專利名稱：半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括連接到布線電路層的至少一個主表面的半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體器 件的制造方法，更具體地涉及如下半導(dǎo)體器件的制造方法其中布線電路層的頂和背主表 面是粘合表面，并且另一個半導(dǎo)體元件可以連接到其它主表面。
背景技術(shù)：
用各種半導(dǎo)體材料配置的半導(dǎo)體元件(在下文中也簡稱為“元件”)，諸如使用硅 半導(dǎo)體的ic和使用有機半導(dǎo)體的有機EL元件，往往通過在晶片襯底上重復(fù)地形成多元件 矩陣然后將該襯底切割成稱作半導(dǎo)體芯片(也稱為裸芯片)的各個元件來生產(chǎn)。在下面的描述中，其上形成的半導(dǎo)體元件(切割之前的狀態(tài))也稱為“半導(dǎo)體晶 片”，并且切割之前的狀態(tài)也稱為“晶片狀態(tài)”。同樣，切割過的半導(dǎo)體芯片也簡稱為“芯片”， 并且切割之后的狀態(tài)也稱為“芯片狀態(tài)”。除了基本的半導(dǎo)體元件結(jié)構(gòu)之外，各種布線結(jié)構(gòu)被制作在處于晶片狀態(tài)時的元件 中，以便添加復(fù)雜的功能以及用于其它目的。這樣的布線結(jié)構(gòu)包括例如再分布層、允許元件 側(cè)面和背面經(jīng)過晶片襯底彼此電連通的導(dǎo)電通路(通孔)、等等。例如如JP-A-2000-243754中所公開的，形成鋁電極(包含在元件中作為半導(dǎo)體元 件結(jié)構(gòu)的電極焊盤)，之后在其上順序地形成絕緣層、鍍銅層等等，由此形成再分布層。在被提供有布線結(jié)構(gòu)并且被劃分成芯片后，任何元件用作具有連接導(dǎo)體的半導(dǎo)體 器件，該連接導(dǎo)體與只暴露電極的初始元件相比便于連接到和安裝外部導(dǎo)體(外部電路等
寸J o例如，通過提供再分布層，可以容易地連接元件的鋁電極和外部電路上的用于安 裝元件的導(dǎo)體，即使它們的大小或間距(Pitch)彼此不同?？梢酝ㄟ^提供在襯底厚度方向上穿透晶片襯底的通孔，在晶片襯底的背面上形成 連接端子。經(jīng)過對待添加到半導(dǎo)體元件的這種布線層的研究，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在與布線層有關(guān) 的制造成本方面有進一步的改善空間，并且將其確認為待由本發(fā)明解決的問題。因此，由于在每個半導(dǎo)體晶片上構(gòu)建再分布層的必要性，用于在半導(dǎo)體晶片上直 接形成再分布層的處理煞費苦心。本發(fā)明人注意到如下事實對于減小用于形成這種再分 布層的制造成本還有空間，盡管這還沒有被視為問題。如果發(fā)現(xiàn)所形成的再分布層具有不 可接受的質(zhì)量，而即使所獲得的半導(dǎo)體晶片整體上具有可接受的質(zhì)量，則半導(dǎo)體晶片的丟 棄也是不可避免的，這就增加了制造成本，因為再分布層已經(jīng)單片形成在半導(dǎo)體晶片上。本發(fā)明所要解決的問題在于解決本發(fā)明人注意到的上述問題以及提供一種實現(xiàn) 減小賦予半導(dǎo)體元件的再分布層的制造成本的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明人廣泛地研究解決上述問題，并且發(fā)現(xiàn)通過將再分布層形成為與半導(dǎo)體晶片無關(guān)的布線電路層以及以使得支撐層可以被分開的方式給布線電路層提供金屬的支撐 層，可以解決上述問題。發(fā)明人基于這一發(fā)現(xiàn)實進行了進一步的研究，并且開發(fā)了本發(fā)明。因此，本發(fā)明具有以下特征(1) 一種具有層壓結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一半導(dǎo)體元件被層壓且 連接到布線電路層的兩個主表面中的至少一個，該布線電路層至少包括布線部和絕緣部， 其中該絕緣部包括第一粘合層和第二粘合層，該第一粘合層設(shè)置在該布線電路層的一 個主表面?zhèn)榷摰诙澈蠈釉O(shè)置在另一個主表面?zhèn)?，并且該兩個主表面分別通過第一粘合 層和第二粘合層的存在而形成第一粘合表面和第二粘合表面，并且第一連接導(dǎo)體部暴露在 至少第一粘合表面中，該第一半導(dǎo)體元件以使得該元件的電極能夠被連接的方式連接到該 第一粘合表面，并且該第一連接導(dǎo)體部構(gòu)成布線電路層的布線部的一部分或者經(jīng)由導(dǎo)電通 路而連接到該布線部；該制造方法包括以下步驟以使得布線電路層能夠從該襯底被剝離并且該第一粘合表面被提供在布線電路 層的離開襯底的相對側(cè)的方式在第一金屬支撐襯底上層壓布線電路層；在層壓步驟后，將處于晶片狀態(tài)的第一半導(dǎo)體元件接合(bond)到第一粘合表面， 且同時連接該元件的電極到第一連接導(dǎo)體部；以及在接合步驟后，從該布線電路層剝離該金屬支撐襯底。(2)根據(jù)上面(1)的方法，其中該布線電路層的該絕緣部具有層壓結(jié)構(gòu)，該層壓結(jié) 構(gòu)包括第一粘合層、第二粘合層以及在這些粘合層之間的基底絕緣層，(i)在層壓步驟中，在第二金屬支撐襯底上形成該基底絕緣層，形成該布線電路部和覆蓋該布線電路部的第二粘合層，在第二粘合表面上可剝離地層壓第一金屬支撐襯底，該第二粘合表面是第二粘合 層的上表面，剝離該第二金屬支撐襯底，在該基底絕緣層的暴露表面上形成該第一粘合層，以及然后在第一粘合表面中形成第一連接導(dǎo)體部，該第一粘合表面是第一粘合層的下表(ii)在接合步驟中，將處于晶片狀態(tài)的第一半導(dǎo)體元件接合到第一粘合表面，且同時連接該元件的電 極到第一連接導(dǎo)體部。(3)根據(jù)上面(1)的方法，其中以使得第二半導(dǎo)體元件的電極能夠被連接的方式 將第二連接導(dǎo)體部暴露在布線電路層的第二主表面中，并且第二連接導(dǎo)體部是布線電路層 的布線部的一部分或者經(jīng)由導(dǎo)電通路而連接到布線部，并且該方法還包括剝離步驟后的第二接合步驟，在第二接合步驟中，將處于晶片狀態(tài)或芯片狀態(tài)的第二半導(dǎo)體元件接合到在剝離步驟中所暴露的第 二粘合表面，且同時連接第二半導(dǎo)體元件的電極到第二連接導(dǎo)體部。
