專利名稱：半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置集合體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置及將半導(dǎo)體裝置切成單片前的晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體裝置集 合體。
背景技術(shù)：
最近可使半導(dǎo)體裝置小型化、高功能化及高性能化的WL-CSP (晶片級(jí)芯片尺寸封 裝Wafer Level-Chip Size Package)的實(shí)用化向前發(fā)展。在WL-CSP中，以晶片狀態(tài)完成 封裝工序后，利用切割切出的各個(gè)芯片尺寸構(gòu)成封裝尺寸。S卩，在采用WL-CSP的半導(dǎo)體裝置的制造工序中，在制作有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的晶片 的表面上形成聚酰亞胺及再配線后，形成用于將其密封的表面?zhèn)葮渲瑢?。并且，在表面?zhèn)?樹脂層上形成外部端子后，通過沿在各半導(dǎo)體芯片間設(shè)定的切割線，切斷(切割，dicing) 鈍化膜及密封樹脂，并切斷晶片，得到與半導(dǎo)體芯片具有相同封裝尺寸的WL-CSP半導(dǎo)體裝置。專利文獻(xiàn)1 日本專利特開2003-60119號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2 日本專利特開2004-336020號(hào)公報(bào)表面?zhèn)葮渲瑢尤缦滦纬?，即在晶片的表面上涂敷作為表面?zhèn)葮渲瑢拥牟牧系臉?脂后，通過一度加熱，然后冷卻，使該晶片的表面上的樹脂硬化。此時(shí)，晶片表面上的樹脂產(chǎn) 生熱收縮。如果產(chǎn)生此種熱收縮，則對(duì)晶片的表面施加應(yīng)力，所以晶片產(chǎn)生彎曲，其結(jié)果，晶 片內(nèi)的功能元件受到損傷。為防止此種晶片的彎曲，考慮在晶片的背面上，以與表面?zhèn)葮渲瑢酉嗤牟牧闲?成相同厚度的背面?zhèn)葮渲瑢印Ｓ纱?，用于樹脂硬化的加熱后冷卻時(shí)，晶片的表面上及背面上 的樹脂同樣地?zé)崾湛s，所以能夠防止晶片產(chǎn)生彎曲。但是，如果在晶片的背面上形成與表面?zhèn)葮渲瑢酉嗤穸鹊谋趁鎮(zhèn)葮渲瑢?，則切 斷該晶片得到的半導(dǎo)體裝置的厚度變大。此外，在此種半導(dǎo)體裝置中，提供在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔蠘?biāo)記制造公司名或產(chǎn) 品編號(hào)等。作為在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔蠘?biāo)記制造公司名等的方法，例如考慮激光加工。 艮口，考慮通過向背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嬲丈浼す?，從而形成微?xì)的凹狀的槽，在該背面?zhèn)葮渲?層的表面上刻印制造公司名等。然而，利用激光加工在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔峡逃≈圃旃久鹊那闆r下，如果 背面?zhèn)葮渲瑢觾H以樹脂材料形成，則由于背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻娴墓鉂?，存在難以辨識(shí)該制 造公司名等的問題。為解決該問題，在形成背面?zhèn)葮渲瑢拥臉渲牧现谢烊胩盍?，以此抑?背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻娴墓鉂伞５?，如果混入樹脂材料中的填料多，則在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔?