專利名稱：油墨、薄膜太陽能電池及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光伏太陽能電池制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種半導(dǎo)體薄膜太陽能電 池，特別是涉及制造銅銦鎵硒薄膜太陽能電池用的油墨(ink)以及銅銦鎵硒薄膜太陽能電 池和它們的制造方法。
背景技術(shù)：
隨著能源消耗的不斷增加，作為能源的主要來源，石油和煤炭的大量使用所導(dǎo) 致的二氧化碳排放嚴重地污染生態(tài)環(huán)境，而且石油和煤炭資源也面臨枯竭的境地，因 此，尋求低碳排放而又取之不盡的可再生能源變得越來越緊迫，基于光伏效應(yīng)的太陽能 電池正是這樣一種可再生新能源。當前，人們對太陽能的開發(fā)和利用日趨重視，市場對 更大面積、更輕更薄且生產(chǎn)成本更低的新型太陽能電池的需求日益增加。在這些新型太 陽能電池中，近年來開發(fā)出來的基于硅材料的合金薄膜太陽能電池，例如非晶硅和碲化 鎘薄膜太陽能電池，以其用硅量少、低成本、低能耗和高量產(chǎn)等特性，已成為太陽能電 池發(fā)展的新趨勢和新熱點。雖然薄膜太陽能電池具有上述優(yōu)勢，但是非晶硅薄膜太陽能 電池有光電轉(zhuǎn)換效率低和穩(wěn)定性欠佳等缺點；而碲化鎘薄膜太陽能電池則有環(huán)保要求對 鎘金屬的使用限制。
近年來，學(xué)術(shù)界又研制出了基于半導(dǎo)體銅銦鎵硒化合物(CuInGaSe2, CIGS)的 薄膜太陽能電池。銅銦鎵硒薄膜太陽能電池具有生產(chǎn)成本低、污染小、不衰退、性能穩(wěn) 定、抗輻射能力強、弱光性能好等特點，光電轉(zhuǎn)換效率居各種薄膜太陽能電池之首，接 近于目前市場主流產(chǎn)品晶體硅太陽能電池的轉(zhuǎn)換效率，而成本則是晶體硅電池的三分之 一，被國際上稱為“下一時代非常有前途的新型廉價薄膜太陽能電池”。此外，該電池 具有柔和、均勻的黑色外觀，是對外觀有較高要求場所的理想選擇，如大型建筑物的玻 璃幕墻等，在現(xiàn)代化高層建筑等領(lǐng)域有很大市場，無論是在地面陽光發(fā)電還是在空間微 小衛(wèi)星動力電源的應(yīng)用上具有廣闊的市場前景。
銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的傳統(tǒng)制造方法大體可分為兩種，共蒸發(fā)法和預(yù)制體 薄膜+硒化二步法，這兩種方法都需要物理鍍膜(PVD)設(shè)備和蒸發(fā)設(shè)備，制造成本偏 高。最近，美國IBM公司采用了溶液旋涂的方法制造出了 CIGS薄膜太陽能電池，其轉(zhuǎn) 換效率達到了 12.8%。與傳統(tǒng)的真空鍍膜方法相比，這種溶液旋涂的制造薄膜太陽能電 池的方法由于不需要物理鍍膜設(shè)備和蒸發(fā)設(shè)備，大大降低了制造成本，有利于實現(xiàn)卷到 卷的快速印刷工藝從而達到高量產(chǎn)。此外，溶液旋涂法能夠大幅度提高大面積薄膜組分 的均勻性，而且能夠顯著提高原材料((Cu、In, Ga、Se)等的利用率；共蒸發(fā)法或濺射 法的原材料利用率通常小于50%，而溶液涂覆法可以達到大于90%。IBM公司采用的溶 液旋涂法首先制備含有O^S、In2Se3> S和Ga的胼溶液，然后用該溶液旋涂制得前驅(qū)體 薄膜，經(jīng)熱處理GOO 525°C )則轉(zhuǎn)化成兼具組分可控性和良好結(jié)晶性的銅銦鎵硒化合物 薄膜。
然而，由于受最大溶解度的限制，該溶液的固體組分含量低(小于15% w/w)，因此IBM公司采用的溶液旋涂法要經(jīng)8 10次的涂布才能達到薄膜厚度大于1.2 μ m的 要求，而且每次涂布都需經(jīng)熱處理，而10次涂布時的熱處理時間就會更長，因此對于實 現(xiàn)高量產(chǎn)的工業(yè)化生產(chǎn)，該方法還具有較大的局限性。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體薄膜太陽能電池用油墨、薄膜太陽能電池及 其制造方法，具體而言，特別是一種制造銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的油墨涂覆和利用該 油墨制造薄膜太陽能電池的方法，本發(fā)明的方法能夠僅涂覆一次即可得到厚度為1.5 2.5 μ m的銅銦鎵硒多晶薄膜光伏吸收層。
本發(fā)明的一個目的在于提供一種油墨，其包括半導(dǎo)體化合物微晶粉末、溶劑載 體和溶于所述溶劑載體中的含Cu、In, Ga、Se、S的單質(zhì)或化合物。
可選的，所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CUInxGai_xSe2_ySy，其中x = 0 1，y = 0 2。
