氨基苯氧基)苯、2，2-雙[4-(4-氨基苯 氧基)苯基]丙烷和2，2_雙[3-甲基-4-(4-氨基苯氧基)苯基]丙烷等。從實現(xiàn)該保護膜的優(yōu)越粘合性的角度來看，該聚酰亞胺樹脂優(yōu)選包含酚式羥基。 這些酚式羥基能夠通過使用具有酚式羥基的二胺化合物引入。這種二胺的特別實例包括下 式(6)中所示的結(jié)構(gòu) (其中A表示下式的任意基團
以及B表示下式的任意基團。)
基團B的代表性實例包括由下式所示的基團, (其中各R4獨立地表示氫原子、鹵素原子(例如氟、溴或碘原子)或1 8個碳原子的未取代或取代的一價烴基，結(jié)合到各芳香環(huán)上的R4取代基可以不同。η表示0 5的 整數(shù)。該A和B基團可以都表示相同類型的基團，或者可以表示兩個或多個不同的基團。各 R獨立地表示氫原子、鹵素原子或未取代或取代的一價烴基。)前述1 8個碳原子的未取代或取代的一價烴基的特別實例包括與上面關(guān)于R2和 R3列出的那些相同的基團，以及炔基，例如乙炔基、丙炔基、丁炔基或己炔基。此外，具有酚式羥基的其他二胺的實例包括下式(7)所示的化合物。 (其中R表示氫原子、鹵素原子(例如氟、溴或碘原子)或1 8個碳原子的未取 代或鹵素取代的一價烴基，例如烷基、烯基、炔基、三氟甲基或苯基，其中結(jié)合到各芳香環(huán)上 的R取代基可以不同，和X表示單鍵、亞甲基或亞丙基。)在式(6)所示的這些化合物中的上述具有酚式羥基的各種二胺化合物中，式(8) 所示的二胺化合物是特別適合的。 (其中R4如上定義。)具有酚式羥基的該二胺化合物的混合量優(yōu)選為二胺化合物總質(zhì)量的5 60質(zhì) 量％，更優(yōu)選10 40質(zhì)量％。如果該混合量滿足該范圍，那么能夠形成具有高粘合強度水 平和優(yōu)越柔性的粘合劑層。進一步地，也可以使用具有酚式羥基的一元胺，以在該樹脂中引入酚式羥基，這種 化合物的實例包括具有下式結(jié)構(gòu)的一元胺。 (其中D表示下面結(jié)構(gòu)中的一種 OH
R4如上定義，與芳香環(huán)連接的各R4基團可以相同或不同。D基團可以都表示相同類型的基團，或者可以表示兩種或多種不同的基團。此外，ρ表示1 3的整數(shù)。)如果使用具有酚式羥基的一元胺，那么該混合量相對于二胺化合物的總量典型地 在1 10摩爾％范圍內(nèi)。該聚酰胺酸樹脂能夠通過以下合成將上述各起始原料在惰性氣氛下溶解在溶劑 中，然后在典型地不高于80°C (優(yōu)選在0 40°C)的溫度下進行反應(yīng)。通過將由此得到的 聚酰胺酸樹脂典型地在100 200°C，優(yōu)選150 200°C的溫度下加熱，該聚酰胺酸樹脂的 酸酰胺部分經(jīng)過環(huán)化脫水，產(chǎn)生目標(biāo)聚酰亞胺樹脂。在上述反應(yīng)中可以使用任意溶劑，只要其對產(chǎn)物聚酰胺酸是惰性的即可，甚至可 以使用不能完全溶解起始原料的溶劑。該溶劑的實例包括四氫呋喃、1，4_ 二噁烷、環(huán)戊酮、 環(huán)己酮、Y-丁內(nèi)酯、N-甲基吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺和二甲基亞 砜。其中，優(yōu)選非質(zhì)子極性溶劑，N-甲基吡咯烷酮、環(huán)己酮和Y-丁內(nèi)酯是特別適合的。這 些溶劑可以單獨使用，或者兩種或多種不同溶劑組合使用。為了便于上述環(huán)化脫水，使用共沸脫水劑例如甲苯或二甲苯是適合的。進一步地， 使用乙酸酐和吡啶的混合溶液能使該環(huán)化脫水在較低溫度下進行。為了調(diào)節(jié)該聚酰胺酸和該聚酰亞胺樹脂的分子量，在該聚酰胺酸的合成過程中可 以添加二元羧酸酐例如馬來酸酐或鄰苯二甲酸酐、和/或苯胺、正丁胺或具有酚式羥基的 前述一元胺。該二元羧酸酐的添加量典型地在0 2質(zhì)量份/每100質(zhì)量份該四羧酸二酐 的范圍內(nèi)，而該一元胺的添加量典型地在0 2質(zhì)量份/每100質(zhì)量份該二胺的范圍內(nèi)。_(甲基)丙烯酸樹脂(甲基)丙烯酸樹脂的實例包括由選自(甲基)丙烯酸、(甲基)丙烯酸酯單體和 (甲基)丙烯酸的其他衍生物的兩種或多種單體得到的(甲基)丙烯酸酯共聚物。該(甲 基)丙烯酸酯單體中的烷基優(yōu)選包含1 18個碳原子，該(甲基)丙烯酸酯的特別實例包 括(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯和(甲基)丙烯酸丁酯。 此外，(甲基)丙烯酸的其他衍生物的實例包括(甲基)丙烯酸縮水甘油酯和(甲基)丙 烯酸羥乙酯。