專利名稱：一種半導(dǎo)體器件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及半導(dǎo)體器件制造方法，具體來(lái)說(shuō)，涉及一種自對(duì)準(zhǔn)和自限制形成提升有源區(qū)的半導(dǎo)體器件制造方法。
背景技術(shù)：
對(duì)于傳統(tǒng)的提升有源區(qū)的器件制造工藝，是在整個(gè)有源區(qū)上，即源極區(qū)和漏極區(qū)上，通過(guò)外延生長(zhǎng)形成提升有源區(qū)，這種方法可以減小延伸電阻率并更易形成接觸，因此在步入32nm及以下時(shí)代以后，仍希望能夠使用該工藝，但是，由于生長(zhǎng)提升有源區(qū)時(shí)，是在整個(gè)有源區(qū)上通過(guò)外延生長(zhǎng)來(lái)形成，在隔離區(qū)一側(cè)并沒(méi)有任何限制，這樣有可能導(dǎo)致提升有源區(qū)生長(zhǎng)時(shí)跨過(guò)隔離區(qū)造成相鄰器件的短路，也很難使其與柵電極同高，并很難在此工藝中實(shí)現(xiàn)為提高遷移率的雙應(yīng)力氮化物工藝(Dual stress nitrid印rocess)。因此，需要提出一種能夠自對(duì)準(zhǔn)和自限制形成提升有源區(qū)的半導(dǎo)體器件的制造方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵堆疊，以及在柵堆疊側(cè)壁形成第一側(cè)墻；在所述第一側(cè)墻的側(cè)壁形成第二側(cè)墻，以及在第二側(cè)墻的側(cè)壁形成第三側(cè)墻；去除所述第二側(cè)墻，以形成開(kāi)口 ；利用所述開(kāi)口刻蝕半導(dǎo)體襯底，以形成填充區(qū)；在所述填充區(qū)內(nèi)形成嵌入有源區(qū)；在所述開(kāi)口內(nèi)形成提升有源區(qū)；硅化所述器件以形成金屬硅化物層。本發(fā)明還提供了一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括提供半導(dǎo)體襯底； 在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵堆疊，以及在所在柵堆疊側(cè)壁形成第一側(cè)墻；刻蝕所述柵堆疊兩側(cè)的部分半導(dǎo)體襯底，以形成填充區(qū)；在所述填充區(qū)中形成嵌入有源區(qū)；在所述第一側(cè)墻的側(cè)壁形成第二側(cè)墻，以及在第二側(cè)墻的側(cè)壁形成第三側(cè)墻；去除所述第二側(cè)墻，以形成開(kāi)口 ；在所述開(kāi)口內(nèi)形成提升有源區(qū)；硅化所述器件以形成金屬硅化物層。通過(guò)采用本發(fā)明所述的方法，可以有效限定提升有源區(qū)的生長(zhǎng)范圍，以自對(duì)準(zhǔn)的方式形成提升有源區(qū)。


圖1示出根據(jù)了本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖2-11示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件各個(gè)制造階段的示意圖；圖12示出根據(jù)了本發(fā)明的第二施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖；圖13-21示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體器件各個(gè)制造階段的示意圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明通常涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。下文的公開(kāi)提供了許多不同的實(shí)施例或例子用來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同結(jié)構(gòu)。為了簡(jiǎn)化本發(fā)明的公開(kāi)，下文中對(duì)特定例子的部件和設(shè)置進(jìn)行描述。當(dāng)然，它們僅僅為示例，并且目的不在于限制本發(fā)明。此外，本發(fā)明可以在不同例子中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)化和清楚的目的，其本身不指示所討論各種實(shí)施例和/或設(shè)置之間的關(guān)系。