專利名稱：發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件，其具有在電極之間包含發(fā)光物質(zhì)的層，本發(fā)明還涉及 具有該發(fā)光元件的發(fā)光器件以及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
近年來作為顯示裝置的像素或照明裝置的光源吸引注意力的發(fā)光元件，具有在電 極之間的發(fā)光層，而且包含在該發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)在電極之間有電流流過時(shí)發(fā)光。在這種發(fā)光元件的研發(fā)領(lǐng)域，重要的目的之一是要延長發(fā)光元件的使用壽命。這 是因?yàn)闉榘l(fā)光器件提供的發(fā)光元件需要令人滿意地長時(shí)間運(yùn)行，以便在令人滿意的條件下 長時(shí)間使用發(fā)光器件如照明裝置或顯示裝置。作為實(shí)現(xiàn)發(fā)光元件的壽命延長的技術(shù)之一，例如在專利文獻(xiàn)1 (專利文獻(xiàn)1 日本 專利公開文本H9-63771)中提到了一種涉及使用氧化鉬等等作為陽極的發(fā)光元件的技術(shù)。可以想到專利文獻(xiàn)1中提到的技術(shù)也是有效的；但是，氧化鉬很容易結(jié)晶，因此在 專利文獻(xiàn)1提到的技術(shù)中，很容易出現(xiàn)發(fā)光元件由于結(jié)晶而產(chǎn)生運(yùn)行故障的問題。此外，氧 化鉬具有較低的電導(dǎo)率；因此如果由氧化鉬制成的層太厚則電流不容易流過。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是要提供一種發(fā)光元件，該發(fā)光元件可以減少由于在電極之間 的層中包含的化合物結(jié)晶而導(dǎo)致的運(yùn)行故障。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種發(fā)光元件，其具有在一對(duì)電極之間包括芳族烴和金屬氧 化物的層。對(duì)芳族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有l(wèi)X10-6cm7Vs或更大的空穴遷 移率的芳族烴是優(yōu)選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、 9，10_ 二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金 屬氧化物，展示出對(duì)芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧化 物，例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種發(fā)光元件，其在第一電極和第二電極之間具有發(fā)光層， 以及在該發(fā)光層和第一電極之間包括芳族烴和金屬氧化物的層。當(dāng)對(duì)每個(gè)電極施加電壓， 使得第一電極的電位高于第二電極的電位時(shí)，包含在發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)就發(fā)射光。對(duì)芳 族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有l(wèi)X10_6Cm2/VS或更大的空穴遷移率的芳族烴是 優(yōu)選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并 四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金屬氧化物，展示出 對(duì)芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種發(fā)光元件，其在第一電極和第二電極之間具有發(fā)光層、 第一混合層和第二混合層，其中當(dāng)對(duì)每個(gè)電極施加電壓，使得第一電極的電位高于第二電 極的電位時(shí)，包含在發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)就發(fā)射光。在這種發(fā)光元件中，發(fā)光層比第一混 合層更靠近第一電極，而且第二混合層比第一混合層更靠近第二電極。第一混合層是包括 電子傳輸物質(zhì)和從堿性金屬、堿土金屬、堿性金屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿性金屬氟化 物以及堿土金屬氟化物中選擇的一種物質(zhì)的層。在此，作為堿性金屬例如給出鋰(Li)、鈉 (Na)、鉀(K)等。作為堿土金屬，例如給出鎂(Mg)、鈣(Ca)等。作為堿性金屬氧化物，例 如給出氧化鋰(Li20)、氧化鈉(Na20)、氧化鉀(K20)等。作為堿土金屬氧化物，給出氧化鎂 (MgO)、氧化鈣(CaO)等。作為堿性金屬氟化物，給出氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)等。作為 堿土金屬氟化物，給出氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)等。第二混合層是包括芳族烴和金屬氧 化物的層。在此，對(duì)芳族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有l(wèi)X10-6cm7Vs或更大的空 穴遷移率的芳族烴是優(yōu)選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、 蒽、9，10_ 二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為 金屬氧化物，展示出對(duì)芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧 化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種發(fā)光元件，其在第一電極和第二電極之間具有11(11是2 或更大的任意自然數(shù))個(gè)發(fā)光層，以及在第m (m是任意自然數(shù)，2彡m+1彡n)個(gè)發(fā)光層和第 (m+1)個(gè)發(fā)光層之間具有第一混合層和第二混合層，其中當(dāng)對(duì)每個(gè)電極施加電壓，使得第一 電極的電位高于第二電極的電位時(shí)，包含在發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)就發(fā)射光。在此，第一混合 層比第二混合層更靠近第一電極。第一混合層是包括電子傳輸物質(zhì)和從堿性金屬、堿土金 屬、堿性金屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿性金屬氟化物以及堿土金屬氟化物中選擇的一種 物質(zhì)的層。在此，作為堿性金屬例如給出鋰(Li)、鈉(Na)、鉀(K)等。作為堿土金屬，例如給 出鎂(Mg)、鈣(Ca)等。作為堿性金屬氧化物，例如給出氧化鋰(Li20)、氧化鈉(Na20)、氧化 鉀(K20)等。作為堿土金屬氧化物，給出氧化鎂(MgO)、氧化鈣(CaO)等。作為堿性金屬氟 化物，給出氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)等。作為堿土金屬氟化物，給出氟化鎂(MgF2)、氟化 鈣(CaF2)等。第二混合層是包括芳族烴和金屬氧化物的層。在此，對(duì)芳族烴的種類沒有什 么特殊限制；但是，具有l(wèi)X10-6cm7Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴是優(yōu)選的。作為這樣 的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、9，10_ 二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘 嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金屬氧化物，展示出對(duì)芳族烴的電子接 受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、 氧化錸等等。本發(fā)明的一個(gè)方面是使用上述任意一種發(fā)光元件作為像素或光源的發(fā)光器件。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種電子設(shè)備，其中采用上述任意一種發(fā)光元件作為像素的 發(fā)光器件用于顯示部分。本發(fā)明的一個(gè)方面是一種電子設(shè)備，其中采用上述任意一種發(fā)光元件作為光源的 發(fā)光器件用于照明部分。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的電子設(shè)備，該 發(fā)光器件包括第一電極；第二電極；以及形成在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層和混合層，其中該混合層包括芳族烴和金屬氧化物。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種發(fā)光器件和包括該發(fā)光器件的電子設(shè)備，該 發(fā)光器件包括第一電極；第二電極；以及形成在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層、空穴 傳輸層和混合層，其中空穴傳輸層設(shè)置在發(fā)光層和混合層之間，并且其中該混合層包括芳 族烴和金屬氧化物。通過本發(fā)明的實(shí)施，可以獲得可以減少由于包含在設(shè)置于一對(duì)電極之間的層內(nèi)的 化合物結(jié)晶而導(dǎo)致的運(yùn)行故障的發(fā)光元件。這是因?yàn)椋ㄟ^混合芳族烴和金屬氧化物，芳族 烴和金屬氧化物中每一個(gè)的結(jié)晶分別被對(duì)方干擾，因此可以形成不容易結(jié)晶的層。通過本發(fā)明的實(shí)施，可以獲得很容易改變所發(fā)射的光通過的光路徑的長度的發(fā)光 元件。這是因?yàn)橥ㄟ^在電極之間設(shè)置包含芳族烴和金屬氧化物的混合層，可以獲得驅(qū)動(dòng)電 壓隨著混合層厚度的增加而增加很小的發(fā)光元件，因此可以很容易調(diào)整發(fā)光層和電極之間 的距離。通過本發(fā)明的實(shí)施，可以獲得不容易產(chǎn)生電極之間的短路的發(fā)光元件。這是因?yàn)?通過在電極之間設(shè)置包含芳族烴和金屬氧化物的混合層，可以獲得驅(qū)動(dòng)電壓隨著混合層厚 度的增加而增加很小的發(fā)光元件，因此通過增加混合層的厚度的方法可以很容易減輕電極 的不均勻。通過實(shí)施本發(fā)明，可以獲得以高的顏色純度發(fā)射光的發(fā)光元件，因此可以獲得能 提供顏色方面很優(yōu)異的圖像的發(fā)光器件。這是因?yàn)椋鶕?jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，可以通過改變 所發(fā)射的光經(jīng)過的光路徑的長度而不必關(guān)心驅(qū)動(dòng)電壓的增加，很容易地調(diào)整光路徑長度以 適合于光的波長。



在附圖中
圖1是本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式的示例圖； 圖2是本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式的示例圖； 圖3是本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式的示例圖； 圖4是本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式的示例圖； 圖5是本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式的示例圖； 圖6是本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式的示例圖； 圖7是本發(fā)明的發(fā)光器件的一種模式的示例頂視圖8是用于驅(qū)動(dòng)為本發(fā)明的發(fā)光器件提供的像素的電路的一種模式的示例圖9是包含在本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素部分的一種模式的示例圖10是用于驅(qū)動(dòng)包含在本發(fā)明的發(fā)光器件中的像素的驅(qū)動(dòng)方法的示例框圖11A至11C是本發(fā)明的發(fā)光器件的截面的一種模式的示例圖12是本發(fā)明的發(fā)光器件的一種模式的示例圖13A至13C是采用本發(fā)明的電子設(shè)備的一種模式的示例圖14是采用本發(fā)明的發(fā)光器件的示例圖15是實(shí)施例1中發(fā)光元件的制造方法的示例圖16是示出實(shí)施例1中發(fā)光元件的電壓相對(duì)于亮度特性的關(guān)系的5