通過使用甲基丙烯酸縮水甘油酯等作為共聚單體在該(甲基)丙烯酸樹脂中引入 縮水甘油基，改進了所得到的(甲基)丙烯酸樹脂與用作熱固性粘合劑組分的下述環(huán)氧樹 脂之間的相容性，也提高了該固化的保護膜的Tg值，導(dǎo)致提高的耐熱性。此外，通過使用丙 烯酸羥乙酯等在該丙烯酸聚合物中引入羥基使得控制該保護膜相對于該半導(dǎo)體芯片的粘 合性和粘性更加容易。該(甲基)丙烯酸樹脂的重均分子量優(yōu)選不小于100000，更優(yōu)選在150000 1000000范圍內(nèi)。此外，該(甲基)丙烯酸樹脂的玻璃態(tài)轉(zhuǎn)化溫度優(yōu)選不大于20°C，更優(yōu)選 在-70 0°C范圍內(nèi)，使得該樹脂在室溫下(23°C )具有粘性。-(B)環(huán)氧樹脂_用作本發(fā)明中的組分(B)的環(huán)氧樹脂是在各分子內(nèi)包含至少兩個環(huán)氧基團的化 合物。該環(huán)氧當(dāng)量重量優(yōu)選在50 5000g/eq范圍內(nèi)，更優(yōu)選為100 500g/eq。該環(huán)氧樹脂的重均分子量典型地小于10000，優(yōu)選在400 9000范圍內(nèi)，更優(yōu)選為 500 8000。這種類型的環(huán)氧樹脂的實例包括雙(4-羥基苯基)甲烷、2，2’_雙(4-羥基苯基)丙烷或其鹵化物的二縮水甘油基醚；這種二縮水甘油基醚的縮聚產(chǎn)物(所謂的雙酚F環(huán)氧 樹脂和雙酚A環(huán)氧樹脂)、丁二烯二環(huán)氧化物、乙烯基環(huán)己烷二氧化物、間苯二酚二縮水甘 油基醚、1，4_雙(2，3_環(huán)氧基丙氧基)苯、4，4’ -雙(2，3_環(huán)氧基丙氧基)二苯基醚、1， 4-雙(2，3_環(huán)氧基丙氧基)環(huán)己烯、雙(3，4_環(huán)氧基-6-甲基環(huán)己基甲基)己二酸酯、由 多元酚或多元醇(例如1，2-二羥基苯或間苯二酚)與表氯醇縮合得到的環(huán)氧縮水甘油基 醚或聚縮水甘油基酯、通過線型酚醛清漆樹脂(或氫化的線型酚醛清漆樹脂)如苯酚線型 酚醛樹脂或甲酚線型酚醛樹脂與表氯醇縮合得到的環(huán)氧線型酚醛樹脂(即，線型酚醛型環(huán) 氧樹脂)、已經(jīng)使用過氧化方法環(huán)氧化的環(huán)氧化聚烯烴或環(huán)氧化聚丁二烯、含萘環(huán)的環(huán)氧樹 脂、聯(lián)苯基環(huán)氧樹脂、苯酚芳烷基環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯基芳烷基環(huán)氧樹脂和環(huán)戊二烯環(huán)氧樹脂。在上述環(huán)氧樹脂中，優(yōu)選用于該組分⑶的樹脂的實例包括在室溫下是液態(tài)的雙 酚F環(huán)氧樹脂和雙酚A環(huán)氧樹脂。任意這些環(huán)氧樹脂可以單獨使用，或者可以組合使用兩種或多種不同的環(huán)氧樹 脂。組分(B)的環(huán)氧樹脂的混合量優(yōu)選在5 200質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的組分(A) 的樹脂，更優(yōu)選為10 100質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的組分(A)的樹脂的范圍內(nèi)。如果該環(huán) 氧樹脂的混合量過小，那么該粘合劑組合物的粘合強度可能惡化，而如果該混合量過大，那 么該粘合劑層的柔性可能不能令人滿意。-(c)填料-可以用于本發(fā)明中的填料的實例包括無機填料例如二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦和 碳黑、導(dǎo)電顆粒例如銀顆粒和硅酮樹脂粉末?？梢允褂玫墓柰獦渲勰┑膶嵗ň哂薪?聯(lián)的二甲基聚硅氧烷結(jié)構(gòu)的交聯(lián)球形二甲基聚硅氧烷微細(xì)粉末(參見JP 03-93834 A)、交 聯(lián)球形聚甲基倍半硅氧烷微細(xì)粉末(參見JP 03-47848 A)和其中交聯(lián)球形聚硅氧烷橡膠 的表面已經(jīng)涂覆有聚甲基倍半硅氧烷樹脂的微細(xì)粉末(下文描述為“涂覆有聚甲基倍半硅 氧烷樹脂的硅酮橡膠微?！?(參見JP 07-196815 A和JP 09-20631 A)。