此外，本發(fā)明提供了的各種特定的工藝和材料的例子，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以意識(shí)到其他工藝的可應(yīng)用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的結(jié)構(gòu)可以包括第一和第二特征形成為直接接觸的實(shí)施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之間的實(shí)施例，這樣第一和第二特征可能不是直接接觸。第一實(shí)施例根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，參考圖1，圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的制造方法的流程圖。在步驟S101，提供半導(dǎo)體襯底200，參考圖2。在本實(shí)施例中， 襯底200包括位于晶體結(jié)構(gòu)中的硅襯底(例如晶片)，還可以包括其他基本半導(dǎo)體或化合物半導(dǎo)體，例如Ge、GeSi, GaAs, InP, SiC或金剛石等。根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)公知的設(shè)計(jì)要求(例如 P型襯底或者η型襯底)，襯底200可以包括各種摻雜配置。此外，襯底200可以可選地包括外延層，可以被應(yīng)力改變以增強(qiáng)性能，以及可以包括絕緣體上硅(SOI)結(jié)構(gòu)。在步驟S102，在所述半導(dǎo)體襯底200上形成柵堆疊300，以及在柵堆疊300側(cè)壁形成第一側(cè)墻208，如圖2所示。柵堆疊300通常包括柵介質(zhì)層202和柵電極204，優(yōu)選地，柵堆疊300還可以進(jìn)一步包括柵電極204之上的柵帽206，所述柵帽206通常可以由氮化物材料形成，用來(lái)保護(hù)柵電極204不被后續(xù)工藝步驟損傷，本發(fā)明對(duì)柵堆疊300的結(jié)構(gòu)、材料以及形成工藝、步驟等不做限定。在一個(gè)實(shí)施例中，所述柵堆疊300可以通過(guò)在所述半導(dǎo)體襯底200上依次形成柵介質(zhì)層202、和柵電極204和柵帽206，而后利用干法或濕法蝕刻技術(shù)將所述柵介質(zhì)層202、和柵電極204以及柵帽206圖形化，從而形成形成柵堆疊300。所述柵介質(zhì)層202可包括但不限于氮化物、氧化物、氮氧化物或者高k介質(zhì)材料等。所述柵電極 204可以是一層或多層結(jié)構(gòu)，可包括但不限于金屬、金屬化合物、多晶硅和金屬硅化物，及其他們的組合。所述第一側(cè)墻208可以為一層或多層結(jié)構(gòu)，可以由氮化物或氧化物材料及其組合或其他適合的材料形成，在一個(gè)實(shí)施例中，第一側(cè)墻208為氮化物形成的一層結(jié)構(gòu)，在另外的實(shí)施例中第一側(cè)墻208還可以為由氮化物和其他材料形成的兩層結(jié)構(gòu)或其他多層結(jié)構(gòu)，這些僅是示例，并不限于此。所述柵堆疊300和第一側(cè)墻208可以采用常規(guī)工藝形成， 例如熱氧化、濺射、PLD, MOCVD, ALD、PEALD或其他合適的方法。在步驟S 103，在所述第一側(cè)墻208的側(cè)壁形成第二側(cè)墻210，以及在第二側(cè)墻210 的側(cè)壁形成第三側(cè)墻212，如圖3所示。所述第二側(cè)墻210可以為氧化物材料，第三側(cè)墻212 可以為氮化物材料，第三側(cè)墻212可以為一層或多層結(jié)構(gòu)，在一個(gè)實(shí)施例中第三側(cè)墻212為氮化物形成的一層結(jié)構(gòu)，在另外的實(shí)施例中第三側(cè)墻212還可以為由氮化物和其他材料形成的兩層結(jié)構(gòu)或其他多層結(jié)構(gòu)，這些僅是示例，并不限于此。所述第二側(cè)墻210和第三側(cè)墻 212可以采用常規(guī)沉積工藝形成，例如濺射、PLD、MOCVD, ALD、PEALD或其他合適的方法。