可選的，所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直徑為50 lOOOnm。
可選的，所述溶劑載體為胼溶液NH2NH2或其它親水性或非親水性溶劑。
可選的，所述單質(zhì)或化合物為&、S、Cu2X、In2X3> Ga2X3,其中，乂為&和/或S。
可選的，所述油墨中還包括選擇性分散劑、穩(wěn)定劑或增稠劑。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種油墨的制造方法，包括下列步驟
a、制備溶劑載體；
b、制備半導(dǎo)體化合物微晶粉體；
C、將所述溶劑載體和所述半導(dǎo)體化合物微晶粉體混合，經(jīng)研磨后形成所述油m蠻O
可選的，所述步驟C由下列步驟代替
將所述半導(dǎo)體化合物微晶粉體與親水性溶劑混合，經(jīng)研磨后形成懸浮溶液；
將所述懸浮溶液與所述溶劑載體混合形成所述油墨。
可選的，所述步驟a包括下列步驟
al、在無水胼中加入Cu2S和硫磺，電磁攪拌后獲得溶液A ；
a2、在無水胼中加入In2S^和硫磺，電磁攪拌后獲得溶液B ；
a3、混合溶液A和溶液B得到溶劑載體。
可選的，所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CUInxGai_xSe2_ySy，其中χ = O 1，y = O 2。
可選的，所述半導(dǎo)體化合物采用等摩爾的銅粉、銦粒、鎵粒和二倍摩爾的硒粒 在氮氣或惰性氣體氣氛中反應(yīng)獲得，反應(yīng)溫度為200 550°C、壓力為O lOOPsi，反應(yīng) 時間為0.5 10小時。
可選的，所述步驟a2中，在無水胼中還加入Gii2Se3和/或(Ina7Giia3)2S^。
可選的，所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CuInSA或01111)；(^1_)^2_5^，其中χ = 0 1，y = 0 2。
可選的，所述半導(dǎo)體化合物采用等摩爾的銅粉、銦粒和二倍摩爾的硒粒在氮氣或惰性氣體氣氛中反應(yīng)獲得，反應(yīng)溫度為350°C、壓力為50Psi，反應(yīng)時間為2小時。
可選的，研磨后，所述油墨中半導(dǎo)體化合物懸浮粉末的直徑為50 lOOOnm。
本發(fā)明的再一個目的在于提供一種薄膜太陽能電池，包括第一電極和在所述第 一電極表面形成的光伏吸收層，所述光伏吸收層包含半導(dǎo)體化合物微晶粉末，其化學(xué)式 為CUInxGai_xSe2_ySy，其中x = 0 1，y = 0 2，所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直徑為 50 lOOOnm。
本發(fā)明的又一個目的在于提供一種薄膜太陽能電池的制造方法，包括下列步 驟
在基片表面制備第一電極；
在所述第一電極表面涂覆一層油墨作為光伏吸收層；
在所述光伏吸收層表面制備第二電極；
其中，所述油墨包括半導(dǎo)體化合物微晶粉末、溶劑載體和溶于所述溶劑 載體中的含Cu、In, Ga、Se、S的單質(zhì)或化合物，所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為 CuInxGai_xSe2_ySy,其中x = 0 1，y = 0 2，所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直徑為50 lOOOnm。
可選的，所述溶劑載體為胼溶液NH2NH2或其它親水性或非親水性溶劑。
可選的，所述單質(zhì)或化合物為&、S、Cu2X、In2X3> Ga2X3,其中，乂為&和/或S。
可選的，所述油墨中還包括選擇性分散劑、穩(wěn)定劑或增稠劑。
可選的，所述第一電極的制備方法為磁控濺射法。
可選的，所述涂覆的方法包括但不限于刷涂、棒涂、浸漬、旋涂、絲網(wǎng)印刷、 壓印、噴涂。


通過附圖中所示的本發(fā)明的優(yōu)選實施例的更具體說明，本發(fā)明的上述及其它目 的、特征和優(yōu)勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意 按比例繪制附圖，重點在于示出本發(fā)明的主旨。
圖1為根據(jù)本發(fā)明油墨制造方法第一實施例的流程圖2為根據(jù)本發(fā)明油墨制造方法第二實施例的流程圖。
所述示圖是說明性的，而非限制性的，在此不能過度限制本發(fā)明的保護范圍。
具體實施方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā) 明的具體實施方式
做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解 本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可 以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的 限制。