，由于填料?dǎo)致產(chǎn)生比較大的凹凸。因此，難以識(shí)別刻印在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔系谋硎局圃旃久鹊陌紶畹牟叟c由填料產(chǎn)生的凹凸，反而產(chǎn)生使辨識(shí)性更差的結(jié)果。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的第一目的為提供一種不導(dǎo)致厚度的增大，并能夠防止由于急劇的 溫度變化導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片的彎曲。本發(fā)明的第二目的為提供一種不導(dǎo)致厚度的增大，并能夠防止由于急劇的溫度變 化導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片的彎曲。本發(fā)明的第三目的為能夠?qū)崿F(xiàn)利用激光加工在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔峡逃〉闹?造公司名等辨識(shí)性的提高。為達(dá)到所述第一目的的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體芯片；表面?zhèn)葮渲瑢樱?其使用第一樹脂材料，形成在所述半導(dǎo)體芯片的表面上；背面?zhèn)葮渲瑢?，其使用具有比所?第一樹脂材料大的熱膨脹系數(shù)的第二樹脂材料，形成在所述半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)?，且比?述表面?zhèn)葮渲瑢颖 ８鶕?jù)該結(jié)構(gòu)，在半導(dǎo)體芯片的表面?zhèn)仁褂玫谝粯渲牧闲纬杀砻鎮(zhèn)葮渲瑢?，在?背面?zhèn)仁褂脽崤蛎浵禂?shù)比第一樹脂材料大的第二樹脂材料形成比表面?zhèn)葮渲瑢颖〉谋趁?側(cè)樹脂層。通過將背面?zhèn)葮渲瑢有纬蔀楸缺砻鎮(zhèn)葮渲瑢颖?，與在半導(dǎo)體芯片的表面?zhèn)群捅?面?zhèn)刃纬删哂邢嗤穸鹊臉渲瑢拥那闆r相比，能夠減小半導(dǎo)體裝置的厚度。此外，即使背面 側(cè)樹脂層比表面?zhèn)葮渲瑢颖?，作為背面?zhèn)葮渲瑢拥牟牧?，通過使用熱膨脹系數(shù)比形成表面 側(cè)樹脂層的第一樹脂材料大的第二樹脂材料，伴隨急劇的溫度變化，在表面?zhèn)葮渲瑢蛹氨?面?zhèn)葮渲瑢訜崤蛎浕驘崾湛s時(shí)，能夠使由背面?zhèn)葮渲瑢酉虬雽?dǎo)體芯片的背面施加的應(yīng)力與 由表面?zhèn)葮渲瑢酉虬雽?dǎo)體芯片的表面施加的應(yīng)力大致相等。從而，能夠防止半導(dǎo)體裝置的 厚度增大，并能夠防止由于急劇的溫度變化導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生彎曲。所述第二樹脂材料優(yōu)選為具有比所述第一樹脂材料小的彈性模量的樹脂材料。作 為背面?zhèn)葮渲瑢拥牟牧希驗(yàn)槭褂镁哂行〉膹椥阅Ａ康牡诙渲牧?，所以即使背面?zhèn)葮?脂層被較薄形成，仍能夠充分地吸收施加在該背面?zhèn)葮渲瑢由系臎_擊，并能夠充分地保護(hù) 半導(dǎo)體芯片。例如，如果所述第一樹脂材料為雙酚A型環(huán)氧樹脂，所述第二樹脂為聚酰亞胺酰 胺，則第二樹脂材料的熱膨脹系數(shù)大于第一樹脂材料的熱膨脹系數(shù)，且第二樹脂材料的彈 性模量小于第一樹脂材料的彈性模量。此外，所述半導(dǎo)體裝置也可進(jìn)一步具備外部端子，其配置所述表面?zhèn)葮渲瑢由?，?在向安裝基板安裝所述半導(dǎo)體裝置時(shí)，與所述安裝基板上的電極抵接。用于達(dá)到所述第二目的的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置集合體，具備制作有多個(gè)半導(dǎo)體 芯片的基板；表面?zhèn)葮渲瑢?