在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一側(cè)墻208、第三側(cè)墻212和柵帽206由氮化物材料，所述第二側(cè)墻210為氧化物材料，所述第一側(cè)墻208、第二側(cè)墻210、第三側(cè)墻212以及柵帽206 還可以根據(jù)刻蝕選擇性或其他工藝要求選擇合適的材料形成，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道有多種材料組合方式來(lái)形成，這些方式均可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，因此均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。在步驟S104，去除所述第二側(cè)墻210，以形成開(kāi)口 214，如圖4所示。所述第二側(cè)墻 210具有與第一側(cè)墻208、第三側(cè)墻212以及柵帽206不同的刻蝕選擇性，可以通過(guò)RIE的方法選擇性去除所述第二側(cè)墻210，形成開(kāi)口 214。在步驟S 105，利用所述開(kāi)口 214刻蝕半導(dǎo)體襯底200，以形成填充區(qū)216，如圖5 所示。利用所述開(kāi)口 214，使用干法或者濕法或兩者結(jié)合的刻蝕工藝在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成填充區(qū)216。在所述第三側(cè)墻212下的半導(dǎo)體襯底200可以選擇性的留下或去除。在步驟S106，在所述填充區(qū)216內(nèi)形成嵌入有源區(qū)218，如圖6所示。所述嵌入有源區(qū)218通常是指嵌入源極區(qū)和嵌入漏極區(qū)。所述嵌入有源區(qū)218可以通過(guò)在填充區(qū)216 內(nèi)沉積SiGe、SiC或其他合適的材料，并同時(shí)進(jìn)行在內(nèi)摻雜(In situ doping)ρ型或η型摻雜物或雜質(zhì)到所述嵌入有源區(qū)218中形成。在步驟S107，在所述開(kāi)口 214內(nèi)形成提升有源區(qū)220，如圖7所示?？捎猛庋由L(zhǎng) (Epi)的方式形成提升有源區(qū)220。所述提升有源區(qū)220在開(kāi)口 220內(nèi)以自對(duì)準(zhǔn)、自限定的方式形成，可以獲得更好的提升有源區(qū)220的外形，避免無(wú)限定方式造成可能的相鄰器件的短路。特別地，在形成提升有源區(qū)220后，可以對(duì)所述器件平坦化，例如可以使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或其他腐蝕方法，使柵堆疊300與提升有源區(qū)220在同一高度，在一個(gè)實(shí)施例中，需要去除全部的柵帽206，實(shí)現(xiàn)器件的平坦化，如圖8所示。在另外的實(shí)施例中，還可以只去除部分柵帽206，實(shí)現(xiàn)器件的平坦化(圖中未有示出)。此處的目的是實(shí)現(xiàn)柵堆疊300 與提升有源區(qū)220的大致同高，可以按照需要去除相應(yīng)的部分，本發(fā)明對(duì)此處不做限定。在步驟S 108，硅化所述器件以形成金屬硅化物層222，如圖9所示，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)方式形成金屬硅化物層222，首先在所述器件上沉積金屬，例如Co、Ni、Mo、Pt和W等，而后進(jìn)行退火，金屬和與其任一接觸的硅表面反應(yīng)生成金屬硅化物，硅表面可以為提升有源區(qū)220和/或柵堆疊300中柵電極204的多晶硅層等，然后去除未反應(yīng)的金屬，形成自對(duì)準(zhǔn)的金屬硅化物層222。特別地，在形成金屬硅化物層222之后，可以利用干法或濕法刻蝕技術(shù)選擇性去除第三側(cè)墻212和部分第一側(cè)墻208，如圖10所示，而后可以通過(guò)但不限于PECVD的方法沉積氮化物材料，以形成應(yīng)力氮化物層224，如圖11所示，從而起到提高器件的遷移率作用。以上對(duì)利用第一側(cè)墻208和第三側(cè)墻212之間的開(kāi)口 214來(lái)限定提升有源區(qū)220 的形成范圍的器件制造方法進(jìn)行了描述，在此實(shí)施例中，嵌入有源區(qū)218在開(kāi)口 214形成之后形成。第二實(shí)施例下面將僅就第二實(shí)施例區(qū)別于第一實(shí)施例的方面進(jìn)行闡述。