圖17是示出實(shí)施例1中發(fā)光元件的電壓相對(duì)于電流特性的關(guān)系的圖；圖18是示出實(shí)施例1中發(fā)光元件的亮度相對(duì)于電流效率特性的關(guān)系的圖；圖19是示出實(shí)施例2中發(fā)光元件的電壓相對(duì)于電流特性的關(guān)系的圖；圖20是本發(fā)明的發(fā)光器件的一種模式的示例圖。附圖標(biāo)記說明10 襯底，11 晶體管，12 發(fā)光元件，13 第一電極，14:第二電極，15 層，16 層 間絕緣膜，17 布線，18 分隔層，19 層間絕緣膜，101 第一電極，102 第二電極，111 混合 層，112 空穴傳輸層，113 發(fā)光層，114 電子傳輸層，115 電子注入層，116 :電子產(chǎn)生層， 117 空穴阻擋層，201 第一電極，202 第二電極，211 空穴注入層，212 空穴傳輸層，213 發(fā)光層，214 電子傳輸層，215 第一混合層，216 第二混合層，217 層，218 空穴阻擋層， 300 襯底，301 第一電極，302 第二電極，311 第一層，312 第二層，313 第三層，314 第 四層，315 第五層，401 第一電極，402 第二電極，411 空穴注入層，412a 空穴傳輸層， 412b 空穴傳輸層，412c 空穴傳輸層，413a 第一發(fā)光層，413b 第二發(fā)光層，413c 第三發(fā) 光層，414a:電子傳輸層，414b 電子傳輸層，414c 電子傳輸層，415 電子注入層，421a:第 一混合層，421b 第一混合層，422a 第二混合層，422b 第二混合層，501 子幀周期，502 子 幀周期，503 子幀周期，504 子幀周期，901 第一晶體管，902 第二晶體管，903 發(fā)光元件， 911 選通信號(hào)線，912 源信號(hào)線，913 寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，914 擦除選通信號(hào)線驅(qū) 動(dòng)電路，915 源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，916 電源，917 電流供應(yīng)線，918 開關(guān)，919 開關(guān)，920 開關(guān)，951 襯底，952 電極，953 絕緣層，954 分隔層，955 層，966 :電極，1001 第一晶體 管，1002 第二晶體管，1003 選通信號(hào)線，1004 源信號(hào)線，1005 電流供應(yīng)線，1006 電極， 501a 寫入時(shí)間段，501b 保持時(shí)間段，502a 寫入時(shí)間段，502b 保持時(shí)間段，503a 寫入時(shí) 間段，503b 保持時(shí)間段，504a 寫入時(shí)間段，504b 保持時(shí)間段，504c 擦除時(shí)間段，504d 不發(fā)光時(shí)間段，5511 機(jī)殼，5512 液晶器件，5513 發(fā)光器件，5514 機(jī)殼，5515 外部輸入 端，5516 外部輸入端，5521 主體，5522 機(jī)殼，5523 顯示部分，5524 鍵盤，5531 顯示部 分，5532 機(jī)殼，5533 揚(yáng)聲器，5551 顯示部分，5552 主體，5553 天線，5554 音頻輸出部 分，5555 音頻輸入部分，5556 操作開關(guān)，6500 襯底，6503 :FPC，6504 印刷線路板(PWB), 6511 像素部分，6512 源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，6513 寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路，6514 擦除選 通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路
具體實(shí)施例方式下面借助附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，很容易理解本發(fā)明的技術(shù)人員很容 易想到各種改變和修正。因此除非這樣的改變和修正脫離了本發(fā)明的范圍，否則它們都應(yīng) 當(dāng)被解釋為包含在本發(fā)明的范圍中。實(shí)施方式1參照?qǐng)D1說明本發(fā)明發(fā)光元件的一種模式。圖1示出在第一電極101和第二電極102之間具有發(fā)光層113的發(fā)光元件。在圖 1所示的發(fā)光元件中，混合層111設(shè)置在發(fā)光層113和第一電極101之間?？昭▊鬏攲?12 設(shè)置在發(fā)光層113和混合層111之間，電子傳輸層114和電子注入層115設(shè)置在發(fā)光層113 和第二電極102之間。在這種發(fā)光元件中，當(dāng)向第一電極101和第二電極102施加電壓，使
6得第一電極101的電位高于第二電極102的電位時(shí)，空穴從第一電極101 —側(cè)注入到發(fā)光 層113中，電子從第二電極102 —側(cè)注入到發(fā)光層113中。然后，注入到發(fā)光層113中的空 穴和電子復(fù)合。發(fā)光層113包括發(fā)光物質(zhì)，該發(fā)光物質(zhì)通過由該復(fù)合產(chǎn)生的激發(fā)能量而變 成激發(fā)態(tài)。處于激發(fā)態(tài)的發(fā)光物質(zhì)在從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時(shí)發(fā)光。下面具體描述第一電極101、第二電極102以及設(shè)置在第一電極101和第二電極 102之間的每一層。對(duì)用于形成第一電極101的物質(zhì)沒有特殊限制，除了具有高功函數(shù)的物質(zhì)如氧化 銦錫、包含氧化硅的氧化銦錫、包含2%到20%氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、 鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或氮化鉭之外，還可以使用具有 低功函數(shù)的物質(zhì)如鋁或鎂。這是因?yàn)樵诒景l(fā)明的發(fā)光元件中，空穴是在混合層111中產(chǎn)生 的。用于形成第二電極102的物質(zhì)優(yōu)選是具有低功函數(shù)的物質(zhì)如鋁或鎂；但是如果產(chǎn) 生電子的層設(shè)置在第二電極102和發(fā)光層113之間，則也可以使用具有高功函數(shù)的物質(zhì)如 氧化銦錫、包含氧化硅的氧化銦錫、包含2%到20%氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、鎳 (Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或氮化鉭。因此，可以根 據(jù)設(shè)置在第二電極102和發(fā)光層113之間的層的屬性來適當(dāng)選擇用于形成第二電極102的 物質(zhì)。要注意，優(yōu)選將第一電極101和第二電極102形成為使得電極之一或兩個(gè)電極都 透射所發(fā)射的光?；旌蠈?11是包括芳族烴和金屬氧化物的層。對(duì)芳族烴的種類沒有特殊限制； 但是，具有l(wèi)X10-6cm7Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴是優(yōu)選的。從金屬氧化物貢獻(xiàn)的 空穴可以通過具有l(wèi)X10-6cm7Vs或更大的空穴遷移率來有效地傳輸。作為這樣的具有 lX10_6cm7Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽(簡(jiǎn) 寫式t-BuDNA)、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘 嵌苯等等。此外也可以使用并五苯、暈苯等。作為羅列于此的芳族烴，具有l(wèi)X10_6cm2/VS或 更大的空穴遷移率并且具有14到42個(gè)碳原子的芳族烴是更優(yōu)選的。作為金屬氧化物，展 示出對(duì)芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧化物，例如給出 氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。此外，還可以使用諸如氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯、氧化 鉿、氧化鉭、氧化鎢或氧化銀的金屬氧化物。在混合層111中，優(yōu)選包含金屬氧化物，使得相 對(duì)于芳族烴的質(zhì)量比是0. 5至2或分子比為1至4 (=金屬氧化物/芳族烴)。芳族烴通常 具有容易結(jié)晶的屬性；但是，通過象本實(shí)施方式中那樣與金屬氧化物混合，芳族烴不容易結(jié) 晶。只由金屬氧化物制成的層展現(xiàn)出容易結(jié)晶的趨勢(shì)，該趨勢(shì)在用氧化鉬作為金屬氧化物 時(shí)尤其明顯；但是，通過象本實(shí)施方式中那樣與芳族烴混合，氧化鉬不容易結(jié)晶。按照這種 方式，通過將芳族烴與金屬氧化物混合，芳族烴和金屬氧化物中每一種的結(jié)晶被彼此干擾， 因此可以形成不容易結(jié)晶的層。此外，芳族烴具有高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。因此，通過采用 芳族烴作為包含在具有金屬氧化物的混合層111中的物質(zhì)，該混合層比利用4，4’，4”_三 (N，N-二苯胺)三苯胺(簡(jiǎn)寫式TDATA)、4，4，，4”_三[N_(3_甲基苯基)-N_苯胺)]三苯 胺(簡(jiǎn)寫式:MTDATA)或4，4’，4”_ 二 {N_[4_(N，N-二-間甲苯胺)苯基]-N-苯胺}聯(lián)苯 (簡(jiǎn)寫式DNTPD)形成的空穴注入層具有更好的熱阻抗，并且具有令人滿意地向空穴傳輸