該填料的混合量典型地在10 900質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的組分(A)范圍內(nèi)，優(yōu) 選為100 400質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的組分(A)，更優(yōu)選為150 350質(zhì)量份/每100質(zhì) 量份的組分(A)，更優(yōu)選為150 300質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的組分(A)。如果該混合量過 小，那么達(dá)到通過添加該填料所希望的效果(例如低吸水性和低線性膨脹系數(shù))可能變得 困難。相反，如果該混合量過大，那么該保護膜形成組合物的粘度可能提高，在施加到基體 過程中該組合物的流動性可能惡化。該填料(C)優(yōu)選包括10 100質(zhì)量份，更優(yōu)選20 70質(zhì)量份的涂覆有聚有機倍 半硅氧烷樹脂的硅酮橡膠微粒。通過包括這些涂覆有聚有機倍半硅氧烷樹脂的硅酮橡膠微粒，能夠顯著提高該保 護膜的切割性質(zhì)。如果該涂覆有聚有機倍半硅氧烷樹脂的硅酮橡膠微粒的混合量小于上述 范圍的下限，那么提高該切割過程中該碎裂保護膜的切割性質(zhì)變得困難。相反，如果該混合 量超過上述范圍的上限，那么該保護膜形成組合物的粘度變得過高，該組合物在施加到基 底過程中的流動性惡化。進一步地，該保護膜與該基底的粘合強度容易變?nèi)?，在將該保護膜 結(jié)合到該晶片上的過程中需要更高的溫度，該保護膜更容易與該晶片分開，這意味著該保 護膜的可靠性變差。
涂覆有聚有機倍半硅氧烷樹脂的該硅酮橡膠微粒能夠使用上述公開文件(JP 07-196815 A和JP 09-20631 A)中公開的方法制備。此外，也可以使用硅酮復(fù)合物粉末，例 如在市場上可獲得的KMP600系列產(chǎn)品(由Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造)。當(dāng)該填料(C)包含除涂覆有聚有機倍半硅氧烷樹脂的該硅酮橡膠微粒之外的其 他填料時，該其他填料的部分優(yōu)選包含至少一種無機填料，更優(yōu)選為二氧化硅。二氧化硅 的實例包括通過火成方法(pyrogenicmethod)制備的二氧化硅、熔融二氧化硅和晶體二氧 化硅。該二氧化硅的平均粒度優(yōu)選在0. 1 10 μ m范圍內(nèi)，更優(yōu)選為0. 5 7 μ m。只要該 二氧化硅的平均粒度在該范圍內(nèi)，就能為該施加粘合劑層的表面實現(xiàn)令人滿意的平整度水 平。此外，近年來，通常需要該粘合劑層的厚度在15 50 μ m范圍內(nèi)，只要該二氧化硅的平 均粒度在上述范圍內(nèi)，就能夠滿足那些厚度需求，甚至在二氧化硅包括二次聚集體時。通過 火成方法制備的二氧化硅是最適合的，通過火成方法制備的球形二氧化硅是特別適合的。二氧化硅容易被該樹脂組合物潤濕，且可以經(jīng)過使用常規(guī)方法的表面處理。從綜 合通用性和成本的角度來看，硅烷基表面處理劑(即硅烷偶聯(lián)劑)是優(yōu)選的。能夠有利地 使用的硅烷偶聯(lián)劑的實例包括三烷氧基硅烷，例如環(huán)氧丙氧基甲基三甲氧基硅烷、環(huán)氧丙 氧基甲基三乙氧基硅烷、α-環(huán)氧丙氧基乙基三甲氧基硅烷、α-環(huán)氧丙氧基乙基三乙氧基 硅烷、β “環(huán)氧丙氧基乙基三甲氧基硅烷、β “環(huán)氧丙氧基乙基三乙氧基硅烷、α -環(huán)氧丙氧 基丙基三甲氧基硅烷、α-環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、β-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅 烷、Y _環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Y “環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、α -環(huán)氧丙 氧基丁基三甲氧基硅烷、α-環(huán)氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、β-環(huán)氧丙氧基丁基三甲氧基 硅烷、β “環(huán)氧丙氧基丁基三乙氧基硅烷、Y “環(huán)氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、Y “環(huán)氧丙氧 基丁基三乙氧基硅烷、δ-環(huán)氧丙氧基丁基三甲氧基硅烷、δ-環(huán)氧丙氧基丁基三乙氧基硅 