本發(fā)明的主要目的是制備一種油墨，該油墨用于涂覆形成CIGS薄膜太陽能電池 的吸收層，本發(fā)明的油墨能夠涂覆一次即能達到1.5 2.5 μ m的薄膜厚度，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)中需經(jīng)多次涂覆的缺點，大大提高了生產(chǎn)效率。本發(fā)明采取的制造方法的核心 思想是在現(xiàn)有技術(shù)的含有Cu2S、Ga2Se3^ In2Se3> S的胼溶液中添加已制備的銅銦鎵硒微 晶粒子(直徑為50 IOOOnm)。添加的固體微粒在混合溶液中的濃度可以根據(jù)實際情況 調(diào)節(jié)，也就是固體含量的質(zhì)量比可在15% 60% (w/w)之間調(diào)節(jié)，從而實現(xiàn)了快速涂覆 工藝，一次涂覆即可達到要求的厚度。此外，由于銅銦鎵硒微晶粒子的添加，大大促進 了 CIGS晶粒的生長，由此而達到更高的薄膜太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。銅銦鎵硒微晶 粒子可以通過化學(xué)納米制備方法，或先制得銅銦鎵硒晶體，再通過物理研磨的方法如球 磨等方法來實現(xiàn)。以下結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做詳細說明。
本發(fā)明的用于生成CIGS薄膜太陽能電池吸收層的油墨包括半導(dǎo)體化合物微晶粉 末、溶劑載體和溶于所述溶劑載體中的含Cu、In, Ga、Se、S的單質(zhì)或化合物，其中半 導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CUInxGai_xSe2_ySy，χ = O 1，y = O 2。所述半導(dǎo)體化合物微 晶粉末的直徑為50 lOOOnm，優(yōu)選為0.4 0.8 μ m，所述的溶劑載體為親水性或非親水 性溶劑，優(yōu)選為胼溶液ΝΗ2ΝΗ2。所述單質(zhì)或化合物為&、S、Cu2X、In2X3> Ga2X3, 其中，乂為&和/或S。所述油墨中還包括選擇性分散劑、穩(wěn)定劑或增稠劑。
圖1為根據(jù)本發(fā)明油墨制造方法第一實施例的流程圖，如圖1所示，本發(fā)明油 墨制造方法的第一實施例，包括步驟制備溶劑載體6101)，具體方法是在無水胼中加 入Cu2S和硫磺，經(jīng)電磁攪拌后獲得溶液A，在無水胼中加入In2Se3和硫磺，經(jīng)電磁攪拌 后獲得溶液B，混合溶液A和溶液B得到溶劑載體；以及制備半導(dǎo)體化合物微晶粉體的 步驟6102)，該半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為CUInxGai_xSe2_ySy，其中χ = O 1，y = O 2。作為一個實施例，上述銅銦鎵硒半導(dǎo)體化合物可采用等摩爾的銅粉、銦粒、鎵粒和二 倍摩爾的硒粒在氮氣或惰性氣體氣氛中反應(yīng)獲得，反應(yīng)溫度為350°C、壓力為50Psi，反 應(yīng)時間為2小時，然后將其搗碎成約300微米的粒子細粉，形成銅銦鎵硒化合物微晶粉 體。隨后將所述溶劑載體和所述微晶粉體混合，經(jīng)過球磨機研磨，半導(dǎo)體化合物微晶粉 體被研磨成極微小的懸浮粉末，其直徑可達到50 lOOOnm，例如0.6微米，該懸浮液再 經(jīng)過電磁攪拌后即形成本發(fā)明的油墨6103)。在此需要說明的是，步驟SlOl和S102即 可同時進行，也可以有先后順序。
圖2為根據(jù)本發(fā)明油墨制造方法第二實施例的流程圖，如圖2所示，本發(fā)明油 墨制造方法的第二實施例，包括步驟制備溶劑載體6201)，具體方法與前述第一實 施例的相同，以及制備半導(dǎo)體化合物微晶粉體620 ，具體方法與前述第一實施例的相 同。本發(fā)明油墨制造方法的第二實施例還包括步驟S203:將所述半導(dǎo)體化合物微晶粉 體與親水性溶劑(例如異丙醇)混合(質(zhì)量比1 1)，在球磨機中研磨，半導(dǎo)體化合物 微晶粉體被研磨成極微小的懸浮粉末，其直徑可達到50 lOOOnm，例如0.6微米，形成 懸浮溶液。然后將所述懸浮溶液與所述溶劑載體混合，經(jīng)電磁攪拌后形成本發(fā)明的油墨 6204)。在此需要說明的是，步驟幻01與步驟幻02和幻03即可以同時進行，也可以有 先后順序。