，其使用第一樹脂材料形成在所述基板的表面上；背面?zhèn)葮渲?層，其使用具有比所述第一樹脂材料大的熱膨脹系數(shù)的第二樹脂材料，形成在所述基板的 背面?zhèn)龋冶人霰砻鎮(zhèn)葮渲瑢颖?。根?jù)該結(jié)構(gòu)，在基板的表面?zhèn)仁褂玫谝粯渲牧闲纬杀砻鎮(zhèn)葮渲瑢?，在其背面?zhèn)?使用具有比第一樹脂材料大的熱膨脹系數(shù)的第二樹脂材料形成比表面?zhèn)葮渲瑢颖〉谋趁?側(cè)樹脂層。通過將背面?zhèn)葮渲瑢有纬蔀楸缺砻鎮(zhèn)葮渲瑢颖?，與在基板的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)刃纬删哂邢嗤穸鹊臉渲瑢拥那闆r相比，能夠減小半導(dǎo)體裝置的厚度。此外，即使背面?zhèn)葮渲?層比表面?zhèn)葮渲瑢颖。鳛楸趁鎮(zhèn)葮渲瑢拥牟牧?，通過使用熱膨脹系數(shù)比形成表面?zhèn)葮渲?層的第一樹脂材料大的第二樹脂材料，在用于使表面?zhèn)葮渲瑢优c背面?zhèn)葮渲瑢拥牟牧嫌不?的加熱后的冷卻時(shí)，在這些材料熱收縮時(shí)，能夠使對(duì)基板的背面施加的應(yīng)力與對(duì)基板的表 面施加的應(yīng)力大致相等。從而，能夠防止從半導(dǎo)體裝置集合體得到的半導(dǎo)體裝置的厚度增 大，并能夠防止基板產(chǎn)生彎曲。所述第二樹脂材料優(yōu)選為具有比所述第一樹脂材料小的彈性模量的樹脂材料。作 為背面?zhèn)葮渲瑢拥牟牧希驗(yàn)槭褂镁哂行〉膹椥阅Ａ康牡诙渲牧?，所以即使背面?zhèn)葮?脂層被較薄形成，仍能夠充分地吸收施加在該背面?zhèn)葮渲瑢由系臎_擊。因此，在半導(dǎo)體裝置 集合體的狀態(tài)下，能夠充分地保護(hù)各半導(dǎo)體芯片，此外，在從半導(dǎo)體裝置集合體得到的半導(dǎo) 體裝置中，能夠充分地保護(hù)半導(dǎo)體芯片。
例如，如果所述第一樹脂材料為雙酚A型環(huán)氧樹脂，所述第二樹脂為聚酰亞胺酰 胺，則第二樹脂材料的熱膨脹系數(shù)大于第一樹脂材料的熱膨脹系數(shù)，且第二樹脂材料的彈 性模量小于第一樹脂材料的彈性模量。為達(dá)到所述第三目的的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體芯片；背面?zhèn)葮渲瑢樱?其使用樹脂材料形成在所述半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)?，所述樹脂材料是在樹脂中混合?重 量％以上、且10重量％以下的范圍內(nèi)的填料的樹脂。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，形成背面?zhèn)葮渲瑢拥臉渲牧显跇渲谢旌嫌?重量％以上且10重 量％以下的范圍內(nèi)的填料。由此，能夠抑制背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻娴墓鉂?，同時(shí)能夠防止由填 料導(dǎo)致在背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔袭a(chǎn)生大的凹凸。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)利用激光加工在背面?zhèn)?樹脂層的表面上刻印的制造公司名等的辨識(shí)性的提高。所述半導(dǎo)體裝置也可進(jìn)一步具備表面?zhèn)葮渲瑢樱湫纬稍谒霭雽?dǎo)體芯片的表 面上；外部端子，其設(shè)置在所述表面?zhèn)葮渲瑢由?，并在向安裝基板安裝所述半導(dǎo)體裝置時(shí)， 與所述安裝基板上的電極抵接。本發(fā)明中的上述的、此外其他的目的、特征及效果參照附圖，通過如下的實(shí)施方式
進(jìn)一步明確。