7層112注入空穴的功能?？昭▊鬏攲?12是具有傳輸空穴的功能的層，并且在本實(shí)施方式的發(fā)光元件中， 具有從混合層111向發(fā)光層113傳輸空穴的功能。通過提供空穴傳輸層112，可以保持混合 層111和發(fā)光層113之間的合適距離。因此，可以防止由于包含在混合層111中的金屬元 素而熄滅發(fā)光?？昭▊鬏攲?12優(yōu)選由空穴傳輸物質(zhì)制成，特別優(yōu)選由具有l(wèi)X10-6cm2/Vs 或更大的空穴遷移率的物質(zhì)或者具有1 X 10-6cm7Vs或更大的空穴遷移率的雙極物質(zhì)制成。 要注意，空穴傳輸物質(zhì)表示空穴遷移率高于電子遷移率的物質(zhì)，優(yōu)選地，是空穴遷移率與電 子遷移率的比值(=空穴遷移率/電子遷移率)大于100的物質(zhì)。下面給出空穴傳輸物質(zhì) 的具體例子4，4’_ 二 [N-(l-萘基)-N-苯胺]聯(lián)苯(簡(jiǎn)寫式NPB) ；4，4’_ 二 [N_(3_甲基 苯基)-N-苯胺]聯(lián)苯(簡(jiǎn)寫式TPD) ；1，3，5_三[N，N-二(間甲苯基)胺基]苯(簡(jiǎn)寫式 m-MTDAB) ；4，4，，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(簡(jiǎn)寫式TCTA)等。雙極物質(zhì)表示以下物質(zhì) 當(dāng)電子的遷移率和空穴的遷移率彼此比較時(shí)，一種載流子的遷移率與另一種載流子的遷移 率之比等于100或更小，優(yōu)選為10或更小。作為雙極物質(zhì)，例如給出2，3_ 二(4-二苯胺苯 基)喹喔啉(簡(jiǎn)寫式TPAQn) ；2，3_ 二 {4-[N_(l_萘基)_N_苯胺]苯基}-二苯并[f，h] 喹喔啉(簡(jiǎn)寫式NPADiBzQn)等等。在本發(fā)明中，在雙極物質(zhì)中優(yōu)選采用空穴和電子的遷 移率都為1 X 10_6cm2/VS或更大的雙極物質(zhì)。發(fā)光層113是包括發(fā)光物質(zhì)的層。在此，發(fā)光物質(zhì)表示有效發(fā)光而且能夠發(fā)射具 有期望波長的光的物質(zhì)。發(fā)光層113可以是僅由發(fā)光物質(zhì)制成的層。但是，在發(fā)生濃縮熄 滅(這是一種由于發(fā)光物質(zhì)本身的濃縮導(dǎo)致的熄滅現(xiàn)象)時(shí)，發(fā)光層113優(yōu)選是這樣一種 層，其中發(fā)光物質(zhì)以分散狀態(tài)混合在由能隙大于發(fā)光物質(zhì)的能隙的物質(zhì)制成的層中。通過 將發(fā)光物質(zhì)以分散狀態(tài)包含發(fā)光層113中，可以防止由于濃縮而導(dǎo)致的發(fā)光熄滅。在此，能 隙表示LUM0能級(jí)和HOMO能及之間的能隙。對(duì)發(fā)光物質(zhì)的種類沒有限制，只需要使用能發(fā)射具有令人滿意的亮度效率和期望 的發(fā)射波長的光的物質(zhì)。為了獲得紅光發(fā)射，可以用例如下面展示出具有600nm到680nm 的光譜中的峰的發(fā)射光譜的物質(zhì)作為發(fā)光物質(zhì)4_ 二氰基亞甲基-2-異丙基-6-[2-(1，1， 7，7-四甲基-9-久洛里定基)乙烯基]-4H-比喃(簡(jiǎn)寫式DCJTI) ；4-二氰基亞甲基-2-甲 基-6-[2-(l，l，7，7-四甲基-9-久洛里定基)乙烯基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)寫式:DCJT) ；4-二氰 基亞甲基-2-叔丁基-6-[2-(l，l，7，7-四甲基-9-久洛里定基)乙烯基]-4H-吡喃(簡(jiǎn)寫 式DCJTB) ；periflanthene ；2，5-二氰基-1，4-二 [2-10-甲氧基-1，1，7，7-四甲基-9-久 洛里定基)乙烯基]苯等。為了獲得綠光發(fā)射，展示出具有500nm到550nm的光譜中的峰 的發(fā)射光譜的物質(zhì)如N，N’ - 二甲基喹吖酮(簡(jiǎn)寫式DMQd)，香豆素6，香豆素545T，或三 (8-喹啉)鋁(簡(jiǎn)寫式Alq3)可以用作發(fā)光物質(zhì)。為了獲得藍(lán)光發(fā)射，下面展示出具有420nm 到500nm的光譜中的峰的發(fā)射光譜的物質(zhì)可以作為發(fā)光物質(zhì)9，10_ 二(2-萘基)-叔丁基 蒽(簡(jiǎn)寫式:t-BuDNA) ；9，9，-聯(lián)蒽；9，10-聯(lián)苯蒽(簡(jiǎn)寫式:DPA) ；9，10-二 (2-萘基)蒽 (簡(jiǎn)寫式DNA) ；二(2-甲基-8-喹啉)-4-苯基苯酚-鎵(簡(jiǎn)寫式BGaq) ；二(2-甲基_8_喹 啉)-4_苯基苯酚-鋁(簡(jiǎn)寫式BAlq)等。如上所述，除了發(fā)射熒光的物質(zhì)之外，下面發(fā)射 磷光的物質(zhì)也可以用作發(fā)光物質(zhì)二 [2_(3，5_ 二(三氟甲基)苯基)吡啶_N，C2']吡啶 甲酰合銥(III)(簡(jiǎn)寫式Ir(CF3ppy)2(pic)) ；二 [2-(4，6-二氟苯基)吡啶 _N，C2']乙酰 丙酮合銥(III)(簡(jiǎn)寫式FIr(acac)) ；二 [2-(4，6_ 二氟苯基)吡啶-N，C2']吡啶甲酰合銥(III)(簡(jiǎn)寫式FIr(pic))；三(2-苯基吡啶-N，C2')銥(簡(jiǎn)寫式Ir(ppy)3)等。此外，對(duì)包含在具有發(fā)光物質(zhì)的發(fā)光層113中并用于使該發(fā)光物質(zhì)處于分散狀態(tài) 的物質(zhì)沒有特殊限制。只需要選擇在用作發(fā)光的物質(zhì)的能隙等等方面合適的物質(zhì)。例如， 金屬絡(luò)合物如二 [2-(2-羥苯基)吡啶]鋅(簡(jiǎn)寫式Znpp2)或者二 [2-(2-羥苯基)苯并 噁唑]鋅(簡(jiǎn)寫式ZnBOX)以及蒽衍生物如9，10-二(2-萘基)-2_叔丁基蒽(簡(jiǎn)寫式 t-BuDNA)；咔唑衍生物如4，4’ - 二(N-咔唑基)聯(lián)苯(簡(jiǎn)寫式CBP)；喹喔啉衍生物如2， 3-二(4-二苯胺苯基)喹喔啉(簡(jiǎn)寫式TPAQn)或2，3_ 二 {4_N_(1-萘基)-N-苯胺}苯 基}_ 二苯并[f，h]喹喔啉(簡(jiǎn)寫式NPADiBzQn)可以與發(fā)光物質(zhì)一起使用。電子傳輸層114是具有傳輸電子的功能的層，而且在該實(shí)施方式的發(fā)光元件中， 具有將電子從電子注入層115傳送到發(fā)光層113的功能。通過提供電子傳輸層114，可以保 持第二電極102和發(fā)光層113之間的合適距離。因此，可以防止由于包含在第二電極102 中的金屬而導(dǎo)致發(fā)光熄滅。電子傳輸層優(yōu)選由電子傳輸物質(zhì)制成，并且特別優(yōu)選由具有 lX10-6cm2/Vs或更大的電子遷移率的電子傳輸物質(zhì)或者具有l(wèi)X10-6cm2/Vs或更大的電子 遷移率的雙極物質(zhì)制成。電子傳輸物質(zhì)表示電子遷移率高于空穴遷移率的物質(zhì)，而且優(yōu)選 是電子遷移率與空穴遷移率的比值(=電子遷移率/空穴遷移率)大于100的物質(zhì)。下面 給出電子傳輸物質(zhì)的具體例子2-(4_聯(lián)苯基)-5-(4_叔丁基苯基)-1，3，4_噁二唑(簡(jiǎn)寫 式PBD) ； 1，3_ 二 [5-(p-叔丁基苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(簡(jiǎn)寫式:0XD_7) ；TAZ ； p-EtTAZ ；Bphen ；BCP ；4，4-二 (5-甲基苯并噁唑基-2-基)均二苯乙烯(簡(jiǎn)寫式:Bz0s)等 等以及金屬絡(luò)合物如三(8-喹啉)鋁(簡(jiǎn)寫式Alq3)；三(4-甲基-8-喹啉)鋁(簡(jiǎn)寫式 Almq3) ；二(10-羥基苯并[h]_喹啉)鈹(簡(jiǎn)寫式BeBq2) ；二(2_甲基_8_喹啉)_4_苯基酚 酸鋁(簡(jiǎn)寫式:BAlq) ；二 [2-(2-羥苯基)苯并噁唑]鋅(簡(jiǎn)寫式:Zn(B0X)2) ；二 [2_(2_羥 苯基)苯并噻唑]鋅(簡(jiǎn)寫式Zn(BTZ)2)。要注意，雙極物質(zhì)如上所述。電子傳輸層114和 空穴傳輸層112可以由相同的雙極物質(zhì)制成。電子注入層116是具有幫助電子從第二電極102注入到電子傳輸層114的功能 的層。通過提供電子注入層115，減小了第二電極102和電子傳輸層114之間的電子親和 力的差異；因此電子容易注入。電子注入層115優(yōu)選由電子親和力高于用于形成電子傳輸 層114的物質(zhì)的電子親和力并且低于用于形成第二電極102的物質(zhì)的電子親和力的物質(zhì)制 成?？商鎿Q地，電子注入層115優(yōu)選由通過在電子傳輸層114和第二電極102之間設(shè)置為 大約lnm到2nm的薄膜而導(dǎo)致能帶彎曲的物質(zhì)制成。下面給出能用于形成電子注入層115 的物質(zhì)的具體例子從包括堿性金屬如鋰(Li)；堿土金屬如鎂(Mg)；堿性金屬的氟化物如 氟化銫(CsF)；堿土金屬的氟化物如氟化鈣(CaF2)；堿性金屬的氧化物如氧化鋰(Li20)、氧 化鈉(Na20)或氧化鉀(K20)；以及堿土金屬的氧化物如氧化鈣(CaO)或氧化鎂(MgO)的組 中選擇的一種無機(jī)物質(zhì)。這些物質(zhì)是優(yōu)選的，因?yàn)橥ㄟ^設(shè)置為薄膜而導(dǎo)致能帶彎曲。除了 無機(jī)物質(zhì)之外，可以用于形成電子傳輸層114的有機(jī)物質(zhì)，如紅菲咯啉(簡(jiǎn)寫式Bphen)； 浴銅靈(簡(jiǎn)寫式BCP) ；3-(4-叔丁基苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4_聯(lián)苯基)-1，2，4_三 唑(簡(jiǎn)寫式p_EtTAZ)；或3-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-5-(4-聯(lián)苯基)-1，2，4-三唑(簡(jiǎn) 寫式TAZ)，通過在這些物質(zhì)中選擇電子親和力高于用于形成電子傳輸層114的物質(zhì)的電 子親和力的物質(zhì)，也可以將該有機(jī)物用作形成電子注入層115的物質(zhì)。換句話說，電子注入 層115可以通過選擇使得電子注入層115中的電子親和力高于電子傳輸層114中的電子親
9和力的物質(zhì)來形成。要注意，在提供電子注入層115的情況下，第二電極102優(yōu)選由具有低 功函數(shù)的物質(zhì)制成，如鋁。在上述發(fā)光元件中，電子傳輸物質(zhì)和芳族烴都優(yōu)選選擇為使得在用于形成電子傳 輸層114的電子傳輸物質(zhì)的遷移率和包含在混合層111中的芳族烴的遷移率相比時(shí)，一種 物質(zhì)的遷移率與另一種 物質(zhì)的遷移率之比為1000或更低。由此發(fā)光層中的復(fù)合效率可以 通過選擇各物質(zhì)來提高。在該實(shí)施方式中，示出具有空穴傳輸層112、電子傳輸層114、電子注入層115等等 以及混合層111和發(fā)光層113的發(fā)光元件；但是發(fā)光元件的模式不限于此。例如如圖3所 示，可以采用具有電子產(chǎn)生層116等等取代電子注入層115的結(jié)構(gòu)。電子產(chǎn)生層116是產(chǎn)生 電子的層，該層可以通過將電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)中的至少一種物質(zhì)與展示出對(duì)這些物 質(zhì)的電子施予屬性的物質(zhì)混合來形成。在此，優(yōu)選特別是在電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)中使 用具有l(wèi)Xl(T6Cm7VS或更大的電子遷移率的物質(zhì)。至于電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)，可以分 別使用上述物質(zhì)。此外，關(guān)于展示出電子施予屬性的物質(zhì)，可以使用堿性金屬或堿土金屬的 物質(zhì)，特別是鋰(Li)、鈣(Ga)、鈉(Na)、鉀(K)、鎂(Mg)等。此外，可以用堿性金屬氧化物、 堿土金屬氧化物、堿性金屬氟化物或堿土金屬氟化物，特別是氧化鋰(Li2O)、氧化鈣(CaO)、 氧化鈉(Na2O)、氧化鉀(K2O)、氧化鎂(MgO)、氟化鋰(LiF)、氟化銫(CsF)、氟化鈣(CaF2)等 作為展示出電子施予屬性的物質(zhì)。此外，空穴阻擋層117可以如圖4所示設(shè)置在發(fā)光層113和電子傳輸層114之間。 通過設(shè)置空穴阻擋層117，可以防止空穴經(jīng)過發(fā)光層113而流向第二電極102 —側(cè)；因此可 以提高載流子的復(fù)合效率。此外，可以防止在發(fā)光層113中產(chǎn)生的激發(fā)能量被傳輸?shù)狡渌?層如電子傳輸層114。利用具有比用于形成發(fā)光層113的物質(zhì)更高電離電位和更高激發(fā)能 量的物質(zhì)來形成空穴阻擋層117，該物質(zhì)可以從可用于形成電子傳輸層114的物質(zhì)如BAlq、 0XD-7、TAZ和BPhen中選擇。換句話說，只需要通過選擇一種物質(zhì)使得空穴阻擋層117中 的電離電位高于電子傳輸層114中的電離電位來形成空穴阻擋層117。按照相同的方式，用 于阻擋電子在經(jīng)過發(fā)光層113之后流向第二電極102 —側(cè)的層也可以設(shè)置在發(fā)光層113和 空穴傳輸層112之間。要注意，是否提供電子注入層115、電子傳輸層114和空穴傳輸層112可以由實(shí)施 本發(fā)明的人來適當(dāng)?shù)貨Q定，而且也不總是需要提供這些層，例如在即使不設(shè)置空穴傳輸層 112、電子傳輸層114等也不存在故障如由于金屬導(dǎo)致的熄滅的情況下，或者在即使沒有設(shè) 置電子注入層115電子也令人滿意地從電極注入的情況下。