專利名稱：平面支架及封裝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及封裝發(fā)光二極管的支架，尤其涉及一種平面支架和利用該平面支架安 裝發(fā)光二極管的封裝方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管是當(dāng)今最炙手可熱的光源，其具有節(jié)能環(huán)保、安全可靠、使用壽命長等 優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)。利用平面支架封裝發(fā)光二極管是目前半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中 一種重要方法。該方法主要是將各種類型的晶片與IC用銀漿固定在一個平面支架上，再經(jīng) 過焊線工藝使電流導(dǎo)通。如圖1所示，現(xiàn)有平面支架包括上下兩只處于同一平面相互分離的引腳1，引腳的 右端均向下折彎，并向右延伸。上面的引腳向右延伸形成一較小面積的第二焊區(qū)2、下面的 引腳向右延伸形成一較大面積的固晶區(qū)3(請參閱圖2)。如圖2所示，現(xiàn)有平面支架的封裝一般使用固晶焊線工藝，該工藝為固晶一焊線 —壓封。即先將兩引腳1至于一平面加熱板8上，將晶片4固定于固晶區(qū)3上，再用焊線瓷 嘴9將金線6的一端焊接于晶片4上；然后，用焊機的壓爪7壓緊上面的那只引腳1 (參閱 圖1)，再用焊線瓷嘴9將金線6的另一端焊接于第二焊區(qū)2。焊線完成后，最后壓封。然而，請參閱圖2，在固晶焊線過程中，由于平面支架的引腳1平面高、第二焊區(qū)2 平面低，即引腳和第二焊區(qū)不在同一平面，兩平面之間通過一傾斜面連接成一階梯狀的結(jié) 構(gòu)。當(dāng)焊機的壓爪7下壓至引腳面時，由于杠桿原理的作用，前端的第二焊區(qū)2便會微微翹 起，不能與加熱板8正常接觸。這樣造成焊線前不能正常加熱，當(dāng)焊線瓷嘴9下壓焊線時， 第二焊區(qū)2會隨著焊線瓷嘴的下壓而向下運動，使焊線瓷嘴焊線力度轉(zhuǎn)移，最后造成斷線 或虛焊，從而造成器件不良或可靠性變差，隱藏性不良較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是為了解決現(xiàn)有平面支架進行發(fā)光二極管封裝時，焊接不良、封裝 良品率低的技術(shù)問題，提出一種具有較高焊接品質(zhì)率的平面支架及封裝方法。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提出的平面支架，包括兩只相互分離的引腳、引腳的 一端均向下折彎，并向前延伸，其中一只引腳向前延伸形成一較小面積的第二焊區(qū)、另一只 引腳向前延伸形成一較大面積的固晶區(qū)。所述第二焊區(qū)的一側(cè)延伸出一供焊機壓爪壓緊的 壓著區(qū)。優(yōu)選的，所述壓著區(qū)由第二焊區(qū)向靠近另一只引腳的一側(cè)延伸。本發(fā)明提出的平面支架的封裝方法，包括下列步驟步驟一、先將平面支架置于一加熱板上，將晶片固定于平面支架的固晶區(qū)上；步驟二、用焊機的壓爪壓緊第二焊區(qū)的壓著區(qū)以及固晶區(qū)，并使得第二焊區(qū)與加 熱板貼合，再加熱固晶區(qū)和第二焊區(qū)；步驟三，用焊線瓷嘴將金線的一端與晶片焊接、將金線的另一端與第二焊區(qū)焊接；步驟四、封膠。其中所述壓爪壓緊第二焊區(qū)以及固晶區(qū)的壓力范圍為100 300克。所述加熱固晶區(qū)和第二焊區(qū)的溫度范圍為160 300攝氏度。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明在平面支架的第二焊區(qū)延伸一可供焊機壓爪壓緊的壓著區(qū)，以便壓爪直接壓著在第二焊區(qū)上，使第二焊區(qū)與下面的加熱板能夠全面接觸，焊線能夠 正常加熱，克服了斷線或虛焊等不良現(xiàn)象，從而大大降低了產(chǎn)品的隱藏性不良，提升了產(chǎn)品 品質(zhì)。根據(jù)近半年來試產(chǎn)的檢驗，焊接良品率由原來的99%提升為99. 7%，大大降低了生 產(chǎn)成本，提高了產(chǎn)品的市場競爭力。


圖1是現(xiàn)有平面支架的平面示意圖；圖2是圖IA-A向的剖截面，為現(xiàn)有平面支架封裝的示意圖；圖3是本發(fā)明平面支架的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是圖IB-B向的剖截面，為本發(fā)明平面支架封裝的示意圖。