未描述的部分應(yīng)當(dāng)認(rèn)為與第一實(shí)施例采用了相同的步驟、方法或者工藝來(lái)進(jìn)行，因此在此不再贅述。參考圖12，圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖，根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的步驟S201至步驟S202，同第一實(shí)施例中的步驟SlOl至步驟S102相同，視為與第一實(shí)施例采用了相同的步驟、方法或者工藝來(lái)進(jìn)行，在此不再贅述。在步驟S203，刻蝕所述柵堆疊300兩側(cè)的部分半導(dǎo)體襯底200，以形成填充區(qū)216， 如圖13所示。可以使用干法或者濕法或兩者結(jié)合的刻蝕工藝在半導(dǎo)體襯底200內(nèi)形成填充區(qū)216。在步驟S204，在所述填充區(qū)216中形成嵌入有源區(qū)218，如圖14所示。所述嵌入有源區(qū)218通常是指嵌入源極區(qū)和嵌入漏極區(qū)。所述嵌入有源區(qū)218可以通過(guò)在填充區(qū)216 內(nèi)沉積SiGe、SiC或其他合適的材料，并同時(shí)進(jìn)行在內(nèi)摻雜(In situ doping)ρ型或η型摻雜物或雜質(zhì)到所述嵌入有源區(qū)218中形成。在步驟S205，在所述第一側(cè)墻208的側(cè)壁形成第二側(cè)墻210，以及在第二側(cè)墻210 的側(cè)壁形成第三側(cè)墻212，如圖15所示。所述第二側(cè)墻210可以為氧化物材料，第三側(cè)墻 212可以為氮化物材料。所述第二側(cè)墻210和第三側(cè)墻212可以采用常規(guī)沉積工藝形成， 例如濺射、PLD、MOCVD, ALD、PEALD或其他合適的方法。所述第一側(cè)墻208和第三側(cè)墻212 可以為一層或多層結(jié)構(gòu)，可以由氮化物或氧化物材料及其組合或其他適合的材料形成，在一個(gè)實(shí)施例中，第一 208和第三側(cè)墻212為氮化物形成的一層結(jié)構(gòu)，在另外的實(shí)施例中第一 208和第三側(cè)墻212還可以為由氮化物和其他材料形成的兩層結(jié)構(gòu)或其他多層結(jié)構(gòu)，這些僅是示例，并不限于此。 在一個(gè)實(shí)施例中，所述第一側(cè)墻208、第三側(cè)墻212和柵帽206由氮化物材料，所述第二側(cè)墻210為氧化物材料，所述第一側(cè)墻208、第二側(cè)墻210、第三側(cè)墻212以及柵帽206 還可以根據(jù)刻蝕選擇性或其他工藝要求選擇合適的材料形成，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道有多種材料組合方式來(lái)形成，這些方式均可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，因此均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。在步驟S206，去除所述第二側(cè)墻210，以形成開(kāi)口 214，如圖16所示。所述第二側(cè)墻210具有與第一側(cè)墻208、第三側(cè)墻212以及柵帽206不同的刻蝕選擇性，可以通過(guò)RIE 的方法選擇性去除所述第二側(cè)墻210，形成開(kāi)口 214。所述第一側(cè)墻208、第二側(cè)墻210、第三側(cè)墻212以及柵帽206可以根據(jù)刻蝕選擇性或其他工藝要求選擇合適的材料形成，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道有多種材料組合方式來(lái)形成，這些方式均可實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，因此均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。在步驟S207，在所述開(kāi)口 214內(nèi)形成提升有源區(qū)220，如圖17所示?？捎猛庋由L(zhǎng)(Epi)的方式形成提升有源區(qū)220。所述提升有源區(qū)220在開(kāi)口 220內(nèi)以自對(duì)準(zhǔn)、自限定的方式形成，可以獲得更好的提升有源區(qū)220的外形，避免無(wú)限定方式造成可能的相鄰器件的短路。