如上所述，通過利用具有包含芳族烴和金屬氧化物的混合層111的發(fā)光元件，與 具有只由芳族烴或金屬氧化物制成的層的發(fā)光元件相比，可以更多地減小由于設(shè)置在一對(duì) 電極之間的層的結(jié)晶而導(dǎo)致的故障，如這對(duì)電極之間的短路等，這是因?yàn)橥ㄟ^結(jié)晶產(chǎn)生了 支持空穴注入的層的不均勻而導(dǎo)致的。此外，空穴可以在混合層111中產(chǎn)生；因此，通過提 供包含芳族烴和金屬氧化物的混合層111，可以獲得驅(qū)動(dòng)電壓變化很小的發(fā)光元件，該驅(qū)動(dòng) 電壓取決于混合層111的厚度。因此，通過改變混合層111的厚度，可以很容易調(diào)整發(fā)光層 113和第一電極101之間的距離。換句話說，所發(fā)射的光經(jīng)過的光路徑的長度很容易被調(diào)整 為足以在外部有效地提取發(fā)光的長度，或者這樣一個(gè)長度，通過該長度在外部提取的發(fā)光 的顏色純度是令人滿意的。此外，第一電極101的表面不均勻可以減輕，電極之間的短路可以通過加厚混合層111來減少。上述發(fā)光元件可以通過用于在第一電極101上連續(xù)堆疊了混合層111、空穴傳輸 層112、發(fā)光層113、電子傳輸層114、電子注入層115等等之后形成第二電極102的方法制 造，或者通過用于在第二電極102上連續(xù)堆疊了電子注入層115、電子傳輸層114、發(fā)光層 113、空穴傳輸層112、混合層111等等之后形成第一電極101的方法制造。通過按后一種方 法中形成發(fā)光層113之后形成混合層111，該混合層111用作保護(hù)層；因此甚至在通過濺射 方法形成第一電極101時(shí)也可以制造令人滿意的發(fā)光元件，在這種發(fā)光元件中由有機(jī)化合 物制成的層如發(fā)光層113不容易因?yàn)R射而損壞。實(shí)施方式2參照?qǐng)D2描述本發(fā)明的發(fā)光元件的一種模式。圖2示出在第一電極201和第二電極202之間具有發(fā)光層213、第一混合層215和 第二混合層216的發(fā)光元件，其中發(fā)光層213比第一混合層215更靠近第一電極201，第二 混合層216比第一混合層215更靠近第二電極202。在該發(fā)光元件中，空穴注入層211和空 穴傳輸層212設(shè)置在發(fā)光層和第一電極201之間，電子傳輸層214設(shè)置在發(fā)光層213和第 一混合層215之間。第一混合層215是包括電子傳輸物質(zhì)和從堿性金屬、堿土金屬、堿性金 屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿性金屬氟化物和堿土金屬氟化物中選擇的一種物質(zhì)的層。第 二混合層216是包括芳族烴和金屬氧化物的層。發(fā)光層213包括發(fā)光物質(zhì)。當(dāng)向每個(gè)電極 施加電壓，使得第一電極201的電位高于第二電極202的電位時(shí)，電子從第一混合層215注 入到電子傳輸層214，空穴從第二混合層216注入到第二電極202，空穴還進(jìn)一步從第一電 極201注入到空穴注入層211。然后，從第一電極201—側(cè)注入到發(fā)光層213中的空穴和從 第二電極202 —側(cè)注入到發(fā)光層213中的電子復(fù)合，因此，包含在發(fā)光層213中的發(fā)光物質(zhì) 通過由該復(fù)合產(chǎn)生的激發(fā)能量而變成激發(fā)態(tài)。在激發(fā)態(tài)的發(fā)光物質(zhì)在從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài) 時(shí)發(fā)光。下面具體描述第一電極201、第二電極202以及設(shè)置在第一電極201和第二電極 202之間的每一層。用于形成第一電極201的物質(zhì)優(yōu)選是具有高功函數(shù)的物質(zhì)，如氧化銦錫、包含氧 化硅的氧化銦錫、包含2%到20%氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻 (Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或氮化鉭。
用于形成第二電極202的物質(zhì)優(yōu)選是具有低功函數(shù)的物質(zhì)如鋁或鎂；但是如果在 第二電極202和發(fā)光層213之間設(shè)置產(chǎn)生電子的層，則也可以使用具有高功函數(shù)的物質(zhì)如 氧化銦錫、包含氧化硅的氧化銦錫、包含2%到20%氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、鎳 (Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或氮化鉭。因此，可以根 據(jù)設(shè)置在第二電極202和發(fā)光層213之間的層的屬性來適當(dāng)選擇用于形成第二電極202的 物質(zhì)。要注意，優(yōu)選將第一電極201和第二電極202形成為使得電極之一或兩個(gè)電極都 透射所發(fā)射的光?？昭ㄗ⑷雽?11是具有幫助空穴從第一電極201注入到空穴傳輸層212的功能的 層。通過提供空穴注入層211，減小了第一電極201和空穴傳輸層212之間的電離電位差 異；由此空穴很容易注入?？昭ㄗ⑷雽?11優(yōu)選由電離電位低于用于形成空穴傳輸層212的物質(zhì)的電離電位但高于用于形成第一電極201的物質(zhì)的電離電位的物質(zhì)制成。作為可用 于形成空穴注入層211的物質(zhì)的具體例子，給出低分子化合物如酞箐染料(簡(jiǎn)寫式=H2Pc) 或銅酞箐染料(簡(jiǎn)寫式CuPc)；高分子化合物如聚(乙烯二氧噻吩)/聚(磺苯乙烯)水溶 液(簡(jiǎn)寫式PEDOT/PSS)等等。
空穴傳輸層212是具有用于傳輸空穴的功能的層，而且在該實(shí)施方式的發(fā)光元件 中，具有將空穴從空穴注入層211傳送到發(fā)光層213的功能。通過提供空穴傳輸層212，可 以保持第一電極201和發(fā)光層213之間的合適距離。結(jié)果，可以防止由于包含在第一電極 201中的金屬元素而導(dǎo)致發(fā)光熄滅?？昭▊鬏攲?12優(yōu)選由空穴傳輸物質(zhì)制成，特別優(yōu)選由 具有1 X 10-6cm2/Vs或更大的空穴遷移率的空穴傳輸物質(zhì)或者具有1 X 10-6cm2/Vs或更大的 空穴遷移率的雙極物質(zhì)制成。至于空穴傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)，對(duì)應(yīng)地采用實(shí)施方式1中空 穴傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)的描述，并在本實(shí)施方式中省略其說明。發(fā)光層213是包括發(fā)光物質(zhì)的層。發(fā)光層213可以是僅由發(fā)光物質(zhì)制成的層。但 是，在發(fā)生濃縮熄滅時(shí)，發(fā)光層213優(yōu)選是這樣一種層，其中發(fā)光物質(zhì)以分散狀態(tài)混合在由 能隙大于發(fā)光物質(zhì)的能隙的物質(zhì)制成的層中。通過將發(fā)光物質(zhì)以分散狀態(tài)包含在發(fā)光層 213中，可以防止由于濃縮而導(dǎo)致發(fā)光熄滅。在此，能隙表示LUMO能級(jí)和HOMO能級(jí)之間的能 隙。至于發(fā)光物質(zhì)和用于使得發(fā)光物質(zhì)處于分散狀態(tài)的物質(zhì)，對(duì)應(yīng)地采用實(shí)施方式1中發(fā) 光物質(zhì)和用于使得發(fā)光物質(zhì)處于分散狀態(tài)的物質(zhì)的描述，并在本實(shí)施方式中省略其說明。電子傳輸層214是具有傳輸電子的功能的層，而且在該實(shí)施方式的發(fā)光元件中， 具有將從第一混合層215注入的電子傳送到發(fā)光層213的功能。通過提供電子傳輸層214， 可以保持第二混合層216和發(fā)光層213之間的合適距離。因此，可以防止由于包含在第二混 合層216中的金屬元素而導(dǎo)致發(fā)光熄滅(在金屬元素包含在第一混合層215中的情況下由 于金屬元素)。電子傳輸層214優(yōu)選由電子傳輸物質(zhì)制成，并且特別優(yōu)選由具有1 X IO-6Cm2/ Vs或更大的電子遷移率的電子傳輸物質(zhì)或者具有1 X 10-6cm2/Vs或更大的電子遷移率的雙 極物質(zhì)制成。至于電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)，對(duì)應(yīng)地采用實(shí)施方式1中電子傳輸物質(zhì)和雙 極物質(zhì)的描述，并在本實(shí)施方式中省略其說明。第一混合層215是產(chǎn)生電子的層，其可以通過將電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)中的至 少一種物質(zhì)與展示出對(duì)這些物質(zhì)的電子施予屬性的物質(zhì)混合來形成。在此，優(yōu)選特別是在 電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)中使用具有IX 10-6cm2/VS或更大的電子遷移率的物質(zhì)。至于電 子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)，對(duì)應(yīng)地采用對(duì)電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)的描述，并在本實(shí)施方式 中省略其說明。此外，至于展示出對(duì)電子傳輸物質(zhì)和雙極物質(zhì)的電子施予屬性的物質(zhì)，對(duì)應(yīng) 地采用展示出電子施予屬性的物質(zhì)，并在此省略其描述。第二混合層216是包括芳族烴和金屬氧化物的層。對(duì)芳族烴的種類沒有特殊限 制；但是，具有l(wèi)X10_6Cm2/VS或更大的空穴遷移率的芳族烴是優(yōu)選的。從金屬氧化物注入 的空穴可以通過具有l(wèi)X10_6Cm2/VS或更大的空穴遷移率來有效地傳輸。作為這樣的具有 lX10_6cm7Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽(簡(jiǎn) 寫式t-BuDNA)、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘 嵌苯等等。此外也可以使用并五苯、暈苯等。作為羅列于此的芳族烴，具有l(wèi)X10_6cm2/VS或 更大的空穴遷移率并且具有14到42個(gè)碳原子的芳族烴是優(yōu)選的。作為金屬氧化物，展示 出對(duì)芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。此外，還可以使用諸如氧化鈦、氧化鉻、氧化鋯、氧化鉿、氧 化鉭、氧化鎢或氧化銀的金屬氧化物。在第二混合層216中，優(yōu)選包含金屬氧化物，使得相 對(duì)于芳族烴的質(zhì)量比是0. 5至2或分子比為1至4(=金屬氧化物/芳族烴)。調(diào)整發(fā)光 層213和第二電極202之間的距離。換句話說，所發(fā)射的光經(jīng)過的光路徑的長度(即光路 徑長度)很容易被調(diào)整為足以在外部有效地提取發(fā)光的長度，或者這樣一個(gè)長度，在該長 度時(shí)在外部提取的發(fā)光的顏色純度是令人滿意的。此外，可以減輕第二電極202的表面不 均勻，可以通過加厚第二混合層216來減少電極之間的短路。此外，通過在第一電極201 —側(cè)中而不是空穴注入層211中也提供包括芳族烴和 金屬氧化物的層，可以很容易地調(diào)整第一電極201和發(fā)光元件213之間的距離。此外，可以 減輕第一電極201的表面不均勻，并且減少電極之間的短路。上述發(fā)光元件可以通過用于首先形成第一電極101，然后形成每一層如發(fā)光層 213，然后形成第二電極202的方法制造，或者通過用于首先形成第二電極202，然后形成每 一層如發(fā)光層213，然后形成第一電極201的方法制造。通過在這兩種方法中在形成發(fā)光層 213之后都形成包括芳族烴和金屬氧化物的層，包括芳族烴和金屬氧化物的層用作保護(hù)層； 因此甚至在通過濺射方法形成電極(第一電極201或第二電極202)時(shí)也可以制造令人滿 意的發(fā)光元件，在這種發(fā)光元件中由有機(jī)化合物制成的層如發(fā)光層213不容易因?yàn)R射而被 損壞。