圖1是圖解地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖2是從圖1所示的半導(dǎo)體裝置集合而成的半導(dǎo)體裝置集合體的表面?zhèn)扔^察的立 體圖。圖3是圖2所示的半導(dǎo)體裝置集合體的圖解的側(cè)視圖。圖4是圖解地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖5是圖4所示的半導(dǎo)體裝置的立體圖。圖6是說明在圖4所示的背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻嫔蠘?biāo)記制造公司名或產(chǎn)品序號(hào)等的 方法，放大背面?zhèn)葮渲瑢拥谋砻姹硎镜膫?cè)視圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖詳細(xì)地說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
圖1是圖解地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。該半導(dǎo)體裝置1為采用WL-CSP(晶片級(jí)芯片尺寸封裝=WaferLevel-Chip Size Package)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置1具備半導(dǎo)體芯片10。
半導(dǎo)體芯片10例如具有300 400 μ m的厚度。在該半導(dǎo)體芯片10的表層部制 作有功能元件(未圖示)。半導(dǎo)體芯片10的表面IOa以鈍化膜(未圖示)覆蓋。在鈍化膜 上形成聚酰亞胺層或再配線(未圖示)。并且，在半導(dǎo)體芯片10的表面IOa上形成用于密 封再配線等的表面?zhèn)葮渲瑢?1。表面?zhèn)葮渲瑢?1具有大約40 100 μ m的厚度。該表面?zhèn)葮渲瑢?1例如使用彈 性模量為16GPa，且在低于?；瘻囟?135°C )的溫度下的熱膨脹系數(shù)為2. 5 8. 5ppm/°C, 在?；瘻囟纫陨系臏囟认碌臒崤蛎浵禂?shù)為19. 0 44. 0ppm/°C的雙酚A型環(huán)氧樹脂來形成。另一方面，在半導(dǎo)體芯片10的背面IOb上使用具有比作為表面?zhèn)葮渲瑢?1的材 料的雙酚A型環(huán)氧樹脂大的熱膨脹系數(shù)，且具有比其小的彈性模量的樹脂材料來形成背 面?zhèn)葮渲瑢?2。作為具有此種熱膨脹系數(shù)及彈性模量的樹脂材料，可例示如彈性模量為 2. 5GPa、熱膨脹系數(shù)為60. 0ppm/°C的聚酰亞胺酰胺。背面?zhèn)葮渲瑢?2具有大約10 30 μ m 的厚度，形成為比表面?zhèn)葮渲瑢?1薄。此外，在表面?zhèn)葮渲瑢?1上設(shè)置有用于與安裝基板2連接的多個(gè)外部端子13。多 個(gè)外部端子13例如在表面?zhèn)葮渲瑢?1側(cè)的中央部排列成格子狀。各外部端子13形成為 球狀，并與半導(dǎo)體裝置1具備的半導(dǎo)體芯片10電連接。在該半導(dǎo)體裝置1中，各外部端子 13通過與安裝基板2上的各槽脊(land)抵接，達(dá)到對(duì)安裝基板2的安裝。如此，通過將背面?zhèn)葮渲瑢?2形成為比表面?zhèn)葮渲瑢?1薄，與在半導(dǎo)體芯片10 的表面IOa側(cè)和背面IOb側(cè)形成具有相同厚度的樹脂層的情況相比，能夠減小其厚度。此 夕卜，即使背面?zhèn)葮渲瑢?2比表面?zhèn)葮渲瑢?1薄，作為背面?zhèn)葮渲瑢?2的材料，通過使用熱 膨脹系數(shù)比形成表面?zhèn)葮渲瑢?1的樹脂材料大的樹脂材料，在表面?zhèn)葮渲瑢?1及背面?zhèn)?樹脂層12熱膨脹或熱收縮時(shí)，能夠使由背面?zhèn)葮渲瑢?2向半導(dǎo)體芯片10的背面施加的應(yīng) 力與由表面?zhèn)葮渲瑢?1向半導(dǎo)體芯片10的表面施加的應(yīng)力大致相等。