(4)根據(jù)上面(1)的方法，其中第一粘合層和第二粘合層由在粘合期間要求加熱 的粘合劑制成，并且第二粘合層由即使由于在第一半導(dǎo)體元件在先接合到第一粘合層期間加熱也不 會喪失接合能力的粘合劑制成。(5)根據(jù)上面(1)的方法，其中在第一金屬支撐襯底和布線電路層之間存在脫模 層(release layer)，由此能夠從第一金屬支撐襯底剝離布線電路層。(6)根據(jù)上面(5)的方法，其中以使得脫模層容易從布線電路層剝離且不容易從 第一金屬支撐襯底剝離的方式已經(jīng)形成該脫模層，由此該脫模層能夠連同第一金屬支撐襯 底一起從布線電路層剝離。(7)根據(jù)上面(5)的方法，其中該脫模層由聚酰亞胺制成。(8)根據(jù)上面(5)的方法，其中該脫模層由從金屬、金屬氧化物和無機氧化物中選 擇的一種材料制成。(9)根據(jù)上面(1)的方法，其中該布線電路層用作連接到其上的半導(dǎo)體元件的再 分布層。


圖1示出如何經(jīng)過每個步驟形成布線電路層的示意圖以解釋本發(fā)明的制造方法。 視情況而定給出陰影以區(qū)分不同區(qū)(其它圖的情況也是如此)。圖2示出由本發(fā)明形成的布線電路層中的導(dǎo)體的各種內(nèi)部結(jié)構(gòu)和連接結(jié)構(gòu)。圖3示出布線電路層的示例內(nèi)部結(jié)構(gòu)的更詳細示意圖。圖4示出本發(fā)明的示例1中的處理的程序。圖5繼續(xù)圖4示出本發(fā)明的示例1中的處理的程序。圖6示出本發(fā)明的示例2中的處理的程序。圖7繼續(xù)圖6示出本發(fā)明的示例2中的處理的程序。在這些附圖中使用的數(shù)字代碼表示如下1 ；第一金屬支撐襯底，2 ；布線電路層， 21 ；第一連接導(dǎo)體部，22 ；第二連接導(dǎo)體部，3 ；晶片狀態(tài)的第一半導(dǎo)體元件，4 ；半導(dǎo)體器件
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的制造方法，如下面所描述地解決上述問題。本發(fā)明的制造方法可以被描述為一種方法，其中先前與半導(dǎo)體元件分開地制備作 為布線電路層的再分布層被層壓在晶片狀態(tài)的元件(諸如半導(dǎo)體晶片)上以獲得半導(dǎo)體器 件。通過分開生產(chǎn)布線電路層，可以基于卷對卷(roll-to-roll)容易生產(chǎn)可以包括 大量晶片的大面積的大量半導(dǎo)體器件，因此制造成本甚至比當(dāng)在每個半導(dǎo)體晶片上直接形 成再分布層時更低。此外，以電路層能夠被剝離的方式為布線電路層提供的金屬支撐襯底賦予布線電 路層充分的剛性以提高可操縱性直到布線電路層被層壓在半導(dǎo)體晶片上，因而有助于減小 制造成本。本發(fā)明的制造方法使得僅選擇無缺陷的布線電路層以連接處于晶片狀態(tài)的元件成為可能，以便避免無缺陷元件的無益丟棄。因為布線電路層的兩個主表面都是粘合表面，所以根據(jù)本發(fā)明獲得的半導(dǎo)體器件 具有粘合表面并且在安裝到外部電路方面很有用?？梢酝ㄟ^以使得元件能夠被分別連接的方式將連接導(dǎo)體部暴露于布線電路層的 兩個主表面、剝離金屬支撐襯底以及此后將該元件也連接到暴露的第二主表面，提高元件 安裝密度。在下文中，參照具體示例描述本發(fā)明的制造方法。如本文所用的，指示向上或向下 的術(shù)語，諸如“上”和“上表面”，僅僅用來解釋層和元件在層壓方向上的位置關(guān)系，而不要解 釋為限制半導(dǎo)體器件的實際垂直位置或者布線電路層和半導(dǎo)體元件之間的相互垂直位置 關(guān)系。圖1示意性地示出如何經(jīng)過本發(fā)明的制造方法中的每個步驟形成產(chǎn)品。為了解釋 起見，已經(jīng)簡化了布線電路層中所示出的層結(jié)構(gòu)和連接圖案。如本文所提到的，“處于晶片狀態(tài)的半導(dǎo)體元件”不僅包括以晶片襯底上的矩陣為 形式時的多個半導(dǎo)體元件的半導(dǎo)體晶片，而且包括通過一旦將晶片切割成各個芯片、通過 質(zhì)量核查來檢查半導(dǎo)體晶片中的多個元件、此后僅將那些具有可接受質(zhì)量的芯片重新布置 在與晶片襯底相同形狀的片材上而制備的那些半導(dǎo)體晶片。在下面的描述中，“處于晶片狀 態(tài)的半導(dǎo)體元件”也稱為“晶片狀元件”。該制造方法至少具有層壓步驟，用于在第一金屬支撐襯底上可剝離地形成布線 電路層；接合步驟，用于連接晶片狀元件；以及剝離步驟，用于從布線電路層剝離第一金屬 支撐襯底。該布線電路層至少具有布線部(S卩，圖案化的導(dǎo)電層)和其間填充的絕緣部，并且 該布線電路層用作所連接元件的再分布層。下面詳細描述其結(jié)構(gòu)。在制造方法中，首先在層壓步驟中在第一金屬支撐襯底1和布線電路層2之間形 成層壓結(jié)構(gòu)(lamination)，如圖1(a)所示。大致存在兩種形成層壓結(jié)構(gòu)的方法。