在本發(fā)明的其他實施例中，制備溶液B的過程中，在無水胼中還可以加 入Ga2S^和/或(Ina7Giia3) 。在這種情況下，半導(dǎo)體化合物可以采用CuInS^或 CuInxGai_xSe2_ySy,其中χ = O 1，y = O 2。所述CuInS^采用等摩爾的銅粉、銦粒 和二倍摩爾的硒粒在氮氣或其它惰性氣體氣氛中反應(yīng)獲得，反應(yīng)溫度為350°C、壓力為50Psi,反應(yīng)時間為2小時。把所形成的CuInSA (銅銦硒化物)搗成約300微米粒子細 粉，然后與親水性溶劑混合(1 1重量)，經(jīng)過球磨機碾磨成平均粒徑約0.6微米的懸浮 溶液。再將懸浮溶液與所述溶劑載體混合，經(jīng)電磁攪拌后形成本發(fā)明的油墨。
利用本發(fā)明的油墨制備的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池，作為一個實施例，包括第 一電極和在所述第一電極表面形成的光伏吸收層，所述光伏吸收層包含半導(dǎo)體化合物微 晶粉末，其化學(xué)式為CUInxGai_xSe2_ySy，其中x = 0 1，y = 0 2，所述半導(dǎo)體化合物 微晶粉末的直徑為50 lOOOnm。本發(fā)明的銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的制造方法，包括 下列步驟在基片表面制備第一電極，首先取一潔凈納鈣玻璃作為基片(3_厚)，然后 采用磁控濺射的方法鍍一層約0.6微米厚的鉬作為第一電極。然后在第一電極表面涂覆一 層油墨作為光伏吸收層預(yù)制體薄膜，所述油墨包括半導(dǎo)體化合物微晶粉末、溶劑載體和 溶于所述溶劑載體中的含Cu、In, Ga、Se、S的單質(zhì)或化合物，所述半導(dǎo)體化合物的化 學(xué)式為CUInxGai_xSe2_ySy，其中x = 0 1，y = 0 2，所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直 徑為50 lOOOnm，例如0.6 μ m。其中的溶劑載體為胼溶液NH2NH2或其它親水性或非 親水性溶劑。單質(zhì)或化合物為&、S、Cu2X、In2X3> Ga2X3,其中，乂為&和/或S。 所述油墨中還包括選擇性分散劑、穩(wěn)定劑或增稠劑。涂覆的方法包括但不限于刷涂、棒 涂、浸漬、旋涂、絲網(wǎng)印刷、壓印、噴涂。預(yù)制體薄膜在氮氣操作下，加熱到300°C并保 持5分鐘。再經(jīng)過500-550°C退火20分鐘后，即形成致密的銅銦鎵硒硫化物薄膜。隨后 利用化學(xué)水浴法，在所形成的銅銦硒膜上形成一層厚約50nm的N型CdS膜，而后磁控濺 射一層絕緣性ZnO (約50nm)，再濺射一層ZnO:Al(3% ) (0.5微米)，便形成了標準的CI G S薄膜太陽能電池。該太陽電池在1.5AM標準光照下(lOOOW/η )，具有光伏效應(yīng)， Voc = 0.55V, Jsc = 30mA/cm2, FF = 70%,能量轉(zhuǎn)換效力為 11.7%。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限 制。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下，都可利用上述 揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾，或修改為等同變化的等 效實施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實 施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍內(nèi)。8
權(quán)利要求
1.一種油墨，其特征在于包括半導(dǎo)體化合物微晶粉末、溶劑載體和溶于所述溶劑 載體中的含Cu、In, Ga、Se、S的單質(zhì)或化合物。
2.如權(quán)利要求1所述的油墨，其特征在于所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為 CuInxGa1_xSe2_ySy,其中 x = 0 1，y = 0 2。
3.如權(quán)利要求1或2所述的油墨，其特征在于所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直徑為 50 lOOOnm。
4.如權(quán)利要求1所述的油墨，其特征在于所述溶劑載體為胼溶液NH2NH2或其它親 水性或非親水性溶劑。
5.如權(quán)利要求1所述的油墨，其特征在于所述單質(zhì)或化合物為&、S、Cu2X、 In2X3> Ga2X3,其中，X 為 Se 和 / 或 S。
6.如權(quán)利要求1所述的油墨，其特征在于所述油墨中還包括選擇性分散劑、穩(wěn)定 劑或增稠劑。