實(shí)施方式3下面參照?qǐng)D20說明本發(fā)明發(fā)光元件的一個(gè)模式。圖20示出具有多個(gè)發(fā)光層的 發(fā)光元件，具體地說是第一電極401和第二電極402之間的第一發(fā)光層413a、第二發(fā)光層 413b以及第三發(fā)光層413c。該發(fā)光元件在第一發(fā)光層413a和第二發(fā)光層413b之間具有 第一混合層421a和第二混合層422a，在第二發(fā)光層413b和第三發(fā)光層413c之間具有第一 混合層421b和第二混合層422b。第一混合層42la、42Ib是包括電子傳輸物質(zhì)和從堿性金 屬、堿土金屬、堿性金屬氧化物、堿土金屬氧化物、堿性金屬氟化物和堿土金屬氟化物中選 擇的一種物質(zhì)的層。第二混合層422a、422b是包括芳族烴和金屬氧化物的層。第一混合層 421a比第二混合層422a更靠近第一電極401，第一混合層421b比第二混合層422b更靠近 第一電極401?？昭▊鬏攲?12a、412b、芳族烴通常具有容易結(jié)晶的特性；但是，通過象本實(shí) 施方式中那樣與金屬氧化物混合，芳族烴不容易結(jié)晶。只由金屬氧化物制成的層展現(xiàn)出容 易結(jié)晶的趨勢(shì)，該趨勢(shì)在氧化鉬用作金屬氧化物時(shí)尤其明顯；但是，通過象本實(shí)施方式中那 樣與芳族烴混合，氧化鉬不容易結(jié)晶。按照這種方式，通過將芳族烴與金屬氧化物混合，芳 族烴和金屬氧化物各自的結(jié)晶彼此干擾，因此可以形成不容易結(jié)晶的層。在該實(shí)施方式中，示出具有空穴注入層211、空穴傳輸層212、電子傳輸層214等以 及發(fā)光層213、第一混合層215和第二混合層216的發(fā)光元件；但是，發(fā)光元件的模式不限 于此。例如如圖5所示，可以采用具有層217等等取代空穴注入層211的結(jié)構(gòu)，層217包括 芳族烴和金屬氧化物，這與第二混合層216相同。通過提供具有芳族烴和金屬氧化物的層 217，即使在使用具有低功函數(shù)的物質(zhì)如鋁或鎂來形成第一電極201的情況下，發(fā)光元件也 可以令人滿意地運(yùn)行。此外，如圖6所示，空穴阻擋層218可以設(shè)置在電子傳輸層214和發(fā) 光層213之間?？昭ㄗ钃鯇?18類似于在實(shí)施方式1中提到的空穴阻擋層117 ；因此省略 其說明。
要注意，是否提供空穴注入層211、空穴傳輸層212和電子傳輸層214可以由實(shí)施本發(fā)明的人來適當(dāng)?shù)貨Q定，而且這些層也不總是需要提供，例如在即使不設(shè)置電子傳輸層 212、電子傳輸層214等也不存在故障如由于金屬導(dǎo)致的熄滅的情況下，或者在即使沒有設(shè) 置空穴注入層211空穴也令人滿意地從電極注入的情況下。如上所述，通過利用具有包含芳族烴和金屬氧化物的第二混合層216的發(fā)光元 件，與具有只由芳族烴或金屬氧化物制成的層的發(fā)光元件相比，可以更多地減小由于設(shè)置 在一對(duì)電極之間的層的結(jié)晶而導(dǎo)致的故障，如這對(duì)電極之間的短路等，這是因?yàn)橥ㄟ^結(jié)晶 產(chǎn)生了支持空穴注入的層的不均勻而導(dǎo)致的。此外，空穴可以在第二混合層216中產(chǎn)生； 因此，通過提供包含芳族烴和金屬氧化物的第二混合層216，可以獲得驅(qū)動(dòng)電壓變化很小的 發(fā)光元件，該驅(qū)動(dòng)電壓取決于第二混合層216的厚度。因此，通過改變第二混合層216的厚 度，可以很容易412c分別設(shè)置在第一電極401和第一發(fā)光層413a之間、第二混合層422a 和第二發(fā)光層413b之間以及第二混合層422b和第三發(fā)光層413c之間。此外，電子傳輸層 414a、414b、414c分別設(shè)置在第一發(fā)光層413a和第一混合層421a之間、第二發(fā)光層413b和 第一混合層421b之間以及第三發(fā)光層413c和第二電極402之間。此外，空穴注入層411設(shè) 置在第一電極401和空穴傳輸層412a之間，電子注入層415設(shè)置在第二電極402和電子傳 輸層414c之間。發(fā)光物質(zhì)包含在第一發(fā)光層413a、第二發(fā)光層413b以及第三發(fā)光層413c 中。當(dāng)向每個(gè)電極施加電壓，使得第一電極401的電位高于第二電極402的電位時(shí)，空穴和 電子在每個(gè)發(fā)光層中復(fù)合，包含在每個(gè)發(fā)光層中的發(fā)光物質(zhì)通過該復(fù)合產(chǎn)生的激發(fā)能量而 變成激發(fā)態(tài)。在激發(fā)態(tài)的發(fā)光物質(zhì)在從激發(fā)態(tài)返回到基態(tài)時(shí)發(fā)光。要注意，包含在每個(gè)發(fā) 光層中的發(fā)光物質(zhì)可以相同或不同。用于形成第一電極401的物質(zhì)優(yōu)選是具有高功函數(shù)的物質(zhì)，如氧化銦錫、包含氧 化硅的氧化銦錫、包含2%到20%氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、鎳(Ni)、鎢(W)、鉻 (Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或氮化鉭。此外，在設(shè)置包含芳族烴和金 屬氧化物的層來代替空穴注入層411的情況下，第一電極401可以由具有低功函數(shù)的物質(zhì) 如鋁或鎂的物質(zhì)制成。用于形成第二電極402的物質(zhì)優(yōu)選是具有低功函數(shù)的物質(zhì)如鋁或鎂；但是如果在 第二電極402和第三發(fā)光層413c之間設(shè)置產(chǎn)生電子的層，則也可以使用具有高功函數(shù)的物 質(zhì)如氧化銦錫、包含氧化硅的氧化銦錫、包含2%到20%氧化鋅的氧化銦、金(Au)、鉬(Pt)、 鎳(Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)或氮化鉭。因此，可以 根據(jù)設(shè)置在第二電極402和第三發(fā)光層413c之間的層的屬性來適當(dāng)選擇用于形成第二電 極402的物質(zhì)。在如上所述的該實(shí)施方式的發(fā)光元件中，第一混合層421a、421b類似于在實(shí)施方 式2中提到的第一混合層215。此外，第二混合層422a、422b類似于在實(shí)施方式2中提到的 第二混合層216。第一發(fā)光層413a、第二發(fā)光層413b以及第三發(fā)光層413c都類似于實(shí)施 方式2中的發(fā)光層213。空穴注入層411 ；空穴傳輸層412a、412b、412c ；電子傳輸層414a、 414b,414c ；以及電子注入層415分別類似于實(shí)施方式2中以相同名稱提到的層。如上所述，通過利用具有包含芳族烴和金屬氧化物的第二混合層422a、422b的發(fā) 光元件，與具有只由芳族烴或金屬氧化物制成的層的發(fā)光元件相比，可以更多地減小由于 設(shè)置在一對(duì)電極之間的層的結(jié)晶而導(dǎo)致的故障，如這對(duì)電極之間的短路等，這是因?yàn)橥ㄟ^結(jié)晶產(chǎn)生了支持空穴注入的層的不均勻而導(dǎo)致的。此外，通過采用具有分別包含芳族烴和 金屬氧化物的第二混合層422a、422b的結(jié)構(gòu)，可以獲得這樣的發(fā)光元件，其中與在每個(gè)發(fā) 光層之間具有通過濺射形成的層如由氧化銦錫制成的層的發(fā)光元件相比，在這種發(fā)光元件 中由有機(jī)化合物制成的層如發(fā)光層不容易因?yàn)R射而被損壞。 實(shí)施方式4根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，可以減小由于設(shè)置在一對(duì)電極之間的層的結(jié)晶而導(dǎo)致的 運(yùn)行故障。此外，可以通過加厚設(shè)置在這對(duì)電極之間的、包含芳族烴和金屬氧化物的混合層 來防止這對(duì)電極之間的短路。此外，根據(jù)本發(fā)明的發(fā)光元件，通過改變?cè)摶旌蠈拥暮穸葋碚{(diào) 整光路長路，可以在外部有效地提取發(fā)光。此外，可以獲得具有令人滿意的顏色純度的發(fā) 光。因此，通過利用本發(fā)明的發(fā)光元件作為像素，可以獲得由發(fā)光元件的運(yùn)行故障而導(dǎo)致的 顯示缺陷非常少的令人滿意的發(fā)光器件。此外，通過利用本發(fā)明的發(fā)光元件作為像素，可以 獲得能夠提供具有令人滿意的顯示顏色的圖像的發(fā)光器件。此外，通過利用本發(fā)明的發(fā)光 作為光源，可以獲得由發(fā)光元件的運(yùn)行故障導(dǎo)致的故障非常少的發(fā)光器件。在該實(shí)施方式中，參照?qǐng)D7至IlC描述具有顯示功能的發(fā)光器件的電路配置及其 驅(qū)動(dòng)方法。圖7是應(yīng)用本發(fā)明的發(fā)光器件的示意頂視圖。在圖7中，像素部分6511、源信號(hào)線 驅(qū)動(dòng)電路6512、寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513、擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514設(shè)置在襯底 6500上。源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513、擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路6514分別通過一組布線連接到FPC (柔性印刷電路)6503，該FPC是外部輸入端子。源信 號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6512、寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6513、擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路6514分別從 FPC 6503接收視頻信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)、起始信號(hào)、復(fù)位信號(hào)等等。印刷線路板(PWB)6504附接 至Ij FPC6503上。驅(qū)動(dòng)電路部分不需要如上所述與像素部分6511設(shè)置在相同的襯底上。 例如，驅(qū)動(dòng)電路部分可以利用TPC等等設(shè)置在襯底外部，該TPC是通過將IC芯片安裝在具 有布線圖案的FPC上來形成的。在像素部分6511中，沿行方向布置多個(gè)在列方向上延伸的源信號(hào)線，沿行方向布 置電流供應(yīng)線。在像素部分6511中，沿列方向布置多個(gè)在行方向上延伸的選通信號(hào)線。此 夕卜，在像素部分6511中，布置了多個(gè)包括發(fā)光元件的像素電路。圖8是示出用于使一個(gè)像素運(yùn)行的電路的圖。第一晶體管901、第二晶體管902和 發(fā)光元件903包含在圖8所示的電路中。第一晶體管901和第二晶體管902分別具有3個(gè)端子，包括柵電極、漏極區(qū)域和源 極區(qū)域，并在漏極區(qū)域和源極區(qū)域之間具有溝道區(qū)域。在此，由于源極區(qū)域和漏極區(qū)域是根 據(jù)晶體管的結(jié)構(gòu)、運(yùn)行條件等來確定的，因此難以界定源極區(qū)域或漏極區(qū)域。因此在該實(shí)施 方式中，用作源極或漏極的區(qū)域分別稱為第一電極或第二電極。選通信號(hào)線911和寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913設(shè)置為通過開關(guān)918彼此電連接 或斷開連接。選通信號(hào)線911和擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914設(shè)置為通過開關(guān)919彼此電 連接或斷開連接。源信號(hào)線912設(shè)置為通過開關(guān)920電連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915和電 源916。第一晶體管901的柵極電連接到選通信號(hào)線911。第一晶體管的第一電極電連接 到源信號(hào)線912，第一晶體管的第二電極電連接到第二晶體管902的柵電極。第二晶體管的第一電極電連接到電流供應(yīng)線917，第二晶體管的第二電極電連接到包含在發(fā)光元件903 中的一個(gè)電極。此外，開關(guān)918可以包含在寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913中。開關(guān)919還 可以包含在擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914中。此外，開關(guān)920可以包含在源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路915中。對(duì)像素部分中的晶體管、發(fā)光元件等等的布置沒有特殊限制；但是，晶體管、發(fā)光 元件等等例如可以按照?qǐng)D9的頂視圖來布置。在圖9中，第一晶體管1001的第一電極連接 到源信號(hào)線1004，第一晶體管1001的第二電極連接到第二晶體管1002的柵極。第二晶體 管的第一電極連接到電流供應(yīng)線1005，第二晶體管的第二電極連接到包含在發(fā)光元件的電 極1006。選通信號(hào)線1003的一部分用作第一晶體管1001的柵電極。