在一種方法中，如參照圖4和5的示例中所 描述的，在層壓步驟中僅將布線電路層可剝離地層壓在第一金屬支撐襯底上。在另一種方 法中，如參照圖6和7的示例中所描述的，提供作為臨時襯底的第二金屬支撐襯底，在其上 可剝離地層壓布線電路層的所有或一些層，并且還在其上層壓第一金屬支撐襯底，此后剝 離和去除第二金屬支撐襯底，從而獲得允許分離第一金屬支撐襯底和布線電路層的層壓結(jié) 構(gòu)。在前者方法中，所暴露的主表面還可以覆蓋有在連接到半導(dǎo)體元件前要去除的脫 模襯里(release liner) 0在后者方法中，第二金屬支撐襯底可以用作脫模襯里。當(dāng)元件(第二元件)也被安裝到通過剝離步驟中的剝離而變?yōu)楸┞兜牡诙鞅砻?(第二粘合表面)時，必要的是第二連接導(dǎo)體部也以使得能夠連接第二元件這樣的圖案和 暴露方式形成在第二粘合表面中。盡管第二元件優(yōu)選地處于晶片狀態(tài)，但是其可以處于劃分的芯片狀態(tài)。用于連接 第二元件的第二連接導(dǎo)體部，如上述第一連接導(dǎo)體部，是構(gòu)成布線電路層的布線部的一部 分或者經(jīng)由導(dǎo)電通路連接到布線部的任一連接導(dǎo)體部。接下來，在制造方法的接合步驟中，如圖1(a)和(b)所示，晶片狀元件3A被接合到布線電路層2的暴露主表面(第一粘合表面)20A，元件3A的電極31同時連接到主表面 20A中暴露的第一連接導(dǎo)體部21。在圖1(a)中，第一連接導(dǎo)體部21、電極31等等被示為它們比實際狀態(tài)時更突出， 以便清楚地指示它們的位置。在圖1中，以放大視圖僅示出晶片上的一個元件。然而在實 際的設(shè)置中，多個元件以矩陣形式布置在晶片級的襯底上。在圖1(b)中，第一連接導(dǎo)體部 21和電極31中的每個的突出部被省略。在實際步驟中，半導(dǎo)體元件和布線電路層通過擠壓 而達到無縫粘合。而且，在制作方法的剝離步驟中，如圖1(c)所示，第一金屬支撐襯底1從布線電路 層2剝離以暴露布線電路層的第二主表面(第二粘合表面)20B，由此獲得希望的半導(dǎo)體器 件4。在這個階段中，半導(dǎo)體器件處于晶片形式，因此通過切割來獲得各個芯片形式的 半導(dǎo)體器件。在將第一金屬支撐襯底從布線電路層中剝離后，在切割之前可以使布線電路 層經(jīng)受諸如提供焊球的處理。半導(dǎo)體器件可以是允許層壓在布線電路層上和連接到其的連接導(dǎo)體部的任一半 導(dǎo)體器件；示例包括常規(guī)已知的元件，諸如那些像單個發(fā)光元件的簡單結(jié)構(gòu)、包括其組件的 陣列、有機半導(dǎo)體元件、IC、其中集成各種操作電路的處理器、存儲器、光傳感器和圖像傳感 器、以及多芯片模塊、MEMS(微機電系統(tǒng)；其中機器部件、傳感器、致動器、電子電路等等集 成在襯底上的器件)等等。用于在其上形成半導(dǎo)體元件的晶片襯底可以是用于半導(dǎo)體元件的任何襯底；示例 包括諸如硅的半導(dǎo)體晶體襯底、以及絕緣晶體襯底、玻璃襯底、由有機化合物制成的襯底等 等。這些襯底中，最通用的襯底是硅晶體襯底(硅晶片)。金柱凸點、凸點下金屬(UBM)等等形成在元件的電極中。UBM由通過化學(xué)鍍 (electroless plating)形成的Ni/Au層(Ni在底涂層側(cè)；下面的情況也是如此，即首先指 示層壓結(jié)構(gòu)的底涂層側(cè))、通過濺射形成的Ti/Cu層、Ti/ff/Cu層和Ti/Ni/Cu層、等等來例 證。常規(guī)已知的方法可以用來連接元件的電極到布線電路層的連接導(dǎo)體部；示例包括 金-金接合、金柱凸點-焊料接合、焊料凸點接合、使用銀膠的接合、以及使用ACF(各向異 性導(dǎo)電膜)或NCF(非導(dǎo)電膜)的接合。為了滿足精細間距的需要，適合使用金柱凸點-焊 料接合。如果在器件和布線電路層之間由于凸點高度等等而產(chǎn)生間隙，則可以填充底填充
材料等等。在其中在襯底中存在在厚度方向上穿透晶片襯底的通孔并且半導(dǎo)體元件的電極 經(jīng)過該通孔與晶片襯底的背面?zhèn)瓤蛇B通(communicable)的結(jié)構(gòu)的情況下，布線電路層可 以層壓在晶片襯底的背面?zhèn)?，并且布線電路層的連接導(dǎo)體部可以連接到通孔的端子。此外 在這種情況下，布線電路層可以用來不在晶片襯底的背面?zhèn)壬隙谠?cè)上連接元件的電 極和通孔，并且布線電路層可以層壓在背面?zhèn)群驮?cè)兩者上。布線電路層至少包括布線部(具體地是形成為電路圖案的導(dǎo)電層)以及完全覆蓋 布線部的上側(cè)、下側(cè)和周圍的絕緣部。圖2示出了布線電路層的示例結(jié)構(gòu)。在絕緣部中，在第一主表面20A—側(cè)上存在 第一粘合層20a，而在第二主表面20B —側(cè)上存在第二粘合層20b，由此這兩個主表面起粘合表面的作用。如圖1所示，第一連接導(dǎo)體部21暴露于第一粘合表面(圖1中的20A)用 于以使得能夠連接元件3A的電極31的方式連接第一元件3A。在圖1所示的示例中，第一 連接導(dǎo)體部21經(jīng)由導(dǎo)電通路連接到作為其中的布線部的導(dǎo)電層。第一連接導(dǎo)體部可以是 暴露于第一粘合表面的布線部。布線電路層用作連接到其的元件的再分布層。當(dāng)元件連接到布線電路層的第一和 第二粘合表面中的每個表面時，布線電路層用作這兩個元件的共同再分布層。盡管不具體限制布線電路層的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和導(dǎo)體連接結(jié)構(gòu)，但是圖2例證了有用的 基本結(jié)構(gòu)。在圖2的結(jié)構(gòu)中，布線電路層具有作為絕緣部的絕緣層20，該絕緣層20構(gòu)成具有 第一粘合層20a、基底絕緣層20c和第二粘合層20b的層壓結(jié)構(gòu)。