烷、(3，4_環(huán)氧基環(huán)己基)甲基三甲氧基硅烷、(3，4_環(huán)氧基環(huán)己基)甲基三乙氧基硅烷、 3-(3，4_環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、0-(3，4_環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三乙氧基硅 烷、β-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三丙氧基硅烷、β _(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三丁氧基 硅烷、β _(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)乙基三苯氧基硅烷、Y _(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)丙基三甲氧 基硅烷、Y _(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)丙基三乙氧基硅烷、δ-(3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)丁基三甲 氧基硅烷和δ - (3，4-環(huán)氧基環(huán)己基)丁基三乙氧基硅烷，以及N- β -(氨基乙基)-γ -氨 基丙基三甲氧基硅烷、N- β _ (氨基乙基)_ Y -氨基丙基甲基二乙氧基硅烷、Y -氨基丙基三 甲氧基硅烷、N-苯基-Y -氨基丙基三甲氧基硅烷、三甲氧基甲硅烷基丙基橋亞甲基四氫化 鄰苯二甲酸酐、Y-巰基丙基三甲氧基硅烷和Y-巰基丙基三乙氧基硅烷。-(D)環(huán)氧樹脂固化催化劑_組分(D)的該環(huán)氧樹脂固化催化劑的實例包括磷基催化劑和胺基催化劑。磷基催化劑的實例包括三苯基膦、三苯基硼酸三苯基鱗、四苯基硼酸四苯基鱗和
下式所示的化合物。
13 (其中R8 R15各自獨立地表示氫原子；鹵素原子例如氟、溴或碘原子；未取代的 一價烴基，包括1 8個碳原子的烷基例如甲基、乙基、丙基或丁基、2 8個碳原子的烯基 例如乙烯基或烯丙基、2 8個碳原子的炔基例如丙炔基或丁炔基、6 8個碳原子的芳基 例如苯基或甲苯基；其中在上述烴基中的一種內(nèi)至少部分的氫原子被鹵素原子例如氟、溴 或碘原子取代的取代烴基，例如三氟甲基；或被1 8個碳原子的烷氧基例如甲氧基、乙氧 基、丙氧基或丁氧基取代的烴基。在取代的一價烴基中，該取代基可以相同或不同。)特別優(yōu)選的磷基催化劑的特別實例包括三苯基膦、三苯基硼酸三苯基鱗和四苯基 硼酸四苯基鱗等。胺基催化劑的實例包括雙氰胺和咪唑衍生物，例如2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基 咪唑、1-氰乙基-2-甲基咪唑和2-苯基-4，5- 二羥基甲基咪唑。其中，雙氰胺和2-苯基-4， 5-二羥基甲基咪唑是優(yōu)選的。對于組分(D)的催化劑，可以單獨使用上述催化劑的任一種，或者可以使用兩種 或多種該催化劑的混合物。特別優(yōu)選使用雙氰胺。該組分(D)的環(huán)氧樹脂固化催化劑的混合量僅需要為有效量，其典型地在5 50 質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的組分(A)的樹脂的范圍內(nèi)。-其他任選的組分_除了上述組分，本發(fā)明中所用的該保護膜形成組合物也可以根據(jù)需要包含其他組 分和任意多種添加劑。-單環(huán)氧基化合物除了組分(B)的環(huán)氧樹脂(其包含至少兩個環(huán)氧基)，本發(fā)明的組合物還可以包括 含量不會影響本發(fā)明的目的的單環(huán)氧基化合物。這種單環(huán)氧基化合物的實例包括氧化苯乙 烯、氧化環(huán)己烯、氧化丙烯、甲基縮水甘油基醚、乙基縮水甘油基醚、苯基縮水甘油基醚、烯 丙基縮水甘油基醚、氧化辛烯和氧化十二烯。-環(huán)氧樹脂固化劑盡管固化劑不是必要組分，但添加固化劑能夠更好地控制該樹脂基質(zhì)，以及能夠 預(yù)期提供例如較低的線性膨脹系數(shù)、較高的Tg值和較低的彈性模量的性質(zhì)。該固化劑可以使用任意各種常規(guī)已知的環(huán)氧樹脂固化劑。實例包括胺基化合物， 例如二亞乙基三胺、三亞乙基四胺、二乙基氨基丙基胺、N-氨基乙基哌嗪、雙(4-氨基-3-甲 基環(huán)己基)甲烷、間-亞二甲苯基二胺、薄荷烷二胺和3，9_雙(3-氨基丙基)-2，4，8， 10-四氧雜螺[5. 