下面說明驅(qū)動(dòng)方法。圖10是隨著時(shí)間的幀操作的示意圖。在圖10中，水平方向 代表時(shí)間流逝，而縱向代表選通信號(hào)線的掃描階段。如果利用按照本發(fā)明的發(fā)光器件顯示圖像，則屏幕的重寫入操作和顯示操作在顯 示時(shí)間段內(nèi)重復(fù)執(zhí)行。重寫操作的次數(shù)沒有特殊限制；但是，重寫操作優(yōu)選至少每秒大約 60次，從而觀看該圖像的人不會(huì)發(fā)現(xiàn)閃爍。在此，執(zhí)行一個(gè)屏幕(一幀)的重寫入操作和顯 示操作的周期稱為一幀周期。如圖10所示，一幀周期被時(shí)分為4個(gè)子幀周期501、502、503、504，該子幀周期包 括寫入時(shí)間段501a、502a、503a、504a和保持時(shí)間段50lb、502b、503b、504b。接收用于發(fā) 光的信號(hào)的發(fā)光元件在保持時(shí)間段內(nèi)發(fā)射光。在每個(gè)子幀周期中的保持時(shí)間段的長度比 例是第一子幀周期501 第二子幀周期502 第三子幀周期503 第四子幀周期504 = 23 22 21 2° = 8 4 2 1。因此，可以實(shí)現(xiàn)4位的灰度級(jí)。位數(shù)和灰度級(jí)數(shù)不限 于此。例如，可以通過提供8個(gè)子幀周期來提供8位的灰度級(jí)。下面說明一幀周期中的操作。首先，在子幀周期501中寫入操作順序地從第一行 執(zhí)行到最后一行。因此，寫入時(shí)間段的開始時(shí)間依據(jù)行而不同。保持時(shí)間段501b從寫入時(shí) 間段501a結(jié)束的行順序地開始。在保持時(shí)間段中，接收用于發(fā)光的信號(hào)的發(fā)光元件發(fā)射 光。下一個(gè)子幀周期502從保持時(shí)間段501b結(jié)束的行順序開始，寫入操作與子幀周期501 的情況相同順序地從第一行執(zhí)行到最后一行。上述操作重復(fù)執(zhí)行，以完成子幀周期504的 保持時(shí)間段504b。當(dāng)子幀周期504中的操作結(jié)束時(shí)，下一個(gè)幀周期中的操作開始。每個(gè)子 幀周期中發(fā)光時(shí)間的和是一個(gè)幀周期中每個(gè)發(fā)光元件的發(fā)光時(shí)間。通過改變每個(gè)發(fā)光元件 的發(fā)光時(shí)間并且將發(fā)光時(shí)間不同地組合到一個(gè)像素中，可以用不同的亮度和色度顯示各種 顏色。當(dāng)寫入已經(jīng)結(jié)束且保持時(shí)間段已經(jīng)開始的行中的保持時(shí)間段要在最后一行的寫 入結(jié)束之前被強(qiáng)制終止時(shí)，在保持時(shí)間段504b之后提供擦除時(shí)間段504c以控制發(fā)光被強(qiáng) 制停止。發(fā)光被強(qiáng)制停止的行在固定時(shí)間段(該時(shí)間段稱為不發(fā)光時(shí)間段504d)不發(fā)射 光。當(dāng)最后一行的寫入時(shí)間段結(jié)束時(shí)，下一個(gè)寫入時(shí)間段(或幀周期)就從第一行順序開 始。根據(jù)這一點(diǎn)，可以防止子幀周期504的寫入時(shí)間段和下一個(gè)子幀周期的寫入時(shí)間段重 疊。在該實(shí)施方式中，子幀周期501至504按照從最長保持時(shí)間段開始的順序布置；但 是本發(fā)明不限于此。例如，子幀周期501至504可以按照從最短保持時(shí)間段開始的順序布 置，或者隨機(jī)地組合短子幀周期和長子幀周期地布置。子幀周期還可以分為多個(gè)幀周期。也就是說，在給出相同視頻信號(hào)的時(shí)間段可以多次掃描選通信號(hào)線。下面說明圖8所示的電路在寫入時(shí)間段和擦除時(shí)間段內(nèi)的操作。 首先說明寫入時(shí)間段內(nèi)的操作。在寫入時(shí)間段，第η行(η是自然數(shù))的選通信號(hào) 線911通過開關(guān)918電連接到寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913。選通信號(hào)線911沒有連接到 擦除選通信號(hào)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路914。源信號(hào)線912通過開關(guān)920電連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。 在此，信號(hào)輸入到連接到第η行(η是自然數(shù))的選通信號(hào)線911的第一晶體管901的柵極 以接通第一晶體管901。然后，此時(shí)視頻信號(hào)同時(shí)輸入到第一列到最后一列中的源信號(hào)線。 從每一列中的源信號(hào)線912輸入的視頻信號(hào)彼此獨(dú)立。從源信號(hào)線912輸入的視頻信號(hào)通 過連接到每個(gè)源信號(hào)線的第一晶體管901輸入到第二晶體管902的柵電極。此時(shí)，發(fā)光元 件903根據(jù)輸入第二晶體管902的信號(hào)來發(fā)射光或不發(fā)射光。例如，當(dāng)?shù)诙w管902是 P溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過將低電平信號(hào)輸入到第二晶體管902的柵電極來發(fā)射光。 另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902是N溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過將高電平信號(hào)輸入到第二 晶體管902的柵電極來發(fā)射光。下面說明擦除時(shí)間段中的操作。在擦除時(shí)間段中，第η行(η是自然數(shù))的選通信 號(hào)線911通過開關(guān)919電連接到擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914。選通信號(hào)線911沒有連接 到寫入選通信號(hào)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路913。源信號(hào)線912通過開關(guān)920電連接到電源916。在此，信 號(hào)輸入到連接到第η行(η是自然數(shù))的選通信號(hào)線911的第一晶體管901的柵極以接通 第一晶體管901。然后，此時(shí)擦除信號(hào)同時(shí)輸入到第一列到最后一列中的源信號(hào)線。從源 信號(hào)線912輸入的擦除信號(hào)通過連接到每個(gè)源信號(hào)線的第一晶體管901輸入到第二晶體管 902的柵電極。此時(shí)，從電流供應(yīng)線917提供給發(fā)光元件903的電流被輸入到第二晶體管 902的信號(hào)阻斷。由此，發(fā)光元件903被迫處于不發(fā)光狀態(tài)。例如，當(dāng)?shù)诙w管902是P 溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過將高電平信號(hào)輸入到第二晶體管902的柵電極而不會(huì)發(fā)射 光。另一方面，當(dāng)?shù)诙w管902是N溝道類型時(shí)，發(fā)光元件903通過將低電平信號(hào)輸入到 第二晶體管902的柵電極也不會(huì)發(fā)射光。在擦除時(shí)間段中，用于擦除的信號(hào)通過如上所述的操作輸入到第η行(η是自然 數(shù))。但是，存在第η行在擦除時(shí)間段而其它行(稱為第m行(m是自然數(shù)))在寫入時(shí)間段 的情況。在這種情況下，需要利用同一列的源信號(hào)線將用于擦除的信號(hào)輸入第η行，而將用 于寫入的信號(hào)輸入第m行。因此優(yōu)選執(zhí)行如下所述的操作。在第η行的發(fā)光元件903通過上述擦除時(shí)間段中的操作而被迫處于不發(fā)光狀態(tài)之 后，立即通過轉(zhuǎn)換開關(guān)918將選通信號(hào)線與擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914斷開連接，將源信 號(hào)線連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915。除了將源信號(hào)線連接到源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路915之外，還 將選通信號(hào)線連接到寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913。信號(hào)從寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913 選擇性地輸入第m行的信號(hào)線以接通第一晶體管，而且用于寫入的信號(hào)從源信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路915輸入第一列到最后一列的源信號(hào)線。第m行的發(fā)光元件根據(jù)視頻信號(hào)來發(fā)射光或不 發(fā)射光。在如上所述結(jié)束第m行的寫入時(shí)間段時(shí)，第(n+1)行的擦除時(shí)間段就開始。因此， 通過轉(zhuǎn)換開關(guān)918將選通信號(hào)線和寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913彼此斷開連接，將源信號(hào) 線和電源916彼此連接。此外，將選通信號(hào)線和寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路913彼此斷開連 接，將源信號(hào)線連接到擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914。當(dāng)信號(hào)從擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914選擇性地輸入第(n+1)行的信號(hào)線以接通第一晶體管時(shí)，擦除信號(hào)從電源916輸入。第 (n+1)行的擦除時(shí)間段一結(jié)束，第m行的寫入時(shí)間段就開始。此后以相同方式可以重復(fù)地執(zhí) 行擦除時(shí)間段和寫入時(shí)間段以完成最后一行的擦除時(shí)間段。在該實(shí)施方式中，說明了在第η行的擦除時(shí)間段和第(n+1)行的擦除時(shí)間段之間 提供第m行的寫入時(shí)間段的模式。但是并不限于此，第m行的寫入時(shí)間段可以設(shè)置在第 (n-1)行的擦除時(shí)間段和第η行的擦除時(shí)間段。此外，在該實(shí)施方式中，當(dāng)不發(fā)光時(shí)間段504d設(shè)置在子幀周期504中時(shí)，重復(fù)執(zhí)行 將擦除選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路914與某個(gè)選通信號(hào)線斷開連接和將寫入選通信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電 路913連接到另一個(gè)選通信號(hào)線的操作。這種操作可以在沒有不發(fā)光時(shí)間段的幀周期內(nèi)進(jìn) 行。實(shí)施方式5