在圖2(a)所示的示例中， 導(dǎo)電層被提供為單個層。在圖2(b)所示的示例中，導(dǎo)電層的形式是在布線電路層的厚度方 向上彼此分開的兩層。在絕緣層20的第一粘合表面(其是布線電路層的第一主表面20A)上，第一連接 導(dǎo)體部21被提供用于連接到第一元件電極。在第二表面(其是布線電路層的第二主表面 20B)上，第二連接導(dǎo)體部22被提供用于連接到外部導(dǎo)體(例如，用于安裝半導(dǎo)體器件的外 部電路的焊盤)或者連接到第二元件；第一和第二連接導(dǎo)體部(21，22)連接到絕緣層20中 提供的導(dǎo)電層23。關(guān)于這兩個連接導(dǎo)體部(21，22)，根據(jù)元件的實際功能和電極的作用，可 以不同地確定連接圖案；例如，特定部件可以經(jīng)由導(dǎo)電層而彼此連接。參照圖2(a)所示的示例，導(dǎo)電層23以指定的連接圖案形成在絕緣層20中，其中 從導(dǎo)電層23延伸到第一主表面20A的導(dǎo)電通路(金屬柱)24的末端構(gòu)成第一連接導(dǎo)體部 21,而從導(dǎo)電層23延伸到第二主表面20B的導(dǎo)電通路(金屬柱)25的末端構(gòu)成第二連接導(dǎo) 體部22。在所示出的示例中，金屬膜形成在每個導(dǎo)電通路的末端中，用于獲得較好的電連接 和提高耐腐蝕性。更具體地，在圖2(a)所示的示例中，導(dǎo)電層23形成在基底絕緣層20c的 上表面上，第一粘合層20a形成在導(dǎo)電層23上；這種層壓結(jié)構(gòu)使得導(dǎo)電層23嵌入在絕緣層 20中。參照圖2(b)所示的示例，導(dǎo)電層具有第一元件側(cè)上的導(dǎo)電層23a和第一金屬支撐 襯底上的導(dǎo)電層23b。導(dǎo)電層23a和23b被間隔，并且被提供在這兩層之間的指定位置的導(dǎo) 電通路26連接這些導(dǎo)電層。更具體地，在圖2(b)所示的示例中，導(dǎo)電層23嵌入在基底絕 緣層20c中，元件側(cè)的導(dǎo)電層23a與圖2(a)所示的示例中一樣被提供在基底絕緣層20c的 上表面上并且由粘合層20a覆蓋。例如可以通過根據(jù)需要重復(fù)以下步驟，以上基底絕緣層和下基底絕緣層的形式形 成多個導(dǎo)電層在最下層側(cè)上形成基底絕緣層；在其上形成第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層上形成第二基底絕緣層以嵌入第一導(dǎo)電層；在第二基底絕緣層的上表面上的指定位置制作開口以暴露第一導(dǎo)電層；用導(dǎo)電材料填充該開口以制作導(dǎo)電通路；以及在第二基底絕緣層的上表面上形成第二導(dǎo)電層。除了圖2所示的典型示例結(jié)構(gòu)，其他示例包括其中特定第一連接導(dǎo)體部21a和21b彼此連接(圖3(a))的結(jié)構(gòu)、其中第一連接導(dǎo)體部連接到多個第二導(dǎo)體部(未示出)的結(jié) 構(gòu)、其中特定第一連接導(dǎo)體部21a和21b在層中彼此連接并且不連接到布線電路層的第二 表面中的第二連接導(dǎo)體部(圖3(b))的結(jié)構(gòu)、等等；連接結(jié)構(gòu)的圖案可以根據(jù)預(yù)計使用而被 自由變化和組合。布線電路層的布線(電路層中橫向延伸的導(dǎo)電層)可以是如上面描述的單層或多層。在切割之前在布線電路層中含有的各個布線電路層的布置圖案可以是對應(yīng)于晶 片狀元件中的元件陣列圖案并允許連接各個元件與布線電路層的任何布置圖案。在切割之前布線電路層整體上的外部周邊形狀可以是與晶片襯底相同的形狀或 對應(yīng)形狀、甚至具有可以包括多個晶片襯底(簡單片材、從卷中展開的帶、等等)的更大面 積的形狀、與每個晶片襯底中的元件組件區(qū)相同的形狀或?qū)?yīng)形狀、等等。可以酌情添加用于在切割之前定位布線電路層的補充構(gòu)件以及用于提高可操縱 性的晶片狀元件和裝置。用于更優(yōu)選地執(zhí)行上述電連接和增強耐腐蝕性的金屬膜優(yōu)選地通過鍍(plating) 來形成；用于該金屬膜的有用材料包括諸如銅、金、銀、鉬、鉛、錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢和釕 的單金屬、以及由其中的兩種或更多制成的合金、等等。優(yōu)選的材料包括金、錫、鎳等等；金 屬膜的優(yōu)選模式包括具有附的底層和Au的表面層的雙層結(jié)構(gòu)等等。在對應(yīng)于連接導(dǎo)體部的位置給金屬支撐襯底提供開口(通孔)，由此允許連接導(dǎo) 體部的末端從絕緣層的表面突出。作為布線電路層的絕緣部的絕緣層優(yōu)選為如上面描述的三層結(jié)構(gòu)(粘合層/基底 絕緣層/粘合層)?；捉^緣層負責(zé)絕緣層的機械強度，并且起用于電路圖案形成的基底的 作用。布線電路層可以是僅兩個粘合層的雙層結(jié)構(gòu)，并且可以是包括附加絕緣層的四層 或更多的多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)布線電路層的絕緣層含有基底絕緣層時，有用材料的示例包括公知的合成樹 脂諸如聚酰亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、聚醚腈樹脂(polyethernitrile resin)、聚醚砜樹 脂(polyether sulfone resin)、環(huán)氧樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(polyethylene ter印hthalateresin)、聚蔡二甲酸乙二醇酉旨豐對月旨(polyethylene naphthalate resin)禾口 聚氯乙烯樹脂(polyvinyl chlorideresin)、以及這些樹脂與合成纖維布、玻璃布、無紡玻 璃織物、諸如Ti02、Si02、&02、礦物和泥土的微顆粒的組合物、等等。