從而，能夠防止半 導(dǎo)體裝置1的厚度增大，并能夠防止由于急劇的溫度變化導(dǎo)致半導(dǎo)體芯片10產(chǎn)生彎曲。此外，作為背面?zhèn)葮渲瑢?2的材料，因?yàn)槭褂镁哂斜容^小的彈性模量的聚酰亞胺 酰胺，所以即使背面?zhèn)葮渲瑢?2較薄地形成，仍能夠充分地吸收對(duì)該背面?zhèn)葮渲瑢?2施加 的沖擊，并能夠充分保護(hù)半導(dǎo)體芯片10。圖2是從圖1所示的半導(dǎo)體裝置1集合而成的半導(dǎo)體裝置集合體3的表面30a側(cè) 觀察的立體圖，圖3是其圖解的側(cè)視圖。半導(dǎo)體裝置1利用未圖示的切割刀片等沿設(shè)定在各半導(dǎo)體芯片10間的切割線L 切斷多個(gè)半導(dǎo)體裝置1集合而成的半導(dǎo)體裝置集合體3，并切分成各包含一個(gè)半導(dǎo)體芯片 10的單片而得。半導(dǎo)體裝置集合體3具備制作有多個(gè)半導(dǎo)體芯片10的基板30 ；在該基板30的表 面30a(各半導(dǎo)體芯片10的表面IOa)上使用雙酚A型環(huán)氧樹脂形成的表面?zhèn)葮渲瑢?1 ；在 基板30的背面30b上使用聚酰亞胺酰胺形成的比表面?zhèn)葮渲瑢?1薄的背面?zhèn)葮渲瑢?2。表面?zhèn)葮渲瑢?1及背面?zhèn)葮渲瑢?2如下形成。即，在形成表面?zhèn)葮渲瑢?1及背 面?zhèn)葮渲瑢?2時(shí)，在基板30的表面30a上涂敷作為表面?zhèn)葮渲瑢?1的材料的雙酚A型環(huán)氧樹脂。此外，在基板30的背面30b上涂敷作為背面?zhèn)葮渲瑢?2的材料的聚酰亞胺酰胺。此時(shí)，比涂敷在基板30的表面30a上的雙酚A型環(huán)氧樹脂薄地涂敷聚酰亞胺酰胺。然后， 這些樹脂按基板30加熱到約170°C 180°C后，冷卻到常溫(約25°C)。由此，在基板30 的表面30a上的雙酚A型環(huán)氧樹脂及基板30的背面30b上的聚酰亞胺酰胺硬化，從而在基 板30的表面30a及背面30b上分別形成表面?zhèn)葮渲瑢?1及背面?zhèn)葮渲瑢?2。在用于形成表面?zhèn)葮渲瑢?1及背面?zhèn)葮渲瑢?2的加熱后的冷卻時(shí)，涂敷在基板 30的表面30a上的雙酚A型環(huán)氧樹脂發(fā)生熱收縮，此外，涂敷在基板30的背面30b上的聚 酰亞胺酰胺熱收縮。在基板30的背面30b上，聚酰亞胺酰胺涂敷得比基板30的表面30a 上的雙酚A型環(huán)氧樹脂薄，但因?yàn)榫埘啺孵０肪哂斜入p酚A型環(huán)氧樹脂大的熱膨脹系數(shù)， 所以聚酰亞胺酰胺對(duì)基板30的背面30b施加與由雙酚A型環(huán)氧樹脂作用在基板30的表面 30a上的應(yīng)力大致相同的大小的應(yīng)力。因此，基板30沒有產(chǎn)生彎曲之虞。此外，通過將背面?zhèn)葮渲瑢?2形成為薄于表面?zhèn)葮渲瑢?1，與在基板30的表面 30a側(cè)及背面30b側(cè)形成具有相同厚度的樹脂層相比，能夠減小由切斷半導(dǎo)體集合體3得到 的半導(dǎo)體裝置1的厚度。進(jìn)而，作為背面?zhèn)葮渲瑢?2的材料，因?yàn)槭褂镁哂行〉膹椥阅Ａ康臉渲牧?，?以即使較薄地形成背面?zhèn)葮渲瑢?2，仍能夠充分地吸收施加在背面?zhèn)葮渲瑢?2上的沖擊。 因此，在半導(dǎo)體集合體3的狀態(tài)下，能夠充分保護(hù)各半導(dǎo)體芯片10，此外，在由半導(dǎo)體集合 體3得到的半導(dǎo)體裝置1中，能夠充分保護(hù)半導(dǎo)體芯片10。 而且，作為第一樹脂材料，例示雙酚A型環(huán)氧樹脂，作為第二樹脂材料例示聚酰亞 胺酰胺，但只要第二樹脂材料的熱膨脹系數(shù)大于第一樹脂材料的熱膨脹系數(shù)，且第二樹脂 材料的彈性模量小于第一樹脂材料的彈性模量，則作為第一樹脂材料及第二樹脂材料，可 使用例示的材料以外的材料。