具體實施例方式圖3示出了本發(fā)明平面支架實施例的平面結(jié)構(gòu)，所述的平面支架，包括上下兩只 相互分離的引腳1，(結(jié)合圖4)引腳的右端均向下折彎，并向右側(cè)延伸。其中一引腳(上面 的引腳)向右延伸形成一較小面積的第二焊區(qū)2、而另一引腳(下面的引腳)向右延伸形成 一較大面積的固晶區(qū)3。在第二焊區(qū)2的一側(cè)延伸出一供焊機壓爪7壓緊的壓著區(qū)5。本 實施例中，壓著區(qū)5由第二焊區(qū)2向靠近下面引腳1的一側(cè)延伸。根據(jù)需要壓著區(qū)5也可 以向其他方向延伸，例如，向遠離下面引腳1的一側(cè)延伸。如圖3和圖4所示，本發(fā)明平面支架的封裝方法，步驟如下步驟一、先將平面支架置于一加熱板8上，將晶片4固定于平面支架的固晶區(qū)3 上。步驟二、用焊機的壓爪7分別壓緊第二焊區(qū)2壓著區(qū)5以及固晶區(qū)3，并使得第二 焊區(qū)2與加熱板8貼合，再加熱固晶區(qū)3和第二焊區(qū)2。步驟三、用焊線瓷嘴9將金線6的一端與晶片4焊接、將金線的另一端與第二焊區(qū) 2焊接，即通過金線6將晶片4和第二焊區(qū)2連接導(dǎo)通。步驟四、封膠。上述工藝中，壓爪7壓緊第二焊區(qū)2以及固晶區(qū)3的壓力范圍為100 300克，根 據(jù)不同的引腳材料和尺寸大小，可優(yōu)選壓力值為150克、200克、250克。在這個壓力下可以 保證第二焊區(qū)與固晶區(qū)不會翹起。加熱固晶區(qū)3和第二焊區(qū)2的溫度范圍為160 300攝 氏度，根據(jù)需要可優(yōu)選溫度值為180、200、230、280攝氏度。在這個溫度下，可以使金線與支 架鍍層充分結(jié)合，保證焊線品質(zhì)。經(jīng)實驗證明，本發(fā)明提出的新型封裝方法，改變了壓爪的壓著區(qū)，減少由于平面支 架第二焊區(qū)與加熱板接觸不好而產(chǎn)生的焊線不良，從而提高了生產(chǎn)良品率，降低了產(chǎn)品隱 藏性不良，增加了產(chǎn)品的市場競爭力。
權(quán)利要求
一種平面支架，包括兩只引腳(1)，引腳的一端均向下折彎，并向前延伸，一只引腳向前延伸形成第二焊區(qū)(2)、另一只引腳向前延伸形成固晶區(qū)(3)，其特征在于，所述第二焊區(qū)(2)的一側(cè)延伸出一供焊機壓爪(7)壓緊的壓著區(qū)(5)。
2.如權(quán)利要求1所述的平面支架，其特征在于所述壓著區(qū)(5)由第二焊區(qū)(2)向靠 近另一只引腳⑴的一側(cè)延伸。
3.—種權(quán)利要求1所述平面支架的封裝方法，其特征在于包括下列步驟步驟一、先將平面支架置于一加熱板(8)上，將晶片(4)固定于平面支架的固晶區(qū)(3)上；步驟二、用焊機的壓爪(7)壓緊第二焊區(qū)(2)的壓著區(qū)(5)以及固晶區(qū)(3)，并使得第 二焊區(qū)⑵與加熱板⑶貼合，再加熱固晶區(qū)⑶和第二焊區(qū)⑵；步驟三，用焊線瓷嘴(9)將金線(6)的一端與晶片(4)焊接、將金線的另一端與第二焊 區(qū)⑵焊接；步驟四、封膠。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述壓爪(7)壓緊第二焊區(qū)⑵以及固晶 區(qū)(3)的壓力范圍為100 300克。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于所述壓緊第二焊區(qū)(2)以及固晶區(qū)(3)的 壓力值為150克、200克或250克。
6.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述加熱固晶區(qū)(3)和第二焊區(qū)(2)的溫 度范圍為160 300攝氏度。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于所述加熱固晶區(qū)(3)和第二焊區(qū)(2)的溫 度值為180攝氏度、200攝氏度、230攝氏度或280攝氏度。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種封裝發(fā)光二極管的平面支架，包括兩只引腳(1)，引腳的一端均向下折彎，并向前延伸，一只引腳向前延伸形成一較小面積的第二焊區(qū)(2)、另一只引腳向前延伸形成一較大面積的固晶區(qū)(3)。第二焊區(qū)(2)的一側(cè)延伸出一供焊機壓爪壓緊的壓著區(qū)(5)。本發(fā)明還提出了平面支架的封裝方法。采用本發(fā)明提出的平面支架和封裝方法，改變了壓爪對于第二焊區(qū)(2)的壓著區(qū)，減少由于平面支架第二焊區(qū)與加熱板接觸不好而產(chǎn)生的焊線不良，從而提高了生產(chǎn)良品率，降低了產(chǎn)品隱藏性不良，增加了產(chǎn)品的市場競爭力。
文檔編號H01L33/48GK101834267SQ20101016629
公開日2010年9月15日 申請日期2010年4月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月30日
發(fā)明者何畏, 吳質(zhì)樸 申請人:深圳市奧倫德元器件有限公司