5]十一烷；改性脂肪族多胺，例如環(huán)氧樹脂_二亞乙基三胺加合物、胺-氧 化乙烯加合物，和氰乙基化多胺；各分子內(nèi)包含至少兩個酚式羥基的酚醛樹脂(phenolic resin)，例如雙酚Α、三羥甲基烯丙基氧基酚、具有低聚合度的酚醛清漆樹脂、環(huán)氧化或丁基化的酚酸樹脂、和可以商品名稱"SuperBeckcite”1001(由 Nippon Reichhold Chemicals Co. , Ltd.制造)、‘‘Hitanol” 4010 (由 Hitachi，Ltd.制造)、Scado form L. 9 (由 Scado Zwoll ,Holland 制造)和"Methylon” 75108 (由 General Electric Co. , U. S. Α.制造)獲 得的酚酸樹脂；可以商品名稱 ‘‘Beckamine”P· 138 (由 Nippon ReichholdChemicals Co.， Ltd.制造)、‘‘Melan”(由 Hitachi，Ltd.制造)禾口“U_Van”10R(由 Toyo Koatsu Co. ,Ltd. 制造)獲得的碳樹脂；氨基樹脂，例如三聚氰胺樹脂和苯胺樹脂；在各分子內(nèi)具有至少兩個 巰基的聚硫化物樹脂，例如由下式所示的樹脂HS (C2H4OCH2OC2H4SS)nC2H40CH20C2H4SH(其中η 表示1 10的整數(shù))；和有機酸及其酐(即酸酐)，例如鄰苯二甲酸酐、六氫鄰苯二甲酸酐、 四氫鄰苯二甲酸酐、均苯四酸酐、甲基橋亞甲基四氫化鄰苯二甲酸酐、十二烷基琥珀酸酐和 氯菌酸酐。在上述固化劑中，酚醛樹脂(特別是酚醛清漆樹脂)是特別適合的，因為其為本發(fā) 明種所用的該保護膜形成組合物引入了有利的可模制操作性，提供了優(yōu)良的耐濕性，而且 也是無毒的和相對廉價的。任意上述固化劑可以單獨使用，或者可以根據(jù)其固化性能將兩種或多種固化劑結(jié)
合使用。根據(jù)所用的固化劑的種類，可以適當(dāng)調(diào)節(jié)該固化劑的混合量，只要該固化劑不會 阻礙組分(A)的苯氧基樹脂等和組分(B)的環(huán)氧樹脂之間的反應(yīng)即可。該固化劑的典型量 在1 100質(zhì)量份/每100質(zhì)量份的該環(huán)氧樹脂的范圍內(nèi)，優(yōu)選5 50質(zhì)量份/每100質(zhì) 量份的該環(huán)氧樹脂。如果該混合量超過100質(zhì)量份，那么不僅不能形成經(jīng)濟的組合物，而且 該環(huán)氧樹脂還受到相當(dāng)大程度的稀釋，這會造成問題，例如延長了固化所需的時間，和惡化 了該固化產(chǎn)品的物理性質(zhì)。-溶劑如果需要，本發(fā)明的組合物還可以包括溶劑，例如環(huán)己酮、MIBK或ΜΕΚ，以溶解或 分散該其他組分，由此提高該組合物的涂覆性質(zhì)。-其他添加劑本發(fā)明種所用的保護膜形成組合物還可以包括其他添加劑，包括著色劑，例如無 機或有機顏料和染料；硅烷偶聯(lián)劑；抗氧化劑；阻燃劑；抗靜電劑和熱穩(wěn)定劑等，只要這些 添加劑的引入不會影響本發(fā)明的效果即可。例如，如果添加顏料或染料以著色該保護膜，那 么在進行隨后的雕刻(例如激光標(biāo)記)時，能夠?qū)崿F(xiàn)改進的可見和光學(xué)裝置識別水平。該保護膜能夠通過使用常規(guī)裝置例如照相凹版涂覆機將通過將上述組分混合在 一起制備的該保護膜形成組合物以足以產(chǎn)生5 100 μ m(優(yōu)選10 60 μ m)厚度的干燥膜 的量施加到基底膜上而得到。基底膜該基底膜優(yōu)選是耐熱膜，具有特別優(yōu)越的耐熱性的膜的實例包括聚對苯二甲酸乙 二醇酯膜、聚酰亞胺膜和氟樹脂膜。該基底膜必須在一個表面上具有可脫模性。這種在一個表面上具有可脫模性的基 底膜在此處稱作“脫模片材”。盡管存在未經(jīng)過脫模處理本身就具有可脫模性的基底膜，例 如氟樹脂膜，但該基底膜的表面優(yōu)選經(jīng)過脫模處理。特別地，該可脫模性優(yōu)選是通過在該基 底膜上涂覆脫模劑以形成脫模劑層而提供的。該脫模劑優(yōu)選是硅樹脂基脫模劑或醇酸樹脂基脫模劑。已經(jīng)涂覆有脫模劑以形成脫模劑層的聚對苯二甲酸乙二醇酯膜特別適用作該基 底膜。該基底的厚度典型地在5 200 μ m范圍內(nèi)，優(yōu)選為10 150 μ m，更優(yōu)選為20 100 μ m0盡管對該脫模劑層在干態(tài)下的平均厚度沒有特別限制，但優(yōu)選厚度在0. 01 10 μ m范圍內(nèi)，特別優(yōu)選0. 03 0. 3 μ m的厚度。