圖4圖解地表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式所述的半導(dǎo)體裝置的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。此 夕卜，圖5為該半導(dǎo)體裝置的立體圖。該半導(dǎo)體裝置101為采用WL-CSP (晶片級(jí)芯片尺寸封裝=WaferLevel-Chip Size Package)的半導(dǎo)體裝置。半導(dǎo)體裝置101具備半導(dǎo)體芯片110。半導(dǎo)體芯片110例如具有300 400 μ m的厚度。在該半導(dǎo)體芯片110的表層部 制作有功能元件(未圖示)。半導(dǎo)體芯片110的表面IlOa以鈍化膜(未圖示)覆蓋。在鈍 化膜上形成聚酰亞胺層或再配線(未圖示)。并且，在半導(dǎo)體芯片110的表面IOa上形成用 于密封再配線等的表面?zhèn)葮渲瑢?11。該表面?zhèn)葮渲瑢?11例如具有大約40 IOOym的厚度。此外，在表面?zhèn)葮渲瑢?11上設(shè)有用于與安裝基板102連接的多個(gè)外部端子115。 多個(gè)外部端子115例如在表面?zhèn)葮渲瑢?11側(cè)的中央部排列成格子狀。各外部端子115形 成為球狀，并與半導(dǎo)體裝置101具備的半導(dǎo)體芯片110電連接。在該半導(dǎo)體裝置101中，各 外部端子115通過與安裝基板102上的各槽脊(land)抵接，達(dá)到對(duì)安裝基板102的安裝。另一方面，在半導(dǎo)體芯片110的背面IlOb上形成用于保護(hù)該背面110b，且防止半 導(dǎo)體芯片110的彎曲的背面?zhèn)葮渲瑢?12。該背面?zhèn)葮渲瑢?12例如具有10 20 μ m的厚 度。形成背面?zhèn)葮渲瑢?12的樹脂材料使用在環(huán)氧樹脂等樹脂116中混合有5重量％以上且10重量％以下的范圍內(nèi)的填料113的樹脂材料。填料113例如為二氧化硅的粒狀 物，其粒徑形成為平均2 μ m，最大10 μ m以下。在背面?zhèn)葮渲瑢?12的表面112a上如圖5所示，標(biāo)記制造公司名或產(chǎn)品序號(hào)等。 圖6為說明在圖4所示的背面?zhèn)葮渲瑢?12的表面112a上標(biāo)記制造公司名等的 方法，放大背面?zhèn)葮渲瑢?12的表面112a表示的側(cè)視圖。制造公司名等利用激光加工在背面?zhèn)葮渲瑢?12的表面112a上刻印。S卩，向背面 側(cè)樹脂層112的表面112a照射激光，通過從被照射的部分削去樹脂，形成微細(xì)的凹狀的槽 114，從而刻印制造公司名等。如該半導(dǎo)體裝置101，背面?zhèn)葮渲瑢?12如果使用在樹脂116中混合有5重量％以 上且10重量％以下的范圍內(nèi)的填料113的樹脂材料來形成，能夠抑制背面?zhèn)葮渲瑢?12的 表面112a的光澤，同時(shí)能夠防止由填料113導(dǎo)致在背面?zhèn)葮渲瑢?12的表面112a上產(chǎn)生 大的凹凸。由此，能夠容易地識(shí)別利用激光L的照射形成的凹狀的槽114，并能夠?qū)崿F(xiàn)辨識(shí) 性的提高。而且，作為半導(dǎo)體裝置101，例示了采用WL-CSP的半導(dǎo)體裝置，但本發(fā)明并不限定 于采用了 WL-CSP的半導(dǎo)體裝置，能夠廣泛適用于在半導(dǎo)體芯片的背面上具有背面?zhèn)葮渲?層，并且在該背面?zhèn)葮渲瑢由蠘?biāo)記制造公司或產(chǎn)品序號(hào)的半導(dǎo)體裝置。除此以外，可在權(quán)利要求的范圍內(nèi)記載的事項(xiàng)的范圍內(nèi)實(shí)施各種設(shè)計(jì)變更。即，所 述的實(shí)施方式只不過是用于使本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容明確的具體例，本發(fā)明并不被這些具體例 限定地解釋，本發(fā)明的宗旨及范圍僅由權(quán)利要求的范圍限定。本申請與2005年6月29日向日本國專利廳提出的專利特愿2005-189571號(hào)及特 愿2005-189572號(hào)對(duì)應(yīng)，這些申請的全部公開通過引用整合到此處。