具體而言，優(yōu)先考慮聚 酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂、和玻璃布_環(huán)氧樹脂，因為在剝離和分離金屬支撐層后獲得具有較 高機械強度和較好電特性(絕緣特性等等)的較薄柔性絕緣層。基底絕緣層的厚度優(yōu)選為3到50 u m。第一和第二粘合層的材料可以是在接合期間不要求加熱的粘合劑或者是要求加 熱的粘合劑(熱塑樹脂、熱固樹脂)。當(dāng)使用要求在接合期間加熱的粘合劑時，用于在后接合的第二粘合層優(yōu)選為即使 當(dāng)在第一粘合層的在先接合期間被加熱也不會喪失粘合性的粘合劑。例如，如果用于在后 接合的第二粘合層的粘合劑是與用于在先接合的第一粘合層相同的熱固樹脂，則第二粘合 層因在先接合期間加熱而同時變凝固(set)，這進而會使得該粘合不可能。
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優(yōu)選的實施例包括以下項(a)兩個粘合層都用熱塑樹脂形成。(b)用于在先接合的第一粘合層用熱固樹脂形成，而用于在后接合的第二粘合層 用熱塑樹脂形成。(c)用于在先接合的第一粘合層用熱塑樹脂或熱固樹脂形成，而用于在后接合的 第二粘合層用其凝固溫度高于第一粘合層的樹脂的凝固溫度的熱固樹脂形成，以便防止用 于在后接合的第二粘合層因在先接合期間加熱而凝固。用于第一和第二粘合層(20a，20b)的優(yōu)選材料包括但不限于諸如聚砜、聚醚砜、 聚海因(polyhydantoin)、聚醚酰亞胺、聚酯、聚酰亞胺硅氧烷(polyimide siloxane)和硅 氧烷改性聚酰胺酰亞胺(siloxane-modified polyamideimide)的熱塑樹脂、以及環(huán)氧樹 脂、丙烯酸樹脂、硅樹脂、聚酰亞胺樹脂等等；這些可以被混合地使用。有用的環(huán)氧樹脂包括但不限于與熱塑樹脂、橡膠、彈性體等混合的環(huán)氧樹脂、二氧 化硅雜化材料(silica hybrids)、納米顆粒散布的環(huán)氧樹脂等等。有用的丙烯酸樹脂的示例包括但不限于環(huán)氧丙烯酸酯、丙烯酸氨酯(urethane acrylate)、有機硅丙烯酸酯(silicone acrylate)等等。用于這兩個粘合層的材料(用于在先接合的粘合層材料和用于在后接合的粘合 層材料)的優(yōu)選組合包括酚醛型環(huán)氧樹脂(phenol novolaktype epoxy resin)和熱塑聚酰 亞胺的組合、雙酚A醛型環(huán)氧樹脂(bisphenol A novolak type epoxy resin)和聚酰亞胺 有機娃白勺組合、含蔡IS型環(huán)氧tt■月旨(naphthalene-containing novolak type epoxyresin) 和硅氧烷改性聚酰胺酰亞胺的組合、等等。每個粘合層的厚度優(yōu)選為1到100 ym。作為布線電路層在第一金屬支撐襯底上的形成方法，可以采用常規(guī)已知的用于產(chǎn) 生電路襯底或中介層(interposer)的方法，諸如半添加法和減去法。通過在金屬支撐襯底上形成布線電路層，制造期間的尺寸穩(wěn)定性得以提高并且薄 布線電路層的可操縱性得以改善。當(dāng)通過半添加法在布線電路層中形成導(dǎo)電層和導(dǎo)電通路時，可優(yōu)選的是，如圖4 到6所示，預(yù)先通過濺射來形成種子膜23a (金屬薄膜)以允許金屬材料良好地沉積在導(dǎo)電 層和構(gòu)成導(dǎo)電通路的部的壁表面上。用于這樣的種子膜的有用材料的示例包括諸如銅、金、 銀、鉬、鉛、錫、鎳、鈷、銦、銠、鉻、鎢和釕的單金屬、由其中的兩種或更多制成的合金、等等。用于圖2所示的導(dǎo)電層和導(dǎo)電通路的材料的示例包括從銅、金、銀、鉬、鉛、錫、鎳、 鈷、銦、銠、鉻、鎢、釕等中選擇的單金屬、以及包括其中的一種或多種的合金(例如，焊料、 鎳錫、金鈷等等)。具體而言，優(yōu)選地使用容許電鍍(electroplating)或化學(xué)鍍的金屬。優(yōu) 選銅，因為其優(yōu)點在于容易形成導(dǎo)電層電路圖案和電特性。導(dǎo)電層23的厚度可以視情況在1到50 ym的范圍內(nèi)選擇但不限于此。導(dǎo)電通路 24和25優(yōu)選地具有圓柱體形狀，其直徑為5到500 u m,優(yōu)選地是5到300 u m。用于第一金屬支撐襯底的優(yōu)選材料包括但不限于銅、主要基于銅的銅合金、鎳、主 要基于鎳的鎳合金、主要基于鎳和鐵的合金、不銹鋼等等。為了最小化與半導(dǎo)體晶片的線性膨脹系數(shù)的差別，優(yōu)選地使用主要基于鎳和鐵的 合金(例如，42合金)。