如果該脫模劑層的平均厚度超過該范圍的 上限，那么在將該脫模片材卷繞成卷狀時，該脫模劑層的表面接觸該脫模片材的背面(back surface)，更容易造成兩者之間的堵塞(blocking)。這種堵塞能夠造成該脫模劑層的可脫 模性的惡化。對于該硅酮樹脂基脫模劑和該醇酸樹脂基脫模劑可以使用常規(guī)的脫模劑。對于該硅酮樹脂基脫模劑，具有二甲基聚硅氧烷作為基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)的可加成反應(yīng)固化 的脫模劑是優(yōu)選的。此外，該硅酮樹脂基脫模劑優(yōu)選不包含無官能的長鏈硅油或硅酮基橡 膠。該醇酸樹脂基脫模劑包括多元酸和多元醇的縮聚物(醇酸樹脂)作為主要成分， 以及可以包括已經(jīng)用改性劑改性的熱固性醇酸樹脂。該多元酸的實例包括芳香族多元酸， 例如鄰苯二甲酸酐和對苯二甲酸；和脂肪族多元酸，例如琥珀酸、己二酸、馬來酸、馬來酸酐 和富馬酸。該多元醇的實例包括二元醇，例如乙二醇、二乙二醇和丙二醇；三元醇，例如甘油 和三羥甲基丙烷；和多元醇，例如季戊四醇、二季戊四醇和山梨糖醇。上述改性劑的實例包 括硬脂酸、油酸和亞油酸。該醇酸樹脂的重均分子量優(yōu)選在1000 80000范圍內(nèi)，更優(yōu)選為3000 20000。本發(fā)明的方法制備的半導(dǎo)體芯片，且能夠例如以以下方式執(zhí)行(1)將由該基體膜和該保護膜形成的該保護膜形成片材的保護膜表面結(jié)合到具有 在其上表面上形成有電路的半導(dǎo)體晶片的后表面上，(2)在該基底膜仍附著在該保護膜上時進行加熱，由此固化該保護膜，(3)從該保護膜上剝落該基底膜，和(4)切割該半導(dǎo)體晶片和該保護膜。該步驟(4)的切割能夠依照常規(guī)方法使用切割片進行。通過進行切割，得到了具 有在該后表面上形成的保護膜的半導(dǎo)體芯片。使用通用裝置(例如套爪)將這些芯片收集 并放置在基底上。通過使用本發(fā)明的保護膜，在該芯片切割表面上小的損傷都不可能發(fā)生， 這樣使得能夠以高產(chǎn)率制備目標(biāo)半導(dǎo)體裝置。
實施例下面描述了本發(fā)明的實施例，盡管本發(fā)明絕不被下面所示的實施例所限制。<保護膜形成組合物的制備>在各實施例和各對比例中，將表1中所示量的組分㈧首先溶解在約50質(zhì)量份的 環(huán)己酮中。在各情況中，將所得到的溶液然后與表1中所列的量的其他組分相混合以得到 具有約70質(zhì)量％的固體部分濃度的組合物。表1中所示的組分如下。-組分(A)
(A-I)苯氧基樹脂，Mw 約 60000，JER 1256 (由 Japan Epoxy ResinsCo.，Ltd.制(A-2)聚酰亞胺樹脂，使用下述合成方法得到(A-3)丙烯酸樹脂55質(zhì)量份丙烯酸丁酯、15質(zhì)量份甲基丙烯酸甲酯、20質(zhì)量份甲 基丙烯酸縮水甘油酯和15質(zhì)量份丙烯酸2-羥乙酯的共聚物(重均分子量900000，玻璃態(tài) 轉(zhuǎn)化溫度_28°C )-組分(B)環(huán)氧樹脂RE310S(由Nippon Kayaku Co.，Ltd.制備)，在 25 °C 的粘度 15Pa · s (雙酚A環(huán)氧樹脂)-組分(C)二氧化硅SE2050，平均粒度0. 5 μ m，最大粒度5 μ m,經(jīng)KBM-403處理，由 Admatechs Co.，Ltd.制造(通過火成方法制備的球狀二氧化硅)涂覆有聚有機倍半硅氧烷樹脂的硅酮微粒(產(chǎn)品名KMP600，由Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造)-組分(D)雙氰胺(DICY-7)，由 Japan Epoxy Resins Co.，Ltd.制造?！埘啺窐渲?A-2)的制備在裝備有溫度計、攪拌器和配有活塞并連接到回流冷凝器的25ml迪安斯達(dá)克 (dean stark)的1升可分離燒瓶中添加49. 01質(zhì)量份的由下面所示的結(jié)構(gòu)式所示的二氨基 硅氧烷(KF-8010，由Shin-Etsu ChemicalCo.，Ltd.制備)和100質(zhì)量份的作為反應(yīng)溶劑的 2-甲基吡咯烷酮，將得到的混合物在80°C攪拌，由此分散該二胺。然后在該分散體中逐滴 添加包含42. 68質(zhì)量份的作為酸酐的6FDA (2，2-雙(3，4-二羧基苯基)六氟丙烷)和100 質(zhì)量份的2-甲基吡咯烷酮的溶液，在恒定的攪拌下將該反應(yīng)在室溫下繼續(xù)進行2小時，由 此合成富含酸酐的酰胺酸低聚物。 