權(quán)利要求
一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備半導(dǎo)體芯片；表面?zhèn)葮渲瑢?，其使用第一樹脂材料，形成在所述半?dǎo)體芯片的表面上；背面?zhèn)葮渲瑢樱涫褂镁哂斜人龅谝粯渲牧洗蟮臒崤蛎浵禂?shù)的第二樹脂材料，形成在所述半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)龋冶人霰砻鎮(zhèn)葮渲瑢颖 ?br>
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第二樹脂材料具有比所述第一樹脂材料小的彈性模量。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于， 所述第一樹脂材料是雙酚A型環(huán)氧樹脂，所述第二樹脂材料是聚酰亞胺酰胺。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備外部端子，其配置在所述表面?zhèn)葮渲瑢由?，并在向安裝基板安裝所述半導(dǎo) 體裝置時(shí)，與所述安裝基板上的電極抵接。
5.一種半導(dǎo)體裝置集合體，其特征在于，具備 制作有多個(gè)半導(dǎo)體芯片的基板；表面?zhèn)葮渲瑢?，其使用第一樹脂材料形成在所述基板的表面上?背面?zhèn)葮渲瑢?，其使用具有比所述第一樹脂材料大的熱膨脹系?shù)的第二樹脂材料，形 成在所述基板的背面?zhèn)?，且比所述表面?zhèn)葮渲瑢颖 ?br>
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置集合體，其特征在于， 所述第二樹脂材料具有比所述第一樹脂材料小的彈性模量。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置集合體，其特征在于， 所述第一樹脂材料是雙酚A型環(huán)氧樹脂，所述第二樹脂材料是聚酰亞胺酰胺。
8.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，具備 半導(dǎo)體芯片；背面?zhèn)葮渲瑢?，其使用樹脂材料形成在所述半?dǎo)體芯片的背面?zhèn)?，所述樹脂材料是在樹脂中混合?重量％以上、且10重量％以下的范圍內(nèi)的填料的樹脂。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，進(jìn)一步具備 表面?zhèn)葮渲瑢?，其形成在所述半?dǎo)體芯片的表面上；外部端子，其設(shè)置在所述表面?zhèn)葮渲瑢由?，并在向安裝基板安裝所述半導(dǎo)體裝置時(shí)，與 所述安裝基板上的電極抵接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置集合體，其不導(dǎo)致厚度的增大，并能夠防止由于急劇的溫度變化導(dǎo)致的半導(dǎo)體芯片的彎曲。該半導(dǎo)體裝置具備半導(dǎo)體芯片；表面?zhèn)葮渲瑢?，其使用第一樹脂材料，形成在所述半?dǎo)體芯片的表面上；背面?zhèn)葮渲瑢樱涫褂镁哂斜人龅谝粯渲牧洗蟮臒崤蛎浵禂?shù)的第二樹脂材料，形成在所述半導(dǎo)體芯片的背面?zhèn)?，且比所述表面?zhèn)葮渲瑢颖 ?br>
文檔編號(hào)H01L23/29GK101847611SQ201010166640
公開日2010年9月29日 申請日期2006年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月29日
發(fā)明者宮田修, 葛西正樹 申請人:羅姆股份有限公司