第一金屬支撐襯底的厚度根據(jù)材料的剛性而可變，并且優(yōu)選為大約lOym到 200 u m,更優(yōu)選為大約20 ii m到80 u m。當(dāng)?shù)谝唤饘僦我r底的厚度小于10 y m時，很可能在金屬支撐襯底中發(fā)生皺折和 起皺，這進而減小卷工藝中的可操縱性。當(dāng)?shù)谝唤饘僦我r底的厚度超過200 ym時，纏繞 直徑由于其剛性而增加，這進而妨礙卷工藝中的操縱并且還干擾通過蝕刻處理。如圖6和7所示，即使當(dāng)使用第二金屬支撐襯底1A時，所用的第二金屬支撐襯底 可以與上面描述的第一金屬支撐襯底相同。為了便于從布線電路層更平穩(wěn)地剝離第一金屬支撐襯底，可優(yōu)選的是其中其間存 在脫模層的結(jié)構(gòu)。可優(yōu)選的是以使得脫模層可以容易從布線電路層被剝離且不易從金屬 支撐襯底被剝離的方式形成該脫模層，以及該脫模層可連同金屬支撐襯底一起從布線電路 層去除。用于脫模層的有用材料包括有機物質(zhì)(有機硅樹脂、聚酰亞胺等等)和無機物質(zhì) (金屬、金屬氧化物、無機氧化物等等)。無機物質(zhì)由銀、鈦、鎢、鎳、二氧化硅等例證。考慮到產(chǎn)生布線電路層的步驟以及在連接布線電路層到半導(dǎo)體晶片期間的高熱 條件，更優(yōu)先考慮聚酰亞胺和前述的無機物質(zhì)，因為有機硅樹脂可能惡化。當(dāng)脫模層被形成為聚酰亞胺層時，其厚度優(yōu)選為0. 1到lOym，且更優(yōu)先考慮0. 1 到5 y m以防止整個布線電路層彎曲。當(dāng)脫模層被形成為由前述無機物質(zhì)之一制成的層時，其厚度優(yōu)選為1到lOOnm，且 更優(yōu)先考慮1到50nm以防止整個布線電路層彎曲。當(dāng)脫模層是聚酰亞胺層時，形成該層的有用方法包括其中涂布溶液的方法、其中 通過電沉積或化學(xué)汽相沉積(CVD)來沉積該層的方法、其中分開形成的聚酰亞胺膜被層壓 的方法、等等。當(dāng)脫模層是由諸如金屬、金屬氧化物或無機氧化物之類的無機物質(zhì)制成的層 時，形成該層的有用方法包括電鍍、真空蒸發(fā)、濺射等等。示例在下文中參照實際產(chǎn)生示例更詳細且更具體地描述本發(fā)明的制造方法。對于在以 下解釋中所涉及的圖4到7中的所有布線電路層，僅放大了一個第一連接導(dǎo)體部和相當(dāng)于 第一連接導(dǎo)體部的圖7的布線電路層背面上的一個第二連接導(dǎo)體部。示例 1在SUS304的第一金屬支撐襯底上形成鈦的脫模層，并且在兩個表面上都具有粘 合層的布線電路層形成在其上且接合到半導(dǎo)體晶片。[脫模層的形成]具有厚度25 y m的鈦的脫模層5通過濺射而形成在作為第一金屬支撐襯底1的具 有厚度25 iim的不銹鋼(SUS304)箔的整個表面上，如圖4 (a)所示。[絕緣層中的下粘合層(第二粘合層)的形成]如圖4(b)所示，(通過氧雙鄰苯二甲酸酐(oxydiphthalicdianhydride)與2， 2'-雙[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷(2，2-bis (4-aminophenoxyphenyl)propane)的反 應(yīng)而制備的)聚酰胺酸溶液被涂布在脫模層5的上表面上并且被熱凝固以形成熱塑聚酰亞 胺的第二粘合層20b。第二粘合層具有5 ym的厚度。[絕緣層中的基底絕緣層的形成]
(通過 3，4' ,3,4'-聯(lián)苯四羧酸二酐(3，4' ,3,4' -biphenyltetracarboxylic dianhydride)、4，4 ‘ - 二氨基二苯醚(4，4' -diaminodiphenyl ether)和對苯二胺 (para-phenylenediamine)的反應(yīng)而制備的)聚酰胺酸被涂布在第二粘合層20b的上表面 上并且被熱凝固以形成具有10 y m的厚度的聚酰亞胺層(基底絕緣層)20c。[連接導(dǎo)體部、種子膜、下導(dǎo)電通路和導(dǎo)電層的形成]如圖4(c)所示，在要形成用于連接第二元件的第二連接導(dǎo)體部的位置通過激光 處理在粘合層20b和基底絕緣層20c的層壓結(jié)構(gòu)中形成開口 hl，以使鈦脫模層5暴露于開 口的底部。該開口是直徑為100 iim的球形。金膜222和鎳膜221通過鍍而順序地形成在暴露于開口內(nèi)部的鈦脫模層5的表面 上。金膜變成下連接導(dǎo)體部的表面上的金屬膜。而且，如圖4(d)所示，執(zhí)行用鉻然后用銅的濺射以形成種子膜23a(鉻層厚度 20nm、銅層厚度lOOnm)，并且通過電解銅鍍以指定的布線圖案形成導(dǎo)電層23和導(dǎo)電通路 25。由于種子膜的銅層與導(dǎo)電通路和導(dǎo)電層的銅變?yōu)橐惑w，所以種子膜23a被示為如 圖4(d)中的單層鉻。圖5到7的情況也是如此。隨后，去除其中沒有導(dǎo)電層23的種子膜的部分(導(dǎo)電層之外的種子膜的部分)。[上導(dǎo)電通路的形成]如圖5(e)所示，種子膜在除了其中要形成導(dǎo)電通路的部分(未示出)之外的整個 表面上覆蓋有鍍抗蝕劑，并且通過電解銅鍍來形成具有直徑80 y m和高度15 y m的導(dǎo)電通 路24。[絕緣層中的上粘合層(第一粘合層)的形成]如圖5(f)所示，在去除鍍抗蝕劑后，包括環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺作為主要成分的熱 固樹脂的第一粘合層20a以使得暴露的導(dǎo)電層23和導(dǎo)電通路24被嵌入的方式形成，并且 然后以使得導(dǎo)電通路24的上端面作為第一連接導(dǎo)體部暴露于粘合層的上表面(第一粘合 表面)的方式用堿性溶液蝕刻第一粘合層。[第一連接導(dǎo)體部上的金屬膜的形成]如圖5(f)所示，鎳膜211 (厚度2 ym)和金膜212 (厚度0. 5 y m)通過電鍍而順序 地形成在導(dǎo)電通路24的上端面上。盡管抗蝕劑用于該鍍，但這里省略其描述。[連接到第一半導(dǎo)體晶片]由此獲得的布線電路層(可剝離地附著的第一金屬支撐襯底)連接到第一半導(dǎo)體 晶片，如下面所描述的。半導(dǎo)體晶片具有240個元件，每個元件具有240個直徑80 y m的圓形電極焊盤，且 每個焊盤上形成寬60 y m的金柱凸點。如圖5(g)所示，在3Pa的真空、溫度200°C、壓力1. 5g/凸點下使用(由EV Group 制造的)對準器和接合設(shè)備將半導(dǎo)體晶片3A對準并且接合到布線電路層的上主表面(第 一粘合表面)20A，此后在180°C下第一粘合層固化2小時。