下面參照?qǐng)DIlA至IlC中的截面視圖說明包括本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件的一 種模式。在每個(gè)圖IlA至IlC中，由虛線圍繞的區(qū)域代表用于驅(qū)動(dòng)本發(fā)明的發(fā)光元件12的 晶體管11。發(fā)光元件12是如實(shí)施方式1至3所述的、本發(fā)明在第一電極13和第二電極14 之間具有包括芳族烴和金屬氧化物的層的發(fā)光元件。晶體管11的漏極和第一電極13通過 穿過第一層間絕緣膜16 (16a、16b、16c)的布線17彼此電連接。發(fā)光元件12通過分隔層18 與設(shè)置在發(fā)光元件12附近的其它發(fā)光元件隔離開。在該實(shí)施方式中，本發(fā)明具有這種結(jié)構(gòu) 的發(fā)光器件設(shè)置在襯底10上。要注意，圖IlA至IlC中分別示出的晶體管11都是頂部柵極晶體管，其中柵電極 設(shè)置在背對(duì)襯底的一面，從而在柵電極和襯底之間插入半導(dǎo)體層。但是，晶體管11的結(jié)構(gòu) 沒有特殊限制。例如，可以采用底部柵極晶體管。在使用底部柵極晶體管的情況下，可以使 用在溝道的半導(dǎo)體層上形成保護(hù)膜的晶體管(溝道被保護(hù)的晶體管)，或者使用溝道的半 導(dǎo)體層的一部分在凹面中受到蝕刻的晶體管(溝道被蝕刻的晶體管)。包含在晶體管11中的半導(dǎo)體層可以是晶體半導(dǎo)體、無定形半導(dǎo)體、半無定形半導(dǎo) 體等等中的任一種。下面描述半無定形半導(dǎo)體。半無定形半導(dǎo)體具有在無定形結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(包括 單晶體和多晶體結(jié)構(gòu))之間的中間結(jié)構(gòu)，在自由能方面穩(wěn)定的第三狀態(tài)，以及具有短范圍 有序和晶格變形的晶體區(qū)域。此外，膜的至少一部分包括晶粒直徑從0. 5到20nm的晶粒。 拉曼(Raman)頻譜轉(zhuǎn)換到低于520cm—1的波數(shù)一端。通過X射線衍射來觀察被認(rèn)為是從Si 晶體晶格得出的衍射峰(111)和(220)。至少1原子％或更多的氫或鹵素包含在半無定形 半導(dǎo)體中以終止懸空鍵(dangling bond)。半無定形半導(dǎo)體也稱為所謂的微晶體半導(dǎo)體。 它是通過氣體SiH4、Si2H6, SiH2Cl2, SiHCl3、SiCl4或SiF4的輝光放電分解(等離子CVD)來 形成的。這些氣體可以被H2或H2與從He、Ar、Kr、Ne中選擇的一種或多種稀有氣體稀釋。 稀釋比例在2倍到1000倍的范圍內(nèi)。壓力在大約從0. IPa到133Pa的范圍內(nèi)，功率頻率從 IMHz到120MHz，優(yōu)選從13MHz到60MHz。用于加熱襯底的溫度可以是300°C或更低，優(yōu)選在 100°C到250°C的范圍內(nèi)。至于膜中的雜質(zhì)元素，大氣分量的雜質(zhì)如氧氣、氮?dú)饣蛱純?yōu)選設(shè)置 為1 X IO2Vcm3或更低，尤其是氧濃度設(shè)置為5 X IO1Vcm3或更低，優(yōu)選1 X IO1Vcm3或更低。作為晶體半導(dǎo)體層的具體例子，給出由單晶硅、多晶硅、硅鍺等等制成的半導(dǎo)體層。這些材料通過激光結(jié)晶形成。例如這些材料可以通過利用鎳等等的固體相生長方法進(jìn) 行的結(jié)晶來形成。在半導(dǎo)體層由無定形半導(dǎo)體如無定形硅制成的情況下，優(yōu)選使用具有只包括N溝 道晶體管作為晶體管11和其它晶體管(包含在用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的電路中的晶體管)的 電路的發(fā)光元件。在半導(dǎo)體層由非無定形半導(dǎo)體的物質(zhì)制成的情況下，可以采用具有包括N 溝道晶體管和P溝道晶體管中至少一種的電路的發(fā)光器件。而且，可以采用具有包括N溝 道晶體管和P溝道晶體管的電路的發(fā)光器件。第一層間絕緣膜16可以如圖11A、11B、11C所示是多層，也可以是單層。層間絕緣 膜16a由無機(jī)物如氧化硅或氮化硅制成。層間絕緣膜16b由諸如丙烯酸、硅氧烷(硅氧烷 具有通過硅(Si)和氧(0)的鍵形成的骨架結(jié)構(gòu)，并具有氟基、氫或有機(jī)基(例如，烷基或芳 族烴基)作為取代基)或氧化硅等可通過旋涂方法形成的物質(zhì)來制成。層間絕緣膜16c由 包括氬(Ar)的氮化硅膜制成。對(duì)包含在各 層中的物質(zhì)沒有特殊限制。因此，也可以采用非 上述物質(zhì)的物質(zhì)?？商鎿Q地，還可以進(jìn)一步組合非上述物質(zhì)制成的層。因此，第一層間絕緣 膜16可以由無機(jī)物和有機(jī)物兩者制成，或者有機(jī)物和無機(jī)物中任一種制成。分隔層18的邊緣部分優(yōu)選具有曲率半徑連續(xù)變化的形狀。該分隔層18由丙烯酸、 硅氧烷、抗蝕劑、氧化硅等制成。要注意，分隔層18由無機(jī)膜和有機(jī)膜中的任一種或兩種制 成。圖IlA和IlC分別示出只有第一層間絕緣膜16夾在晶體管11和發(fā)光元件12之 間的結(jié)構(gòu)?？商鎿Q地如圖IlB所示，可以提供第二層間絕緣膜19(19a和19b)以及第一層 間絕緣膜16(16a和16b)。在圖IlB所示的發(fā)光器件中，第一電極13穿過第二層間絕緣膜 19而連接到布線17。第二層間絕緣膜19可以按照與第一層間絕緣膜16相同的方式是多層或單層。層 間絕緣膜19a由諸如丙烯酸、硅氧烷或氧化硅等可通過旋涂方法形成的物質(zhì)來制成。層間 絕緣膜19b由包括氬(Ar)的氮化硅膜制成。對(duì)包含在各層中的物質(zhì)沒有特殊限制。因此， 也可以采用非上述物質(zhì)的物質(zhì)。替換地，還可以進(jìn)一步組合非上述物質(zhì)制成的層。因此，第 一層間絕緣膜16可以由無機(jī)物和有機(jī)物兩者制成，或者有機(jī)物或無機(jī)物中任一種制成。當(dāng)發(fā)光元件12中的第一電極和第二電極都由透光物質(zhì)制成時(shí)，發(fā)光可以從第一 電極13 —側(cè)和第二電極14 一側(cè)提取出，如通過圖IlA中的輪廓箭頭所示。當(dāng)只有第二電 極14由透光物質(zhì)制成時(shí)，發(fā)光只能從第二電極14 一側(cè)提取出，如通過圖IlB中的輪廓箭頭 所示。在這種情況下，第一電極13優(yōu)選由具有高反射系數(shù)的材料制成，或由具有高反射系 數(shù)的材料制成的膜(反射膜)優(yōu)選設(shè)置在第一電極13下面。當(dāng)只有第一電極13由透光物 質(zhì)制成時(shí)，發(fā)光只能從第一電極13—側(cè)提取出，如圖IlC中輪廓箭頭所示。在這種情況下， 第二電極14優(yōu)選由具有高反射系數(shù)的材料制成，或反射膜優(yōu)選設(shè)置在第二電極14上面。此外，在發(fā)光元件12中，層15可以堆疊成使得在施加電壓以使得第二電極14的 電位高于第一電極13的電位時(shí)執(zhí)行操作?？商鎿Q地，在該發(fā)光元件12中，層15可以堆疊 成使得在施加電壓以使得第二電極14的電位低于第一電極13的電位時(shí)執(zhí)行操作。在前一 種情況下，晶體管11是N溝道晶體管，而在后一種情況下，晶體管11是P溝道晶體管。如上所述，該實(shí)施方式說明了通過晶體管控制發(fā)光元件的驅(qū)動(dòng)的有源發(fā)光器件； 但是，也可以采用沒有特別提供驅(qū)動(dòng)元件如晶體管的情況下驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件的無源發(fā)光器件。圖12是采用本發(fā)明制造的無源發(fā)光器件的透視圖。在圖12中，在襯底951上在電極 952和電極956之間設(shè)置具有多層結(jié)構(gòu)的層955，該多層結(jié)構(gòu)包括含有芳族烴和金屬氧化物 的層、發(fā)光層等。電極952的邊緣部分被絕緣層953覆蓋。分隔層954設(shè)置在絕緣層953 上面。分隔層954的側(cè)壁具有傾角，使得一個(gè)側(cè)壁和另一個(gè)側(cè)壁之間的距離隨著側(cè)壁逐漸 靠近襯底表面而變窄。換句話說，分隔層954在短邊方向上的截面具有梯形形狀，其中下邊 (指向與絕緣層953的平面方向相同的方向并且與絕緣層953接觸的一邊)比上邊(指向 與絕緣層953的平面方向相同的方向而且不與絕緣層953接觸的一邊)短。因此，由于靜 電等導(dǎo)致的發(fā)光元件的故障可以通過提供如上所述的分隔層954來避免。此外，還可以通 過包含本發(fā)明的在低驅(qū)動(dòng)電壓下運(yùn)行的發(fā)光元件來以低功耗驅(qū)動(dòng)無源發(fā)光器件。實(shí)施方式6 就在一對(duì)電極之間具有含有芳族烴和金屬氧化物的層的發(fā)光元件而言，減少了通 過電極之間的短路導(dǎo)致的運(yùn)行故障，該短路是由于設(shè)置在這對(duì)電極之間的層的結(jié)晶形成的 不均勻所導(dǎo)致，或者由于電極表面的不均勻所導(dǎo)致。因此，使用這種發(fā)光元件作為像素的發(fā) 光器件具有很少的顯示缺陷，并且顯示操作能令人滿意地進(jìn)行。因此通過采用這種發(fā)光器 件作為顯示部分，可以獲得在顯示圖像中由顯示缺陷導(dǎo)致的錯(cuò)誤等很少的電子設(shè)備。此外， 使用本發(fā)明的發(fā)光元件作為光源的發(fā)光器件可以令人滿意地在發(fā)光元件的運(yùn)行故障所導(dǎo) 致的故障很少的情況下發(fā)光。因此，通過安裝如上所述本發(fā)明的發(fā)光器件并且將該發(fā)光器 件用作諸如背光的發(fā)光部分，減少了諸如由于發(fā)光元件的故障而導(dǎo)致的暗區(qū)的局部信息的 運(yùn)行故障，可以令人滿意進(jìn)行顯示。此外，對(duì)于發(fā)光層和電極之間的距離通過改變含有芳族 烴和金屬氧化物的層的厚度來調(diào)整的發(fā)光元件，驅(qū)動(dòng)電壓由于層的厚度而變化很??；因此， 可以獲得用低驅(qū)動(dòng)電壓運(yùn)行并發(fā)射具有令人滿意的顏色純度的光的發(fā)光器件。因此，通過 采用這樣的發(fā)光器件作為顯示部分，可以獲得消耗低功率而且提供顏色表現(xiàn)優(yōu)異的圖像的 電子設(shè)備。圖13A至13C分別示出安裝有采用本發(fā)明的發(fā)光器件的電子設(shè)備的示例。圖13A是采用本發(fā)明制造的個(gè)人計(jì)算機(jī)，包括主體5521、機(jī)殼5522、顯示部分 5523、鍵盤5524等。使用本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件作為如實(shí)施方式1和2所說明的像 素組合在個(gè)人計(jì)算機(jī)中(例如包括如實(shí)施方式3和4所說明的結(jié)構(gòu)的發(fā)光器件)。因此， 可以完成可以提供顏色優(yōu)異的顯示圖像并且在顯示部分中只有很少的缺陷、顯示圖像中沒 有錯(cuò)誤的個(gè)人計(jì)算機(jī)。該個(gè)人計(jì)算機(jī)還通過組合發(fā)光器件作為背景光來完成，該發(fā)光器件 使用本發(fā)明的發(fā)光元件作為光源。具體地說，如圖14所示，只需要組合發(fā)光器件作為顯示 部分，其中液晶器件5512和發(fā)光器件5513在個(gè)人計(jì)算機(jī)中框在機(jī)殼5511和5514之間。 注意在圖14中，外部輸入端5515連接到液晶器件5512，外部輸入端5516連接到發(fā)光器件 5513。圖13B是通過采用本發(fā)明制造的電話，其包括主體5552、顯示部分5551、音頻輸出 部分5554、音頻輸入部分5555、操作開關(guān)5556和5557、天線5553等。具有本發(fā)明的發(fā)光元 件的發(fā)光器件作為顯示部分組裝在電話中。因此，可以完成能夠提供顏色優(yōu)異的顯示圖像 并且在顯示部分中只有很少的缺陷、顯示圖像中沒有錯(cuò)誤的電話。圖13C是通過采用本發(fā)明制造的電視機(jī)，其包括顯示部分5531、機(jī)殼5532、揚(yáng)聲器 5533等。具有本發(fā)明的發(fā)光元件的發(fā)光器件作為顯示部分組裝在電視機(jī)中。因此，可以完成能夠提供顏色優(yōu)異的顯示圖像并且在顯示部分中只有很少的缺陷、顯示圖像中沒有錯(cuò)誤 的電視機(jī)。如上所述，本發(fā)明的發(fā)光器件適合于用作各種電子設(shè)備的顯示部分。注意電子設(shè) 備不限于該實(shí)施方式中所述的那些，還可以是其他電子設(shè)備如導(dǎo)航系統(tǒng)。實(shí)施例1下面說明用于制造在電極之間具有包含芳族烴和金屬氧化物的層的發(fā)光元件的 方法及其運(yùn)行特征。在該實(shí)施例中，制造兩個(gè)發(fā)光元件(發(fā)光元件(1)和發(fā)光元件(2))，它 們?cè)诜甲鍩N和金屬氧化物的分子比方面不同，但除此之外具有相同的結(jié)構(gòu)。