然后，在裝備有溫度計、攪拌器和配有活塞并連接到回流冷凝器的25ml迪安斯達(dá) 克的1升可分離燒瓶中添加8. 31質(zhì)量份由下式所示的含酚式羥基的二胺(HAB，由Seika Corporation制備)和100質(zhì)量份2-甲基吡咯烷酮， 然后分散該二胺，在該分散體中逐滴添加上面得到的該富含酸酐的酰胺酸低聚 物，然后將所得到的混合物在室溫下攪拌16小時，由此合成聚酰胺酸溶液。然后，添加25ml二甲苯，提高溫度，并在回流下在約180°C將該溶液加熱2小時。一旦在定量水分接收器中 已經(jīng)收集到預(yù)設(shè)量的水和水的生成已經(jīng)停止，那么除去該定量水分接收器中收集的水，并 在180°C的溫度下除去該二甲苯。在該反應(yīng)完成之后，將該反應(yīng)溶液逐滴添加到大量過量的 甲醇中以沉淀該聚合物。將該聚合物收集并然后在減壓下干燥，產(chǎn)生在樹脂主鏈上具有酚 式羥基的聚酰亞胺樹脂。通過紅外吸收光譜法對這樣得到的聚酰亞胺樹脂的測量顯示沒有會表示存在未 反應(yīng)的官能團的聚酰胺酸吸收。在1780CHT1和1720cm—1處觀察到來自酰亞胺基團的吸收 峰，在3500CHT1處觀察到來自酚式羥基的吸收峰。該得到的樹脂的聚苯乙烯當(dāng)量重均分子 量為55000，該官能團當(dāng)量重量為760g/eq?！纯擅撃；啄さ闹苽洹?以如下方式制備在一個表面上具有醇酸樹脂基脫模劑層的基底膜。使用邁耶棒 涂布器#4，用熱固性醇酸樹脂液體涂覆未經(jīng)處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂膜(產(chǎn)品 名:“τ-100”，由 Mitsubishi Polyester FilmGmbH 制造，厚度50 μ m,中心線平均粗糙度 (Ra) :0. 0833 μ m，最高粗糙度(Rp) 0. 6833 μ m)的一個表面，該熱固性醇酸樹脂液體是通 過將3質(zhì)量份的作為酸催化劑的對_甲苯磺酸添加到100質(zhì)量份的硬脂基改性醇酸樹脂和 甲基化三聚氰胺的混合物(產(chǎn)品名:“TESFINE303，，，由Hitachi Kasei Polymer Co.，Ltd. 制造，固體部分濃度20wt% )中而制備的，和將該施加的涂層在140°C干燥1分鐘，并通過 加熱固化，由此形成脫模劑層(厚度0. 1 μ m)。-以如下方式制備在一個表面上具有硅酮樹脂基脫模劑層的基底膜。使用邁耶棒 涂布器#4，用脫模劑涂覆未經(jīng)處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂膜(產(chǎn)品名“T-100”，由 Mitsubishi Polyester Film GmbH制造，厚度50 μ m，中心線平均粗糙度(Ra) 0. 0833 μ m, 最高粗糙度(Rp) 0. 6833 μ m)的一個表面，該脫模劑是通過將2質(zhì)量份的鉬催化劑(產(chǎn)品 名“PL-50T”，由Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造)添加到100質(zhì)量份的可脫模的硅 酮(產(chǎn)品名“Silicone KS-847H”，由 Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造，固體部分濃 度1.4wt%)中而制備的，將該施加的涂層在130°C干燥1分鐘，由此形成脫模劑層(厚度 0. 1 μ m)。<保護膜形成片材的制備>使用刮刀涂覆機將上述制備的各保護膜形成組合物以0. Im/分鐘的速率施加到 具有醇酸樹脂基脫模劑層的前述PET膜和具有硅酮樹脂基脫模劑層的前述PET膜的脫模劑 層表面。在各例中，通過在110°C加熱10分鐘以將該組合物干燥，由此形成厚度為25 μ m的 保護膜，并完成保護膜形成片材的制備。為了對比，使用與上述相同的方法在厚度為50 μ m的未經(jīng)處理的PET膜的一個表 面上形成厚度為25 μ m的保護膜，由此制備保護膜形成片材?！丛u估試驗〉使用上述保護膜形成片材，使用以下方法對依照本發(fā)明的保護膜進行評估。評估 結(jié)果示于表1中。-劃痕試驗將以上述方法制備的該保護膜形成片材的保護膜表面在70°C的溫度(硅晶片表 面溫度)下結(jié)合到具有220ymX45mmX45mm的尺寸的硅晶片的一個面上。然后，在從該固化的保護膜上除去該PET膜之前，在該PET膜上進行劃痕試驗。此外，然后將該PET膜剝離 該固化的保護膜，在該暴露的保護膜上進行另外的劃痕試驗。使用這些試驗來確定是否在 該保護膜上產(chǎn)生劃痕。