特別地，在形成提升有源區(qū)220后，可以對(duì)所述器件平坦化，例如可以使用化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)或其他腐蝕方法，使柵堆疊300與提升有源區(qū)220在同一高度。在一個(gè)實(shí)施例中，需要去除全部的柵帽206，實(shí)現(xiàn)器件的平坦化，如圖18所示。在另外的實(shí)施例中，還可以只去除部分柵帽206，實(shí)現(xiàn)器件的平坦化(圖中未有示出)。此處的目的是實(shí)現(xiàn)柵堆疊300 與提升有源區(qū)220的大致同高，可以按照需要去除相應(yīng)的部分，本發(fā)明對(duì)此處不做限定。在步驟S208，硅化所述器件以形成金屬硅化物層222，如圖19所示，可以通過(guò)自對(duì)準(zhǔn)方式形成金屬硅化物層222，首先在所述器件上沉積金屬，例如Co、Ni、Mo、Pt和W等，而后進(jìn)行退火，金屬和與其任一接觸的硅表面反應(yīng)生成金屬硅化物，硅表面可以為提升有源區(qū)220和/或柵堆疊300中柵電極204的多晶硅層，然后去除未反應(yīng)的金屬，形成自對(duì)準(zhǔn)的金屬硅化物層222。特別地，在形成金屬硅化物層222之后，可以利用干法或濕法刻蝕技術(shù)選擇性去除第三側(cè)墻212和部分第一側(cè)墻208，如圖20所示，而后可以通過(guò)但不限于PECVD的方法沉積氮化物材料，以形成應(yīng)力氮化物層224，如圖21所示，從而起到提高器件的遷移率作用。以上對(duì)利用第一側(cè)墻208和第三側(cè)墻212之間的開(kāi)口 214來(lái)限定提升有源區(qū)220 的形成范圍的器件制造方法進(jìn)行了描述，在此實(shí)施例中，開(kāi)口 214在嵌入有源區(qū)218形成之后形成。本發(fā)明對(duì)通過(guò)形成自對(duì)準(zhǔn)、自限定的提升有源區(qū)的器件制造方法進(jìn)行了描述，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在第一側(cè)墻208和第三側(cè)墻212之間形成開(kāi)口 214來(lái)限定提升有源區(qū)220的形成范圍，在開(kāi)口 214內(nèi)自對(duì)準(zhǔn)的形成提升有源區(qū)220，可以獲得更好的提升有源區(qū)220的外形，避免無(wú)限定方式下造成可能的相鄰器件的短路，并且基于這種制造方法，易于實(shí)現(xiàn)柵電極204與提升有源區(qū)220的等高，也易于實(shí)現(xiàn)雙應(yīng)力氮化物工藝，以提高器件的遷移率。雖然關(guān)于示例實(shí)施例及其優(yōu)點(diǎn)已經(jīng)詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)當(dāng)理解在不脫離本發(fā)明的精神和所附權(quán)利要求限定的保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這些實(shí)施例進(jìn)行各種變化、替換和修改。對(duì)于其他例子，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)容易理解在保持本發(fā)明保護(hù)范圍內(nèi)的同時(shí)，工藝步驟的次序可以變化。此外，本發(fā)明的應(yīng)用范圍不局限于說(shuō)明書(shū)中描述的特定實(shí)施例的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法及步驟。從本發(fā)明的公開(kāi)內(nèi)容，作為本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將容易地理解，對(duì)于目前已存在或者以后即將開(kāi)發(fā)出的工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟，其中它們執(zhí)行與本發(fā)明描述的對(duì)應(yīng)實(shí)施例大體相同的功能或者獲得大體相同的結(jié)果，依照本發(fā)明可以對(duì)它們進(jìn)行應(yīng)用。因此，本發(fā)明所附權(quán)利要求旨在將這些工藝、機(jī)構(gòu)、制造、物質(zhì)組成、手段、方法或步驟包含在其保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括A.