隨后，通過在脫模層5和第二粘 合層20b之間的界面處進行分離，一起剝離第一金屬支撐襯底1和脫模層5。如圖5(h)所示，第二半導(dǎo)體晶片3B與上面同樣地被對準在剝離后暴露的第二粘 合層的第二粘合表面(布線電路層的下主表面20B)，如上面所描述的，并且它們在300°C下被熱壓縮接合以產(chǎn)生半導(dǎo)體器件，其通過切割而被切成各個芯片。在這個示例中，用于在先連接第一半導(dǎo)體晶片的第一粘合層20a被制備為熱固樹 脂層，而用于在后連接第二半導(dǎo)體晶片的第二粘合層20b被制備為熱塑樹脂層。通過采取 這種配置，在先接合期間的加熱對在后接合沒有影響，并且獲得優(yōu)選的雙側(cè)安裝物件。示例 2如圖6和7所示，第二金屬支撐襯底被制備為臨時襯底，布線電路層的一部分(除 了第一粘合層之外的層)被可剝離地層壓在其上，并且第一金屬支撐襯底被進一步可剝離 地層壓其上，此后第二金屬支撐襯底被去除，并且形成第一粘合層以獲得金屬支撐襯底和 布線電路層的可剝離層壓結(jié)構(gòu)。[第二金屬支撐襯底上的第二脫模層的形成]如圖6(a)所示，使用具有厚度25 ym的不銹鋼(SUS304)箔作為第二金屬支撐襯 底1A，通過濺射在襯底1A的整個表面上形成具有厚度25 y m的鈦的第二脫模層5A。[絕緣層中的基底絕緣層的形成]在這個示例中，在第二金屬支撐襯底上形成基底絕緣層，在其上形成第二粘合層， 在其上可剝離地形成第一金屬支撐襯底，然后剝離第二金屬支撐襯底1A，此后形成第一粘
口 te o如圖6(b)所示，使用(通過3，4' ,3,4'-聯(lián)苯四羧酸二酐、4，4' -二氨基二苯 醚和對苯二胺的反應(yīng)而制備的)光敏聚酰胺酸，在第二脫模層5A上形成聚酰亞胺層(基底 絕緣層)20c。厚度為lOiim。通過激光處理在用于形成用于連接第二元件的第二連接導(dǎo)體部的位置在基底絕 緣層20c中形成開口 h2，以使第二脫模層(鈦層)5A暴露于開口的底部。該開口是直徑為 lOOiim的球形。[種子膜、下導(dǎo)電通路的部分和導(dǎo)電層的形成]如圖6(c)所示，用鉻然后用銅執(zhí)行濺射以形成種子膜23a，并且通過電解銅鍍來 形成為指定的布線圖案的下導(dǎo)電通路的部分24和導(dǎo)電層23。隨后，去除其中沒有導(dǎo)電層23的種子膜的部分(導(dǎo)電層之外的種子膜的部分)。[上導(dǎo)電通路的形成]以與上述示例1的相同方式，種子膜在除了用于形成導(dǎo)電通路的部分(未示 出)之外的整個表面上覆蓋有鍍抗蝕劑，并且通過電解銅鍍來形成具有直徑80 ym和高度 15iim的導(dǎo)電通路(金屬柱)25，如圖6(d)所示。[絕緣層中的第二粘合層的形成]在去除鍍抗蝕劑后，以使得暴露的導(dǎo)電層23和導(dǎo)電通路25被嵌入的方式使(通 過氧雙鄰苯二甲酸酐與2，2'-雙[4-(4-氨基苯氧基苯基)]丙烷的反應(yīng)而制備的)聚酰 胺酸溶液被涂布并且被熱凝固以形成熱塑聚酰亞胺的第二粘合層20b，如圖6(e)所示。隨 后，以使得導(dǎo)電通路25的上端面作為第二連接導(dǎo)體部暴露于第二粘合層的上表面(第二粘 合表面)的方式用堿性溶液蝕刻粘合層。第二粘合層具有5 ym的厚度。[上導(dǎo)電通路的上端面上的金屬膜的形成]如圖6(e)所示，鎳膜211 (厚度2 ym)和金膜212 (厚度0. 5 y m)通過電鍍而順序 地形成在導(dǎo)電通路25的上端面上。如示例1中一樣，抗蝕劑用于該鍍。
[金屬支撐襯底的接合]分離地，使用不銹鋼(SUS304)箔作為金屬支撐襯底1，該箔具有與第二金屬支撐 襯底1A相同的25 y m的厚度，并且在其上通過濺射在整個表面上形成具有厚度25 y m的鈦 的脫模層5。第一金屬支撐襯底1和脫模層5的這種雙層層壓結(jié)構(gòu)被熱壓縮接合到如上面描述 所形成的第二粘合層20b的上表面(第二粘合表面或者第二主表面20B)，如圖7(f)所示。[第二金屬支撐襯底的剝離和下導(dǎo)電通路的形成]如圖7(g)所示，第二金屬支撐襯底1A和第二脫模層5A通過在脫模層5A和基底 絕緣體層20c之間的界面處的分離而被一起剝離。在開口 h2的底部上形成的鉻種子膜的下端面暴露于剝離后所暴露的基底絕緣體 層20c的下表面。在去除鉻種子膜后，通過使用鍍抗蝕劑來電解銅鍍，進一步形成具有直徑 lOOiim和高度15iim的下導(dǎo)電通路(金屬柱)24，如圖7 (g)所示。[絕緣層中的第一粘合層的形成]如圖7(h)所示，在去除鍍抗蝕劑后，包括環(huán)氧樹脂和聚酰亞胺作為主要成分的熱 固樹脂的第一下粘合層20a以使得暴露的基底絕緣體層20c和導(dǎo)電通路24被嵌入的方式 形成。隨后，以使得導(dǎo)電通路24的下端面作為第一連接導(dǎo)體部暴露于第一粘合層的下表面 (第一粘合表面)的方式用堿性溶液蝕刻第一粘合層。第一粘合層具有5 ym的厚度。[第一連接導(dǎo)體部的表面上的金屬膜的形成]如圖7(h)所示，鎳膜211 (厚度2 ym)和金膜212 (厚度0. 5 y m)通過電鍍而順序 地形成在下連接導(dǎo)體部的表面上。盡管抗蝕劑用于該鍍，但這里省略其描述。[連接到半導(dǎo)體晶片]對由此獲得的布線電路層(可剝離地附著的金屬支撐襯底)，兩個半導(dǎo)體晶片的 每個使用與示例1相同的程序連接到兩個主表面，并且晶片通過切割而被切成各個芯片形 式的半導(dǎo)體器件。這個示例中最終獲得的布線電路層中的兩個粘合層就它們與第一金屬支撐襯底 的位置關(guān)系而言等同于示例1中的那兩個粘合層；用于在先連接第一半導(dǎo)體晶片的第一粘 合層20a是熱固樹脂層，而用于在后連接第二半導(dǎo)體晶片的第二粘合層20b是熱塑樹脂。通 過這種配置，在先接合期間的加熱對在后接合沒有影響，并且獲得優(yōu)選的雙側(cè)安裝物件。根據(jù)本發(fā)明的制造方法，能夠以較低成本為半導(dǎo)體元件提供再分布層，并且可避 免由于再分布層的不可接受的質(zhì)量而導(dǎo)致的可接受質(zhì)量的半導(dǎo)體元件被丟棄。該制造方法 還使得能夠在半導(dǎo)體器件的兩面上都安裝元件，導(dǎo)致提高的安裝密度。本申請是基于在日本提交的專利申請?zhí)?009-080023，該申請的內(nèi)容全文并入本 文以供此參考。