使用劃痕試驗裝置(由KNT Co.，Ltd.制造)進行該劃痕試驗，在該保護膜上跨越 PET膜或者直接跨越該保護膜以20mm/sec的速率并以4cm的行程往復(fù)刮擦10次。_彎曲測試試驗將產(chǎn)品KJR-651(由 Shin-Etsu Chemical Co.，Ltd.制造)以 1500rpm 旋涂在厚 度為220μπι的8英寸硅晶片的鏡面(mirror surface)上作為有機樹脂電路保護層，由此 形成厚度為8μπι的電路保護層。在此時，該8英寸硅晶片的彎曲量為300μπι。然后，將上 述制備的保護膜形成片材的保護膜面在70°C的溫度下結(jié)合到具有該電路保護層的該8英 寸硅晶片的后表面上，和然后通過在190°C加熱1小時來固化該保護膜。然后，使用彎曲測 試裝置(產(chǎn)品名PS400，由AcroMetrix Co.，Ltd.制造)測定室溫下的彎曲程度。使該電 路保護層朝上，記錄在下表面上的任意凸起彎曲作為正的彎曲值。記錄具有最大彎曲值的 兩個外圍點和該晶片的中心部分之間的高度差作為該彎曲量。-碎裂試驗使用保護膜結(jié)合裝置(FM-114，由Technovision，Inc.制造)，將上述得到的保護 膜形成片材的每一個在70°C的溫度下結(jié)合到厚度為725 μ m的硅晶片(通過使用由DISCO Corporation制造的DAG-810裝置將8英寸的未拋光的晶片經(jīng)過#2000拋光以產(chǎn)生220 μ m 的厚度制備的晶片)上。然后，從該結(jié)合的保護膜上剝離該基底膜，然后在下面所列出的 條件下將該硅晶片切割以形成IOmmX IOmm的正方形芯片。在顯微鏡下拍攝八個由此得到 的芯片的橫截面照片，觀察該照片是否存在具有在橫截面方向上的25 μ m或更大長度的碎 裂。切割條件所用裝置DISC0切割機DAD-341切割方法單一刀片旋轉(zhuǎn)速度30000rpm刀片速度50mm/秒切割膜厚度85μπι，切入切割膜的深度15μπι表 1
19 工業(yè)實用性本發(fā)明的保護膜能夠改進硅芯片的生產(chǎn)收率，因此在半導(dǎo)體裝置的制備中非常有用。
權(quán)利要求
半導(dǎo)體芯片的制備方法，該方法包括將保護膜形成片材結(jié)合到半導(dǎo)體晶片上以使得該保護膜與該半導(dǎo)體晶片的后表面接觸，該保護膜形成片材包括在一個表面上的具有可脫模性的基底膜和提供在具有可脫模性的基底膜的表面上的由熱固性樹脂組合物構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片保護膜，然后固化該保護膜，和然后從所得到的固化的保護膜上剝落該基底膜。
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該熱固性樹脂組合物包括(A)100質(zhì)量份的至少一種選自由苯氧基樹脂、聚酰亞胺樹脂和(甲基)丙烯酸類樹脂 的樹脂，(B)5 200質(zhì)量份的環(huán)氧樹脂，(C)10 900質(zhì)量份的填料，和(D)有效量的環(huán)氧樹脂固化催化劑。
3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該填料(C)包括10 100質(zhì)量份的涂覆 有聚有機倍半硅氧烷樹脂的硅酮橡膠微粒。
4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該基底膜的一個表面具有的可脫模性是 通過在該基底膜的表面上形成脫模劑的涂層而提供的。
5.權(quán)利要求4的半導(dǎo)體芯片的制備方法，其中該脫模劑是硅酮基脫模劑或醇酸基脫模劑。
全文摘要
提供了半導(dǎo)體芯片的制備方法。該方法防止了在處理該晶片的過程中對芯片保護膜的損傷，由此提高了生產(chǎn)收率、切割過程中的切割性質(zhì)，并降低了該晶片的彎曲。該方法包括將保護膜形成片材結(jié)合到半導(dǎo)體晶片上以使得該保護膜與該半導(dǎo)體晶片的后表面接觸，該保護膜形成片材包括在其一個表面上的具有可脫模性的基底膜和由熱固性樹脂組合物構(gòu)成的半導(dǎo)體芯片保護膜，然后固化該保護膜，和然后從所得到的固化的保護膜上剝離該基底膜。
文檔編號H01L21/00GK101887843SQ201010180248
公開日2010年11月17日 申請日期2010年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年5月15日
發(fā)明者市六信廣, 橫田龍平 申請人:信越化學(xué)工業(yè)株式會社