如圖15所示，在襯底300上形成厚度為IlOnm的、包括氧化硅的氧化銦錫，以形成 第一電極301。用濺射方法形成該膜。接著，在第一電極301上通過共蒸發(fā)方法形成包括t-BuDNA和氧化鉬(VI)的第一 層311。第一層311形成為具有120nm的厚度。發(fā)光元件(1)形成為t_BuDNA與氧化鉬的重 量比是1 0. 5(分子比是1 1. 7) ( = t-BuDNA 氧化鉬)，發(fā)光元件(2)形成為t-BuDNA 與氧化鉬的重量比是1 0.75(分子比是1 2. 5) ( = t-BuDNA 氧化鉬)。要注意，共蒸 發(fā)方法是這樣一種蒸發(fā)方法，其中原材料從設(shè)置在一個(gè)處理室中的多個(gè)蒸發(fā)源的每一個(gè)蒸 發(fā)源蒸發(fā)，蒸發(fā)后的原材料沉積在要處理的對(duì)象上以形成混合了多種物質(zhì)的層。接著，通過蒸發(fā)方法形成包括NPB的第二層312。第二層312形成為具有IOnm的 厚度。在驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)第二層312用作空穴傳輸層。然后通過共蒸發(fā)方法在第二層312上形成包括Alq3和香豆素6的第三層313。第 三層313形成為具有37. 5nm的厚度，并且Alq3與香豆素6的重量比是1 0.01(分子比 是1 0.013) ( = Alq3 香豆素6)。根據(jù)這一點(diǎn)，香豆素6包含在由Alq3制成的層中以 被分散。當(dāng)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)，如上所述形成的第三層313用作發(fā)光層。然后，包括Alq3的第四層314通過蒸發(fā)方法形成在第三層313上。第四層314形 成為具有37. 5nm的厚度。當(dāng)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)，該第四層314用作電子傳輸層。接著，包含氟化鋰的第五層315通過蒸發(fā)方法形成在第四層314上。第五層315 形成為具有Inm的厚度。當(dāng)驅(qū)動(dòng)發(fā)光元件時(shí)，該第五層315用作電子注入層。此后，通過蒸發(fā)方法在第五層315上沉積厚度200nm的鋁，以形成第二電極302。圖16至18示出通過在如上所述制造的發(fā)光元件上施加電壓，使得第一電極301 的電位高于第二電極302的電位來檢查發(fā)光元件的運(yùn)行特性的結(jié)果。圖16是示出發(fā)光元 件的電壓相對(duì)于亮度特性的關(guān)系的圖，其中水平軸代表電壓(V)，垂直軸代表亮度(cd/m2)。 圖17是示出發(fā)光元件的電壓相對(duì)于電流特性的關(guān)系的圖，其中水平軸代表電壓(V)，垂直 軸代表電流(mA)。圖18是示出發(fā)光元件的亮度相對(duì)于電流效率特性的關(guān)系的圖，其中水平 軸代表亮度(cd/m2)，垂直軸代表電流效率(cd/A)。在整個(gè)圖16到18中，由 代表的點(diǎn)與 發(fā)光元件(1)關(guān)聯(lián)，由〇代表的點(diǎn)與發(fā)光元件(2)關(guān)聯(lián)。(對(duì)比示例)作為實(shí)施例1中制造的發(fā)光元件的對(duì)比示例，說明在電極之間具有只由t-BuDNA 制成的層的發(fā)光元件。對(duì)比示例的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1提到的發(fā)光元件(1)和(2) 的結(jié)構(gòu)的不同之處在于，提供僅由t-BuDNA制成的層而不是混合層111，至于其它部分與實(shí) 施例1中提到的發(fā)光元件(1)和(2)相同。因此，省略對(duì)用于制造對(duì)比示例的發(fā)光元件的方法的描述。根據(jù)對(duì)比示例的發(fā)光元件的運(yùn)行，獲得圖16至18中通過Δ畫出的結(jié)果。從實(shí)施例1和對(duì)比示例中，揭示了通過在一對(duì)電極之間提供包括芳族烴和金屬氧 化物的層，可以獲得令人滿意的發(fā)光元件，其中發(fā)光起始電壓(如果以lcd/m2的亮度發(fā)射 光的時(shí)間定義為“發(fā)光開始”，此時(shí)施加的電壓就稱為“發(fā)光起始電壓”)較低，用于以任意 亮度進(jìn)行發(fā)光的施加電壓較低，在低驅(qū)動(dòng)電壓下運(yùn)行。還揭示了通過在一對(duì)電極之間提供 包括芳族烴和金屬氧化物的層，可以獲得在以任意亮度發(fā)射光時(shí)具有高電流效率的令人滿 意的發(fā)光元件。實(shí)施例2 針對(duì)三個(gè)樣本⑴至(3)和樣本⑷檢查電壓相對(duì)于電流特性的關(guān)系，樣本(1) 至(3)中每一個(gè)都在一對(duì)電極之間具有包括芳族烴和金屬氧化物的層，樣本(4)在一對(duì)電 極之間具有只由芳族烴制成的層。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)在混合了芳族烴和金屬氧化物的層中比在只 由芳族烴制成的層中電導(dǎo)率更高，即載流子的注入進(jìn)行得很好。圖19示出檢查電壓相對(duì)于電流特性的關(guān)系的結(jié)果。在圖19中，水平軸代表電壓 (V)，垂直軸代表電流(mA)。此外在圖19中，由 代表的點(diǎn)與樣本(1)關(guān)聯(lián)，由■代表的點(diǎn) 與樣本⑵關(guān)聯(lián)，由□代表的點(diǎn)與樣本⑶關(guān)聯(lián)，由Δ代表的點(diǎn)與樣本⑷關(guān)聯(lián)。要注意，用于測(cè)量的每個(gè)樣本(1)至(3)都具有這樣一種結(jié)構(gòu)，其在由包括氧化 硅的氧化銦錫制成的電極(IlOnm)和由鋁制成的電極(200nm)之間具有包含芳族烴和金 屬氧化物的層(200nm)，樣本(4)所具有的結(jié)構(gòu)是在由包括氧化硅的氧化銦錫制成的電極 (IlOnm)和由鋁制成的電極(200nm)之間具有僅由芳族烴制成的層(200nm)。樣本(1)至 (3)的不同之處在于包含在這對(duì)電極之間的層中的芳族烴與金屬氧化物的重量比。在樣本 (1)中，重量比是 1 0. 5( = t-BuDNA 氧化鉬)；樣本(2)是 2 0. 75 ( = t-BuDNA 氧 化鉬)；樣本⑶是1 1 ( = t-BuDNA 氧化鉬)。本申請(qǐng)基于2005年4月21日向日本專利局提交的日本專利申請(qǐng)2005-124296，其 全部內(nèi)容通過引用合并于此。
權(quán)利要求
一種發(fā)光器件，包括第一電極；第二電極；以及形成在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層和混合層，其中該混合層包括芳族烴和金屬氧化物。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述金屬氧化物包括氧化鉬。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述芳族烴具有1X 10_6cm7Vs或更大的空穴遷移率。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述芳族烴具有14到42個(gè)碳原子。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述芳族烴是2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、 蒽、9，10_ 二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯，并五苯、暈 苯中的至少一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件，其中所述混合層與第一電極接觸。
7.一種包括根據(jù)權(quán)利要求1的發(fā)光器件的電子設(shè)備。
8.一種發(fā)光器件，包括 第一電極；第二電極；以及形成在第一電極和第二電極之間的發(fā)光層、空穴傳輸層和混合層， 其中空穴傳輸層設(shè)置在發(fā)光層和混合層之間，并且 其中該混合層包括芳族烴和金屬氧化物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述金屬氧化物包括氧化鉬。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述芳族烴具有l(wèi)X10_6Cm2/VS或更大的空穴遷 移率。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述芳族烴具有14到42個(gè)碳原子。
12.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中所述芳族烴是2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、 蒽、9，10_ 二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11_四(叔丁基)二萘嵌苯，并五苯、暈 苯中的至少一種。
13.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中混合層與第一電極接觸。
14.根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件，其中空穴傳輸層包括 4，4’ - 二 [N- (1-萘基)-N-苯胺]聯(lián)苯；4，4’ - 二(N-(3-甲基苯基)-N-苯胺]聯(lián)苯； 1，3，5_三[N，N-二(間甲苯基)胺基]苯； 4，4，，4”-三(N-咔唑基)三苯胺； 2，3- 二(4- 二苯胺苯基)喹喔啉；以及2，3_ 二 {4-N-(l-萘基)-N-苯胺}苯基}-二苯并[f，h]喹喔啉中的至少一種。
15.一種包括根據(jù)權(quán)利要求8的發(fā)光器件的電子設(shè)備。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種發(fā)光元件、發(fā)光器件和電子設(shè)備，其在一對(duì)電極之間具有含有芳族烴和金屬氧化物的層。對(duì)芳族烴的種類沒有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴遷移率的芳族烴是優(yōu)選的。作為這樣的芳族烴，例如2-叔丁基-9，10-雙(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、紅熒烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作為金屬氧化物，展示出對(duì)芳族烴的電子接受屬性的金屬氧化物是優(yōu)選的。作為這樣的金屬氧化物例如給出氧化鉬、氧化釩、氧化釕、氧化錸等等。
文檔編號(hào)H01L51/50GK101867019SQ201010150729
公開日2010年10月20日 申請(qǐng)日期2006年4月17日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月21日
發(fā)明者坂田淳一郎, 巖城裕司, 川上貴洋, 池田壽雄, 瀨尾哲史 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所