7.一種油墨的制造方法，包括下列步驟a、制備溶劑載體；b、制備半導(dǎo)體化合物微晶粉體；C、將所述溶劑載體和所述半導(dǎo)體化合物微晶粉體混合，經(jīng)研磨后形成所述油墨。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于所述步驟c由下列步驟代替將所述半導(dǎo)體化合物微晶粉體與親水性溶劑混合，經(jīng)研磨后形成懸浮溶液；將所述懸浮溶液與所述溶劑載體混合形成所述油墨。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于所述步驟a包括下列步驟al、在無水胼中加入Cu2S和硫磺，電磁攪拌后獲得溶液A ；a2、在無水胼中加入In2Sh和硫磺，電磁攪拌后獲得溶液B ；a3、混合溶液A和溶液B得到溶劑載體。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為 CuInxGa1_xSe2_ySy,其中 x = 0 1，y = 0 2。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體化合物采用等摩爾的 銅粉、銦粒、鎵粒和二倍摩爾的硒粒在氮氣或惰性氣體氣氛中反應(yīng)獲得，反應(yīng)溫度為 200 550°C、壓力為O lOOPsi，反應(yīng)時間為0.5 10小時。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于所述步驟a2中，在無水胼中還加入 Ga2Se3 禾口 / 或(Ina7Gaa3)2Se30
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為αι η&2 或 CuInxGahkhSy，其中 x = 0 1，y = 0 2。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于所述半導(dǎo)體化合物采用等摩爾的銅 粉、銦粒和二倍摩爾的硒粒在氮氣或惰性氣體氣氛中反應(yīng)獲得，反應(yīng)溫度為350°C、壓力 為50Psi，反應(yīng)時間為2小時。
15.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于研磨后，所述油墨中半導(dǎo)體化合物 懸浮粉末的直徑為50 lOOOnm。
16.—種薄膜太陽能電池，包括第一電極和在所述第一電極表面形成的光伏 吸收層，其特征在于所述光伏吸收層包含半導(dǎo)體化合物微晶粉末，其化學(xué)式為CuInxGai_xSe2_ySy,其中x = 0 1，y = 0 2，所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直徑為50 1 OOOnm。
17.一種薄膜太陽能電池的制造方法，包括下列步驟 在基片表面制備第一電極；在所述第一電極表面涂覆一層油墨作為光伏吸收層； 在所述光伏吸收層表面制備第二電極；其中，所述油墨包括半導(dǎo)體化合物微晶粉末、溶劑載體和溶于所述溶劑載 體中的含Cu、In、Ga、Se、S的單質(zhì)或化合物，所述半導(dǎo)體化合物的化學(xué)式為 CuInxGai_xSe2_ySy,其中x = 0 1，y = 0 2，所述半導(dǎo)體化合物微晶粉末的直徑為50 1 OOOnm。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述溶劑載體為胼溶液NH2NH2或其它 親水性或非親水性溶劑。
19.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述單質(zhì)或化合物為Se、S、Cu2X, In2X3> Ga2X3,其中，X 為 Se 和 / 或 S。
20.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述油墨中還包括選擇性分散劑、穩(wěn) 定劑或增稠劑。
21.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述第一電極的制備方法為磁控濺射法。
22.如權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于所述涂覆的方法包括但不限于刷涂、 棒涂、浸漬、旋涂、絲網(wǎng)印刷、壓印、噴涂。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于制備半導(dǎo)體薄膜太陽能電池吸收層的油墨(ink)、以及薄膜太陽能電池和它們的制造方法，特別是一種制造銅銦鎵硒薄膜太陽能電池的油墨印刷和利用該油墨制造薄膜太陽能電池的方法，本發(fā)明的方法能夠僅涂覆一次即可得到厚度為1.5～2.5μm的銅銦鎵硒多晶薄膜光伏吸收層。
文檔編號H01L31/0264GK102024858SQ201010149870
公開日2011年4月20日 申請日期2010年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月19日
發(fā)明者李曉常 申請人:福建歐德生光電科技有限公司