提供半導(dǎo)體襯底；B.在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵堆疊，以及在柵堆疊側(cè)壁形成第一側(cè)墻；C.在所述第一側(cè)墻的側(cè)壁形成第二側(cè)墻，以及在第二側(cè)墻的側(cè)壁形成第三側(cè)墻；D.去除所述第二側(cè)墻，以形成開(kāi)口；E.利用所述開(kāi)口刻蝕半導(dǎo)體襯底，以形成填充區(qū)；F.在所述填充區(qū)內(nèi)形成嵌入有源區(qū)；G.在所述開(kāi)口內(nèi)形成提升有源區(qū)；H.硅化所述器件以形成金屬硅化物層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述步驟G和步驟H之間還包括以下步驟平坦化所述器件使所述柵堆疊與所述提升有源區(qū)大致相平。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，在所述步驟H之后還包括以下步驟去除所述第三側(cè)墻以及部分第一側(cè)墻，并覆蓋所述器件以形成應(yīng)力氮化物層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一側(cè)墻、第三側(cè)墻和柵帽由氮化物材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第二側(cè)墻由氧化物材料形成。
6.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，所述方法包括A.提供半導(dǎo)體襯底；B.在所述半導(dǎo)體襯底上形成柵堆疊，以及在所在柵堆疊側(cè)壁形成第一側(cè)墻；C.刻蝕所述柵堆疊兩側(cè)的部分半導(dǎo)體襯底，以形成填充區(qū)；D.在所述填充區(qū)中形成嵌入有源區(qū)；E.在所述第一側(cè)墻的側(cè)壁形成第二側(cè)墻，以及在第二側(cè)墻的側(cè)壁形成第三側(cè)墻；F.去除所述第二側(cè)墻，以形成開(kāi)口；G.在所述開(kāi)口內(nèi)形成提升有源區(qū)；H.硅化所述器件以形成金屬硅化物層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，在所述步驟G和步驟H之間還包括以下步驟平坦化所述器件使所述柵堆疊與所述提升有源區(qū)大致相平。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，在所述步驟H之后還包括以下步驟去除所述第三側(cè)墻以及部分第一側(cè)墻，并覆蓋所述器件以形成應(yīng)力氮化物層。
9.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一側(cè)墻、第三側(cè)墻和柵帽由氮化物材料形成。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至8任一項(xiàng)所述的方法，其中第二側(cè)墻由氧化物材料形成。
全文摘要
一種半導(dǎo)體器件的制造方法，在形成柵堆疊及其第一側(cè)墻后，進(jìn)而形成第二側(cè)墻和第三側(cè)墻；而后去除第二側(cè)墻，在第一側(cè)墻與第三側(cè)墻間形成開(kāi)口。通過(guò)在第一側(cè)墻208和第三側(cè)墻212之間形成開(kāi)口214來(lái)限定提升有源區(qū)220的形成范圍，在開(kāi)口214內(nèi)自對(duì)準(zhǔn)的形成提升有源區(qū)220，可以獲得更好的提升有源區(qū)220的外形，避免無(wú)限定方式下造成可能的相鄰器件的短路，并且基于這種制造方法，易于實(shí)現(xiàn)柵電極204與提升有源區(qū)220的等高，也易于實(shí)現(xiàn)雙應(yīng)力氮化物工藝，以提高器件的遷移率。
文檔編號(hào)H01L21/768GK102214574SQ20101014204
公開(kāi)日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2010年4月7日 優(yōu)先權(quán)日2010年4月7日
發(fā)明者梁擎擎, 鐘匯才 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所