權(quán)利要求
一種具有層壓結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件的制造方法，其中第一半導(dǎo)體元件被層壓且連接到布線電路層的兩個主表面中的至少一個，該布線電路層至少包括布線部和絕緣部，其中該絕緣部包括第一粘合層和第二粘合層，該第一粘合層設(shè)置在該布線電路層的一個主表面?zhèn)榷摰诙澈蠈釉O(shè)置在另一個主表面?zhèn)龋⑶以搩蓚€主表面分別通過第一粘合層和第二粘合層的存在而形成第一粘合表面和第二粘合表面，并且第一連接導(dǎo)體部暴露在至少第一粘合表面中，該第一半導(dǎo)體元件以使得該元件的電極能夠被連接的方式連接到該第一粘合表面，并且該第一連接導(dǎo)體部構(gòu)成布線電路層的布線部的一部分或者經(jīng)由導(dǎo)電通路而連接到該布線部；該制造方法包括以下步驟以使得布線電路層能夠從該襯底被剝離并且該第一粘合表面被提供在布線電路層的離開襯底的相對側(cè)的方式在第一金屬支撐襯底上層壓該布線電路層；在層壓步驟后，將處于晶片狀態(tài)的第一半導(dǎo)體元件接合到第一粘合表面，且同時連接該元件的電極到第一連接導(dǎo)體部；以及在接合步驟后，從該布線電路層剝離該金屬支撐襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該布線電路層的該絕緣部具有層壓結(jié)構(gòu)，該層壓結(jié)構(gòu) 包括第一粘合層、第二粘合層以及在這些粘合層之間的基底絕緣層，(i)在層壓步驟中，在第二金屬支撐襯底上形成該基底絕緣層， 形成該布線電路部和覆蓋該布線電路部的第二粘合層，在第二粘合表面上可剝離地層壓第一金屬支撐襯底，該第二粘合表面是第二粘合層的 上表面，剝離該第二金屬支撐襯底，在該基底絕緣層的暴露表面上形成該第一粘合層，以及然后在第一粘合表面中形成第一連接導(dǎo)體部，該第一粘合表面是第一粘合層的下表面，( )在接合步驟中，將處于晶片狀態(tài)的第一半導(dǎo)體元件接合到第一粘合表面，且同時連接該元件的電極到 第一連接導(dǎo)體部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中以使得第二半導(dǎo)體元件的電極能夠被連接的方式將第 二連接導(dǎo)體部暴露在布線電路層的第二主表面中，并且第二連接導(dǎo)體部是布線電路層的布 線部的一部分或者經(jīng)由導(dǎo)電通路而連接到布線部，并且該方法還包括剝離步驟后的第二接合步驟， 在第二接合步驟中，將處于晶片狀態(tài)或芯片狀態(tài)的第二半導(dǎo)體元件接合到在剝離步驟中所暴露的第二粘 合表面，且同時連接第二半導(dǎo)體元件的電極到第二連接導(dǎo)體部。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中第一粘合層和第二粘合層由在粘合期間要求加熱的粘 合劑制成，并且第二粘合層由即使由于在第一半導(dǎo)體元件在先接合到第一粘合層期間加熱也不會喪 失接合能力的粘合劑制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中在第一金屬支撐襯底和布線電路層之間存在脫模層，由此能夠從第一金屬支撐襯底剝離布線電路層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中以使得脫模層容易從布線電路層剝離且不容易從第一 金屬支撐襯底剝離的方式已經(jīng)形成該脫模層，由此該脫模層能夠連同第一金屬支撐襯底一 起從布線電路層剝離。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中該脫模層由聚酰亞胺制成。
8.根據(jù)權(quán)利要求5的方法，其中該脫模層由從金屬、金屬氧化物和無機氧化物中選擇 的一種材料制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中該布線電路層用作連接到其上的半導(dǎo)體元件的再分布層。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造方法。具有至少布線部和絕緣部的布線電路層(2)以使得該層(2)能夠從金屬支撐襯底(1)被剝離的方式形成在襯底(1)上，布線電路層的頂表面和底表面(20A，20B)是粘合表面。在布線電路層(2)的第一粘合表面(20A)中暴露第一連接導(dǎo)體部(21)，其可與晶片狀態(tài)的第一半導(dǎo)體元件(3)的電極31連接。在布線電路層(2)層壓在并連接到元件(3)后，金屬支撐襯底(1)從布線電路層(2)被剝離以產(chǎn)生半導(dǎo)體器件(4)。另一個元件可以連接到剝離后暴露的另一個粘合表面(20B)。
文檔編號H01L21/60GK101853793SQ20101014935
公開日2010年10月6日 申請日期2010年3月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年3月27日
發(fā)明者吉田直子, 小田高司, 森田成紀 申請人:日東電工株式會社